CN103608283A - 用于mems装置的阳极接合 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种装置，包括彼此固定的包括硅区域的晶片和包括玻璃区域的晶片，由此形成在晶片之间的该固定区定义了多层结构，该多层结构包括保护硅不受由于表面侵蚀引起的物理变化的第一层，该层覆盖硅区域，和保护玻璃不受由于表面侵蚀引起的物理变化的第二层，该层覆盖玻璃区域；所述多层结构还包括能够在两个保护层之间实现阳极接合的至少一个附加层；所述装置包含由所述保护层保护的并且能够暂时容纳溶液的至少一个流体通道。

Description

用于MEMS装置的阳极接合
技术领域
本发明涉及通常被称为微机电系统(MEMS)型装置的机电微系统领域。更具体地，涉及一个表面由硅制成的晶片和一个表面由玻璃制成的晶片之间的阳极接合。这两个元件构成大多数MEMS型装置的基本组件，为了用至少一个具有微米级尺寸的结构执行作为传感器和／或传动器的功能，微系统包括一个或多个能够使用电作为能源(如果需要)的机械元件，该系统的功能部分地由所述结构的形状确定。
本文中使用的缩写
ALD     原子层沉积
CVD     化学气相沉积
LPCVD   低压化学气相沉积
MEMS    微机电系统
MIP     微型可植入泵
PECVD   等离子体增强化学气相沉积
PVD     物理气相沉积
a-Si    非晶硅
背景技术
微流体系统，如泵或流量调节器，必须受到保护以免受化学侵蚀，特别是如果打算将它植入到患者体内多年时，如用于释放活性成分的系统。
通常，对这种对化学侵蚀敏感的元件，如硅或玻璃晶片，用保护层覆盖。将这些元件组装在一起并不总是一件简单的事情。这样的装配工艺是涉及到可植入的微流体系统[R11]的专利申请的目标。
多年以来，几个研究小组一直研究(成功地)[R1，R4]将涂有氮化硅的硅表面和玻璃表面接合的可能性(一般是Pyrex7740)。
此外，其他研究小组已经表明，通过使用中间层进行阳极接合有可能接合两个同种晶片(由硅[R6，R7]或玻璃[R2，R5]制成的)。但正如在Knowles的文章[R3]中所指出的，这些研究的目的是为了使先天(a priori)不可能或难以接合的两个基板之间的接合成为可能，而无需借助一个或多个中间层。
另一种方法使用直接接合技术(不借助电压，但使用压力和表面处理)使涂有氮化硅的硅晶片与玻璃晶片接合[R8]。
发明内容
本发明由包括晶片的MEMS型装置组成，如在权利要求中所定义的那样。
所述保护层优选用于保护所述晶片免受表面上的侵蚀，例如可以是化学的、电化学的、物理的和／或本质上机械的。尤其是，这种侵蚀会与接触溶液的pH值或由溶液造成的晶片的溶解效应有关。
与现有技术[R11]的教导不同，现有技术[R11]简单地提出了以具有提供了比玻璃或硅更好的pH值保护的层的毛细管网的形式的用于可植入泵的流体阻力的设计，我们的发明所解决的问题涉及通过一个表面由硅制成的晶片与一个表面由玻璃——最常见由氧化硅(SiO2硅石，沙子的主要成分)以及助溶剂(fondants)制成的硬质材料或合金——制成的晶片的常规阳极接合对MEMS进行封装，同时保护彼此免受表面化学侵蚀。在这种情况下，硼硅酸盐，比如Pyrex7740，或如表1(见下文)中描述的那些等效材料，将被优先使用，因为一个可能的目的是获得这种材料透明的好处。
表1用于阳极接合的市售的玻璃和玻璃-陶瓷的实例
Figure BDA0000424095180000031
为了实现这种免受表面侵蚀的保护，可以通过Si3N4或TiN型的薄层对硅进行保护(已在文献中描述)，或者用更复杂的方式，通过两层的组合来保护：TiO2+Si3N4或TiO2+a-Si。在这种情况下，沉积在保护层上的这层a-Si或Si3N4并不是打算保护该装置免受表面侵蚀，而只是为了使接合成为可能。对于表2中描述的所有的层的组合，也同样如此。
表2配合阳极接合作为中间层材料的各种材料的实例
Figure BDA0000424095180000032
