CN103676181A - 反射式相位延迟器及包含该反射式相位延迟器的半导体发光组件 - Google Patents
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Abstract
一种反射式相位延迟器以及包含该反射式相位延迟器的半导体发光组件。本发明的反射式相位延迟器用以将具有第一偏极态的光线转换成具有第二偏极态的光线，并将其反射出去。
Description
技术领域
本发明涉及一种反射式相位延迟器(reflective phase retarder)以及包含该反射式相位延迟器的半导体发光组件(semiconductor light-emittingdevice)。
背景技术
波板(wave plate)，也被称之为相位延迟器，其可以设计用以转换光线的偏极态。相位延迟器的先前技术大多为穿透式相位延迟器，可应用于光学系统里，用来转换穿透光线的偏极态。
反射式相位延迟器已被提出应用在例如微投影机等光学系统里，藉以由提升背光模块(backlight module)中的极化效率(polarization efficiency)来满足微晶投影技术所应具备的高显示对比(contrast ratio)的需求。
关于反射式相位延迟器的先前技术，目前仅见周期性(periodic)排列的凸条与沟渠之金属绕射光栅(diffraction grating)，但其制作困难。也有金属粒子构成的粗化表面做为反射式相位延迟器，惟其制作更为困难，目前仅见于理论。
此外，目前尚未见到采用反射式相位延迟器之半导体发光组件的结构被提出。
发明内容
因此，本发明之一目的在于提供一种反射式相位延迟器，且制造容易。
此外，本发明之另一目的在于提供一种包含反射式相位延迟器的半导体发光组件。
本发明的反射式相位延迟器的第一较佳具体实施例，包含基板、反射层以及多层膜结构层。反射层形成在基板上。多层膜结构层形成在反射层上且由奇数层对称性膜堆重复堆栈所构成。奇数层对称性膜堆包含至少一非均向性介质薄膜(anisotropic mediumfilm)。具有第一偏极态的光线自多层膜结构层的顶表面射入，经多层膜结构层将第一偏极态转换成一第二偏极态，且经反射层反射从顶表面射出。
本发明的反射式相位延迟器的第二较佳具体实施例，包含透明基板、多层膜结构层以及反射层。多层膜结构层形成在透明基板的第一表面上，且由奇数层对称性膜堆重复堆栈所构成。奇数层对称性膜堆包含至少一非均向性介质薄膜。反射层形成在多层膜结构层上。具有第一偏极态的光线自透明基板与第一表面相对的第二表面射入，经多层膜结构层将第一偏极态转换成第二偏极态，且经反射层反射从第二表面射出。
在一具体实施例中，至少一非均向性介质薄膜皆由纳米柱状介质结构数组所构成。
本发明的反射式相位延迟器的第三较佳具体实施例，包含基板、反射层以及非均向性介质薄膜。反射层形成在基板上。非均向性介质薄膜形成在反射层上，且由纳米柱状介质结构数组所构成。具有第一偏极态的光线自非均向性介质薄膜射入，经非均向性介质薄膜将第一偏极态转换成第二偏极态，且经反射层反射从非均向性介质薄膜射出。
本发明的反射式相位延迟器的第四较佳具体实施例，包含透明基板、非均向性介质薄膜以及反射层。非均向性介质薄膜形成在透明基板的第一表面上，且由纳米柱状介质结构数组所构成。反射层形成在非均向性介质薄膜上。具有第一偏极态的光线自透明与基板的第一表面相对的第二表面射入，经非均向性介质薄膜将第一偏极态转换成第二偏极态，且经反射层反射从第二表面射出。
本发明的半导体发光组件的一较佳具体实施例，包含半导体迭层、偏极分光镜以及反射式相位延迟器。半导体迭层包含发光层。发光层能被电流激发以发射第一偏极态光线以及第二偏极态光线。偏极分光镜形成在半导体迭层之顶表面上，用以让第一偏极态光线穿透，并反射第二偏极态光线。反射式相位延迟器形成在半导体迭层的底表面上。经反射的第二偏极态光线射入反射式相位延迟器，经反射式相位延迟器转换成第三偏极态光线，且经反射式相位延迟器反射至偏极分光镜，进而穿透偏极分光镜，其中第三偏极态光线的偏极态与第一偏极态光线的偏极态相同。
