CN103604516A - 一种温度传感器 - Google Patents

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CN103604516A CN201310541699.8A CN201310541699A CN103604516A CN 103604516 A CN103604516 A CN 103604516A CN 201310541699 A CN201310541699 A CN 201310541699A CN 103604516 A CN103604516 A CN 103604516A
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Abstract

一种温度传感器,其包括一个温度灵敏元件,一个并联到该灵敏元件的电压稳压器,以及一个差分放大器(其一个输入端连接到该灵敏元件的输出端)。差分放大器的输出通过一个放大器耦合到输出端,而运算放大器的第二输入设置为连接到外部电路或者传感器的输出端。温度灵敏元件包括一个电流逆变器,其耦合到一对三极管以保持其电流密度比率随温度变化恒定。在不同的电流密度下三极管的基极-发射极电压差与开尔文温度成正比。这种基极-发射极的电压差设置在耦合到差分放大器输入的输出电阻两端。

Description

一种温度传感器
技术领域
本发明一般涉及到一个温度传感器,并且更具体地,涉及到一个温度测量和控制系统,该系统提供了一个直接与开尔文温度成正比的输出。
背景技术
目前市面上所提供的电子温度传感器,不能或难以嵌入带有适当电源的单片电路和输出电路以形成一个整体的温度传感器。与现有的温度测量和控制系统相比,对本发明的传感器的需要将很容易地理解。这样的传感器不要求布线连接到远程位置来提供规定的电压,在输出可用于测量和控制之前,用于对输出作放大、缩小或执行其它操作。此外,本发明的传感器的功耗将大大低于目前市面上采用温度灵敏元件的温度传感器。
大多数目前市面上的温度传感器不能很容易地实现为测量和控制系统。热电偶具有相对低的输出信号,而这很难稳定地放大。此外,热电偶需要冷结补偿。电阻和热敏电阻传感器是非线性和依赖激励的。然而,这种传感器的主要缺点是,它们的输出不直接相关于任何温标。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种单片集成的温度传感器。
本发明的另一个目的是提供一种温度传感器,其输出直接正比于温度变化而变化。
本发明的再一个目的是提供一种温度传感器,其输出直接相关于已知的温标。
本发明的再一个目的是提供一种温度传感器,其具有相对低的功耗。
本发明的另一个目的是提供一种温度传感器,其具有相对高的输出信号。
本发明的技术解决方案是:
本发明的这些和其它目的由一个单片集成电路来实现,其包含一个根据工作在不同电流密度下三极管的发射极-基极电压对温度敏感性的差异以提供温度指示的温度传感器。本发明的一个特征是,使用有效分流稳压器与电源电压跨接以调节工作电压,并提供一个参考电压(可在单片电路的外部使用电源端得到)。本发明的另一个特征是,其采用差分放大器以使可在单片电路外部的端子得到温度传感器的输出,并且如果需要的话,提供增益或电压偏移。
本发明具有明显的优点,其提供的输出可直接使用已知的温度刻度来校准。
对比专利文献:CN201402185Y温度传感器 200920053180.4,CN201611283U温度传感器200920286731.1
附图说明:
图1是根据本发明的原则制造的温度传感器的部分方框图和部分原理图;
图2和图3是用于解释本发明原则的电路的原理图;
图4是按图1电路实现的原理示意图。
具体实施方式:
参照图1,其中示出了根据本发明原则构成的温度传感器,其具有一对端子10和12分别连接到一个电源(图中未示出)的正极和负极端子。端子14提供一个正比于温度变化的输出。分流电压稳压器16并联到电源以调节工作电压,并提供一个参考电压(在外部端子10和12上提供)。温度灵敏元件18并联到电压稳压器16。温度灵敏元件18的一个输出提供给差分放大器20的一个输入端,并且差分放大器20的另一个输入端连接到端子22。差分放大器的一个输出端连接到三极管24的基极,并且三极管24的发射极连接到端子12,其集电极连接到端子14。在端子10上的正电源电压通过一个二极管26和一个电阻28连接到三极管24的集电极。
如果图1所示的温度传感器可以提供一个输出,该输出正比于温度变化而变化,可以直接校准为一个已知的温度比例,那么三极管可以作为一个比例控制器,或者作为一个通断控制器。例如,如果端子14连接到端子22,差分放大器20和输出电路(包括三极管24)构成一个运算放大器。因此,在端子10和14之间的输出将直接与温度成正比。这样的电路构成一个温度计或温度比例控制器。然而,如果一个参考电压提供给端子22,只要温度传感器18的输出小于该参考电压,端子14提供一个输出。这样的电路构成一个通断温度控制器。
正如前面所提到的,目前已知的温度传感器提供的输出不直接相关于一个已知的温度比例。几乎所有在一个单片集成电路中的电路元件是温度敏感的。最广泛使用的温度敏感的参数可能是NPN三极管的发射极-基极电压。NPN三极管的发射极-基极电压的这种温度敏感的特性的不便于作为一个校准的传感器。发射极-基极电压的值跟随制造因素变化,并在±100 mV的范围内变化。此外,由于三极管具有的负温度系数使得发射极-基极电压随着温度的升高减少,发射极-基极电压不直接正比于任何温度比例。已经发现,一个更实际和有效的参数是三极管工作在不同电流密度条件下的发射极-基极电压的差异。
如图2所示,一对三极管30和32在电源和地电位之间分别与电阻器34和36串联。三极管30和32的集电极连接到其基极和差分放大器38的一个相应的输入端。
如果三极管30和32相匹配,并具有相同的发射极面积,又有电阻34和36的值是相等的,那么差分放大器38将不会提供输出(即使有温度变化)。但是,如果三极管30、32其中一个的电流密度不同于另一个三极管的电流密度,并且一个三极管的集电极电流与另一个三极管的集电极电流的比值随温度变化保持恒定,那么差分放大器38将提供直接正比于开尔文温度的输出。不同的电流密度可通过使两个三极管的集电极电流不同,通过使两个三极管的集电极电流相等而发射极面积不同,或者通过这两种技术的组合来得到。三极管30和32具有一个负温度系数。如果两个三极管都工作在不同的电流密度下,这两个三极管的温度系数会有所不同。差分放大器38响应于这两个温度系数的差值提供一个输出。更具体地,差分放大器38响应于三极管30和32的发射极-基极电压之间的差值提供一个输出。这个差值等于:
Figure 2013105416998100002DEST_PATH_IMAGE002
(1)
其中K是玻耳兹曼的常数,T是绝对开尔文温度,q是电子电荷,
Figure 2013105416998100002DEST_PATH_IMAGE004
Figure DEST_PATH_IMAGE006
分别是三极管30和32的集电极电流或发射极电流密度。
可以理解,图2所示的电路仅用来表示本发明的原则,因为它很难实现。例如,差分放大器38的输入是浮动的,并且很难相对于参考电压控制。此外,图2所示的电路很难构成为一个集成电路以提供精确的增益,因为任何反馈都会改变三极管30和32的集电极电流。根据上面的公式(1),可以理解,这样的集电极电流的改变或影响会破坏电路的温度传感能力。
图3所示的电路同样说明了这一基本原则。如图所示,一个电流源40通过三极管42与接地电位连接,并且还连接到三极管42的基极和三极管44的基极。三极管44的集电极通过一个电阻器46连接到一个电压源,其发射极通过一个电阻器48连接到接地电位。输出产生在电阻器46的两端50和52。