Figure BDA0000424095180000041
Si3N4的特定特征是，它既可以用作保护层也可以用作阳极接合层。然而，很难用Si3N4进行保形沉积，特别是在结构化的表面上。然而，这种表面对这种作为保护的层的有效性至关重要。事实上，最轻微的缺陷可以成为系统中的薄弱点，将最容易受到化学侵蚀。因此优选使用TiO2作为保护材料，由于其与诸如ALD的技术兼容，所以容易在结构化的表面上保形地沉积。Si3N4，其与ALD类型的保形沉积方法不兼容，在接合区上可沉积在TiO2的顶部以使阳极接合成为可能。从文献中知道，直接在沉积于硅上的氧化钛上实现阳极接合是不可能的。
在本文中，保形沉积被定义为在具有非常高的纵横比(例如凹部(creux))的表面上沉积的、与所述表面同质地形成(é pousant de
Figure BDA0000424095180000042
homogène ladite surface)的层。
如果该玻璃相对于碱性pH值的溶液化学惰性，玻璃的基本成分氧化硅的溶解度随着pH值显著增加，如图1所示。因此，在长期暴露于碱性pH值溶液的玻璃结构的恶化是一种风险，而这种风险通过本发明得以解决。因此，像硅一样，玻璃必须被能够承受碱性pH值侵蚀的层保护。
尽管氮化硅或氧化钛本身非常适合于沉积在玻璃上作为保护层，但另一方面，不可能在这些受保护的晶片中的一个和本身具有保护层的硅表面之间实现直接阳极接合。我们不知道任何保护层可以应用于玻璃晶片并且也可直接地与阳极接合兼容。在玻璃的情况下，例如，氮化硅或氧化钛将被用作保护层，它可以与作为接合层的氧化硅薄层结合。
该接合层必须不仅能够使阳极接合发生，而且用来随着时间的推移保护上述接合，尽管被暴露于碱性pH值溶液中。接合层必须足够薄，以允许形成毛细作用力，该作用力足够强以至建立起阀门型毛细管截止(arrêt)，防止碱性溶液渗入接合区，从而避免分层(délaminage)的风险。由于阳极接合包括通过形成共价键而引起的接合区中材料的化学变化，所述化学转化的结果会改变材料的化学／物理性质，并使其比阳极接合之前的自然形式更耐受碱性溶液。
毛细管阀或毛细管截止阀用于当通道的几何结构突然变化时使用毛细管压力障碍(barrière)来停止微流体装置内的溶液的流动。
图2示出了可以使用所建议的技术保护并接合的复杂结构的实例。在所述结构中存在以下元素：
1.硼硅酸盐玻璃(例如，Pyrex7740)
2.功能表面层
3.保护层(例如TiO2)
4.保护层(例如SiO2)
5.单晶硅
6.保护层(例如TiO2)
7.保护层(例如Si3N4)
尽管存在中间层，仍然有可能使用常规的阳极接合参数。
为了减少局部缺陷(针孔)的风险，可能的是，我们可以使用称为原子层沉积(ALD)的保形沉积技术，其被认为不会产生针孔，或者，如果通过化学气相沉积(CVD)来沉积，以多个步骤进行沉积。
当使用用来获得保形沉积的工艺时，通常不可能在两个晶片之间实现接合。然而，本发明使得接合两个晶片成为可能，其中的至少一个是用保形沉积提供的。
此外，本发明的装置是通过在至少一个由硅制成的区域上应用用来保护表面免受侵蚀的层以及在至少一个由玻璃制成的区域上应用用来保护表面免受侵蚀的层而获得的。该装置的晶片可以在应用所述保护层之前或之后构造。在应用这些保护层之后，在两个保护层之间以薄层的形式加入能够使阳极接合发生的材料。
构成装置的该单元能够包括至少一个流体通路。所述流体通路能够使溶液不仅在保护层之间循环，还能够通过全部或部分所述晶片。它可包括通道、阀、传感器、泵装置等等。
除了使所述保护层彼此接合之外，由于其厚度，所述接合层防止所述溶液渗透到定义了所述流体通路的横向末端的接合区域中，所述溶液通过该流体通路。
这些层可以利用各种技术保形地施加：通过沉积(ADL、LPCVD等)或通过生长(干法和湿法氧化)。
使以这种方式构造并受保护的晶片彼此组合，以建立流体通路。
附图说明
图1：作为pH值函数的硅石和石英的溶解度曲线。
图2：通过薄层免受化学侵蚀并通过常规阳极接合密封的复杂结构的横截面图。
