CN103700771A - 基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器 - Google Patents
基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103700771A CN103700771A CN201310686948.2A CN201310686948A CN103700771A CN 103700771 A CN103700771 A CN 103700771A CN 201310686948 A CN201310686948 A CN 201310686948A CN 103700771 A CN103700771 A CN 103700771A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- organic
- metal electrode
- composite active
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 44
- KVDJFAANUSOHTB-UHFFFAOYSA-N sodium;oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Na+].[Ta+5] KVDJFAANUSOHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 22
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical group C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Chemical group C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical group C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 31
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 31
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 claims description 30
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 17
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 14
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005437 stratosphere Substances 0.000 description 1
- 239000005439 thermosphere Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。它包括石英基底、透明金属电极层、电极修饰层、有机-无机复合活性层、阴极修饰层、金属电极层;从石英基底自下而上顺次设有透明金属电极层、电极修饰层、有机-无机复合活性层、阴极修饰层、金属电极层;所述的有机-无机复合活性层为:有机给体材料D和无机受体材料A的混合层或叠合的有机给体材料D层和无机受体材料A层。所述的有机给体材料D的分子结构通式为:
Description
技术领域
本发明涉及探测器,尤其涉及一种基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
技术背景
太阳紫外辐射在穿越大气层的过程中,由于受到热层中的氧原子及平流层中臭氧的强烈吸收,只有300-400nm波段的紫外线能够到达近地表面空间(25000米以下),导致在该空间大气内几乎不存在0-300nm波段的紫外辐射,这一波段即所谓“日盲区”;而达到地表的紫外线由于大气的散射作用形成了均匀的紫外线背景,被称为“可见盲区”。鉴于“日盲区”紫外信号所具有的地表背景洁净、不受日光的干扰、信号处理负担轻的优势,对“日盲区”紫外信号的探测(接收),不管在民用还是军用领域都有着重要的应用需求。如在高压输电线路的检修过程中,电线短路会出现电弧放电现象,发出300nm以下紫外辐射,利用“日盲区”紫外光探测技术,即使在白天也能及时、快速地定位故障点,从而将损失降到最低限。又如在军事领域,火箭或者飞机的尾焰都会发出特征的300nm以下紫外辐射,利用“日盲区”紫外光探测技术,可以实现对火箭和飞机的制导、预警。
“日盲区”紫外探测器一般由无机半导体材料如金刚石、AlGaN和MgZnO等制备而成。虽然这类材料具有高的迁移率和良好的稳定性,但是它们的加工工艺复杂,制备成本高昂,因此限制了大面积应用。另一方面,有机以及有机-无机复合半导体由于其低廉的成本和优异的加工性能近年来受到人们的广泛关注并在各种光电器件中得到应用,其中也包括紫外探测器(CN101345291A,CN101055205A)。
以有机或有机-无机复合半导体作为活性层的紫外探测器一般以镀有导电氧化铟锡(ITO)薄膜的玻璃作为基底电极和透光窗口(探测面),由于ITO玻璃对300nm以下紫外的阻隔作用,这种器件一般只能对300nm以上波段的近紫外光进行探测。如果以透明金属电极作为对电极并使光从此侧入射,虽然能够将器件的探测区间延伸到300nm以下波段,但为了尽可能提高300nm以下电磁波在透明金属电极层的透过率,一般都需要将透明金属电极层制作得很薄,这就在大大增加了探测器中活性层材料与外界环境中水、氧的接触几率,不利于器件的长时间工作,这就需要设计新的器件结构。同时,如果要使器件实现本征的日盲紫外波段响应,就必须对活性层材料带隙宽度进行严格的限制。
通过合理的分子结构设计,以在日盲紫外区间具有强吸收特性的有机半导体材料为给体、受体材料,在给体、受体材料合理组合的基础上,实现了对“日盲区”辐射的选择性响应。由于给体、受体材料都仅在300nm以下有吸收,所以器件避免了可见盲区紫外线和可见光信号的干扰。同时,将透明金属电极移到石英基底一侧,并以石英基底侧作为探测面,就可以使用比较厚的对电极(阴极)层材料,有利于保护活性层材料。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器包括石英基底、透明金属电极层、电极修饰层、有机-无机复合活性层、阴极修饰层、金属电极层;从石英基底自下而上顺次设有透明金属电极层、电极修饰层、有机-无机复合活性层、阴极修饰层、金属电极层;所述的有机-无机复合活性层为:有机给体材料D和无机受体材料A的混合层或叠合的有机给体材料D层和无机受体材料A层;所述的无机受体材料A为钽酸钠,钽酸钠粒径为3-80nm,所述的有机给体材料D的分子结构通式为:
