CN103579287A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents
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Abstract
根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括衬底、衬底上的像素电极、像素电极上的有机发射层、有机发射层上的公共电极、公共电极上的覆盖层、覆盖层上的氧化减少层、以及覆盖氧化减少层的薄膜封装层，氧化减少层被配置为减少公共电极的氧化，氧化减少层与公共电极分离。氧化减少层可以包括虚拟公共电极、紫外线（UV）阻挡层、以及缓冲层中的至少一种。
Description
技术领域
本发明大体上涉及有机发光二极管显示器，更具体地涉及具有薄膜封装层的有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器包括由阳极（即空穴注入电极）、有机发射层、以及阴极（即电子注入电极）组成的有机发光元件。通过当结合有机发射层中的电子与空穴所产生的激子从激发态落到基态时产生的能量，每一个有机发光元件发光，并且通过利用这种发光，有机发光二极管显示器显示预先确定的图像。
由于有机发光二极管显示器具有自发光特性，并且与液晶显示器不同，有机发光二极管显示器不需要单独的光源，所以可以减小其厚度和重量。此外，由于有机发光二极管显示器表现出高质量特性如低功耗、高亮度、以及快速反应速度，所以有机发光二极管显示器作为下一代显示装置受到人们的注意。
有机发光元件可能会因外界因素如外部湿气、氧气、或紫外线（UV）而劣化。尤其，由于外部氧气和湿气显著地影响有机发光元件的寿命，所以封装有机光发射元件的封装技术非常重要。
背景部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此其可以包括不形成在本国中对本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一个或多个示例性实施方式提供一种有机发光二极管显示器，其可以包括衬底、位于衬底上的像素电极、位于像素电极上的有机发射层、位于有机发射层上的公共电极、形成于公共电极上的覆盖层、位于覆盖层上的虚拟公共电极、以及覆盖虚拟公共电极的薄膜封装层，其中虚拟公共电极可以与公共电极分离。
虚拟公共电极可以具有
至
的厚度。
虚拟公共电极可以包括选自镁（Mg）、银（Ag）、锂（Li）、钠（Na）、钙（Ca）、或锶（Sr）、或者其合金中的任何一种。
紫外线（UV）阻挡层可以位于虚拟公共电极与薄膜封装层之间。
缓冲层可以位于紫外线（UV）阻挡层与薄膜封装层之间。
缓冲层可以是选自氟化锂（LiF）、氟化钙（CaF2）、氧化硅（SiO）、钛氧化物（TiOx）、钼氧化物（MoOx）、氧化锌（ZnO）、锌锡氧化物（ZnSnOx）、和铝氮氧化物（AlOxNy）中的任何一种。
薄膜封装层可以包括交替层压的至少一个封装有机层和至少一个封装无机层。
虚拟公共电极和紫外线（UV）阻挡层中的至少一个可以被配置为减少公共电极的氧化。
虚拟公共电极可以包括被配置为与氧气反应以形成透明氧化物的材料。
一个或多个示例性实施方式提供一种有机发光二极管显示器，其可以包括：衬底、位于衬底上的像素电极、位于像素电极上的有机发射层、位于有机发射层上的公共电极、位于公共电极上的覆盖层、位于覆盖层上并被配置为减少公共电极的氧化的氧化减少层、以及覆盖该氧化减少层的薄膜封装层，其中氧化减少层可以与公共电极分离。
氧化减少层可以包括虚拟公共电极、紫外线（UV）阻挡层、以及缓冲层中的至少一种。
氧化减少层可以包括虚拟公共电极和紫外线（UV）阻挡层。虚拟公共电极可以位于覆盖层上并且紫外线（UV）阻挡层可以位于虚拟公共电极上。
氧化减少层可以包括虚拟公共电极和缓冲层。虚拟公共电极可以位于覆盖层上并且缓冲层可以位于虚拟公共电极上。
附图说明
图1是根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路。
图2是根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。
图3是根据第二示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。
具体实施方式
