CN103474381A - 利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，包括：利用机械手将晶片布置在边缘配置有梯形导槽的热板；利用热板的中央区域的晶片放置区域上的多个温度感测器感测热板的温度；比较所述多个温度感测器感测到的温度值，当任意两个温度值之差大于预定温度阈值时，判定晶片的放置出现异常；在判定晶片的放置出现异常时，使机台发出警告信息。根据本发明，可以在高温腔体的热板内，安装多个温度传感器，实时监测各个位置的温度。在晶片进入腔体内处理的过程中，通过各个温度传感器温度的变化，判断晶片位置是否正常。由此，当晶片在高温腔体内出现位置偏差时，可以及时警报提示工程师，减少位置偏差而引起的不良良率问题。

Description

利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体地说，本发明涉及一种利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法。
背景技术
在晶片加工制造过程中，有时候需要将晶片放入高温腔体中进行处理。
目前，在高温腔体中，如图1所示，晶片30被布置在边缘配置有梯形导槽20的热板10中央。
更具体地说，晶片30的位置主要通过机械手以及热板10边缘的梯形导槽20来确定。
在正常情况下，如图2所示，机械手可以将晶片30正确地放置在热板10中央。但是，在机械手传送位置偏差过大时，晶片30位置会出现异常，晶片30有可能搭在热板10边缘的梯形导槽20上，如图3所示，机台无法常规地监测这种异常情况，导致晶片30温度均一性异常，降低良率。
因此，希望能够提供一种能够有效监测晶片在高温腔体的位置偏差的技术方案。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够利用温度差异来有效地监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法。
根据本发明，提供了一种利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其包括：
第一步骤：利用机械手将晶片布置在边缘配置有梯形导槽的热板；
第二步骤：利用热板的中央区域的晶片放置区域上的多个温度感测器感测热板的温度；
第三步骤：比较所述多个温度感测器感测到的温度值，当任意两个温度值之差大于预定温度阈值时，判定晶片的放置出现异常。
优选地，所述的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法还包括：在判定晶片的放置出现异常时，使机台发出警告信息。
优选地，所述多个温度感测器的数量不少于4个。
优选地，所述多个温度感测器在热板的中央区域的晶片放置区域上均匀分布。
优选地，热板的中央区域的晶片放置区域上配置了第一温度感测器、第二温度感测器、第三温度感测器、第四温度感测器、第五温度感测器、第六温度感测器和第七温度感测器。
优选地，预定温度阈值被设置为0.35摄氏度。
在根据本发明的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法中，可以在高温腔体的热板内，安装多个温度传感器，实时监测各个位置的温度。在晶片进入腔体内处理的过程中，通过各个温度传感器温度的变化，判断晶片位置是否正常。由此，当晶片在高温腔体内出现位置偏差时，可以及时警报提示工程师，减少位置偏差而引起的不良良率问题。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了正常情况下晶片在边缘配置有梯形导槽的热板中的布置的俯视图。
图2示意性地示出了正常情况下晶片在边缘配置有梯形导槽的热板中的布置的侧视图。
图3示意性地示出了异常情况下晶片在边缘配置有梯形导槽的热板中的布置的侧视图。
图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法的示意图。
图5示意性地示出了根据本发明另一优选实施例的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法的示意图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
在根据本发明优选实施例的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法中，可以在高温腔体的热板内，安装多个温度传感器，实时监测各个位置的温度。在晶片进入腔体内处理的过程中，通过各个温度传感器温度的变化，判断晶片位置是否正常。
具体地说，在晶片开始进入腔体之前，热板温度均一性良好,在晶片进入腔体后，热板会对晶片进行热交换，其热量有一定量的损失，温度会跟随下降；在晶片位置正常的情况下，热板上的热量损失较均一，其温度下降也比较同步，之后，热板根据反馈信息，进行加热，弥补之前的热量损失。但是，在晶片位置异常的情况下，热板上的热量损失较不均匀。
由此，根据本发明优选实施例的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法包括：
第一步骤：利用机械手将晶片30布置在边缘配置有梯形导槽20的热板10；
第二步骤：利用热板10的中央区域的晶片放置区域上的多个温度感测器感测热板10的温度；
图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法的示意图，如图4所示，在该实施例中，热板10的中央区域的晶片放置区域上配置了6个温度感测器：第一温度感测器1、第二温度感测器2、第三温度感测器3、第四温度感测器4、第五温度感测器5和第六温度感测器6。
图5示意性地示出了根据本发明另一优选实施例的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法的示意图。如图5所示，在该实施例中，热板10的中央区域的晶片放置区域上配置了7个温度感测器：第一温度感测器1、第二温度感测器2、第三温度感测器3、第四温度感测器4、第五温度感测器5、第六温度感测器6和第七温度感测器7。
需要说明的是，温度感测器的数量和分布不限于上述示例。优选地，温度感测器的数量不少于4个，并且温度感测器在热板的中央区域的晶片放置区域上均匀分布。