其中,R为吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪或三唑。
所述的混合层中无机受体材料A的重量分数为5~95%。所述的透明金属电极层的材料为银、铝或银/铝混合物,厚度为2-20nm。所述的金属电极层的材料为银、铝、镁或金。
本发明通过超宽带隙无机受体材料与有机给体材料的复合,兼顾了复合活性层物质带隙宽度和迁移率之间的矛盾,实现了对日盲区紫外辐射的选择性响应,并同时避免了可见盲紫外信号和可见光信号的干扰。将透明金属电极移到基底一侧,并以石英基底侧作为探测面,就可以使用比较厚的对电极(阴极)层材料,有利于保护活性层材料。
附图说明
图1是基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器的结构示意图;
图2是可在本发明中用作活性层的有机给体材料D、无机受体材料A和给体/受体复合薄膜的吸收光谱。从谱图中可以看到,有机给体材料D、无机受体材料A和给体/受体复合薄膜材料(D:A)在300nm以下区域有强的吸收,有利于提高探测器在日盲波段的响应;在近紫外和可见光区域,其吸收几乎为零,有利于避免可见光信号的干扰;
图3是本发明的基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器的光谱响应谱图,从谱图中可以看到,当信号从石英基底1侧入射时,器件对近紫外光和可见光没有响应,呈现日盲的特征。
具体实施方式
如图1所示,基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器包括石英基底1、透明金属电极层2、电极修饰层3、有机-无机复合活性层4、阴极修饰层5、金属电极层6;从石英基底1自下而上顺次设有透明金属电极层2、电极修饰层3、有机-无机复合活性层4、阴极修饰层5、金属电极层6;所述的有机-无机复合活性层4为:有机给体材料D和无机受体材料A的混合层或叠合的有机给体材料D层和无机受体材料A层;所述的无机受体材料A为钽酸钠,钽酸钠粒径为3-80nm,所述的有机给体材料D的分子结构通式为:
其中,R为吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪或三唑。
所述的混合层中无机受体材料A的重量分数为5~95%。所述的透明金属电极层2的材料为银、铝或银/铝混合物,厚度为2-20nm。所述的金属电极层6的材料为银、铝、镁或金。
通过如下实施例对本发明作进一步的详述:
实施例1:
将石英基底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮超声洗涤5分钟后,用去离子水漂洗并烘干。在石英基底上真空蒸镀一层2nm厚的金属铝,经紫外-臭氧处理后,再用旋涂的方法制备厚度约为40nm的PEDOT:PSS(聚苯胺衍生物)电极修饰层,120℃烘烤15分钟后取出。选择D(R为吡嗪)为给体材料,和钽酸钠(粒径3nm)为受体材料A。先在PEDOT:PSS上用旋涂的方法制备厚度约为30nm的D,再在D薄膜上溶液旋涂方法制备厚度约为20nm的A,以上两层构成平面异质结结构的有机-无机复合活性层。最后,用真空蒸镀的方法依次制备1nm厚的LiF,100nm厚的铝电极。如上所述,得到如图1所示的基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
实施例2:
将石英基底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮超声洗涤5分钟后,用去离子水漂洗并烘干。在石英基底上真空蒸镀一层20nm厚的金属银,经紫外-臭氧处理后,用旋涂的方法制备厚度约为40nm的PEDOT:PSS(聚苯胺衍生物)电极传输层,120℃下烘烤15分钟后取出。选择D(R为吡啶)为给体材料,和钽酸钠(粒径30nm)为受体材料A。在PEDOT:PSS上用溶液旋涂的方法制备厚度约为70nm的混合薄膜,混合薄膜中给体材料D:受体材料A重量比为95:5,形成具有本体异质结结构的有机-无机复合活性层。最后,用真空蒸镀的方法依次制备1nm厚的LiF,200nm的银电极。如上所述,得到如图1所示的基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
实施例3:
将石英基底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮超声洗涤5分钟后,用去离子水漂洗并烘干。在石英基底上真空蒸镀一层15nm厚的银/铝混合物,经紫外-臭氧处理后,用旋涂的方法制备厚度约为40nm的PEDOT:PSS(聚苯胺衍生物)电极修饰层,120℃下烘烤15分钟后取出。选择D(R为嘧啶)为给体材料,和钽酸钠(粒径10nm)为受体材料A。先在PEDOT:PSS上用真空蒸镀的方法制备厚度约为30nm的D,再在D薄膜上用溶液旋涂的方法制备厚度约为30nm的A,以上两层构成平面异质结结构的有机-无机复合活性层。最后,用真空蒸镀的方法依次制备1nm厚的LiF,300nm的金电极。如上所述,得到如图1所示基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
实施例4:
将石英基底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮超声洗涤5分钟后,用去离子水漂洗并烘干。在石英基底上真空蒸镀一层18nm厚的银/铝混合物,经紫外-臭氧处理后,用旋涂的方法制备厚度约为40nm的PEDOT:PSS(聚苯胺衍生物)电极修饰层,120℃下烘烤15分钟后取出。选择D(R为哒嗪)为给体材料,和钽酸钠(粒径80nm)为受体材料A。在PEDOT:PSS上用溶液旋涂的方法制备厚度约为80nm的混合薄膜,混合薄膜中给体:受体重量比为5:95,形成具有本体异质结结构的有机-无机复合活性层。最后,用真空蒸镀的方法依次制备1nm厚的LiF,150nm的镁电极。如上所述,得到如图1所示的基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
实施例5:
将石英基底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮超声洗涤5分钟后,用去离子水漂洗并烘干,在石英基底上真空蒸镀一层12nm厚的铝,经紫外-臭氧处理后,用旋涂的方法制备厚度约为40nm的PEDOT:PSS(聚苯胺衍生物)电极修饰层,120℃下烘烤15分钟后取出。选择D(R为三嗪)为给体材料,和钽酸钠(粒径50nm)为受体材料A。先在PEDOT:PSS上用溶液旋涂的方法制备厚度约为30nm的D,再在D薄膜上用溶液旋涂的方法制备厚度约为30nm的A,以上两层构成平面异质结结构的有机-无机复合活性层。最后,用真空蒸镀的方法依次制备1nm厚的LiF,250nm的镁电极。如上所述,得到如图1所示的基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