在一具体实施例中，反射式相位延迟器包含多层膜结构层以及反射层。多层膜结构层形成在半导体迭层的底表面上，由奇数层对称性膜堆重复堆栈所构成。奇数层对称性膜堆包含至少一非均向性介质薄膜。反射层形成在多层膜结构层上。
在一具体实施例中，至少一非均向性介质薄膜皆由纳米柱状介质结构数组所构成。
在一具体实施例中，偏极分光镜由多条平行的次波长金属线所构成，且相邻的次波长金属线具有固定的间距。
在一具体实施例中，偏极分光镜为多层非均向性介质膜结构。
在一具体实施例中，偏极分光镜包含结构层、多层低折射率介质膜以及多层高折射率介质膜。结构层形成在顶表面上且其表面上具有多条平行的突出结构，且相邻的突出结构具有固定的间距。多层高折射率介质膜与多层低折射率介质膜交替地形成在结构层上。
关于本发明的优点与精神可以藉由以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
附图说明
图1为本发明的第一较佳具体实施例的反射式相位延迟器的剖面视图。
图2为本发明的第二较佳具体实施例的反射式相位延迟器的剖面视图。
图3为本发明的第三较佳具体实施例的反射式相位延迟器的剖面视图。
图4为本发明的第四较佳具体实施例的反射式相位延迟器的剖面视图。
图5为本发明的反射式相位延迟器的范例一的结构示意图。
图6为本发明的反射式相位延迟器的范例一的局部剖面SEM照片。
图7为本发明的反射式相位延迟器的范例一在可见光波长范围的相位延迟量量测结果。
图8为本发明的反射式相位延迟器的范例二的局部剖面SEM照片。
图9为本发明的反射式相位延迟器的范例二在可见光波长范围的相位延迟量量测结果。
图10为本发明的一较佳具体实施例的半导体发光组件的剖面视图。
【主要组件符号说明】
1：反射式相位延迟器 10：基板
12：反射层 14：多层膜结构层
140：奇数层对称性膜堆 141：顶表面
142：非均向性介质薄膜 144：均向性介质薄膜
140：顶表面 16：匹配层
2：反射式相位延迟器 20：透明基板
202：第一表面 204：第二表面
22：多层膜结构层 220：奇数层对称性膜堆
222：非均向性介质薄膜 224：均向性介质薄膜
24：反射层 26：匹配层
3：反射式相位延迟器 30：基板
32：反射层 34：非均向性介质薄膜
36：匹配层 4：反射式相位延迟器
402：第一表面 404：第二表面
40：透明基板 44：非均向性介质薄膜
44：反射层 46：匹配层
5：半导体发光组件 50：半导体迭层
502：发光层 504：顶表面
506：底表面 508：半导体基板
52：偏极分光镜 54：反射式相位延迟器
542：多层膜结构层 544：反射层
546：奇数层对称性膜堆 547：非均向性介质薄膜
548：均向性介质薄膜 549：匹配层
具体实施方式
请参阅图1，为根据本发明的第一较佳具体实施例的反射式相位延迟器1的剖面视图。
如图1所示，本发明的反射式相位延迟器1包含基板10、反射层12以及多层膜结构层14。反射层12形成在基板10上。多层膜结构层14形成在反射层12上。多层膜结构层14由奇数层对称性膜堆140重复堆栈所构成。奇数层对称性膜堆140即如膜层为ABA或ABCBA或ABCDCBA等奇数层膜堆。对称性膜堆的光学特性可等效视为一具有折射率N与相厚度ψ的等效薄膜，相厚度的物理意义为光进入薄膜后所行进的波长量，或称之光相位的变化量。对称性膜堆的等效折射率N与相厚度ψ为波长λ、组成薄膜中每层折射率、入射角、厚度的函数。若将此对称膜堆重复m次，则等效的薄膜折射率仍为N，然相厚度ψ会增为原来的m倍(亦即mψ)。特别地，奇数层对称性膜堆140包含至少一非均向性介质薄膜。以对称性膜堆140的膜为(ABA)(ABA)….=(ABA)m为例，本发明的对称性膜堆140中A层膜与B层膜可以只要当中一层具有光学非均向性(optical anisotropy)即可。图1中奇数层对称性膜堆140为非均向性介质薄膜142/均向性介质薄膜144/非均向性介质薄膜142所构成，以产生相位延迟的特性。藉此，本发明的反射式相位延迟器1能于广波域的范围具有相当均匀的相位延迟效果，此一效果又称为低色差相位延迟。
