CN103456862B - 发光装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 153
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 13
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 13
- -1 polyhexafluoropropylene Polymers 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 8
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 9
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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Abstract
一种发光装置包含发光元件、透镜状封装材料及第一形状调整层。封装材料覆盖于发光元件上。第一形状调整层环绕发光元件周围以及封装材料与发光元件邻接处，且第一形状调整层的表面能比封装材料的表面能低以促进封装材料形成透镜状。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光装置及其制造方法。
背景技术
发光二极管的封装为发光二极管装置的主要工艺之一，良好的封装成品不仅能够有效提升发光二极管的光取出效率，保护内部线路及芯片，以免受潮及受损，还能提供散热途径以及用以连接外部线路，因此发光二极管装置的封装为不可轻忽的一道工艺。
而现今的透镜型发光二极管封装工艺多利用模制成形的方式制成，即将发光元件置于一封闭模具中，再将液态的封装材料灌入并填满此模具，封装材料硬化后便可完成封装。但其因工艺复杂性较高，更必须使用特定的机台及模具，因此大幅提高机台及制作成本。加上模具的制作时间较长，更增加了时间成本。另一方面，由于模具仅能制出单一种外型的透镜型发光装置，因此必须制造多样的模具来符合不同需求的透镜型发光装置外型，同时也增加了模具成本。
发明内容
本发明的一技术态样为一种可自成透镜的发光装置制造方法，其利用表面能不同的材料形成调整层，再加上封装材料以点胶法封装于发光元件上以自成透镜，达到简化工艺及缩短封装时间的目的，更进一步的可通过调整层的不同设计而轻易达成客制化的透镜构型。
因此，本发明的一实施方式是在提供一种可自成透镜的发光装置制造方法，包含下列步骤(应了解到，在本实施方式中所提及的步骤，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行)：
(1)提供承载基板，其上设有容置区域。
(2)提供第一形状调整层于承载基板上，第一形状调整层具有至少一开口而暴露于容置区域。
(3)设置至少一发光元件于开口中的容置区域上。
(4)施加液态状的封装材料于开口中，其中第一形状调整层的表面能比封装材料的表面能低，以使封装材料硬化后自行成透镜结构覆盖此发光元件。
在本发明一或多个实施方式中，第一形状调整层的材料为表面能低于封装材料的第一高分子材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中第一高分子材料为聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意组合。
在本发明一或多个实施方式中，第一形状调整层的材料为含有多个无机纳米粒子的第二高分子材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中无机纳米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
在本发明一或多个实施方式中，其中无机纳米粒子的粒径小于100nm。
在本发明一或多个实施方式中，更包含下列步骤：
形成第二形状调整层位于容置区域中，其中第二形状调整层介于承载基板与发光元件之间，或者介于发光元件与第一形状调整层间而环绕发光元件，且第二形状调整层的表面能比第一形状调整层的表面能高。
在本发明一或多个实施方式中，其中第二形状调整层的材料为含有多个无机微米粒子的第三高分子材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中无机微米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
在本发明一或多个实施方式中，其中发光元件包含发光二极管芯片。
在本发明一或多个实施方式中，其中封装材料包含热固性材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中封装材料包含波长转换物质。
本发明的另一技术态样为依上述方法所制成的发光装置。此发光装置包含发光元件、透镜状封装材料及第一形状调整层。封装材料覆盖于发光元件上。第一形状调整层环绕发光元件周围以及封装材料与发光元件邻接处，且第一形状调整层的表面能比封装材料的表面能低以促进封装材料形成透镜状。