图3：用于检测保护层的特性的测试车辆／工具。它由两个流体入口(2个圆)和构成流体阻力的蛇形(serpentin)通道组成。
图4：在使用各种保护层的情况下，构成流体阻力的通道的示意图。层(c)和(b)沉积在Pyrex上，层(a)和(d)沉积在硅上。层(a)优选为Si3N4，且可以与Pyrex或层(c)直接接合，层(c)是沉积在用于保护Pyrex的保护层(b)上的接合层。层(d)是沉积在硅上的保护层，其可以通过ALD沉积但不能与Pyrex或层(c)直接接合。因此，可以将层(a)加到层(d)上，在这种情况下，层(a)使得具有不能与Pyrex晶片接合的保护层的硅晶片能够接合，而不管Pyrex晶片是否被保护。
图5：已暴露于pH值为12的溶液8天且不具有保护涂层或接合的流体通路的横截面的SEM图像。其流体阻力已经由于硅的蚀刻减小了，该值用作相对于已经用保护涂层进行处理的其他通道的对照(
Figure BDA0000424095180000071
)。该通道的标称深度为16μm。
图6：针对具有沉积在硅晶片上的50nm Si3N4的保护层的通道的、取决于曝露持续时间的流体阻力演化(Evolution)。相对于该对照所确定的阻断阈值对应于系数为2的流体阻力减少。
图7：已暴露于pH值为12的溶液28天且具有沉积在硅上的50nm Si3N4保护层的流体通路的横截面的SEM图像。在形成蛇形的通道的交叉点处可以清楚地看到各向异性的侵蚀，而通道的底部被Si3N4保护，没有受到侵蚀。所观察到的缺陷表明，50nm的厚度不能提供足够的接合保护。
图8：针对具有沉积在硅晶片上的100nm Si3N4保护层的通道的、取决于曝露持续时间的流体阻力演化。相对于该对照所确定的阻断阈值对应于系数为2的流体阻力减少。
图9：已暴露于pH值为12的溶液48天且具有沉积在硅上的100nm Si3N4保护层的流体通路的横截面的SEM图像。在定义了构成蛇形流体阻力的通道的晶片的界面处可以清楚地看到pH侵蚀，由此在构成蛇形的两个通道之间形成短路。另一方面，并未观察到Si的各向异性侵蚀，这表明100nm的厚度足够确保对接合的充分保护。通道深度增加了2μm暗示Pyrex已经被侵蚀，导致流动阻力减小。
图10：针对具有沉积在硅晶片上的200nm Si3N4保护层的通道的、取决于曝露持续时间的流体阻力演化。相对于该对照所确定的阻断阈值对应于系数为2的流体阻力减少。
图11：已暴露于pH值为12的溶液140天且具有沉积在硅上的100nmSi3N4保护层的流体通路的横截面的SEM图像。在定义了构成蛇形流体阻力的通道的晶片的界面处可以清楚地看到pH侵蚀，以及由Pyrex上的化学侵蚀造成的通道深度超过6μm的增加。硅受保护的部分似乎没有受到侵蚀。在这种情况下，构成蛇形的通道之间的距离大于100μm，防止造成通道之间的短路以及流体阻力下降过大，如图9的情况。
图12：针对具有沉积在硅上的100nm Si3N4保护层、沉积在Pyrex上的200nm TiO2保护层和沉积在TiO2层上允许阳极接合的100nm SiO2层的通道的、取决于曝露持续时间的流体阻力演化。相对于该对照所确定的阻断阈值对应于系数为2的流体阻力减少。
图13：已暴露于具有pH值为12的溶液140天且具有淀积在硅上的100nm Si3N4保护层、沉积在Pyrex上的200nm TiO2保护层和沉积在TiO2层上允许阳极接合的100nm SiO2层的流体通路的横截面的SEM图像。可以很清楚地看到，该通道保持它的标称深度。还示出保护层和接合层完美地实现了它们的功能。
具体实施方式
当采用具有标准参数(350-400℃，500-1000V)的阳极接合技术时，尽管存在起防止化学侵蚀作用的中间层，将硅晶片接合到玻璃晶片(Pyrex7740)。
硅可以受到TiN或具有可变化学计量(stoechiométries variables)的任何形式的氮化硅(通过ALD、PECVD、LPCVD淀积的)的薄层(＜50nm)的保护。通过使用两层，也有可能使用TiO2+Si3N4或TiO2+a-Si的组合来保护它。对于TiO2，厚度高达250nm；对于附加的Si3N4层，厚度高达500nm(对于单独的氮化硅，该厚度可以是＜1μm那么厚)或对于附加的非晶硅层，厚度＜500nm。