实施例6:
将石英基底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮超声洗涤5分钟后,用去离子水漂洗并烘干,在石英基底上真空蒸镀一层7nm厚的银/铝,经紫外-臭氧处理后,用旋涂的方法制备厚度约为40nm的PEDOT:PSS(聚苯胺衍生物)电极修饰层,120℃下烘烤15分钟后取出。选择D(R为三唑)为给体材料,和钽酸钠(粒径15nm)为受体材料A。在PEDOT:PSS上用溶液旋涂的方法制备厚度约为60nm的混合薄膜,给体和受体以重量比1:1混合,形成具有本体异质结结构的有机-无机复合活性层。最后,用真空蒸镀的方法依次制备1nm厚的LiF,溅射200nm的银电极。如上所述,得到如图1所示的基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
实施例7:
将石英基底依次用洗涤剂、异丙醇、乙醇、丙酮超声洗涤10分钟后,用去离子水漂洗并烘干。在石英基底上真空蒸镀一层5nm厚的银/铝混合物,经过紫外-臭氧处理后,用旋涂的方法制备厚度约为40nm的PEDOT:PSS(聚苯胺衍生物)电极修饰层,120℃下烘烤15分钟后取出。选择D(R为嘧啶)为给体材料,和钽酸钠(粒径5nm)为受体材料A。先在PEDOT:PSS上用旋涂的方法制备厚度约为30nm的D,再在D薄膜上用溶液旋涂的方法制备厚度约为30nm的A,以上两层构成平面异质结结构的有机-无机复合活性层。最后,用真空蒸镀的方法依次制备1nm厚的LiF,溅射200nm厚的金电极。如上所述,得到如图1所示的基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器。
Claims (4)
2.根据权利要求1所述的一种基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器,其特征在于所述的混合层中无机受体材料A的重量分数为5~95%。
3.根据权利要求1所述的一种基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器,其特征在于所述的透明金属电极层(2)的材料为银、铝或银/铝混合物,厚度为2-20nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器,其特征在于所述的金属电极层(6)的材料为银、铝、镁或金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310686948.2A CN103700771B (zh) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310686948.2A CN103700771B (zh) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103700771A true CN103700771A (zh) | 2014-04-02 |
CN103700771B CN103700771B (zh) | 2016-05-04 |
Family
ID=50362237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310686948.2A Active CN103700771B (zh) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103700771B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449978A (zh) * | 2016-07-10 | 2017-02-22 | 上海大学 | 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101034734A (zh) * | 2007-04-10 | 2007-09-12 | 浙江大学 | 用于紫外探测的有机-无机复合器件的制备方法 |
CN101055205A (zh) * | 2006-04-14 | 2007-10-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 有机紫外光探测器 |
CN101246952A (zh) * | 2008-01-31 | 2008-08-20 | 浙江大学 | 用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法 |
CN101345291A (zh) * | 2008-08-29 | 2009-01-14 | 华南理工大学 | 有机聚合物薄膜紫外光探测器及其制备方法 |
CN102368508A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-03-07 | 吉林大学 | 钽酸钠薄膜紫外光探测器及其制备方法 |
JP2013015666A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Jnc Corp | 感光性組成物、それを用いた有機膜、及びこの膜を有する電子部品 |
CN103325944A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-25 | 浙江大学 | 高响应度有机太阳盲紫外光探测器 |
-
2013
- 2013-12-13 CN CN201310686948.2A patent/CN103700771B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101055205A (zh) * | 2006-04-14 | 2007-10-17 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 有机紫外光探测器 |
CN101034734A (zh) * | 2007-04-10 | 2007-09-12 | 浙江大学 | 用于紫外探测的有机-无机复合器件的制备方法 |
CN101246952A (zh) * | 2008-01-31 | 2008-08-20 | 浙江大学 | 用于紫外探测的有机-无机有序复合器件的制备方法 |