在本发明一或多个实施方式中，更包含承载基板，用以承载第一形状调整层与发光元件。
在本发明一或多个实施方式中，第一形状调整层的材料为表面能低于封装材料的第一高分子材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中第一高分子材料为聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意组合。
在本发明一或多个实施方式中，其中第一形状调整层的材料更可包含有无机纳米粒子的第二高分子材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中无机纳米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
在本发明一或多个实施方式中，其中无机纳米粒子的粒径小于100nm。
在本发明一或多个实施方式中，发光装置更包含第二形状调整层，位于容置区域中。
在本发明一或多个实施方式中，其中第二形状调整层介于承载基板与发光元件之间，或者介于发光元件与第一形状调整层间而环绕发光装置，且第二形状调整层的表面能比第一形状调整层的表面能高。
在本发明一或多个实施方式中，其中第二形状调整层的材料为含有多个无机微米粒子的第三高分子材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中无机微米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
在本发明一或多个实施方式中，其中发光元件包含发光二极管芯片。
在本发明一或多个实施方式中，其中封装材料包含热固性材料。
在本发明一或多个实施方式中，其中封装材料包含波长转换物质。
附图说明
图1至5绘示依照本发明第一实施方式的发光装置的制造流程剖面图。
图6至10绘示依照本发明第二实施方式的发光装置的制造流程剖面图。
图11至16绘示依照本发明第三实施方式的发光装置的制造流程剖面图。
图17至22绘示依照本发明第四实施方式的发光装置的制造流程剖面图。
【主要元件符号说明】
100：承载基板
110：发光模组
112：金属层
114：发光元件
120：第一形状调整层
122：开口
127：无机纳米粒子
130：第二形状调整层
137：无机微米粒子
140：封装材料
I-I：容置区域
具体实施方式
以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
第一实施方式
图1至5绘示依照本发明第一实施方式的发光装置的制造流程剖面图。请先参照图1，制造者可先提供一承载基板100，并先定义一容置区域I-I，此容置区域I-I为之后设置开口122(如图2至5所绘示)的位置。在本发明一或多个实施方式中，制造者可先将发光装置置于承载基板100上以方便处理，并在封装完成之后，再将发光装置从承载基板100上剥离取下。
接着，如图2所示，制造者可在承载基板100上形成第一形状调整层120，此第一形状调整层120具有一开口122于容置区域I-I上。第一形状调整层120的形成方法例如可先以涂布的方式形成一层第一形状调整层120于承载基板100上，之后再除去容置区域I-I范围内的第一形状调整层120而形成开口122。第一形状调整层120的材料可为第一高分子材料。在本实施方式中，第一高分子材料可包含聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意组合。应了解到，以上所举的第一高分子材料的材料均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择第一高分子材料的材料。
接着请参照图3。如图所示，制造者在此时可设置一发光模组110于开口122中的容置区域I-I上。发光模组110包含一金属层112及一发光元件114，且金属层112位于发光元件114与承载基板100之间。其中发光元件114包含发光二极管芯片。金属层112用以将发光元件114所产生的热散出发光装置。金属层112的材料可包含铝、银、铜或上述的任意组合。
接着请参照图4。如图所示，制造者可于此时施加液态状的封装材料140于开口122中，以覆盖住发光模组110。在本实施方式中，制造者可以点胶(Dispensing)的方式将液态状的封装材料140置于开口122中，因封装材料140的表面能高于第一形状调整层120的表面能，因此液态状的封装材料140在硬化后将能自行成为透镜结构覆盖发光模组110。上述的封装材料140可含有热固性材料，如环氧树脂(Epoxy)或硅胶(Silicone)。应了解到，以上所举的封装材料140均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择封装材料140的实施方式。