第三步骤：比较所述多个温度感测器感测到的温度值，当任意两个温度值之差大于预定温度阈值时，判定晶片30的放置出现异常。
优选地，根据本发明优选实施例的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法还包括：在判定晶片30的放置出现异常时，可使机台发出警告信息。
具体地说，对于图2所示的正常情况，晶片位置正常，整个热板的温度变换比较一致，其最大变化在0.25摄氏度之内；而对于图3所示的异常情况，晶片位置异常，由于晶片与热板之间的热交换不平衡，热板上的温度变化较大，范围在0.4摄氏度之上。通过软件实施对热板的温度进行比较，当在温度之差超过预定温度阈值（在具体实施例中，例如预定温度阈值可以设置为0.35摄氏度）时，判定晶片30的放置出现异常。此时，例如，机台可以警报给工程师，由工程师后续特别处理。减少晶片位置偏差造成的影响。由此，当晶片在高温腔体内出现位置偏差时，可以及时警报提示工程师，减少位置偏差而引起的不良良率问题。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其特征在于包括：第一步骤：利用机械手将晶片布置在边缘配置有梯形导槽的热板；
第二步骤：利用热板的中央区域的晶片放置区域上的多个温度感测器感测热板的温度；
第三步骤：比较所述多个温度感测器感测到的温度值，当任意两个温度值之差大于预定温度阈值时，判定晶片的放置出现异常。
2.根据权利要求1所述的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其特征在于还包括：在判定晶片的放置出现异常时，使机台发出警告信息。
3.根据权利要求1或2所述的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其特征在于，所述多个温度感测器的数量不少于4个。
4.根据权利要求1或2所述的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其特征在于，所述多个温度感测器在热板的中央区域的晶片放置区域上均匀分布。
5.根据权利要求1或2所述的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其特征在于，热板的中央区域的晶片放置区域上配置了第一温度感测器、第二温度感测器、第三温度感测器、第四温度感测器、第五温度感测器、第六温度感测器和第七温度感测器。
6.根据权利要求1或2所述的利用温度差异监测晶片在高温腔体的位置偏差的方法，其特征在于，预定温度阈值被设置为0.35摄氏度。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104952752A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆位置倾斜的侦测方法
CN109817543A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种检测晶圆是否放平的方法
CN110504193A (zh) * 2019-07-22 2019-11-26 厦门通富微电子有限公司 半导体的烘烤装置及获取半导体在烤盘上的位置的方法
CN110873609A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 君泰创新（北京）科技有限公司 加热设备故障检测方法与具有故障检测功能的加热系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020027942A1 (en) * 2000-07-31 2002-03-07 Tokyo Electron Limited Judging method and processing apparatus
CN1950952A (zh) * 2004-03-05 2007-04-18 索里布罗股份公司 对cigs工艺进行直列式过程控制的方法和装置
JP2008049448A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Nitta Haas Inc 研磨装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020027942A1 (en) * 2000-07-31 2002-03-07 Tokyo Electron Limited Judging method and processing apparatus
CN1950952A (zh) * 2004-03-05 2007-04-18 索里布罗股份公司 对cigs工艺进行直列式过程控制的方法和装置
JP2008049448A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Nitta Haas Inc 研磨装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104952752A (zh) * 2014-03-28 2015-09-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆位置倾斜的侦测方法
CN109817543A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种检测晶圆是否放平的方法
CN110873609A (zh) * 2018-08-31 2020-03-10 君泰创新（北京）科技有限公司 加热设备故障检测方法与具有故障检测功能的加热系统
CN110504193A (zh) * 2019-07-22 2019-11-26 厦门通富微电子有限公司 半导体的烘烤装置及获取半导体在烤盘上的位置的方法
CN110504193B (zh) * 2019-07-22 2022-01-28 厦门通富微电子有限公司 半导体的烘烤装置及获取半导体在烤盘上的位置的方法

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