具有第一偏极态的光线自多层膜结构层14的顶表面141射入，经多层膜结构层14将第一偏极态转换成一第二偏极态，且经反射层12反射从顶表面射出140。在实际应用中，当光由空气入射进入非均向性介质薄膜142时，非均向性介质薄膜142的三主轴折射率相异的特性使得相位产生变化，再藉由反射层12与多层膜结构层14间高反射接口的色散特性，反射后在可见光范围相位延迟二分之一波长，并且入射的P(或S)偏极态光可经过本发明的反射式相位延迟器1反射后转换为S(或P)偏极态光。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜142由纳米柱状介质结构数组所构成。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜142以及均向性介质薄膜144皆由五氧化二钽(Ta2O5)所形成。
进一步，本发明的反射式相位延迟器1并且包含至少一匹配层16，如图1所示的匹配层16。匹配层16形成在多层膜结构层14上，以降低光线入射多层膜结构层14的表面的反射率，让光线能完整进入多层膜结构层14。
请参阅图2，为本发明的第二较佳具体实施例的反射式相位延迟器2的剖面视图。
如图2所示，本发明的反射式相位延迟器2包含透明基板20、多层膜结构层22以及反射层24。多层膜结构层22形成在透明基板20的第一表面202上。多层膜结构层22由奇数层对称性膜堆220重复堆栈所构成。奇数层对称性膜堆220即为例如膜层为ABA或ABCBA或ABCDCBA等奇数层膜堆。特别地，奇数层对称性膜堆220包含至少一非均向性介质薄膜。以对称性膜堆220的膜为(ABA)(ABA)….=(ABA)m为例，本发明的对称性膜堆220中A层膜与B层膜可以只要当中一层具有光学非均向性即可。图2中奇数层对称性膜堆220为非均向性介质薄膜222/均向性介质薄膜224/非均向性介质薄膜222所构成，以产生相位延迟的特性。藉此，本发明的反射式相位延迟器2能在广波域的范围具有相当均匀的相位延迟效果。
具有第一偏极态的光线自透与明基板20的第一表面202相对的第二表面204射入，经多层膜结构层22将第一偏极态转换成第二偏极态，且经反射层24反射从第二表面204射出。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜222由纳米柱状介质结构数组所构成。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜222以及均向性介质薄膜224皆由五氧化二钽(Ta2O5)所形成。
进一步，本发明的反射式相位延迟器2并且包含至少一匹配层26，如图2所示的匹配层26。匹配层16形成在透明基板20与多层膜结构层22之间，以降低光线入射多层膜结构层22之反射率。
请参阅图3，为本发明的第三较佳具体实施例的反射式相位延迟器3的剖面视图。
如图3所示，本发明的反射式相位延迟器3包含基板30、反射层32以及非均向性介质薄膜34。反射层32形成在基板30上。非均向性介质薄膜34形成在反射层32上，并且由纳米柱状介质结构数组所构成。具有第一偏极态的光线自非均向性介质薄膜34射入，经非均向性介质薄膜34将第一偏极态转换成第二偏极态，且经反射层32反射从非均向性介质薄膜34射出。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜34由五氧化二钽(Ta2O5)所形成。
进一步，本发明的反射式相位延迟器3并且包含至少一匹配层36，如图3所示的匹配层36。匹配层36形成在非均向性介质薄膜34上，以降低光线入射非均向性介质薄膜34的表面的反射率。
请参阅图4，为本发明的第四较佳具体实施例的反射式相位延迟器4的剖面视图。
如图4所示，本发明的反射式相位延迟器4包含透明基板40、非均向性介质薄膜44以及反射层42。非均向性介质薄膜44形成在透明基板40的第一表面402上，且由纳米柱状介质结构数组所构成。反射层44形成在非均向性介质薄膜42上。具有第一偏极态的光线自透明与基板40的第一表面402相对的第二表面404射入，经非均向性介质薄膜42将第一偏极态转换成第二偏极态，且经反射层44反射从第二表面404射出。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜42由五氧化二钽(Ta2O5)所形成。