下文中将参照附图更加全面地描述本发明；然而，可以通过不同的形式实施本发明，并且本发明不应被解释为限于本文中阐明的实施方式。相反，提供这些实施方式以使本公开详尽且完整，并且本公开将向本领域的技术人员充分地传达示例性的实施。
附图和说明书本质上应认为是说明性的而非限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
此外，为了便于理解和描述方便，随意地示出了附图中的每一个组件的尺寸和厚度，但本发明的实施方式并不限于此。
在附图中，为了清晰起见，放大了层、膜、板、区域等的厚度。在附图中，为了便于理解和描述方便，放大了一些层和区域的厚度。应当理解当元件如层、膜、区域、或衬底被认为是“位于”另一元件上时，其可以直接位于另一元件上或者还可以存在插入的元件。
此外，除非明确地相反地说明，术语“包括（comprise）”及其变型如“包括（comprises）”或“包括（comprising）”应理解为是指包括所述元件而非排出任何其他元件。另外，在说明书中，术语“位于……上”指位于对象部分上或在对象部分下方，但并非实质上指基于重力方向位于该对象部分的上侧。
图1是根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路。如图1中所示，根据示例性实施方式的有机发光二极管显示器包括多个信号线121、171、和172，以及与其相连接的像素PX。
信号线包括传输门信号（或扫描信号）的扫描信号线121、传输数据信号的数据线171、传输驱动电压的驱动电压线172，等等。扫描信号线121基本上在行方向上延伸并且彼此平行，并且数据线171基本上在列方向上延伸并且几乎彼此平行。示出了基本上在列方向上延伸的驱动电压线172，但是驱动电压线172可以在行方向上或列方向上延伸或者可以形成为具有网状形式。
一个像素PX可以包括开关晶体管Qs、驱动晶体管Qd、存储电容器Cst、以及有机发光元件LD。
开关晶体管Qs具有控制端N1、输入端N2、以及输出端N3，控制端N1连接至扫描信号线121，输入端N2连接至数据线171，并且输入端N3连接至驱动晶体管Qd。响应于接收自扫描信号线121的扫描信号，开关晶体管Qs将接收自数据线171的数据信号传输至驱动晶体管Qd。
驱动晶体管Qd具有控制端N3、输入端N4、以及输出端N5，控制端N3连接至开关晶体管Qs，输入端N4连接至驱动电压线172，并且输入端N5连接至有机发光元件LD。驱动晶体管Qd允许输出电流ILD流过，其中该输出电流ILD的大小根据施加在控制端N3与输出端N5之间的电压而改变。
电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的输入端N4与控制端N3之间。电容器Cst为应用至驱动晶体管Qd的控制端N3的数据信号充电并且甚至在开关晶体管关闭后维持数据信号。
有机发光元件LD为例如有机发光二极管（OLED），并且具有连接至驱动晶体管Qd的输出端N5的阳极和连接至公共电压Vss的阴极。有机发光元件LD通过发光来显示图像并且其强度根据驱动晶体管Qd的输出电流ILD而改变。有机发光元件LD可以包括本质上发射具有原色（如红、绿、以及蓝三原色）中的任何一种光或至少一种光的有机材料，并且有机发光二极管显示器通过颜色的空间总和显示期望的图像。
开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd为n沟道场效应晶体管（FET），但是这些晶体管中的至少一个可以是p沟道场效应晶体管。此外，可以改变晶体管Qs、晶体管Qd、电容器Cst、与有机发光元件LD的连接关系。
然后，将参照图2与图1一起详细描述根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的结构。
图2是根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。
如图2中所示，驱动晶体管Qd形成在可以由例如透明玻璃或塑料形成的绝缘衬底110上。除此之外，多个信号线（未示出）、多个开关晶体管（未示出）等等还可以形成在绝缘衬底110上。
可以由无机材料或者有机材料制成的保护层180形成在驱动晶体管Qd上。在保护层180由有机材料制成的情况下，其表面可以是平的。接触孔185形成在保护层180中，其中驱动晶体管Qd的一部分通过接触孔185暴露。像素电极190形成在保护层180上。像素电极190可以包括反射电极及在其上形成的透明电极。反射电极可以由具有高反射系数的金属如银（Ag）或铝（Al）、其合金等制成，并且透明电极可以由透明的导电氧化物如ITO（铟锡氧化物）或IZO（铟锌氧化物）制成。