在本发明一或多个实施方式中，封装材料140内可进一步包含波长转换物质。此波长转换物质可将一部分发光元件114所发出的光，转换为特定波长的光，并与其他发光元件114所发出的光产生混光效果。例如，波长转换物质可为荧光粉。
接着请参照图5。如图所示，在封装材料140完成硬化后便形成透镜结构，因此制造者在此时便可将承载基板100移除，以完成发光装置的工艺。
在本实施方式中，由于第一形状调整层120使用了表面能较封装材料140低的第一高分子材料，因此封装材料140能在第一形状调整层120的开口122中自行成为透镜结构，并且完整覆盖发光模组110。如此不但可简化封装步骤，而且透镜结构可以点胶的方式制成，比起传统的模制成形方式大量缩短了封装的时间，而且也不必另外添购机台及模具，减少了制作成本。另一方面，制造者只要调整第一形状调整层120中的开口122大小与形状，就可以轻易完成不同的透镜构型，达到客制化的目的。
第二实施方式
图6至10绘示依照本发明第二实施方式的发光装置的制造流程剖面图。请先参照图6，制造者可先提供一承载基板100，并先定义一容置区域I-I，此容置区域I-I为之后设置开口122(如图7至10所绘示)的位置。在本发明一或多个实施方式中，制造者可先将发光装置置于承载基板100上以方便处理，并在封装完成之后，再将发光装置从承载基板100上剥离取下。
接着，如图7所示，制造者可在承载基板100上形成第一形状调整层120，此第一形状调整层120具有一开口122于容置区域I-I上。第一形状调整层120的形成方法例如可先以涂布的方式形成一层第一形状调整层120于承载基板100上，之后再除去容置区域I-I范围内的第一形状调整层120而形成开口122。第一形状调整层120为含有多个无机纳米粒子127的第二高分子材料，且无机纳米粒子127的粒径小于100nm。
在本实施方式中，无机纳米粒子127的材料可为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。应了解到，以上所举的无机纳米粒子127的材料均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择无机纳米粒子127的材料。
接着请参照图8。如图所示，制造者在此时可设置一发光模组110于开口122中的容置区域I-I上。发光模组110包含一金属层112及一发光元件114，且金属层112位于发光元件114与承载基板100之间。其中发光元件114包含发光二极管芯片。金属层112用以将发光元件114所产生的热散出发光装置。金属层112的材料可包含铝、银、铜或上述的任意组合。
接着请参照图9。如图所示，制造者可于此时施加液态状的封装材料140于开口122中，以覆盖住发光模组110。在本实施方式中，制造者可以点胶(Dispensing)的方式将液态状的封装材料140置于开口122中，因封装材料140的表面能高于第一形状调整层120的表面能，因此液态状的封装材料140在硬化后将能自行成为透镜结构覆盖发光模组110。上述的封装材料140可含有热固性材料，如环氧树脂(Epoxy)或硅胶(Silicone)。应了解到，以上所举的封装材料140均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择封装材料140的实施方式。
在本发明一或多个实施方式中，封装材料140内可进一步包含波长转换物质。此波长转换物质可将一部分发光元件114所发出的光，转换为特定波长的光，并与其他发光元件114所发出的光产生混光效果。例如，波长转换物质可为荧光粉。
接着请参照图10。如图所示，在封装材料140完成硬化后便形成透镜结构，因此制造者在此时便可将承载基板100移除，以完成发光装置的工艺。
在此实施方式中，由于第一形状调整层120为含有多个无机纳米粒子127的第二高分子材料，因此表面能将较封装材料140低，使得封装材料140能在第一形状调整层120的开口122中自行成为透镜结构，并且完整覆盖发光模组110。如此不但可简化封装步骤，而且透镜结构可以点胶的方式制成，比起传统的模制成形方式大量缩短了封装的时间，而且也不必另外添购机台及模具，减少了制作成本。另一方面，制造者只要调整第一形状调整层120中的开口122大小与形状，就可以轻易完成不同的透镜构型，达到客制化的目的。
第三实施方式
图11至16绘示依照本发明第三实施方式的发光装置的制造流程剖面图。请先参照图11，制造者可先提供一承载基板100，并先定义一容置区域I-I，此容置区域I-I为之后设置开口122(如图12至16所绘示)的位置。在本发明一或多个实施方式中，制造者可先将发光装置置于承载基板100上以方便处理，并在封装完成之后，再将发光装置从承载基板100上剥离取下。
接着，如图12所示，制造者可在承载基板100上形成第一形状调整层120，此第一形状调整层120具有一开口122于容置区域I-I上。第一形状调整层120的形成方法例如可先以涂布的方式形成一层第一形状调整层120于承载基板100上，之后再除去容置区域I-I范围内的第一形状调整层120而形成开口122。第一形状调整层120为含有多个无机纳米粒子127的第二高分子材料，且无机纳米粒子127的粒径小于100nm。