进一步，本发明的反射式相位延迟器4并且包含至少一匹配层46，如图4所示的匹配层46。匹配层46形成在透明基板40与非均向性介质薄膜44之间，以降低光线入射非均向性介质薄膜44的表面的反射率。
请参阅图5，示意地绘示本发明的反射式相位延迟器3的范例一的结构，将详述于下。首先，制备由BK7材料形成的玻璃基板30。接着，在玻璃基板30上蒸镀均向性金属材料如银(Ag)，膜厚为约200nm，作为反射层32。接着，再斜向蒸镀介质材料Ta2O5，以得到主轴与玻璃基板30的法线方向夹角为约34度(即图5中β角约等于34度)的非均向性Ta2O5薄膜34，此组态可作为单层斜向蒸镀反射式相位延迟器3。非均向性介质薄膜34的三主轴折射率为1.765、1.653与1.751，膜厚为约1600nm。最后，在非均向性介质薄膜34上蒸镀匹配膜36。
请参阅图6，为本发明的反射式相位延迟器3的范例一的局部剖面扫描式电子显微镜(SEM)照片，其显示非均向性介质薄膜34的微结构以及厚度。然后，使S偏极态光线(例如，如图5所示的S偏极态入射光)由折射率为1.6之均向性介质传播至图5所示的反射式相位延迟器3。在垂直入射时，入射S偏极态光的电场分成两个振幅相似的特征波，经过在非均向性介质薄膜34里的传播后，再经由反射层32反射后，两种特征波的相位差决定了反射后S偏极态光线跟P偏极态光线的相位延迟量Δ。如图7所示，本发明之反射式相位延迟器3的范例一在可见光波长范围(400nm～700nm)，相位延迟量Δ为180±45.5度，并且当入射光角度为0度～40度会有超过百分之八十的S偏极态光线偶合至P偏极态光线。因此，本发明的反射式相位延迟器3的范例一可做为高效率的偏极态转换器。图6及图7足以证明本发明之反射式相位延迟器的制造程序是容易的。
本发明的反射式相位延迟器1的范例二，将详述于下。为了进一步达到在可见光波段的消色差波板，同样在BK7材料形成的玻璃基板10上蒸镀均向性金属材料如银，膜厚为约200nm，做为反射层12。接着，再斜向蒸镀Ta2O5斜向柱状晶体结构所构成的非均向性Ta2O5薄膜142，再蒸镀Ta2O5均向性介质薄膜144，以构成奇数层对称性膜堆140，再重复堆栈奇数层对称性膜堆140以形成如图1所示的结构。请参阅图8，为本发明的反射式相位延迟器1的范例二的局部剖面SEM照片，其显示非均向性介质薄膜142的微结构、均向性Ta2O5薄膜144以及其厚度。非均向性Ta2O5薄膜142之对X偏极光与Y偏极光的折射率分别为nx＝1.311与ny＝1.405，膜厚为76nm，而均向性Ta2O5薄膜144之折射率为2.2，膜厚度为约105nm，经由周期性(非均向性Ta2O5薄膜/均向性Ta2O5薄膜/非均向性Ta2O5薄膜)排列8个周期之后，在8个周期奇数层对称性膜堆140与空气之间加入折射率匹配膜，用以降低反射以及相位延迟随波长变化。此折射率匹配膜，由三层均向性薄膜构成(RSR)，R层材料为MgF2且厚度为80nm，S层材料为ZrO2且厚度为110nm。当入射光为S偏极态时，光的电场分成两个振幅相似的特征波，经过在周期性多层膜结构层14里的传播后再经由反射层12反射后，两种特征波的相位差决定了反射后S跟P偏极态的相位延迟量Δ，透过设计周期性多层膜结构层14可提供不随波长改变的相位延迟。如图9所示，本发明的反射式相位延迟器1的范例二在可见光波长范围(450nm～700nm)，相位延迟量Δ为180±23.4度，并且当入射光角度为0度～15度会有超过百分之九十的S偏极态光线偶合至P偏极态光线。因此，本发明的反射式相位延迟器1的范例二可作为高效率的偏极态转换器。图8及图9再次证明本发明的反射式相位延迟器其制造容易。
请参阅图10，为根据本发明的一较佳具体实施例的半导体发光组件5的剖面视图。
如图10所示，本发明的半导体发光组件5包含半导体迭层50、偏极分光镜52以及反射式相位延迟器54。图10所绘示的半导体迭层50各层的材料以一发光二极管为范例。半导体迭层50包含发光层502。发光层502能被电流激发以发射第一偏极态光线(如P偏极态光线)以及第二偏极态光线(如S偏极态光线)。
