CN103698681A - 一种新型半导体p、n类型非接触测试装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种新型半导体P、N类型非接触测试装置，包括传感器，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；电荷放大器，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；整形放大器，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器；控制器，用于驱动传感器、以及接收电平信号判断半导体的P、N类型。本发明传感器激发半导体表面诱发产生光生电荷并生成相应的电荷信号，电荷信号依次经过电荷放大器、整形放大器后传送给控制器，从而分别出半导体的P、N类型，采用红外激发二极管在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。
Description
技术领域
本发明涉及半导体测试领域，尤其涉及一种新型半导体P、N类型非接触测试装置。
背景技术
由于半导体具有掺杂性可控导电特性的物理效应，使其具有热敏性、光敏性、磁敏性、及电子放大、突变能力等特点，因此在非电量电测信息电子技术、电子光学成像技术、通信、固体信息储存器等具有很高的实用价值。
不同电学类型的半导体材料具有不同的载流子特性，在应用中也有不同需求。现有检测半导体材料的P、N类型大多使用接触式冷热探针法，极易损伤半导体材料以致造成隐性缺陷。
因此，亟需一种非接触的测试半导体P、N类型的装置。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种新型半导体P、N类型非接触测试装置。
实现本发明目的的技术方案是：一种新型半导体P、N类型非接触测试装置，包括：
传感器，其输入端与下述控制器连接，其输出端与下述电荷放大器连接，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；
电荷放大器，其输出端与下述整形放大器连接，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；
整形放大器，其输出端与下述控制器连接，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器；
控制器，其输出端与所述传感器输入端、所述整形放大器输出端连接，用于驱动所述传感器、以及接收所述电平信号判断半导体的P、N类型。
进一步的，所述传感器包括壳体、以及设置于所述壳体内的红外激发二极管和电荷感应电极，所述红外激发二极管输入端与所述控制器输出端连接，所述电荷感应电极输出端与所述电荷放大器输入端连接。
进一步的，还包括第一LED灯和第二LED灯，所述第一LED灯和第二LED灯分别与所述控制器输出端连接。
本发明具有积极的效果：本发明控制器驱动电路驱动传感器激发半导体表面诱发产生微弱的光生电荷并生成相应的电荷信号，根据N型半导体为电子型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极生成一个脉动正电荷信号，而P型半导体为空穴型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极生成一个脉动负电荷信号；电荷放大器接收上述电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；整形放大器接收放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器由控制器判断出半导体的P、N类型；本发明中采用红外激发二极管在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中：图1为本发明第一优选实施例的结构框图；
图2为本发明传感器的结构示意图；
图3为本发明第二优选实施例的结构框图。
其中：1、外壳，2、电荷感应电极，3、红外激发二极管。
具体实施方式
实施例1
如图1至图2所示，本发明第一优选实施例提供一种新型半导体P、N类型非接触测试装置，包括：传感器，其输入端与控制器连接，其输出端与电荷放大器连接，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；
电荷放大器，其输出端与整形放大器连接，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；
整形放大器，其输出端与控制器连接，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器；
控制器，其输出端与传感器输入端、整形放大器输出端连接，用于驱动传感器、以及接收电平信号判断半导体的P、N类型。
上述实施例中传感器包括壳体1、以及设置于壳体1内的红外激发二极管3和电荷感应电极2，红外激发二极管3输入端与红外发射激励脉冲驱动电路输出端连接，电荷感应电极2输出端与电荷放大器输入端连接。
下面对本实施例的工作原理作进一步说明：1.控制器驱动红外激发二极管3激发半导体表面诱发产生微弱的光生电荷；
2.电荷感应电极2采集到光生电荷并生成相应的电荷信号，根据N型半导体为电子型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极2生成一个脉动正电荷信号，而P型半导体为空穴型载流子，表面受光的诱激下产生相反电势的表面本征态，因此电荷感应电极2生成一个脉动负电荷信号；
3.电荷放大器接收上述电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；
4.整形放大器接收上述放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器由控制器判断出半导体的P、N类型。
本实施例中采用红外激发二极管3在感应距离不超过0.15mm也可达到较高的准确度，不需要直接与半导体接触。
实施例2
如图3所示，作为第二优选实施例，其余与实施例1相同，不同之处在于，还包括第一LED灯和第二LED灯，第一LED灯和第二LED灯分别与控制器输出端连接。
本实施例中控制器判断出半导体的P、N类型后分别由第一LED灯或第二LED灯点亮识别。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1. 一种新型半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，包括：传感器，其输入端与下述控制器连接，其输出端与下述电荷放大器连接，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；
电荷放大器，其输出端与下述整形放大器连接，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；
整形放大器，其输出端与下述控制器连接，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给控制器；
控制器，其输出端与所述传感器输入端、所述整形放大器输出端连接，用于驱动所述传感器、以及接收所述电平信号判断半导体的P、N类型。
2. 根据权利要求1所述的新型半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，所述传感器包括壳体、以及设置于所述壳体内的红外激发二极管和电荷感应电极，所述红外激发二极管输入端与所述控制器输出端连接，所述电荷感应电极输出端与所述电荷放大器输入端连接。
3. 根据权利要求1或2所述的新型半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，还包括第一LED灯和第二LED灯，所述第一LED灯和第二LED灯分别与所述控制器输出端连接。
Priority Applications (1)
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| CN201310699473.0A CN103698681A (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | 一种新型半导体p、n类型非接触测试装置 |
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| CN201310699473.0A CN103698681A (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | 一种新型半导体p、n类型非接触测试装置 |
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| CN201310699473.0A Pending CN103698681A (zh) | 2013-12-19 | 2013-12-19 | 一种新型半导体p、n类型非接触测试装置 |
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| CN (1) | CN103698681A (zh) |
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| CN106546415A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-03-29 | 石长海 | 一种石英晶片（块）非接触式检测正负极性的工具 |
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2013
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