Pyrex可以由以下两层保护：TiO2后面是SiO2。这两个层均可以通过ALD、反应溅射法、PECVD(SiO2)或LPCVD(SiO2)沉积。可用的厚度范围是：
-对于SiO2，＜500nm
-对于TiO2，＜250nm
在我们的例子中，使用ALD(原子层沉积)作为沉积技术是非常有用的，因为局部缺陷(针孔)的数量显著低于所提到的其他沉积技术[R9]。
ALD的使用也使得设想具有极其复杂形状的保护结构成为可能，因为这种技术几乎是完美的保形([R10]证明纵横比为1：1000)。
在通过CVD(化学气相沉积)沉积保护层的情况下，通过几个不同的阶段进行是有用的。通过关闭真空，这使得显著降低两个缺陷(针孔)被叠加的风险成为可能。
还应当注意，这种阳极接合技术不需要对表面进行任何的预处理来准备该接合。与许多其它的接合技术(聚合物接合、等离子体活化接合等等)不同，只要晶片没有大于0.5μm的颗粒，就容易获得可靠的且非常紧密的接合。
不同接合结构上的压力测试没有表现出接合强度的任何差异。因此看来，无论是存在于Pyrex上的保护层还是存在于硅上的保护层，阳极接合与在没有保护层的简单接合的情况一样牢固。
实验结果
I.兼容的接合
各种实验已经表明了通过其中加入了中间层的阳极接合来使硅和玻璃连接的难度。材料的性质、层的厚度、沉积的顺序和层相对于晶片的位置只是确保可靠的阳极接合所必须控制的关键参数中的几个。另外，接合层的厚度是实现这一功能的关键因素。例如，大于500nm厚度的SiO2不能够实现在中间层之间建立接合。
下面的两个例子说明了三层接合：
例1：在硅-Pyrex组件上进行接合测试。在硅上淀积100nm的氮化硅层。在Pyrex一侧上，TiO2薄层(50nm)覆盖在基板上。在该组件的顶部沉积100nm的SiO2。在380℃、750V下接合该组件。手术刀(scalpel)测试表现出优良的粘着性。
例2：硅晶片覆盖有100nm的TiO2层，之后是200nm的SiO2层，然后是另外的100nm的SiO2层。和之前一样，在380℃下完成了接合并用750V进行了接合。接合的结果同样表现出在这两个晶片之间的优良的粘着性。
在该文献中引用了几种现象来解释阳极接合。下面我们比较我们的实验结果与这些现象。
首先，在界面处有可能与用来自Pyrex的氧发生氧化(特别是由电场分离的NaOH)。在我们的例子中，我们发现，这一理论可能能够解释一些结果：
-涂有TiO2的硅和／或Pyrex可能不会接合，因为TiO2会防止在界面处的氧化[R3]。
-氮化硅当被沉积在Pyrex上时似乎能通过阻断氧的通过而阻止接合，但当被沉积在硅上时它有可能氧化并因此建立接合。
-然而，已经证明，在Si＼TiO2＼具有SiO2的Si3N4＼TiO2＼Pyrex多层接合的情况下，这种解释不是完全令人满意的。事实上，如果TiO2防止来自Pyrex的氧通过，在这种结构中为什么会发生接合呢？通过PECVD在TiO2上沉积的SiO2层释放了足够的氧气而能够使接合发生吗？但是，在这种情况下为什么较厚的SiO2层阻止接合呢？
由Veenstra R12提出的第二种现象涉及施加到该界面上的静电力。与该界面处层的氧化有关，静电力是理解的关键：在我们的例子中，沉积在Pyrex上的钛实质上降低了界面处的静电力。
第三种现象是两个晶片之间的距离。这就是为什么施加电场以获得足够大的静电力而使晶片接合为彼此紧密接触的原因。在我们的例子中，表面粗糙度，这是接近的一个方面，可能是重要的：ALD沉积和溅射之间的粗糙度差异是已知的，但似乎并没有在我们的例子中起重要的作用。
II.流体阻力
为了示出在高pH条件下的保护和接合的质量，使用了表示流体阻力的测试工具(图3)。这用于揭示所使用的各种结构的不足和能力。
测试车辆暴露于pH值为12的溶液，相比于硅上的化学侵蚀情况下的较小的碱性pH值，这代表加速研究形式。另外，关于玻璃，图1示出在pH值9以上二氧化硅的溶解度呈指数增加。因此，相比于pH值为9，在pH值为12时获得的结果表示至少为1000的加速因子，并且将对应于更有代表性的药物注射系统的溶液。