偏极分光镜52形成在半导体迭层50之顶表面504上，用以让第一偏极态光线(如P偏极态光线)穿透，并反射第二偏极态光线(如S偏极态光线)。反射式相位延迟器54形成在半导体迭层50的底表面506上。如图10所示，半导体迭层50并且包含半导体基板508。半导体基板508提供底表面506。
经反射的第二偏极态光线(如S偏极态光线)射入反射式相位延迟器54，经反射式相位延迟器54转换成第三偏极态光线，且经反射式相位延迟器54反射至偏极分光镜52，进而穿透偏极分光镜52，其中第三偏极态光线的偏极态与第一偏极态光线的偏极态相同。藉此，本发明的半导体发光组件5的极化效率可以明显提升。
在一具体实施例中，反射式相位延迟器54包含多层膜结构层542以及反射层544。多层膜结构层542形成在半导体迭层50之底表面506上，并且由奇数层对称性膜堆546重复堆栈所构成。奇数层对称性膜堆的结构与功效已于上文中详述，在此不再赘述。特别地，奇数层对称性膜堆546包含至少一非均向性介质薄膜。以对称性膜堆546的膜为(ABA)(ABA)….=(ABA)m为例，本发明的对称性膜堆546中A层膜与B层膜可以只要当中一层具有光学非均向性即可。图10中奇数层对称性膜堆546为非均向性介质薄膜547/均向性介质薄膜548/非均向性介质薄膜547所构成，以产生相位延迟的特性。藉此，本发明的反射式相位延迟器54能在广波域的范围具有相当均匀的相位延迟效果。反射层544形成在多层膜结构层542上。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜547由纳米柱状介质结构数组所构成。
在一具体实施例中，非均向性介质薄膜547以及均向性介质薄膜548皆由五氧化二钽(Ta2O5)所形成。
在一具体实施例中，本发明的反射式相位延迟器54并且包含至少一匹配层549，如图10所示之匹配层549。匹配层549形成在多层膜结构层542与半导体迭层50的顶表面504之间，以降低光线入射多层膜结构层542的反射率。
在一具体实施例中，偏极分光镜52由多条平行的次波长金属线所构成，且相邻的次波长金属线具有固定的间距。在一范例中，利用铝制作周期性金属线结构，铝金属线的截面积为一矩形，宽度d为40nm，高度h为150nm，金属线之间距离L为100nm，其结构为次波长光栅。当入射光电场平行金属线结构，在此例为P偏极光时，穿透率为在可见光波段(400nm～700nm)平均为0.4％，反射率平均为73.3％。而当入射光电场垂直金属线结构，在此例为S偏极光，穿透率为在可见光波段平均为84.7％，反射率平均为3.1％。因此利用此特性的入射非偏极光(unpolarized light)，可将P偏极光反射而S偏极穿透，进而达到偏极分光的效果。
在另一具体实施例中，偏极分光镜52多层非均向性介质膜结构。由于非均向性薄膜具有双折射特性(birefringence)，对于入射不同偏极光，所展现的折射率也不同，所以利用此特性可用来设计偏极分光镜。在一范例中，选用材料为氧化锆(ZrO2)制镀不同的非均向性介质薄膜定义为层1与层2，其中对于S偏极态光，层1与层2的折射率标示为(nS1，nS2)为(1.667，1.583)，而对于P偏极态光，层1与层2之折射率为(nP1，NP2)为(1.624，1.624)。重复且交替地堆栈层1与层2膜，完成多层非均向性介质膜结构。针对S偏极态光设计为在波长550nm，膜厚为四分之一高反射膜堆，而对P偏极态光为高透射膜堆，当层1与层2重复交替堆栈30周期，即达成在波长550nm时，S偏极态光透射率为9％，P偏极态光透射率为97％。因此，透过此多层非均向性介质膜结构可达到分离S偏极态光与P偏极态光。
在另一具体实施例中，偏极分光镜52包含结构层、多层低折射率介质膜以及多层高折射率介质膜。结构层形成在半导体迭层50之顶表面504上，并且其表面上具有多条平行的突出结构，且相邻的突出结构具有固定的间距。多层高折射率介质膜与多层低折射率介质膜交替地形成在结构层上。
藉由以上较佳具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的权利要求的范畴内。因此，本发明所要求的权利要求的范畴应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。