在本实施方式中，无机纳米粒子127的材料可为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。应了解到，以上所举的无机纳米粒子127的材料均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择无机纳米粒子127的材料。
接着请参照图13。如图所示，制造者在此时可形成一第二形状调整层130于承载基板100上的容置区域I-I中，其中第二形状调整层130的表面能高于第一形状调整层120。第二形状调整层130的材料可为含有多个无机微米粒子137的第三高分子材料，且无机微米粒子137的粒径为微米等级。在本实施方式中，无机微米粒子137的材料可为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。应了解到，以上所举的无机微米粒子137的材料均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择无机微米粒子137的材料。
接着请参照图14。如图所示，制造者在此时可接着设置一发光模组110于第二形状调整层130上，使得第二形状调整层130介于承载基板100与发光模组110之间。发光模组110包含一金属层112及一发光元件114，且金属层112位于发光元件114与第二形状调整层130之间。其中发光元件114包含发光二极管芯片。金属层112用以将发光元件114所产生的热散出发光装置。金属层112的材料可包含铝、银、铜或上述的任意组合。
接着请参照图15。如图所示，制造者可于此时施加液态状的封装材料140于开口122中，以覆盖住发光模组110。在本实施方式中，制造者可以点胶(Dispensing)方式将液态状的封装材料140置于开口122中，因封装材料140的表面能高于第一形状调整层120的表面能，因此液态状的封装材料140在硬化后将能自行成为透镜结构覆盖发光模组110。上述的封装材料140可含有热固性材料，如环氧树脂(Epoxy)或硅胶(Silicone)。应了解到，以上所举的封装材料140均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择封装材料140的实施方式。
在本发明一或多个实施方式中，封装材料140内可进一步包含波长转换物质。此波长转换物质可将一部分发光元件114所发出的光，转换为特定波长的光，并与其他发光元件114所发出的光产生混光效果。例如，波长转换物质可为荧光粉。
接着请参照图16。如图所示，在封装材料140完成硬化后便形成透镜结构，因此制造者在此时便可将承载基板100移除，以完成发光装置的工艺。
在此实施方式中，由于第一形状调整层120为含有多个无机纳米粒子127的第二高分子材料，因此表面能将较封装材料140以及第二形状调整层130低，使得封装材料140能在第一形状调整层120的开口122中自行成为透镜结构，并且完整覆盖发光模组110及第二形状调整层130。如此不但可简化封装步骤，而且透镜结构可以点胶的方式制成，比起传统的模制成形方式大量缩短了封装的时间，而且也不必另外添购机台及模具，减少了制作成本。另一方面，制造者只要调整第一形状调整层120中的开口122大小与形状，就可以轻易完成不同的透镜构型，达到客制化的目的。
第四实施方式
图17至22绘示依照本发明第四实施方式的发光装置的制造流程剖面图。请先参照图17，制造者可先提供一承载基板100，并先定义一容置区域I-I，此容置区域I-I为之后设置开口122(如图18至22的绘示)的位置。在本发明的一或多个实施方式中，制造者可先将发光装置置于承载基板100上以方便处理，并在封装完成之后，再将发光装置从承载基板100上剥离取下。
接着，如图18所示，制造者可在承载基板100上形成第一形状调整层120，此第一形状调整层120具有一开口122于容置区域I-I上。第一形状调整层120的形成方法例如可先以涂布的方式形成一层第一形状调整层120于承载基板100上，之后再除去容置区域I-I范围内的第一形状调整层120而形成开口122。第一形状调整层120为含有多个无机纳米粒子127的第二高分子材料，且无机纳米粒子127的粒径小于100nm。
在本实施方式中，无机纳米粒子127的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。应了解到，以上所举的无机纳米粒子127的材料均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择无机纳米粒子127的材料。
接着请参照图19。如图所示，制造者在此时可接着设置一发光模组110于开口122中的容置区域I-I上。发光模组110包含一金属层112及一发光元件114，且金属层112位于发光元件114与承载基板100之间。其中发光元件114包含发光二极管芯片。金属层112用以将发光元件114所产生的热散出发光装置。金属层112的材料可包含铝、银、铜或上述的任意组合。