正被讨论的通道可以包括4个不同的层(a)、(b)、(c)和(d)，如图4所示。由于应用于Pyrex上的保护层(b)不能直接接合到硅晶片(无论是结构(a)-(d))，所以层(b)必须被自动覆盖接合层(c)。在硅的情况下，保护层(d)可以与未受保护的Pyrex或与接合层(c)直接接合。在硅被覆盖有不能被接合的层(d)的情况下，层(a)可被沉积在保护层(d)上并且用作接合层。
根据用于接合层的材料的类型，所述层也可以受到由于溶液穿过流体通路而对其表面造成的侵蚀。此外，200nm的厚度确保了两个晶片的良好的阳极接合，但采用这样的厚度，接合迅速开始显示出薄弱点。因此，200nm的SiO2层仅部分地防止了碱性溶液渗入接合区，随着时间的推移这伴随着相当大的分层的风险。为了提供两个晶片之间的液密接合，所施加的SiO2层可以具有50nm至100nm的厚度。
图5示出了在没有保护的通道上在pH值为12时的侵蚀。该通道的流体阻力减少的因数为2，其用作对照以确定用于具有保护层的通道设计的故障阈值。
图6示出了一种设计，包括其中22天后达到了故障阈值的50nm的单个Si3N4保护层(a)。如7图所示，故障是由通道之间的各向异性刻蚀引起的，从而显示出弱点位于接合处。另一方面，相比于图5的对照，通道底部上的保护层没有表现出受到损伤。
图8示出了一种设计，包括其中48天后达到了故障阈值的100nm的单个Si3N4保护层。如图9所示，故障是由通道之间产生的短路引起的。深度增加了2微米的通道，似乎已受到来自Pyrex晶片一侧的侵蚀，而受保护的硅晶片一侧似乎完好。这一结果表明，与先前用50nm Si3N4测试的接合不同，100nm的厚度足以确保被设计以保护硅晶片一侧上的接合的层的良好性能特性。该故障可能是对未受保护的Pyrex晶片侵蚀的结果。
图13示出，一种设计，包括在硅上的100nm的Si3N4保护层(a)、200nm的TiO2保护层(b)和Pyrex晶片上的50nm的SiO2接合层(c)，当暴露于pH值为12的溶液时，随着时间的推移，其维持的流体阻力大于或等于其标称值。事实上，蛇形的流体阻力超过140天没有减少，这与以前实验中使用的设计不同。流体阻力略有增加在一定程度上是由于设置中使用的项目，包括芯片上游的过滤器，随着时间的推移它可以变成部分阻断的并且发展成图12中所观察到的趋势。
如图14所示，在pH值为12下经过大于140天的潜伏期(d′incubation)之后，形成蛇形的通道保持其标称的尺寸，从而表明，保护层的组件以及接合的组件完美地执行它们的功能。
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Claims (35)

1.一种装置，包括彼此固定的一个具有硅表面的晶片和一个具有玻璃表面的晶片，形成在所述晶片之间的固定区定义了多层结构，所述多层结构包括第一层，防止由覆盖硅表面的表面的侵蚀造成的材料的物理改变，和第二层，防止由覆盖玻璃表面的表面的侵蚀造成的材料的物理改变；所述多层结构还包括至少一个附加层，所述至少一个附加层实现在两个保护层之间形成的阳极接合；所述装置具有至少一个被所述保护层保护的流体通路，适于暂时容纳溶液；所述附加接合层具有足够薄的厚度，以在所述附加接合层上发生侵蚀时在该接合上形成毛细管截止阀。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述附加接合层的厚度小于500nm。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述附加接合层的厚度小于200nm。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述附加接合层的厚度优选在50和100nm之间。
