CN103731954B - 一种时间倍乘信号生成电路 - Google Patents

一种时间倍乘信号生成电路 Download PDF

Info

Publication number
CN103731954B
CN103731954B CN201310612587.7A CN201310612587A CN103731954B CN 103731954 B CN103731954 B CN 103731954B CN 201310612587 A CN201310612587 A CN 201310612587A CN 103731954 B CN103731954 B CN 103731954B
Authority
CN
China
Prior art keywords
comparator
inductive current
flop
rest
current detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310612587.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103731954A (zh
Inventor
易坤
陈雪松
高继
赵方麟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai semiconducto Limited by Share Ltd
Original Assignee
Chengdu Minchuang Science & Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Minchuang Science & Technology Co Ltd filed Critical Chengdu Minchuang Science & Technology Co Ltd
Priority to CN201310612587.7A priority Critical patent/CN103731954B/zh
Publication of CN103731954A publication Critical patent/CN103731954A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103731954B publication Critical patent/CN103731954B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

本发明公开了一种时间倍乘信号生成电路，它包括电感电流探测模块、计时器、RS触发器和驱动电路，所述的电感电流探测模块连接在RS触发器的R端上，所述的驱动电路连接在RS触发器的Q端，所述的计时器同时连接在电感电流探测模块和RS触发器的S端上。其优点是：电路结构简单，且对LED进行控制时恒流精度高。

Description

一种时间倍乘信号生成电路
技术领域
本发明涉及集成电路领域，更具体的说是涉及一种时间倍乘信号生成电路。
背景技术
近年来，随着发光LED的制造工艺的日趋成熟，利用LED制作的照明光源开始走进千家万户。在对LED进行控制时，会用到场效应管Q，并利用控制芯片对场效应管Q的关断。如图3为现有的芯片结构。其包括运算放大器、RS触发器、驱动电路、线电压补偿模块LN和用于计算电感放电时间的RT S&H模块。在实际运用中，由于芯片控制场效应管Q真实关断之间存在延时，该延时时间为芯片内部的固有延时，将使运算放大器同相输入端的电压在到达基准电压后，仍保持一端时间的上升。因此，线输入电压不同时，经过同样时间延迟上升，超出基准电压的幅度不一样，最终导致运算放大器同相输入端的真实关断值不一样，也即峰值电流大小不同。为了使芯片在不同电压下检测的峰值电流一致，故在芯片内部增设线电压补偿模块LN。虽然线电压补偿模块LN可解决芯片在不同电压下检测的峰值电流一致的问题，但是，增加线电压补偿模块LN不但会增加控制器电路的复杂性，而且会降低芯片批量生产的良率进而影响系统的恒流精度。
发明内容
本发明提供一种时间倍乘信号生成电路，其电路结构简单，且对LED进行控制时恒流精度高。
为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：
一种时间倍乘信号生成电路，它包括电感电流探测模块、计时器、RS触发器和驱动电路，所述的电感电流探测模块连接在RS触发器的R端上，所述的驱动电路连接在RS触发器的Q端，所述的计时器同时连接在电感电流探测模块和RS触发器的S端上。
更进一步的技术方案是:
所述的驱动电路包括两个串联的反相器。
所述的电感电流探测模块包括比较器A1和比较器A2，所述的比较器A1的反相输入端与比较器A2的同相输入端相连，所述的比较器A1和比较器A2输出端分别连接在与门的两个输入端上。
所述的比较器A2的输出端连接在RS触发器上，所述的与门的输出端与计时器相连。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的电路结构简答，采用该结构，不需增加线电压补偿模块，且其对LED灯控制的横流精度高。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的本发明的原理图。
图2为电感电流探测模块的电路原理图。
图3为现有技术的原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种时间倍乘信号生成电路，它包括电感电流探测模块、计时器、RS触发器和驱动电路，所述的电感电流探测模块连接在RS触发器的R端上，所述的驱动电路连接在RS触发器的Q端，所述的计时器同时连接在电感电流探测模块和RS触发器的S端上。
为了提高对场效应管Q的驱动能力，所述的驱动电路包括两个串联的反相器。
所述的电感电流探测模块包括比较器A1和比较器A2，所述的比较器A1的反相输入端与比较器A2的同相输入端相连，所述的比较器A1和比较器A2输出端分别连接在与门的两个输入端上。
所述的比较器A2的输出端连接在RS触发器上，所述的与门的输出端与计时器相连。
比较器A1的同相输入端上连接0.25V的电压，比较器A2的反相输入端上连接0.5V的电压。
本实施例的工作原理如下：
RS触发器，其输出端Q端与驱动电路相连控制场效应管Q的导通与关闭。电感电流探测模块其输出端与计时器相连。当电感电流探测模块的输入端检测到电压为设定值时，产生置位信号，并将该信号传至RS触发器使得驱动电路为场效应管Q提供关断信号，同时电感电流探测模块将该信号传至计时器，计时器开始计时；直到电感电流探测模块检测到输入端上的电压下降到K*设定值时电感电流探测模块将置位信号传至计时器，计时器记录下这段时间Toff1并延迟同样的时间后向RS触发器发出信号使得驱动电路重新打开效应管Q。
由于芯片内部检测到电感电流探测模块的输入端上的电压超过电感电流探测模块的设定值到芯片发出关断信号有一定延时，该延时主要来自于场效应管Q的驱动电路和场效应管Q关断时栅源端寄生电容放电。因此可以认为计时器无此延时。当电感电流探测模块检测到输入端上的电压下降到K*设定值时，计时器记录下这段时间Toff1并延迟同样的时间后向RS触发器发出信号使得电感电流探测模块重新打开场效应管Q。通过这种时间倍乘补偿技术的处理可令延时对系统带来的影响在一定范围内忽略不计，以达到补偿线电压的目的。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种时间倍乘信号生成电路，其特征在于：它包括电感电流探测模块、计时器、RS触发器和驱动电路，所述的电感电流探测模块连接在RS触发器的R端上，所述的驱动电路连接在RS触发器的Q端，所述的计时器同时连接在电感电流探测模块和RS触发器的S端上，所述的驱动电路包括两个串联的反相器，所述的电感电流探测模块包括比较器A1和比较器A2，所述的比较器A1的反相输入端与比较器A2的同相输入端相连，所述的比较器A1和比较器A2输出端分别连接在与门的两个输入端上，所述的比较器A2的输出端连接在RS触发器上，所述的与门的输出端与计时器相连。
CN201310612587.7A 2013-11-28 2013-11-28 一种时间倍乘信号生成电路 Active CN103731954B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310612587.7A CN103731954B (zh) 2013-11-28 2013-11-28 一种时间倍乘信号生成电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310612587.7A CN103731954B (zh) 2013-11-28 2013-11-28 一种时间倍乘信号生成电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103731954A CN103731954A (zh) 2014-04-16
CN103731954B true CN103731954B (zh) 2015-07-15