接着请参照图20。如图所示，制造者在此时可形成一第二形状调整层130于承载基板100上的容置区域I-I中，且位于发光模组110与第一形状调整层120间而环绕发光模组110，其中第二形状调整层130的表面能高于第一形状调整层120。第二形状调整层130的材料可为含有多个无机微米粒子137的第三高分子材料，且无机微米粒子137的粒径为微米等级。在本实施方式中，无机微米粒子137的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。应了解到，以上所举的无机微米粒子137的材料均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择无机微米粒子137的材料。
接着请参照图21。如图所示，制造者可于此时施加液态状的封装材料140于开口122中，以覆盖住发光模组110及第二形状调整层130。在本实施方式中，制造者可以点胶(Dispensing)方式将液态状的封装材料140置于开口122中，因封装材料140的表面能高于第一形状调整层120的表面能，因此液态状的封装材料140在硬化后将能自行成为透镜结构覆盖发光模组110。上述的封装材料140可含有热固性材料，如环氧树脂(Epoxy)或硅胶(Silicone)。应了解到，以上所举的封装材料140均仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中的技术人员，应视实际需要，弹性选择封装材料140的实施方式。
在本发明一或多个实施方式中，封装材料140内可进一步包含波长转换物质。此波长转换物质可将一部分发光元件114所发出的光，转换为特定波长的光，并与其他发光元件114所发出的光产生混光效果。例如，波长转换物质可为荧光粉。
接着请参照图22。如图所示，在封装材料140完成硬化后便形成透镜结构，因此制造者在此时便可将承载基板100移除，以完成发光装置的工艺。
在此实施方式中，由于第一形状调整层120为含有多个无机纳米粒子127的第二高分子材料，因此表面能将较封装材料140以及第二形状调整层130低，使得封装材料140能在第一形状调整层120的开口122中自行成为透镜结构，并且完整覆盖发光模组110及第二形状调整层130。如此不但可简化封装步骤，而且透镜结构可以点胶的方式制成，比起传统的模制成形方式大量缩短了封装的时间，而且也不必另外添购机台及模具，减少了制作成本。另一方面，制造者只要调整第一形状调整层120中的开口122大小与形状，就可以轻易完成不同的透镜构型，达到客制化的目的。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。
Claims (23)
1.一种可自成透镜的发光装置制造方法，包括：
提供一承载基板，其上设有一容置区域；
提供一第一形状调整层于所述承载基板上，所述第一形状调整层具有至少一开口而暴露所述容置区域；
设置至少一发光元件于所述开口中的所述容置区域上；
施加一液态状的封装材料于所述开口中，其中所述第一形状调整层的表面能比所述封装材料的表面能低，以使所述封装材料硬化后自行成一透镜结构覆盖所述发光元件；以及
形成一第二形状调整层位于所述容置区域中，其中所述第二形状调整层介于所述承载基板与所述发光元件之间，或者介于所述发光元件与所述第一形状调整层间而环绕所述发光元件，且所述第二形状调整层的表面能比所述第一形状调整层的表面能高。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一形状调整层的材料为表面能低于所述封装材料的第一高分子材料。
3.如权利要求2所述的制造方法，其中所述第一高分子材料为聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意组合。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第一形状调整层的材料为含有多个无机纳米粒子的第二高分子材料。
5.如权利要求4所述的制造方法，其中所述无机纳米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
6.如权利要求5所述的制造方法，其中所述无机纳米粒子的粒径小于100nm。
7.如权利要求1所述的制造方法，其中所述第二形状调整层的材料为含有多个无机微米粒子的第三高分子材料。
8.如权利要求7所述的制造方法，其中所述无机微米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
9.如权利要求1至8任一项所述的制造方法，其中所述发光元件包含一发光二极管芯片。
10.如权利要求9所述的制造方法，其中所述封装材料含有热固性材料。
11.如权利要求10所述的制造方法，其中所述封装材料内含有波长转换物质。
