CN103514176A - 一种智能终端的数据管理方法 - Google Patents

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CN103514176A CN201210206411.7A CN201210206411A CN103514176A CN 103514176 A CN103514176 A CN 103514176A CN 201210206411 A CN201210206411 A CN 201210206411A CN 103514176 A CN103514176 A CN 103514176A
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阮海波
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Suzhou Industrial Park New Hongbo Communication Technology Co Ltd
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Suzhou Industrial Park New Hongbo Communication Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种智能终端的数据管理方法，包括数据存储流程及数据查询流程，数据存储流程包括以下步骤：抄读子表数据；保存数据到SRAM中；得到FLASH地址；数据写入FLASH；数据查询流程包括以下步骤：根据时间在SRAM中查找FLASH地址；查找到有效地址后读取FLASH中的数据。从而保证了存储数据的正确性以及存储及查询的方便性。

Description

一种智能终端的数据管理方法
技术领域
本发明涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种数据存储及查询的方法。
背景技术
目前，根据电力负荷系统数据传输规约的要求，CPU主卡需要存储大量的二类数据，软件设计的存储方式一定要保证存储数据的正确性以及存储及查询的方便性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可方便智能终端上数据存储及查询的方法。
相应地，本发明的一种智能终端的数据管理方法，包括数据存储流程及数据查询流程，数据存储流程包括以下步骤：抄读子表数据；保存数据到SRAM中；得到FLASH存储器地址；数据写入FLASH；数据查询流程包括以下步骤：根据时间在SRAM中查找FLASH地址；查找到有效地址后读取FLASH中的数据。
作为本发明的进一步改进，SRAM保存FLASH存储器存储地址并及时更新。
作为本发明的进一步改进，数据写入FLASH后，还包括回读数据并比较的步骤,每次将数据写入FLASH存储器后，随即读取验证。
作为本发明的进一步改进，数据分为多个数据块，每一数据块后加入一个和校验字节，通过读取该校验位可判断数据保存是否正确。
作为本发明的进一步改进，如果数据保存错误，则重新将数据写入FLASH,然后重复回读数据并比较步骤。
作为本发明的进一步改进，重复写入次数超过3次，即确认FLASH存储器上产生坏块。
作为本发明的进一步改进，在SRAM存储中保持坏块的状态，屏蔽该块的读写。
作为本发明的进一步改进，每一数据块存储在FLASH上的两个存储区。
作为本发明的进一步改进，在查找到有效地址后读取FLASH中的数据这一步骤中，首先读取FLASH中的信息，将该信息与查询数据进行对比，确认是否正确。
作为本发明的进一步改进，确认正确后，则读取FLASH中的数据。
本发明的有益效果是：保证了存储数据的正确性以及存储及查询的方便性。
附图说明
图1示出了本发明一种智能终端的数据管理方法中数据存储流程图；
图2示出了本发明一种智能终端的数据管理方法中数据查询流程图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
如图1和图2所示，根据终端对于数据存储的要求及各类数据存储器的特点比较，CPU主卡选择SRAM+NOR FLASH存储器的方式进行数据存储。CPU主卡采用256K容量的SRAM存储器保存实时的一类数据及参数，为了保证数据的准确性，CPU主卡每次进行数据抄读时，将数据保存在读写速度很快的SRAM存储器中，在数据抄读完成后，需要存储时，再存储到FLASH存储器中。CPU主卡采用64M容量的NAND FLASH存储器保存二类曲线数据，FALSH存储器进行循环存储数据，CPU抄读完数据进行存储时，按FLASH存储器地址依次进行存储，当FLASH存储器存储满时，从低地址重新循环存储，为了保证每次存储数据的正确性，SRAM保存FLASH存储器现存储的地址并每次更新。
中心主站是以数据发生时间对CPU主卡请求二次数据，所以FLASH存储器存储数据时需要保存数据的发生时间。为了保证数据查询的快捷和准确，SRAM存储器中保存了一份FLASH存储器保存数据的发送时间与FLASH存储地址的映射表，当中心主站进行数据查询时，CPU根据数据发生时间从SRAM中读取FLASH存储数据的地址，判断FLASH存储地址的有效性，迅速的从FLASH存储地址中获取数据。具体地，首先读取FLASH中的信息，通过对比读出信息与查询数据，确定是否正确，如果正确则读取FLASH中的数据。
SRAM的读写次数在理论上是无限次，对其操作的次数是不受限制的。而FLASH存储器的擦写次数是有限定的（MX25L6445E安全擦写次数为10万次），如果频繁对其操作，存储器有可能损害，系统就失去了数据保存功能，引起采集数据的丢失，造成系统工作的不正常。在数据存储算法上，实时的电能采样一类数据正常情况下保存在SRAM中，在FLAHS存储器中仅保存冻结、事件等周期比较长的数据，保证尽可能少对FLASH操作。
在数据存储时，为了保证数据的完整性，通过校验+冗余存储的方式双重手段来加以保证。在每一个数据块后加入一个和校验字节，通过读取该校验位可判断出数据保存的正确性；每一个数据块的存储均考虑冗余存储，即同一数据均保证两个存储区，这样能保证一个数据块发生故障后，数据还能够保证有据可循。虽然付出了存储容量的代价，但是保证了数据的安全性。
FLASH在使用过程中，坏块的形成是比较常见的故障。通常的处理需要非常复杂的算法。而本方案中，可以通过在SRAM中采用位的形式保存FLASH存储器中块状态，很容易的实现了FLASH存储器坏块的处理。每次将数据写入FLASH存储器后，随即读取验证，如果发现坏块的产生，在SRAM存储中保持坏块的状态，屏蔽该块的读写。最大程度的延长了产品的安全运行寿命。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种智能终端的数据管理方法，包括数据存储流程及数据查询流程，其特征在于：
数据存储流程包括以下步骤：
抄读子表数据；
保存数据到SRAM中；
得到FLASH存储器地址；
数据写入FLASH；
数据查询流程包括以下步骤：
根据时间在SRAM中查找FLASH地址；
查找到有效地址后读取FLASH中的数据。
2.根据权利要求1所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：SRAM保存FLASH存储器存储地址并及时更新。
3.根据权利要求1所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：数据写入FLASH后，还包括回读数据并比较的步骤,每次将数据写入FLASH存储器后，随即读取验证。
4.根据权利要求3所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：数据分为多个数据块，每一数据块后加入一个和校验字节，通过读取该校验位可判断数据保存是否正确。
5.根据权利要求4所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：如果数据保存错误，则重新将数据写入FLASH,然后重复回读数据并比较步骤。
6.根据权利要求5所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：重复写入次数超过3次，即确认FLASH存储器上产生坏块。
7.根据权利要求6所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：在SRAM存储中保持坏块的状态，屏蔽该块的读写。
8.根据权利要求4所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：每一数据块存储在FLASH上的两个存储区。
9.根据权利要求1所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：在查找到有效地址后读取FLASH中的数据这一步骤中，首先读取FLASH中的信息，将该信息与查询数据进行对比，确认是否正确。
10.根据权利要求9所述的一种智能终端的数据管理方法，其特征在于：确认正确后，则读取FLASH中的数据。
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