如果三极管42和44相匹配,并在不同的电流密度下,其发射极-基极电压的差值会产生在电阻48的两端。这个差值是由上述方程(1)表示,其中
Figure 544689DEST_PATH_IMAGE004
Figure 399513DEST_PATH_IMAGE006
分别是三极管42和44的集电极电流或电流密度。
由于,(2)
其中
Figure DEST_PATH_IMAGE010
是三极管44的集电极电流,又有
Figure DEST_PATH_IMAGE012
(3)
根据这些方程可以看出,三极管44的集电极电流正比于绝对温度,而且如果三极管42和44的电流密度比值保持不变并且不为1,那么是线性的。电阻器46适当的按比例变化可使端子50和52之间的输出直接以开尔文温度按比例变化。
遗憾的是,由于三极管42的集电极电流由电流源40固定,图3中所示的集电极电流的比值或电流密度比值不随温度变化保持恒定。如果三极管42和44的电流密度比值不随温度变化保持恒定,那么端子50和52之间产生的输出不会直接与温度成正比。虽然三极管42和44的基极-发射极电压将随温度的变化而改变,根据公式(3)可以理解,通过电阻器46的电流、端子50和52两端的电压不会直接与温度成正比。但是,如果使由电流源40提供的电流按温度变化成比例的改变,那么根据公式(3)可以理解,端子50和52之间产生的输出也可以与温度成正比。
图4所示的温度传感器18解决了上述困难。如图4所示,电压稳压器提供一个相对稳定的稳压电源。齐纳二极管54在与电阻56串联在电源端子10和12之间,其击穿电压设置为一个预定的电压,例如6.2伏。如果没有额外的电路,并且当齐纳二极管54击穿时,传感器18上施加的电压也可以由二极管54提供,并且该电压取决于齐纳二极管的电流。为了减少对由齐纳二极管54提供电压的依赖,齐纳二极管54的阳极可以通过一个电阻58连接到三极管60的​​基极(三极管60的发射极连接到端子12)。当在端子10和12两端的电压超过齐纳二极管54的击穿电压和三极管60的​​基极-发射极电压时,流入三极管60基极的电流产生一个电流,其值等于基极电流与三极管的β值的乘积。因此,如果在端子10和1之间的电压增加,通过稳压器16的电流将增加一定数值,其大于当没有三极管60时的情况。由三极管60降低稳压器16的动态阻抗产生的电流的增加,从而使在其两端的电压保持稳定。
三极管60的​​集电极连接到三极管61的一个集电极和三极管62的基极。因此,三极管62的集电极电流通过三极管60的​​集电极电流来调节。作为其结果,流过稳压器16的电流,在最小情况下,等于三极管60的​​基极电流、三极管60的​​β值和三极管62的​​β值的乘积。三极管62的集电极连接到三极管63的一个发射极和三极管64的基极。因此,三极管64的基极电流由三极管62提供。由于三极管64的集电极电流等于其基极电流的β倍,流过稳压器16的总电流,在最小情况下,等于三极管60的​​基极电流乘以三极管60、62和64的β值的乘积。假设,如果流过调节器16的电流增加1毫安,并且三极管60、62和64的β值为100,那么流过齐纳二极管54的电流将增加1纳安(在保持三极管60、62和64分割的电流的情况下)。这样的流过齐纳二极管54的电流增加1纳安,相比于增加1毫安,表示在端子10和12之间的电压有相对较小的增加。
三极管61的发射极通过一个电阻器65连接到端子10,并且其第二集电极连接到三极管63的基极。三极管63是反转的,如图所示,其集电极连接到端子12,而其第二发射极连接到齐纳二极管54的阳极。三极管63建立了三极管62的最小集电极电流和最小的流过齐纳二极管54的电流,以使这些器件工作在正常范围内,从而消除了泄漏电流和在低电流的条件下遇到的类似问题的影响。三极管61建立了三极管60的最小集电极电流,并且驱动三极管63。
