高亮度微波灯
技术领域:
本发明涉及高亮度微波灯,涉及应用光学理论、等离子体效应、微波激励理论等领域先进技术综合原理应用,使弱微微波激获高能紫外光子撞击放电气体及三基薄层产生高亮度的微波灯。
技术背景:
全球气候变化的迫切需要强化技术创新,解决技术瓶颈,依靠科技,加快技术开发和推广,我国能源的开发和节约都取得了很大成绩,但是,能源不足,尤其是电力供应紧张,仍然是今后国民经济和社会发展中的一个比较突出的薄弱环节,合理用电,节约用电,节能减排,治理环境污染,保护好人类赖以生存的地球的重中之重,据美国的能源部门估计,单单使用高效节能灯泡代替传统电灯泡,就能避免四亿吨二氧化碳被释放,目前照明灯产品繁多,白炽灯由于亮度低,发热严重,耗能较大,已退出市场,可代替照明灯的节能灯产品以及LED灯产品等,由于节能日光灯产品寿命短,造成资源浪费,但是LED灯产品生产工艺及生产成本,特别LED芯片设计工艺等制约LED灯产品照明灯发展,据现况调查照明灯产品工艺以有所突破,但仍需要改进提高,本发明涉及一种新型的高亮度微波灯,应用光学理论、等离子体效应、微波激励理论等领域先进技术综合原理应用,用微弱微波激励碲丝网半导体而发出高能紫外光子,高能紫外光子撞击放电气体及三基薄层产生高亮度可见光,为克服现有照明灯亮度及耗能等技术缺陷,本发明一种新型的高亮度微波灯,结构简单,设计合理,安装方便,具有推广应用价值。
发明内容:
本发明所要解决的技术问题是:为了克服现有照明灯亮度及耗能缺陷等技术不足、拓展和宏杨现代科技的发展内涵,本发明的目的在于提供一种应用光学理论、等离子体效应、微波激励理论等领域先进技术综合原理应用,激获高能紫外光子撞击放电气体及三基薄层产生高亮度的微波灯。
其解决上述技术方案是:一种高亮度微波灯,由灯头、透光薄壁气密容器、微波发生器构成,其特征在于灯头内侧壁固定装配磁性体以及透光薄壁气密容器端部内设置有具有微波发生器和碲丝网半导体,所述的微波发生器设置有具有振荡线圈、微波电子舱以及微波发射孔,所述的透光薄壁气密容器内侧壁设置有具有透光导电膜层及三基膜层,所述的微波发生器的振荡线圈供电引线延伸到灯头所对应的灯头内侧表面连接,灯头每个电接触部件具有一表面,该表面与控制电源电相线连接,所述的微波电子舱均匀分布至少一电子舱,该电子舱使微波获得高能量后从微波发射孔射到碲丝网半导体发出高能量的紫光,所述的透光薄壁气密容器具有放电气体,该放电气体是公知技术气体,如惰性气体及惰性气体的混合气体等。
进一步的,所述的透光导电膜设置于薄壁透光气密容内侧壁及三基薄层之间并经引线延伸到灯头所对应的灯头内侧具有一表面连接,灯头每个电接触部件具有一表面,该表面与控制电源电相线连接,吸收残余微波,阻止微波外泄漏,该三基薄层是公知技术粉磨涂层,如三基色粉、三基色混合粉、荧光粉、荧光粉混合粉等粉磨涂层。
进一步的,所述的微波发生器一端部侧面中心设置有具有微波发射孔,微波发生器的振荡线圈达到一定能量时,微波进入微波电子舱均匀分布至少一电子舱内,灯头内侧壁固定装配磁性体的磁场作用下获得高能量偏转微波后从微波发射孔射出,使设置在微波发射孔前端的碲丝网半导体电离形成等离子体,该等离子体受激原子返回基态时撞击放电气体,辐射出高能紫外光子,该高能紫外光子激发透光薄壁气密容器内侧壁设置有具有三基膜层产生高亮度可见光,透光薄壁气密容器内侧壁设置有具有透光导电膜吸收残余微波并阻止微波外泄漏被控制电源吸收。
进一步的,所述的该微波发射孔前端设置有具有碲丝网半导体,该碲丝网半导体是公知技术丝网,如半导体碲制成的丝网或半导体碲化合物制成的丝网等。