5.根据权利要求1所述的装置，其中至少一个所述保护层是保形沉积的。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个附加接合层是保形沉积的。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述侵蚀能够是化学的、电化学的、物理的和／或机械的。
8.根据权利要求1所述的装置，为MEMS类型的，其中晶片是可加工的。
9.根据前述权利要求所述的装置，其中构成覆盖玻璃和硅表面的保护层的材料是耐受酸性和／或碱性pH值的。
10.根据前述权利要求所述的装置，其中所述构成保护层的材料能够例如包括二氧化钛、氮化钛或氮化硅。
11.根据前述权利要求所述的装置，其中所述接合层仅存在于覆盖玻璃晶片的保护层上。
12.根据前述权利要求所述的装置，其中所述接合层是不耐受碱性pH值的。
13.根据前述权利要求所述的装置，其中所述接合层由阳极接合期间在接合中经受化学转变的材料组成，该化学转变导致其耐受碱性溶液。
14.根据前述权利要求所述的装置，其中所述接合层由二氧化硅组成。
15.根据权利要求1至10和14所述的装置，其中所述接合层仅存在于覆盖硅晶片的保护层上。
16.根据权利要求1至10和14至15所述的装置，其中所述接合层也是保护层。
17.根据权利要求1至10和15至16所述的装置，其中所述接合层由硅的氮化硅组成。
18.根据前述权利要求所述的装置，其中具有玻璃表面的晶片由硼硅酸盐如Pyrex制成，或由硅制成。
19.根据前述权利要求所述的装置，其中具有硅表面的晶片由绝缘体上硅制成，或由玻璃制成。
20.根据任意前述权利要求所述的装置，其中所述多层结构的厚度小于1μm。
21.根据前述权利要求之一所述的装置，其中所述保护和接合层是生物相容的。
22.根据前述权利要求所述的装置，被设计用作医用系统。
23.根据前述权利要求所述的装置，被设计用作可植入的医用系统。
24.一种用于制造MEMS类型装置的方法，包括以下步骤：
a)将防止化学表面侵蚀的层施加到第一晶片的主表面上的硅的至少一个区域；
b)将防止化学表面侵蚀的层施加到第二晶片的主表面上的玻璃的至少一个区域；
c)在这两个保护层之间加入能够形成阳极接合的材料的薄层，同时防止溶液渗入定义了流体通路的横向末端的接合区域，所述溶液通过所述流体通路。
25.根据权利要求24所述的方法，其中至少一个保护层以沉积为保形的方式沉积。
26.根据权利要求24所述的方法，其中所述接合层以沉积为保形的方式沉积。
27.根据权利要求24所述的方法，其中能够在步骤a)和／或b)之前和／或之后构造所述晶片。
28.根据权利要求24所述的方法，其中步骤a)和b)连续和／或同时进行。
29.根据权利要求24所述的方法，其中这两个保护层和附加接合层通过以下技术的一种或它们的组合施加：低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、氧化、蒸发或溅射。
30.一种通过包含以下步骤的方法获得的MEMS型装置：
a)将防止化学表面侵蚀的层施加到第一晶片的主表面上的硅的至少一个区域；
b)将防止化学表面侵蚀的层施加到第二晶片的主表面上的玻璃的至少一个区域；
c)在这两个保护层之间加入能够形成阳极接合的材料的薄层，同时防止溶液渗入定义了流体通路的横向末端的接合区域，所述溶液通过所述流体通路。
31.根据权利要求30所述的装置，其中至少一个保护层以沉积为保形的方式沉积。
32.根据权利要求30所述的装置，其中所述接合层以沉积为保形的方式沉积。
33.根据权利要求30所述的装置，其中能够在步骤a)和／或b)之前和／或之后构造所述晶片。
34.根据权利要求30所述的装置，其中步骤a)和b)连续和／或同时进行。
35.根据权利要求30所述的装置，其中这两个保护层和附加接合层通过以下技术的一种或它们的组合施加：低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、氧化、蒸发或溅射。
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