覆盖像素电极190的边缘的外周的像素限定层350形成在保护层180上。
有机发射层320形成在像素电极190上并且公共电极270形成在有机发射层320和像素限定层350上，从而形成发光二极管LD。公共电极270可以由镁（Mg）与银（Ag）的合金形成，其厚度为
或更小。当公共电极270的厚度大于时，透射比可能会变差。
除实际上发光的发射层（未示出）外，有机发射层320还可以包括用于有效地将空穴或电子的载流子传输至发射层的有机层（未示出）。有机层可以是定位在像素电极190与发射层之间的空穴注入层（HIL）和空穴传输层（HTL）、以及定位在公共电极270与发射层之间的电子注入层（EIL）与电子传输层（ETL）。
覆盖公共电极270以保护该公共电极270的覆盖层280可以由公共电极270上的有机层形成。虚拟公共电极290形成在覆盖层280上。虚拟公共电极290没有连接至公共电极270，并且与其分离。
薄膜封装层400形成在虚拟公共电极290上。薄膜封装层400从外侧密封并且保护有机发光元件LD以及形成在衬底110上的驱动电路部分。
薄膜封装层400包括逐个交替层压的封装无机层401、402、403、和404、以及封装有机层411、412、和413。图2示出了这样的情况作为示例，即四个封装无机层401、402、403、和404与三个封装有机层411、412、和413逐个交替层压以组成薄膜封装层400，但是本发明的实施方式并不限于此。
如上所述，由于虚拟公共电极290首先被通过副产物例如形成薄膜封装层400时产生的氧气（O2）或水（H2O）的扩散氧化，所以通过在公共电极270与薄膜封装层400之间形成虚拟公共电极290，副产物没有被传输到公共电极270。因此，因为公共电极270没有被氧化，所以公共电极正常地起到电极的作用。
相反地，通常当使用薄膜封装（TFE）技术封装有机发光元件时，用于形成薄膜封装层的溅射过程可能产生副产物如氧气（O2）或水（H2O），这些副产物进而可以扩散至下面的阴极以氧化阴极，从而产生越来越严重的暗斑缺陷。然而，根据示例性实施方式，由于虚拟公共电极粘接当薄膜封装层被形成（例如被氧化）时产生的副产物，所以通过在公共电极与薄膜封装层之间提供单独的虚拟公共电极，可以使公共电极上的副产物的影响最小化。因此，通过形成薄膜封装层时出现的副产物可以减少或防止公共电极的氧化。
虚拟公共电极290可以具有
至
的厚度。当虚拟公共电极290的厚度小于
时，难以防止薄膜封装层400的形成期间所产生的副产物扩散至公共电极270内。当虚拟公共电极290的厚度大于
时，可以减小透射比。
虚拟公共电极290可以包括制造透明氧化物的任何材料，例如选自镁（Mg）、银（Ag）、锂（Li）、钠（Na）、钙（Ca）、或锶（Sr），或者其合金中的一种，从而在氧化期间由副产物形成透明氧化物。
在第一示例性实施方式中，仅虚拟公共电极290形成在公共电极270与薄膜封装层400之间。在下面论述的第二实施方式中，阻挡紫外线（UV）的紫外线（UV）阻挡层和/或对于高能粒子的碰撞具有强耐受性的缓冲层还形成在薄膜封装层400与虚拟公共电极290之间。
图3是根据第二示例性实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。除了额外包括离子耐受性或缓冲层310和紫外线（UV）阻挡层282外，图3中示出的第二示例性实施方式大体上与图2中示出的第一示例性实施方式相同。因此，将不再重复其详细说明。如图3中所示，紫外线（UV）阻挡层282与缓冲层310顺序地层压在虚拟公共电极290与薄膜封装层400之间。
紫外线（UV）阻挡层282可以由与覆盖层280相同的材料形成。紫外线（UV）阻挡层282防止或减少由在封装无机层的形成期间使用的等离子体产生的副产物例如氧气（O2）或水（H2O）直接影响例如氧化虚拟公共电极290。
缓冲层310可以是针对离子碰撞具有强耐受性的材料，例如选自无机的氟化物如氟化锂（LiF）和氟化钙（CaF2）以及无机氧化物如氧化硅（SiO）、钛氧化物（TiOx）、钼氧化物（MoOx）、氧化锌（ZnO）、锌锡氧化物（ZnSnOx）、和铝氮氧化物（AlOxNy）中的任何一种。缓冲层310可以通过热沉积法形成，并且用来防止当形成无机封装层时由等离子体产生的高能粒子影响在其下方的公共电极270。