在上面的例子中,稳压器16降低1毫安的电流,齐纳二极管54降低1纳安的电流,这不足以使齐纳二极管免受不利影响。因此,三极管63和电阻器56一起提供了一个电流流过齐纳二极管54,其值约为20微安。三极管63为三极管62提供大约10微安的集电极电流,三极管61为三极管60提供10至20微安的集电极电流。因此,三极管61和63作为电流源,以设置齐纳二极管54和三极管60、62的工作电流远高于其漏电流。当然,三极管64的集电极电流仅略低于流过稳压器16的电流。建立最小工作电流的电流源不影响稳压器16的增益,因为它以电流形式变化,而不是它的大小,并且其决定了在端子10和12两端的电压的变化量。
结电容器66并联到三极管60的集电极-基极结,并且串联到电阻器67,而结电容器68并联到三极管64的集电极-基极结。这些组件为电路提供频率补偿,因为它工作在相对高的增益下,并且没有补偿易受振荡的影响。
传感器18的温度感测,根据监测三极管70、71、72和73工作在电阻器74两端不同的电流密度下发射极-基极的电压之差来实现。不管电阻器75的影响的时间或考虑到时间的缩短,施加在电阻器74上的电压等于三极管70、71的发射极-基极电压之和减去三极管72、73的发射极-基极电压之和。正如前面所提到的,由公式(1)所示,如果施加在电阻器74上的电压直接与温度成正比,那么三极管70和71的电流密度与三极管72和73的电流密度的比值随温度变化保持不变。如果三极管70、71、72和73的集电极电流与绝对温度成正比,电流密度的比值随着温度变化保持不变。
三极管71的发射极除了连接到三极管70的基极,也连接到三极管76的集电极和基极。电阻器77从三极管76的发射极连接到端子12。根据以上描述,特别是有关图3的,可以理解,如果三极管70的集电极电流与绝对温度成正比,那么在电阻器77两端的三极管70和76的发射极-基极电压的差值也将与绝对温度成正比。如果电阻器77两端的电压与绝对温度成正比,那么三极管76的集电极电流正比于绝对温度。由于流入三极管70和76基极的电流是可以忽略不计的,三极管71的集电极电流等于三极管76的集电极电流,并且因此,与绝对温度成正比。三极管70的集电极通过电阻器75连接到三极管78的发射极,也连接到三极管72的基极。由于流入三极管72的基极电流是可以忽略不计的,那么三极管78的集电极电流等于三极管70的集电极电流。然而,如果三极管78的集电极电流试图增加,基极驱动电流会提供给三极管71,这将增加三极管70的基极驱动电流,从而导致导通电平的增加,这样三极管70的集电极电流将保持等于三极管78的集电极电流。因此,三极管70、71和76形成的电流逆变器。
三极管70的基极连接到三极管79的基极,三极管79的发射极通过电阻器80连接到端子12,其集电极连接到三极管72的发射极。因此,三极管70和79的发射极-基极电压的差值施加在电阻器80的两端。如果三极管70的集电极电流正比于绝对温度,那么三极管79的集电极电流也正比于绝对温度。三极管79的集电极电流也将正比于绝对温度。因为流入三极管73的基极电流是可以忽略不计的,所以三极管72的集电极电流等于三极管79的集电极电流。因此,可以理解的是,三极管71和72的集电极电流与绝对温度成正比。这些集电极电流由三极管81的集电极提供,而三极管81、82和83构成一个电流逆变器。三极管81的发射极通过一个电阻器84连接到线86。电阻器87连接在线86和三极管82的发射极之间。三极管82的基极和集电极连接到三极管的基极81和三极管83的发射极。此外,三极管81的集电极连接到三极管83的基极。
正如前面所提到的,由于三极管71和72的集电极电流与绝对温度成正比,三极管81的集电极电流与绝对温度成正比。如果三极管81的集电极电流趋于增加到一个远大于三极管71和72的集电极电流之和的值,那么将提供基极驱动电流给三极管83以改变三极管81的基极驱动电流。因此,三极管83将保持三极管71和72的集电极电流之和等于三极管81的集电极电流。电阻器84和87互相匹配,因此,三极管81的集电极电流等于三极管82的集电极电流。不管连接在三极管83的发射极和集电极之间的电阻器88的影响,三极管82的集电极电流等于三极管83的集电极电流。此外,三极管83的集电极电流等于三极管78的集电极电流。因此,可以理解的是,这个包括三极管81、82和83的电流逆变器强制使得三极管70的集电极电流等于三极管81的集电极电流。由于三极管81的集电极电流与绝对温度成正比,三极管70的集电极电流也必须与绝对温度成正比。
