CN103713251B - 一种验证led白光芯片电压高与ito膜之间关系的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，包括以下步骤：1）选取测试中Vf1值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅；2）将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO2光刻，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；3）蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec，露出N电极及走道；4）去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。本发明高效验证Vf1偏高与所蒸镀ITO膜层质量之间的联系，从而可以很直观的判定出ITO膜质量对电性Vf1的影响，对产线ITO蒸镀工序做出预警，有利于提升产品品质。

Description

一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法
技术领域
本发明涉及LED芯片制作技术领域，具体为一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法。
背景技术
在现有LED芯片抽测条件下，其电压值（Vf1）是一项重要的电性参数，而影响到Vf1值高的因素有很多，ITO膜层的质量就是其中一个重要的影响因素之一。实际生产中尚没有一种简易的方法能直接验证出Vf1值高与ITO膜层有直接的关系。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，以解决上述背景技术中的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，包括以下步骤：
1）选取测试中Vf1值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅；
2）将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO2光刻，以保护P电极以及电极下面的ITO膜层，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；
3）蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec，露出N电极及走道；
4）去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。
所述验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，其步骤为：选取测试中Vf1值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液40sec以除去其钝化层二氧化硅；将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO2光刻，以保护P电极以及电极下面的ITO膜层，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液120sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻150sec，露出N电极及走道；去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。
与已公开技术相比，本发明存在以下优点：本发明高效验证电压（Vf1）偏高与所蒸镀ITO膜层质量之间的联系，从而可以很直观的判定出ITO膜质量对电性Vf1的影响，对产线ITO蒸镀工序做出预警，有利于提升产品品质。
附图说明
图1为本发明的芯片结构示意图。
图中：1、P电极，2、新镀ITO，3、残留ITO，4、P-SiO2层，5、N电极。
具体实施方式层
为了使本发明的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，包括以下步骤：
1）选取测试中Vf1值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅；
2）将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO2光刻，以保护P电极以及电极下面的ITO膜层，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；
3）蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec，露出N电极及走道；
4）去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。
实施例1
一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，包括以下步骤：首先将芯片钝化层二氧化硅除去，露出下面的ITO膜层；为了保护金属P电极1以及电极下垫的氧化硅与ITO膜不被溶液破坏，需要进行黄光P-SiO2光刻；光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液将其他地方多余的ITO膜去掉；再浸泡去膜剂将P-SiO2光刻后的光阻去除掉，冲洗、甩干后重新进行ITO蒸镀；蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻，将N电极以及走道区域的ITO裸露出来，浸泡ITO蚀刻液蚀去除；然后浸泡去膜剂将ITO光刻后的光阻去掉，冲洗、甩干后进行ITO熔合,最后完成点测。
通过该验证方法，可以将原本电压数值偏高的异常芯片，使其Vf1值恢复正常，具体验证数据如下：
实验序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
初始Vf1值 3.24 3.26 4.19 3.67 3.85 3.83 4.33 3.54 4.41 3.66
验证后Vf1值 3.06 3.08 3.05 3.05 3.02 3.0 3.03 2.98 3.0 3.1
从上表可以看出：本发明可以使原本电压偏高的芯片其Vf1值降低20%左右，可以很直观的说明芯片电压高是与ITO膜层有关系的。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (2)

1.一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)选取测试中电压值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅；
2)将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO2光刻，以保护P电极以及P电极下面的ITO膜层，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；
3)蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec，露出N电极及走道；
4)去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。
2.根据权利要求1所述的一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，其步骤具体优化为：选取测试中电压值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液40sec以除去其钝化层二氧化硅；将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO2光刻，以保护P电极以及P电极下面的ITO膜层，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液120sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻150sec，露出N电极及走道；去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。
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