本发明的高亮度微波灯实施例具有以下特点:应用光学理论、等离子体效应、微波激励理论等领域先进技术综合原理应用,微波发生器的振荡线圈达到一定能量时,微波激励碲丝网半导体电离形成等离子体,该等离子体受激原子返回基态时撞击放电气体,辐射出紫外光子,该紫外光子激发三基薄层高亮度产生可见光,使弱微微波激获高能紫外光子撞击放电气体及三基薄层产生高亮度可见光的特点,本发明一种新型的高亮度微波灯,结构简单,设计合理,安装方便,具有推广应用价值。
附图说明:图1是本发明,实施例的结构局部剖视示意图。
图2是图1实施例的微波发生器剖视示意图。
图3是图1实施例的结构A局部放大视示意图。
其中:
1-电接触部件;
2-灯头;
3-透光薄壁气密容器;
4-微波发生器;
5-振荡器线圈;
6-微波电子舱;
7-磁性体;
8-微波发射孔;
9-碲丝网半导体;
10-透光导电膜层;
11-三基膜层;
12-放电气体。
具体实施方式:参照附图,本发明高亮度微波灯的实施例的特征在于:一种高亮度微波灯,由灯头2、透光薄壁气密容器3、微波发生器4构成,其特征在于灯头2内侧壁固定装配磁性体7以及透光薄壁气密容器3端部内设置有具有微波发生器4和碲丝网半导体9,所述的微波发生器4设置有具有振荡线圈5、微波电子舱6以及微波发射孔8,所述的透光薄壁气密容器3内侧壁设置有具有透光导电膜层10及三基膜层11,所述的微波发生器4的振荡线圈5供电引线延伸到灯头所对应的内侧表面连接,灯头2每个电接触部件具有一表面,该表面与控制电源电相线连接,所述的微波电子舱均6匀分布至少一电子舱,该电子舱6使微波获得高能量后从微波发射孔8射到碲丝网半导体9发出高能量的紫光,所述的透光薄壁气密容器3具有放电气体12,该放电气体12是公知技术气体,如惰性气体及惰性气体的混合气体等,所述的透光导电膜10设置于薄壁透光气密容3内侧壁及三基薄层11之间并经引线延伸到灯头2所对应的灯头2内侧具有一表面连接,灯头2每个电接触部件具有一表面,该表面与控制电源电相线连接,吸收残余微波,阻止微波外泄漏,该三基薄层11是公知技术粉磨涂层,如三基色粉、三基色混合粉、荧光粉、荧光粉混合粉等粉磨涂层,所述的微波发生器4一端部侧面中心设置有具有微波发射孔8,微波发生器4的振荡线圈6达到一定能量时,微波进入微波电子舱6均匀分布至少一电子舱6内,灯头2内侧壁固定装配磁性体7的磁场作用下获得高能量偏转微波后从微波发射孔8射出,使设置在微波发射孔8前端的碲丝网半导体9电离形成等离子体,该等离子体受激原子返回基态时撞击放电气体12,辐射出高能紫外光子,该高能紫外光子激发透光薄壁气密容器3内侧壁设置有具有三基膜层11产生高亮度可见光,透光薄壁气密容器3内侧壁设置有具有透光导电膜10吸收残余微波并阻止微波外泄漏被控制电源吸收,所述的该微波发射孔8前端设置有具有碲丝网半导体9,该碲丝网半导体9是公知技术丝网,如半导体碲制成的丝网或半导体碲化合物制成的丝网等。
最后应当说明的是,以上内容仅用以说明本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍, 本文中应用了具体个例对本发明实施例的原理,以及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只适用于帮助理解本发明实施例的原理;同时,对于本领域的一般普通技术人员对本发明的技术方案进行的简单修改或者等同替换, 依据本发明实施例,在具体实施方式以及应用范围上均不脱离本发明技术方案的实质和范围,综上所述,本说明书内容不应理解为对发明的保护范围的限制。