在一个本发明构造的实例中,三极管71、72、76和79的集电极电流为50微安,而三极管70和73的集电极电流为100微安。三极管72、73、76和79的发射极面积是三极管70和71的发射极面积的10倍大小。那么,三极管81的集电极电流均匀地被划分为三极管71和72的集电极电流。因此,这两个集电极电流的差值和发射极面积的差值用于在不同的电流密度下操作三极管。
三极管73的集电极连接到三极管89的发射极,而三极管89的发射极通过一个电阻器91连接到端子10。三极管89的基极连接到三极管83的集电极。因此,三极管73和89是共发射极、共基极的。这种共发共基的组合消除了三极管73的集电极电压对集电极电流的影响的任何变化的可能性。
三极管73的集电极电流正比于绝对温度,这导致电阻器91两端的电压降正比于绝对温度。这个电压降施加在差分放大器20的一个输入端。电阻器75补偿在电流逆变器的输出产生的微小变化,电阻器88提供正的起始电流给电流逆变器(电流逆变器包括三极管81、82和83)。
三极管78使三极管89偏置为一电压,其高于三极管73上的偏压。三极管92发射极连接到端子10,其集电极和基极连接到线86。在稳压器16部分中,线86连接到三极管61的基极和三极管93的基极。由于三极管81和82的集电极电流与绝对温度成正比,三极管92的发射极-基极电压与绝对温度成正比。因此,提供给三极管61和93的偏置电流也与绝对温度成正比。三极管93的发射极通过一个电阻器94连接到端子10,并且其集电极连接到三极管97和98的发射极。因而,三极管93作为一个电流源,它随温度的变化提供三极管97和98的集电极电流。
由于在单片电路中电阻比三极管更容易匹配,电流逆变器中的电阻84和87很好地匹配。因此,电流转换比率直接相关于电阻的匹配情况。因此,从已匹配的电流逆变器提供的输出电流的电路更容易实现。
差分放大器20包括一对三极管97和98(它们形成一个差分级)。三极管97和98相匹配,这样使得当它们的发射极-基极电压相等时,它们的集电极电流将相等。三极管97的集电极连接到电流逆变器(其包括三极管99、100和101)的一侧,而三极管98的集电极连接到电流逆变器的另一侧。更具体地是,三极管98的集电极连接到三极管99的基极和三极管100的集电极,而三极管97的集电极连接到三极管101的集电极。三极管99的集电极连接到端子10,并且其发射极连接到三极管100和101的基极,并通过一个电阻器102连接到端子12。三极管100和101的发射极一起连接到端子12。
如果提供给三极管97的基极的输入电压等于施加在三极管98的基极电压,在电流逆变器中会存在以下情况。如果在三极管98的集电极电流是远大于三极管100的集电极电流,那么三极管99会降低基极电流,并导通以增加三极管100的导通程度。此操作将继续下去,直到在三极管100的集电极电流大致等于三极管98的集电极电流,允许相对小的、可以忽略不计的电流流入三极管99的基极。由于三极管101的基极-发射极电压等于三极管100的基极-发射极电压,三极管101的集电极电流将等于三极管100的集电极电流。三极管101的集电极连接到三极管103的基极。如果三极管97和98的基极驱动电流是相等的,那么三极管97的集电极电流将等于三极管98的集电极电流,从而,等于三极管101的集电极电流。因此,没有基极电流提供给三极管103的基极,从而,它是不导电的。
