CN103540810A - 一种铝硅合金 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铝硅合金,所述铝硅合金包含的成分及重量百分比为:硅30%-50%、铜1%-5%、镁0.9%-1.2%、铁0.2%-0.5%、锰不高于0.03%、铬不高于0.03%、锌不高于0.02%、钛不高于0.04%,其余为铝和不可避免的杂质;所述铝硅合金的密度为2.3~2.5g/cm3,线膨胀系数为4~5×10-6/K,热导率大于200W/m.k,比刚度53~56MPa.cm3/g,抗拉强度为300~350MPa。通过上述方式,本发明铝硅合金,质轻制造成本低,具有良好的导热性能、低的线膨胀系数、较低的密度、一定的强度和刚度、良好的电绝缘性、化学稳定性,适合半导体行业中使用。
Description
技术领域
本发明涉及金属合金材料领域,特别是涉及一种铝硅合金。
背景技术
随着半导体集成度的大幅度增加和多芯片模块的广泛使用,电子器件的工作温度不断升高,直接影响其工作的可靠性及电性能。目前普遍认为理想的半导体行业中材料应具备的性能有:良好的导热性能、低的线膨胀系数、较低的密度、一定的强度和刚度、化学稳定性、易加工、焊接性能好、表面化学可镀等特点。
铝具有良好的导热性,硅的热膨胀系数低,二者均为低密度材料,由铝硅复合形成的合金保持各自的性能优势,利用铝、硅单质配制的金属基复合材料,其密度在213~217g/cm3 之间,线膨胀系数在4.5~11×10-6 /K之间,热导率大于100W/m.k,因此通过改变硅和铝的不同配比,可以获得不同性能的电子半导体行业用材料,而且硅和铝在地球上的含量十分的丰富,硅粉的制备工艺也十分成熟,价格低。
在实际应用和大规模工业生产中,制造成本因素也是不可忽视的一个方面。现有的电子半导体行业用材料在性能、制造工艺上均存在一定的应用限制,需要一种新型的材料弥补传统材料的不足。铝硅合金将会作为一种新型电子半导体行业用材料被广泛使用,所以一种高性能的铝硅合金已成为合金材料发展的趋势。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种铝硅合金,质轻制造成本低,具有良好的导热性能、低的线膨胀系数、较低的密度、一定的强度和刚度、良好的电绝缘性、化学稳定性,适合半导体行业中使用。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:
提供一种铝硅合金,所述铝硅合金包含的成分及重量百分比为:硅30%-50%、铜1%-5%、镁0.9%-1.2%、铁0.2%-0.5%、锰不高于0.03%、铬不高于0.03%、锌不高于0.02%、钛不高于0.04%,其余为铝和不可避免的杂质;所述铝硅合金的密度为2.3~2.5g/cm3 ,线膨胀系数为4~5×10-6 /K,热导率大于200W/m.k,比刚度53~56MPa.cm3/g,抗拉强度为300~350MPa。
在本发明一个较佳实施例中,所述硅含量为35%-50%。
在本发明一个较佳实施例中,所述不可避免的杂质含量不高于0.1%。
本发明的有益效果是:铝有良好的导热性,硅的热膨胀系数低,二者均为低密度材料,由Al/Si复合形成的合金保持着各自的性能优势,该合金的线膨胀系数为4~5×10-6 /K,接近硅;热导率大于200W/m.k ,接近铝;密度为2.3~2.5g/cm3,比纯铝轻15%;比刚度53~56MPa.cm3/g为铜的3倍;抗拉强度也比普通低硅含量的铝硅合金好,完全满足了半导体行业中材料的使用要求。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明实施例包括:
一种铝硅合金,所述铝硅合金包含的成分及重量百分比为:硅30%-50%、铜1%-5%、镁0.9%-1.2%、铁0.2%-0.5%、锰不高于0.03%、铬不高于0.03%、锌不高于0.02%、钛不高于0.04%,其余为铝和不可避免的杂质;所述铝硅合金的密度为2.3~2.5g/cm3 ,线膨胀系数为4~5×10-6 /K,热导率大于200W/m.k,比刚度53~56MPa.cm3/g,抗拉强度为300~350MPa。
所述硅含量为35%-50%。
所述不可避免的杂质含量不高于0.1%。
实施例一:
一种铝硅合金,所述铝硅合金包含的成分及重量百分比为:硅35%、铜1.5%、镁0.9%、铁0.2%、锰0.01%、铬0.01%、锌0.01%、钛0.01%,其余为铝62.27% 和不可避免的杂质0.1%;所述铝硅合金的密度为2.3g/cm3 ,线膨胀系数为4.5×10-6 /K,热导率为205W/m.k,比刚度为54MPa.cm3/g,抗拉强度为300MPa。
实施例二:
一种铝硅合金,所述铝硅合金包含的成分及重量百分比为:硅40%、铜2%、镁1%、铁0.2%、锰0.01%、铬0.01%、钛0.01%,其余为铝56.69%和不可避免的杂质0.08%;所述铝硅合金的密度为2.5g/cm3 ,线膨胀系数为4×10-6 /K,热导率为200W/m.k,比刚度53MPa.cm3/g,抗拉强度为310MPa。
本发明揭示了一种铝硅合金,铝有良好的导热性,硅的热膨胀系数低,二者均为低密度材料,由Al/Si复合形成的合金保持着各自的性能优势,该合金的线膨胀系数为4~5×10-6 /K,接近Si;热导率大于200W/m.k ,接近铝;密度为2.3~2.5g/cm3,比纯铝轻15%;比刚度53~56MPa.cm3/g为铜的3倍;抗拉强度也比普通低硅含量的铝硅合金好,完全满足了半导体行业中材料的使用要求。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (3)
1.一种铝硅合金,其特征在于,所述铝硅合金包含的成分及重量百分比为:硅30%-50%、铜1%-5%、镁0.9%-1.2%、铁0.2%-0.5%、锰不高于0.03%、铬不高于0.03%、锌不高于0.02%、钛不高于0.04%,其余为铝和不可避免的杂质;所述铝硅合金的密度为2.3~2.5g/cm3 ,线膨胀系数为4~5×10-6 /K,热导率大于200W/m.k,比刚度53~56MPa.cm3/g,抗拉强度为300~350MPa。
2.根据权利要求1所述的铝硅合金,其特征在于,所述硅含量为35%-50%。
3.根据权利要求1所述的铝合金,其特征在于,所述不可避免的杂质含量不高于0.1%。
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2013
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