CN204359432U - 一种光检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于光检测电路技术领域，尤其涉及一种光检测电路，包括光电传感器J1、光电耦合模块、场效应管模块、输出端J2，所述光电耦合模块包括光电耦合器U1，所述光电耦合器U1的引脚1接场效应管Q5的D极，所述场效应管模块包括场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6，所述场效应管Q5的G极接光电传感器J1的引脚2，所述场效应管Q6的其S极接电容C1的另一端。本专利采用场效应管和光电耦合器的设计，简化了电路，使得无需整个电路无需采用放大器元件，大大降低了电路规模，降低成本。
Description
技术领域
本实用新型属于光检测电路技术领域，尤其涉及一种光检测电路。
背景技术
传统的光检测器是采用光电二极管将光信号转换为电流信号，然后使用后续电路对该电流信号进行处理，例如以放大器放大电流信号，来进行检测和测量。
光电二极管无法在半导体集成电路的内部实现，而只能采用独立的外接器件，因而容易受到外界干扰。这就要求光电二极管本身具有足够大的光电转换系数，还需要其后续电路具有放大倍数大、噪声小的放大器，这使得其整体成本很高。
发明内容
本实用新型提供一种光检测电路，以解决上述背景技术中传统的光检测电路的易受外界干扰，成本高的问题。
本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：本实用新型提供一种光检测电路，其特征在于：包括光电传感器J1、光电耦合模块、场效应管模块、输出端J2，所述光电耦合模块包括光电耦合器U1、三极管Q7、电容C2、稳压管D1、电阻R2、电容C1，所述光电耦合器U1的引脚1接场效应管Q5的D极，其引脚2接光电传感器J1的引脚1，其引脚3接三极管Q7的发射极且接地，其引脚4接电容C1的一端，所述三极管Q7的基极接稳压管D1的阳极、电阻R2的一端，所述场效应管模块包括场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1，所述场效应管Q5的G极接光电传感器J1的引脚2，其S极接场效应管Q3的G极，所述场效应管Q3的D极接三极管Q1的发射极和基极、三极管Q2的基极，其S极接电阻R1的另一端、场效应管Q4的D极且接电压+12V，所述三极管Q1的集电极接三极管Q2的发射极且接地，所述场效应管Q4的G极接电阻R1的另一端、三极管Q2的集电极，其S极接电阻R2的一端、场效应管Q6的G极，所述场效应管Q6的其S极接电容C1的另一端，D极接电容C2的另一端、稳压管D1的阴极且都接输出端J2。
所述场效应管Q3选用N沟道MOS晶体管。
所述场效应管Q4选用P沟道MOS晶体管。
所述场效应管Q5选用P沟道MOS晶体管。
所述场效应管Q6选用N沟道MOS晶体管。
本实用新型的有益效果为：
1本专利光电传感器检测到光信号以后，经过光电隔离后，使得场效应管Q6满足导通条件，进而使信号传到输出端输出，整个过程是检测光信号，因此消耗的电流很小，耗能少，节约能源，降低成本。
2本专利采用光电隔离器组成抗干扰电路，大大提高光电检测电路的抗干扰能力，避免信号传输时受外界干扰，检测不准确的情况发生。
3本专利将N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管组成反型电路，大大提高光电检测电路的精度。
4本专利采用场效应管和光电耦合器的设计，简化了电路，使得无需整个电路无需采用放大器元件，大大降低了电路规模，降低成本。
附图说明
图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步描述：
实施例：
本实施例包括：光电传感器J1、光电耦合模块、场效应管模块、输出端J2，光电耦合模块包括光电耦合器U1、三极管Q7、电容C2、稳压管D1、电阻R2、电容C1，光电耦合器U1的引脚1接场效应管Q5的D极，其引脚2接光电传感器J1的引脚1，其引脚3接三极管Q7的发射极且接地，其引脚4接电容C1的一端，三极管Q7的基极接稳压管D1的阳极、电阻R2的一端。
场效应管模块包括场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1，场效应管Q5的G极接光电传感器J1的引脚2，其S极接场效应管Q3的G极，场效应管Q3的D极接三极管Q1的发射极和基极、三极管Q2的基极，其S极接电阻R1的另一端、场效应管Q4的D极且接电压+12V，三极管Q1的集电极接三极管Q2的发射极且接地，场效应管Q4的G极接电阻R1的另一端、三极管Q2的集电极，其S极接电阻R2的一端、场效应管Q6的G极，场效应管Q6的其S极接电容C1的另一端，D极接电容C2的另一端、稳压管D1的阴极且都接输出端J2。
本专利光电传感器检测到光信号以后，经过光电隔离后，使得场效应管Q6满足导通条件，进而使信号传到输出端输出，整个过程是检测光信号，因此消耗的电流很小，耗能少，节约能源，降低成本。
利用本实用新型所述的技术方案，或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种光检测电路，其特征在于：包括光电传感器J1、光电耦合模块、场效应管模块、输出端J2，所述光电耦合模块包括光电耦合器U1、三极管Q7、电容C2、稳压管D1、电阻R2、电容C1，所述光电耦合器U1的引脚1接场效应管Q5的D极，其引脚2接光电传感器J1的引脚1，其引脚3接三极管Q7的发射极且接地，其引脚4接电容C1的一端，所述三极管Q7的基极接稳压管D1的阳极、电阻R2的一端，所述场效应管模块包括场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、三极管Q1、三极管Q2、电阻R1，所述场效应管Q5的G极接光电传感器J1的引脚2，其S极接场效应管Q3的G极，所述场效应管Q3的D极接三极管Q1的发射极和基极、三极管Q2的基极，其S极接电阻R1的另一端、场效应管Q4的D极且接电压+12V，所述三极管Q1的集电极接三极管Q2的发射极且接地，所述场效应管Q4的G极接电阻R1的另一端、三极管Q2的集电极，其S极接电阻R2的一端、场效应管Q6的G极，所述场效应管Q6的其S极接电容C1的另一端，D极接电容C2的另一端、稳压管D1的阴极且都接输出端J2。
2.根据权利要求1所述的一种光检测电路，其特征在于：所述场效应管Q3选用N沟道MOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的一种光检测电路，其特征在于：所述场效应管Q4选用P沟道MOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的一种光检测电路，其特征在于：所述场效应管Q5选用P沟道MOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的一种光检测电路，其特征在于：所述场效应管Q6选用N沟道MOS晶体管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201520024089.5U CN204359432U (zh) | 2015-01-14 | 2015-01-14 | 一种光检测电路 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201520024089.5U CN204359432U (zh) | 2015-01-14 | 2015-01-14 | 一种光检测电路 |
Publications (1)
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| CN204359432U true CN204359432U (zh) | 2015-05-27 |
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|---|---|
| CN (1) | CN204359432U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106656057A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-05-10 | 武汉吉象创新科技有限公司 | 一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路及其制造方法 |
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2015
- 2015-01-14 CN CN201520024089.5U patent/CN204359432U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN106656057A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-05-10 | 武汉吉象创新科技有限公司 | 一种具有电磁干扰抑制能力的传感放大电路及其制造方法 |
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