如果提供给三极管97基极电压不同于提供给三极管98基极电压,那么将存在以下情况。三极管98的集电极电流将保持与三极管100的集电极电流相等,进而,将保持与三极管101的集电极电流相等。然而,由于三极管97和98的基极驱动电流不同,三极管97和98的集电极电流将是不同的。三极管97和98的集电极电流之间的差​​值等于三极管97和101的集电极电流之间的差​​值。因此,这个差值将提供给三极管103的基极。三极管103的集电极连接到端子10,并且其发射极连接到三极管104(其对应于如图1所示的三极管24)的基极。三极管103基极的输入乘以该三极管的β值,并提供给三极管104的基极,反过来产生一个输出。这种设计提供相对高的增益,在本发明构造的实例中增益为80000。
通过连接端子14到端子22,差分放大器20成为一个运算放大器(运用从输出到输入的反馈)。电阻器105连接在端子22和三极管98的基极之间,电阻器106和电容器107在端子22和三极管97的集电极之间互相串联。这些组件提供频率补偿,以使得当提供反馈时电路不产生振荡。
三极管108的基极连接到三极管104的一个发射极,并且其集电极连接到三极管103的基极,其发射极连接到端子12。一个电阻器109从三极管103的发射极连接到三极管108的基极,而电阻器110从三极管104的一个发射极连接到端子12。三极管108感应输出电流,并提供电流以限制电路。也就是说,在电阻110上的电压施加在三极管108的基极-发射极结,并且当电压超过一个预定的值时,三极管108变为导通。当三极管108导通时,电流从三极管103的基极流出,因此,输出上的一个比较大的负载(例如短路电路),将不会破坏电路。电阻器109为三极管103建立了一个最小工作电流,并且消除了三极管104的两端漏电流的可能性。电阻器28是一个内部上拉负载,三极管111被用作断开连接的二极管,这样,端子14可以工作在一个大于端子10所提供电位的电位。三极管111对应于图1中的二极管26。
三极管104的第二发射极连接到三极管108的集电极,并且形成一个饱和钳位。当三极管103开始导通,三极管104饱和。通过三极管104的电流被外部负载电阻和电阻器110所限制。然而,三极管103的工作电流在这样的条件下将是过量的。当三极管104饱和时,其集电极重新注入空穴给基极。第二发射极收集这些空穴,并有效地成为三极管104的集电极。因此,第二发射极作为一个集电极,从三极管103的基极吸取电流以限制三极管104饱和。在本发明构造的实例中,使用以下元件是成功的:
电阻器76 260欧姆
电阻器74 940欧姆
电阻器77和80 1.56K欧姆
电阻器67、105和106 3K欧姆
电阻器65 4.5K欧姆
电阻器84和87 5K欧姆
电阻器94 6K欧姆
电阻器58、91和110 30K欧姆
电阻器102和109 40K欧姆
电阻器28 50K欧姆
电阻器56 100K欧姆
电阻器88 300K欧姆
电容器68 10皮法
电容器66和107 30皮法

Claims (9)

1.一种温度传感器,其特征是,包括:第一三极管,其第一参数正比于温度和第二参数;第二三极管,其第一参数正比于温度和第二参数;一个第三三极管和第四三极管,其各自具有正比于温度和第二参数的第一参数,所述的保持装置被设置以用于维持所述第一与第三三极管的第二参数的和比上第二与第四三极管的第二参数的和的比值随温度变化恒定,其中,所述传感装置被设置以用于感测第一与第三三极管的第二参数的和减去第二和第四三极管的第二参数的和的差值;一种装置,在温度变化和不同的参数下,保持所述第一三极管的第二参数值与所述第二三极管的第二参数值的比值恒定;一种装置,感应所述第一参数值的差异。