12.如权利要求1所述的制造方法，更包括形成所述透镜结构后，移除所述承载基板。
13.一种发光装置，包含：
一发光元件；
至少一透镜状封装材料，覆盖于所述发光元件上；
一第一形状调整层，环绕所述发光元件周围以及所述封装材料与所述发光元件邻接处，且所述第一形状调整层的表面能比所述封装材料的表面能低以促进所述封装材料形成透镜状；
一承载基板，用以承载所述第一形状调整层与所述发光元件；以及
一第二形状调整层，所述第二形状调整层介于所述承载基板与所述发光元件之间，或者介于所述发光元件与所述第一形状调整层间而环绕所述发光元件，且所述第二形状调整层的表面能比所述第一形状调整层的表面能高。
14.如权利要求13所述的发光装置，其中所述第一形状调整层的材料为表面能低于所述封装材料的第一高分子材料。
15.如权利要求14所述的发光装置，其中所述第一高分子材料为聚六氟丙烯、聚四氟乙烯、聚全氟乙丙烯、聚三氟乙烯、三氟氯乙烯或上述的任意组合。
16.如权利要求13所述的发光装置，其中所述第一形状调整层的材料为含有多个无机纳米粒子的第二高分子材料。
17.如权利要求16所述的发光装置，其中所述无机纳米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
18.如权利要求17所述的发光装置，其中所述无机纳米粒子的粒径小于100nm。
19.如权利要求13所述的发光装置，其中所述第二形状调整层的材料为含有多个无机微米粒子的第三高分子材料。
20.如权利要求19所述的发光装置，其中所述无机微米粒子的材料为二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆或上述的任意组合。
21.如权利要求13至20任一项所述的发光装置，其中所述发光元件包含一发光二极管芯片。
22.如权利要求21所述的发光装置，其中所述封装材料含有热固性材料。
23.如权利要求22所述的发光装置，其中所述封装材料含有波长转换物质。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101118970A TWI474517B (zh) | 2012-05-28 | 2012-05-28 | 發光裝置及其製造方法 |
| TW101118970 | 2012-05-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103456862A CN103456862A (zh) | 2013-12-18 |
| CN103456862B true CN103456862B (zh) | 2016-04-06 |
Family
ID=49739024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210262797.3A Active CN103456862B (zh) | 2012-05-28 | 2012-07-26 | 发光装置及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103456862B (zh) |
| TW (1) | TWI474517B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102130235A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 北京大学深圳研究生院 | 一种led芯片的封装方法及封装器件 |
| CN102437273A (zh) * | 2011-12-02 | 2012-05-02 | 华中科技大学 | 利用表面改性实现无透镜封装的led封装器件及其方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI260804B (en) * | 2005-10-28 | 2006-08-21 | Lustrous Technology Ltd | Light emitting diode package with at least a groove |
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-
2012
- 2012-05-28 TW TW101118970A patent/TWI474517B/zh active
- 2012-07-26 CN CN201210262797.3A patent/CN103456862B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201349582A (zh) | 2013-12-01 |
| CN103456862A (zh) | 2013-12-18 |
| TWI474517B (zh) | 2015-02-21 |
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