CN103530671A - 电子标签中调制负载电压的系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了电子标签中调制负载电压的系统，包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，四个NMOS晶体管的源极均接地。第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上，第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上。第二非门与第四NMOS晶体管栅极连接，第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。本发明采用上述结构，整体结构简单，节省成本，且在提高阅读器天线的感应电压时不需增加阅读器的成本和体积。
Description
技术领域
本发明涉及射频技术领域，具体是电子标签中调制负载电压的系统。
背景技术
射频识别是当前应用最广泛的非接触式自动目标识别技术之一，其具有非接触、读写灵活、速度快、安全性高等优点，因此被广泛应用于各个领域。现有射频识别系统中阅读器和电子标签天线之间的耦合很弱，阅读器天线上接收的信号的电压波动比阅读器的输出电压小，如13.56MHz的系统，当阅读器天线电压大约为100V时，只能得到大约10mv的有效信号。为了使阅读器检测出这些很小电压的变化，现有阅读器上电路设计复杂，这就增加了阅读器的体积和成本。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种结构简单，成本低，且能提高阅读器天线感应电压的电子标签中调制负载电压的系统。
本发明的目的主要通过以下技术方案实现：电子标签中调制负载电压的系统，包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，所述四个NMOS晶体管的源极均接地；所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管，所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，第一PMOS晶体管源极与第三NMOS晶体管漏极连接，第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第二PMOS晶体管三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管源极和第三NMOS晶体管漏极之间的线路上，所述第二PMOS晶体管源极与第四NMOS晶体管漏极连接，第一PMOS晶体管栅极连接在第二PMOS晶体管源极和第四NMOS晶体管漏极之间的线路上；所述非门包括第一非门和第二非门，所述第二非门的输入端与第一非门的输出端连接，第二非门的输出端与第四NMOS晶体管栅极连接，所述第三NMOS晶体管栅极与第一非门和第二非门之间的线路连接。
所述第一NMOS晶体管的漏极连接有第一电阻，所述第二NMOS晶体管的漏极连接有第二电阻。本发明在应用时第一电阻相对连接第一NMOS晶体管的漏极端的另一端为一个射频接入点，第二电阻相对连接第二NMOS晶体管的漏极端的另一端为一个射频接入点，本发明在应用时两个射频接入点均连接在电子标签的天线上。
所述第一非门的输入端连接有数据接收端口。本发明的数据接收端口在应用时来接收电子标签发送的数据。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管、两个非门及两个电阻，整体结构简单，便于实现，成本低，其中，四个NMOS晶体管中的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管形成负载调制开关管，第一电阻和第二电阻为调制电阻，第一电阻和第二电阻并联到电子标签天线两端，第一非门的输入端接收到低电平时，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管判断，天线工作电流不变，第一非门的输入端接收到高电平时，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管导通，天线等效负载电阻降低，天线电流增大、感应电压降低，如此，阅读器天线的感应电压升高，通过本发明能避免在阅读器上增设识别小电压信号的电路，节省阅读器成本。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。
附图中附图标记所对应的名称为：N1—第一NMOS晶体管，N2—第二NMOS晶体管，N3—第三NMOS晶体管，N4—第四NMOS晶体管，P1—第一PMOS晶体管，P2—第二PMOS晶体管，Data—数据接收端口，1—第一非门，2—第二非门，R1—第一电阻，R2—第二电阻。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例：
如图1所示，电子标签中调制负载电压的系统，包括外壳及设置在外壳内的内部电路，内部电路包括四个NMOS晶体管和两个PMOS晶体管，其中，四个NMOS晶体管的源极均接地。四个NMOS晶体管分别为第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3及第四NMOS晶体管N4，两个PMOS晶体管分别为第一PMOS晶体管P1和第二PMOS晶体管P2。第一PMOS晶体管P1源极与第三NMOS晶体管N3漏极连接，第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2及第二PMOS晶体管P2三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管P1源极和第三NMOS晶体管N3漏极之间的线路上。第二PMOS晶体管P2源极与第四NMOS晶体管N4漏极连接，第一PMOS晶体管P1栅极连接在第二PMOS晶体管P2源极和第四NMOS晶体管N4漏极之间的线路上，第一PMOS晶体管P1漏极和第二PMOS晶体管P2漏极均连接在一个电源上。在应用时，第一NMOS晶体管N1的漏极连接有第一电阻R1，第二NMOS晶体管N2的漏极连接有第二电阻R2，第一电阻R1相对连接第一NMOS晶体管N1漏极端的另一端连接和第二电阻R2相对连接第二NMOS晶体管N2漏极端的另一端均连接在电子标签的天线上。
电子标签中调制负载电压的系统，还包括第一非门1和第二非门2，其中，第二非门2的输入端与第一非门的输出端连接，第二非门2的输出端与第四NMOS晶体管N4栅极连接，第三NMOS晶体管N3栅极与第一非门1和第二非门2之间的线路连接，第一非门1的输入端连接有接收电子标签发送数据的数据接收端口Data。
如上所述，则能很好的实现本发明。
Claims (3)
1.电子标签中调制负载电压的系统，其特征在于：包括四个NMOS晶体管、两个PMOS晶体管及两个非门，所述四个NMOS晶体管的源极均接地；所述四个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）、第三NMOS晶体管（N3）及第四NMOS晶体管（N4），所述PMOS晶体管包括第一PMOS晶体管（P1）和第二PMOS晶体管（P2），第一PMOS晶体管（P1）源极与第三NMOS晶体管（N3）漏极连接，第一NMOS晶体管（N1）、第二NMOS晶体管（N2）及第二PMOS晶体管（P2）三者的栅极均连接在第一PMOS晶体管（P1）源极和第三NMOS晶体管（N3）漏极之间的线路上，所述第二PMOS晶体管（P2）源极与第四NMOS晶体管（N4）漏极连接，第一PMOS晶体管（P1）栅极连接在第二PMOS晶体管（P2）源极和第四NMOS晶体管（N4）漏极之间的线路上；所述非门包括第一非门（1）和第二非门（2），所述第二非门（2）的输入端与第一非门（1）的输出端连接，第二非门（2）的输出端与第四NMOS晶体管（N4）栅极连接，所述第三NMOS晶体管（N3）栅极与第一非门（1）和第二非门（2）之间的线路连接。
2.根据权利要求1所述的电子标签中调制负载电压的系统，其特征在于：所述第一NMOS晶体管（N1）的漏极连接有第一电阻（R1），所述第二NMOS晶体管（N2）的漏极连接有第二电阻（R2）。
3.根据权利要求1或2所述的电子标签中调制负载电压的系统，其特征在于：所述第一非门（1）的输入端连接有数据接收端口（Data）。
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|---|---|---|---|
| CN201210225644.1A CN103530671A (zh) | 2012-07-03 | 2012-07-03 | 电子标签中调制负载电压的系统 |
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Publications (1)
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|---|---|
| CN103530671A true CN103530671A (zh) | 2014-01-22 |
Family
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|---|---|---|---|---|
| CN101436261A (zh) * | 2008-12-05 | 2009-05-20 | 华南理工大学 | 2.45GHz半主动射频识别标签及其信号处理方法 |
| CN202677432U (zh) * | 2012-07-03 | 2013-01-16 | 成都市宏山科技有限公司 | 电子标签中调制负载电压的系统 |
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2012
- 2012-07-03 CN CN201210225644.1A patent/CN103530671A/zh active Pending
Patent Citations (2)
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| 位召勤: "电子标签芯片射频接口电路研究与设计", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, no. 06, 15 December 2007 (2007-12-15), pages 17 - 33 * |
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