2.根据权利要求1所述的一种温度传感器,其特征是:还包括,缩放所述感应装置的输出以用于提供直接正比于开尔文温度的一个输出;所述第一三极管和所述第二三极管各自具有一个与温度成正比的温度系数,所述的保持装置被设置以维持所述第一三极管的电流密度与所述第二电流密度晶体的比值随温度变化恒定,所述传感装置被设置以用于感测所述第一三极管和所述第二三极管的发射极 - 基极之间的电压差值;所述第一参数是所述三极管的发射极-基极电压,而所述第二参数是所述三极管的电流密度;所述电流密度等于所述三极管的集电极电流与发射极面积的倒数的乘积;所述保持装置包括一个其基极耦合到所述第一三极管的基极的第五三极管,一个耦合到所述第一和第五三极管发射极之间的第一阻抗元件。
3.根据权利要求2所述的一种温度传感器,其特征是:第五三极管的集电极串联到第三三极管的发射极;还包括一个电流逆变器,其第一输出端串联到所述第一三极管的集电极,第二输出端串联到所述第三三极管的集电极;还包括一个其基极连接到所述第一三极管的基极的第六三极管,一个耦合到所述第一和第六三极管发射极之间的第二阻抗元件,所述第六三极管的集电极连接到所述第四三极管的发射极,所述第四三极管的集电极与所述电流逆变器的第二输出端串联。
4.根据权利要求1的一种温度传感器,其特征是:还包括用于分别连接电流源和所述第一和第二三极管的一对端子,一个连接在所述端子和一个齐纳二极管之间的电压稳压器,一个在所述端子之间与齐纳二极管串联的第一阻抗元件,以及跨接在所述端子两端用于传导电流的装置,该电流正比于流过齐纳二极管电流。
5.根据权利要求4所述的一种温度传感器,其特征是:所述传导装置包括:一个第三三极管,其基极连接到所述齐纳二极管和所述第一阻抗元件的结点,其集电极和发射极分别连接到相应的一对端子;所述传导装置还包括一个与第三三极管发射极和集电极串联的第二阻抗元件,一个第四三极管(其基极连接到所述第三三极管和所述第二阻抗元件的结点,其集电极和发射极分别连接到相应的一对端子);所述传导装置还包括一个与第四三极管发射极和集电极串联的第三阻抗元件,一个第五三极管(其基极连接到所述第四三极管和所述第三阻抗元件的结点,其集电极和发射极分别连接到相应的一对端子);所述第二和第三阻抗元件分别包括一个第六和第七三极管,所述第六三极管包括一个串联到所述第三三极管集电极的第一集电极-发射极电路以及连接到所述第七三极管基极的第二集电极-发射极电路;所述第七三极管包括一个串联到所述第四三极管集电极的第一集电极-发射极电路,一个与所述齐纳二极管串联的第二集电极-发射极电路。
6.根据权利要求5所述的一种温度传感器,其特征是:还包括一个耦合到所述传感装置一个输出端的差分放大器;所述差分放大器包括一个其输入端连接到所述传感装置输出的差动级,一个耦合到差动级输出的第三三极管,一个与第三三极管级联的第四三极管,一个第五三极管(其集电极-发射极电路连接到所述第三三极管的基极,其基极连接到所述第四三极管的第一集电极-发射极电路);所述第四三极管包括一个连接到所述第三三极管基极的第二集电极-发射极电路;所述差分放大器包括一个其输入端连接到所述传感装置输出的差动级,一个耦合到差动级输出的第三三极管,一个与第三三极管级联的第四三极管(其第一集电极-发射极电路用于连接到输出,第二集电极-发射极电路连接到所述第三三极管的基极)。
7.根据权利要求1所述的一种温度传感器,其特征是:所述三极管的基极连接在一起,其中,所述传感装置包括一个连接在所述三极管发射极之间的阻抗元件,所述保持装置包括一个连接到一个三极管基极的电流源,并且所述装置具有一个与温度成正比的输出。
8.根据权利要求1所述的一种温度传感器,其特征是:一个温度传感器,包括:用于连接到电源的第一对端子;一个连接在所述一对端子之间的电压稳压器;一个输出连接到所述一对端子之间的温度灵敏元件;第二对端子,其中第一个构成一个输入端,第二个构成一个输出端;一个差分放大器,其第一输入端连接到所述灵敏元件的输出端,第二输入端连接到所述第二对端子的第一端,一个输出端连接到所述第二对端子的第二端。
9.根据权利要求8所述的一种温度传感器,其特征是:所述温度灵敏元件的输出直接与温度成正比。
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