Family

ID=50455837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310612587.7A Active CN103731954B (zh) 2013-11-28 2013-11-28 一种时间倍乘信号生成电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103731954B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101572974A (zh) * 2009-04-17 2009-11-04 上海晶丰明源半导体有限公司 高效率恒流led驱动电路及驱动方法
CN101572973A (zh) * 2009-04-17 2009-11-04 上海晶丰明源半导体有限公司 改善峰值电流控制led恒流驱动中电流精度的电路及方法
CN102143640A (zh) * 2011-04-20 2011-08-03 杭州士兰微电子股份有限公司 Led驱动控制电路
CN103152956A (zh) * 2013-03-28 2013-06-12 杭州士兰微电子股份有限公司 Led驱动电路及其恒流控制电路
JP2013165598A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Panasonic Corp 電源装置および、これを用いた照明装置，照明器具
KR20130119081A (ko) * 2012-04-23 2013-10-31 주식회사 에이디텍 엘이디 조명장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203788501U (zh) * 2013-11-28 2014-08-20 成都岷创科技有限公司 时间倍乘信号生成电路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101572974A (zh) * 2009-04-17 2009-11-04 上海晶丰明源半导体有限公司 高效率恒流led驱动电路及驱动方法
CN101572973A (zh) * 2009-04-17 2009-11-04 上海晶丰明源半导体有限公司 改善峰值电流控制led恒流驱动中电流精度的电路及方法
CN102143640A (zh) * 2011-04-20 2011-08-03 杭州士兰微电子股份有限公司 Led驱动控制电路
JP2013165598A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Panasonic Corp 電源装置および、これを用いた照明装置，照明器具
KR20130119081A (ko) * 2012-04-23 2013-10-31 주식회사 에이디텍 엘이디 조명장치
CN103152956A (zh) * 2013-03-28 2013-06-12 杭州士兰微电子股份有限公司 Led驱动电路及其恒流控制电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN103731954A (zh) 2014-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203502855U (zh) 一种温度控制系统
CN103595238A (zh) 小功率igbt驱动互锁电路
CN102315763A (zh) 一种具有软关断功能的智能功率模块
CN102769454A (zh) 一种可抗噪声干扰的高侧栅驱动电路
CN203590014U (zh) 小功率igbt驱动互锁电路
CN103731954B (zh) 一种时间倍乘信号生成电路
CN203788501U (zh) 时间倍乘信号生成电路
CN103528716A (zh) 高精度温度监测电路
CN203689051U (zh) 适用于二线制电磁流量计的新型励磁控制电路
CN203982253U (zh) 一种用于数字电路的电压源电路
CN103631453B (zh) 红外触摸框的信号接收装置
CN203133150U (zh) 一种电压采样电路以及具有其的电加热器
CN104766609A (zh) 一种语音控制装置及其语音识别控制方法
CN203912260U (zh) 用于led驱动电路的电荷控制装置及led驱动电路
CN204013406U (zh) 一种峰值保持电路
CN204004685U (zh) 吸油阀电流闭环控制电路
CN203775160U (zh) 一种暂态地电压脉冲发生电路
CN204332376U (zh) 一种用于dram中的高速离线驱动器
CN205543678U (zh) 用于汽车防撞系统的激光超短脉冲生成装置
CN205721413U (zh) 温度控制器电路
CN203965612U (zh) 一种tev检测用校准仪
CN203520185U (zh) 一种二苯胺生产用加热器控制装置
CN204144668U (zh) 采用FPGA产生1.8-2.3ns的激光脉冲装置
CN104242043A (zh) 采用FPGA产生1.8-2.3ns的激光脉冲装置
CN106604491B (zh) Led调光mos管的输出控制电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160418

Address after: 201204 Zhang Heng road Shanghai, Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park Lane 666 No. 2 floor 504-511 room 5

Patentee after: Shanghai Bright Power Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: West high tech Zone Fucheng Road in Chengdu city of Sichuan province 610000 399 No. 6 Building 1 unit 10 floor No. 2

Patentee before: Chengdu Minchuang Science & Technology Co., Ltd.

CP03 Change of name, title or address

Address after: 5 room 504-511, room 2, Lane 666, Zhang Heng Road, Pudong New Area, China (Shanghai) free trade zone, Shanghai, China ()

Patentee after: Shanghai semiconducto Limited by Share Ltd

Address before: Room 504-511, room 5, No. 666, Lane 2, Zhang Heng Road, Zhangjiang hi tech park, Pudong New Area, Shanghai

Patentee before: Shanghai Bright Power Semiconductor Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address