在示例性实施方式中，示出了紫外线（UV）阻挡层282和缓冲层310，但是仅可以提供紫外线（UV）阻挡层282和缓冲层310中的一个。此外，通过形成多个氧化减少层，例如虚拟公共电极290和紫外线（UV）阻挡层282，可以更加完全地防止公共电极270的氧化。
根据实施方式，通过进一步在虚拟公共电极与薄膜封装层之间形成紫外线（UV）阻挡层和/或缓冲层，还可以例如完全地抑制公共电极的氧化并且可以减少或防止由具有高能的等离子体导致的公共电极的物理损坏。
通过总结和回顾，通过在公共电极与薄膜封装层之间提供隔离公共电极的一个或多个氧化减少层，可以减少或防止在薄膜封装层的形成期间可能出现的对公共电极的损坏。
虽然已经结合目前认为是可实施的示例性实施方式描述了本公开，但是应该理解本发明并不限于所公开的实施方式，而相反地旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (15)
1.一种有机发光二极管显示器，其包括：
衬底；
像素电极，位于所述衬底上；
有机发射层，位于所述像素电极上；
公共电极，位于所述有机发射层上；
覆盖层，位于所述公共电极上；
虚拟公共电极，位于所述覆盖层上；以及
薄膜封装层，覆盖所述虚拟公共电极，
其中所述虚拟公共电极与所述公共电极分离。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述虚拟公共电极具有
至
的厚度。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述虚拟公共电极包含镁、银、锂、钠、钙、或锶，或其合金中的至少一种。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，还包括紫外线阻挡层，所述紫外线阻挡层位于所述虚拟公共电极与所述薄膜封装层之间。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述紫外线阻挡层与所述薄膜封装层之间。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述缓冲层包括氟化锂、氟化钙、氧化硅、钛氧化物、钼氧化物、氧化锌、锌锡氧化物、和铝氮氧化物中的至少一种。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述虚拟公共电极和所述紫外线阻挡层中的至少一个被配置为减少所述公共电极的氧化。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述薄膜封装层包括交替层压的至少一个封装有机层和至少一个封装无机层。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述虚拟公共电极包括被配置为与氧气反应以形成透明氧化物的材料。
10.一种有机发光二极管显示器，其包括：
衬底；
像素电极，位于所述衬底上；
有机发射层，位于所述像素电极上；
公共电极，位于所述有机发射层上；
覆盖层，位于所述公共电极上；
氧化减少层，位于所述覆盖层上，所述氧化减少层被配置为减少所述公共电极的氧化；以及
薄膜封装层，覆盖所述氧化减少层，
其中所述氧化减少层与所述公共电极分离。
11.如权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中所述氧化减少层包括虚拟公共电极、紫外线阻挡层、以及缓冲层中的至少一种。
12.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述氧化减少层包括所述虚拟公共电极和所述紫外线阻挡层。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中所述虚拟公共电极位于所述覆盖层上并且所述紫外线阻挡层位于所述虚拟公共电极上。
14.如权利要求11所述的有机发光二极管显示器，其中所述氧化减少层包括所述虚拟公共电极和所述缓冲层。
15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中所述虚拟公共电极位于所述覆盖层上并且所述缓冲层位于所述虚拟公共电极上。
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