Claims (15)
1.一种反射式相位延迟器，其特征在于，包含：
一基板；
一反射层，形成在该基板上；以及
一多层膜结构层，形成在该反射层上且由奇数层对称性膜堆重复堆栈所构成，该奇数层对称性膜堆包含至少一非均向性介质薄膜，其中具有一第一偏极态的一光线自该多层膜结构层的一顶表面射入，经该多层膜结构层将该第一偏极态转换成一第二偏极态，且经该反射层反射后从该顶表面射出。
2.如权利要求1所述的反射式相位延迟器，其中，该至少一非均向性介质薄膜皆由纳米柱状介质结构数组所构成。
3.如权利要求2所述的反射式相位延迟器，其中，进一步包含：
至少一匹配层，形成在多层膜结构层上，以降低该光线入射该多层膜结构层的表面的反射率。
4.一反射式相位延迟器，其特征在于，包含：
一透明基板；
一多层膜结构层，形成在该透明基板的一第一表面上且由奇数层对称性膜堆重复堆栈所构成，该奇数层对称性膜堆包含至少一非均向性介质薄膜；以及
一反射层，形成在该多层膜结构层上，其中，具有一第一偏极态的一光线自与该透明基板的该第一表面相对的一第二表面射入，经该多层膜结构层将该第一偏极态转换成一第二偏极态，且经该反射层反射从该第二表面射出。
5.如权利要求4所述的反射式相位延迟器，其中，该至少一非均向性介质薄膜皆由纳米柱状介质结构数组所构成。
6.如权利要求5所述的反射式相位延迟器，其中，进一步包含：
至少一匹配层，形成在该透明基板与该多层膜结构层之间，以降低该光线入射该多层膜结构层的表面的反射率。
7.一反射式相位延迟器，其特征在于，包含：
一基板；
一反射层，形成在该基板上；以及
一非均向性介质薄膜，形成在该反射层上且由纳米柱状介质结构数组所构成，其中具有一第一偏极态的一光线自该非均向性介质薄膜射入，经该非均向性介质薄膜将该第一偏极态转换成一第二偏极态，且经该反射层反射从该非均向性介质薄膜射出。
8.一反射式相位延迟器，其特征在于，包含：
一透明基板；
一非均向性介质薄膜，形成在该透明基板的一第一表面上且由纳米柱状介质结构数组所构成；以及
一反射层，形成在该非均向性介质薄膜上，其中具有一第一偏极态的一光线自该透明基板与该第一表面相对的一第二表面射入，经该非均向性介质薄膜将该第一偏极态转换成一第二偏极态，且经该反射层反射从该第二表面射出。
9.一种半导体发光组件，其特征在于，包含：
一半导体迭层，包含一发光层，其中该发光层能被一电流激发以发射一第一偏极态光线以及一第二偏极态光线；
一偏极分光镜，形成在该半导体迭层的一顶表面上，用以让该第一偏极态光线穿透，并反射该第二偏极态光线；以及
一反射式相位延迟器，形成在该半导体迭层的一底表面上，其中该经反射的第二偏极态光线射入该反射式相位延迟器，经该反射式相位延迟器转换成一第三偏极态光线，且经该反射式相位延迟器反射至该偏极分光镜，进而穿透该偏极分光镜，该第三偏极态光线的偏极态与该第一偏极态光线的偏极态相同。
10.如权利要求9所述的半导体发光组件，其中，该反射式相位延迟器包含：
一多层膜结构层，形成在该底表面上且由奇数层对称性膜堆重复堆栈所构成，该奇数层对称性膜堆包含至少一非均向性介质薄膜；以及
一反射层，形成在该多层膜结构层上。
11.如权利要求10所述的半导体发光组件，其中，该至少一非均向性介质薄膜皆由纳米柱状介质结构数组所构成。
12.如权利要求10所述的半导体发光组件，其中，该反射式相位延迟器并且包含：
至少一匹配层，形成在该透明基板与该多层膜结构层之间，以降低该经反射的第二偏极态光线入射该多层膜结构层的表面的反射率。
13.如权利要求10所述的半导体发光组件，其中，该偏极分光镜由多条平行的次波长金属线所构成，且相邻的次波长金属线具有一固定的间距。
14.如权利要求10所述的半导体发光组件，其中，该偏极分光镜为一多层非均向性介质膜结构。
15.如权利要求10所述的半导体发光组件，其中，该偏极分光镜包含：
一结构层，形成在该顶表面上且其一表面上具有多条平行的突出结构，且相邻的突出结构具有一固定的间距；
多层低折射率介质膜；以及
多层高折射率介质膜，与该多层低折射率介质膜交替地形成在该结构层上。
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