CN101345291A (zh) * | 2008-08-29 | 2009-01-14 | 华南理工大学 | 有机聚合物薄膜紫外光探测器及其制备方法 |
JP2013015666A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Jnc Corp | 感光性組成物、それを用いた有機膜、及びこの膜を有する電子部品 |
CN102368508A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-03-07 | 吉林大学 | 钽酸钠薄膜紫外光探测器及其制备方法 |
CN103325944A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-09-25 | 浙江大学 | 高响应度有机太阳盲紫外光探测器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
宫红、卞玉波、姜恒: ""低温合成NaTaO3纳米颗粒"", 《陶瓷学报》, vol. 31, no. 3, 30 September 2010 (2010-09-30), pages 364 - 367 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106449978A (zh) * | 2016-07-10 | 2017-02-22 | 上海大学 | 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103700771B (zh) | 2016-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Weng et al. | Barium bismuth niobate double perovskite/tungsten oxide nanosheet photoanode for high‐performance photoelectrochemical water splitting | |
Kumar et al. | High performance, flexible and room temperature grown amorphous Ga2O3 solar-blind photodetector with amorphous indium-zinc-oxide transparent conducting electrodes | |
CN103682103B (zh) | 有机-无机复合日盲型紫外光探测器 | |
CN103325944B (zh) | 高响应度有机太阳盲紫外光探测器 | |
Masudy-Panah et al. | Palladium nanostructure incorporated cupric oxide thin film with strong optical absorption, compatible charge collection and low recombination loss for low cost solar cell applications | |
WO2010025291A3 (en) | Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method | |
EP2716855A1 (en) | Glass sheet for window | |
Wu et al. | An ultra-broadband, polarization and angle-insensitive metamaterial light absorber | |
CN101937972B (zh) | 有机近紫外/深紫外双波段紫外光探测器件及其制备方法 | |
JP6072586B2 (ja) | 遮断熱機能を有する太陽光発電フィルム | |
Fu et al. | The simulation of physical mechanism for HTM-free perovskite organic lead iodide planar heterojunction solar cells | |
WO2012169530A1 (ja) | 複合ガラス板 | |
CN103682104B (zh) | 有机/纳米钽酸钠复合太阳盲紫外光探测器 | |
CN103280529B (zh) | 有机太阳盲紫外光探测器 | |
CN103700771A (zh) | 基于钽酸钠/有机复合活性层的太阳盲紫外光探测器 | |
CN103337590B (zh) | 高响应度有机日盲型紫外光探测器 | |
Liu et al. | Reducing damage of sputtering and improving conductivity of transparent electrodes for efficient semi-transparent perovskite solar cells | |
Zang et al. | Performance enhancement of ZnO nanowires/PbS quantum dot depleted bulk heterojunction solar cells with an ultrathin Al2O3 interlayer | |
CN103700770A (zh) | 日盲型有机-无机复合紫外光探测器 | |
CN107358996B (zh) | 以ZrTi基合金为缓冲层的透明导电复合薄膜及其制备方法和应用 | |
CN101246930A (zh) | 薄膜太阳能电池的超白反射层 | |
Ariyasinghe et al. | Efficient passivation of SnO2 nano crystallites by Indoline D-149 via dual chelation | |
Kumar et al. | Enhanced optical and electrical properties of Ni inserted ITO/Ni/AZO tri-layer structure for photoelectric applications | |
Zhang et al. | Tungsten doped indium oxide (IWO) transparent electrode used in air-annealed perovskite solar cells | |
CN113421822B (zh) | 一种透明导电电极及其低温制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |