CN103456622A - 磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法 - Google Patents
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Abstract
一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，在此方法中，根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值，并根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值，然后根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸。此外，根据所述补酸的量推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。
Description
技术领域
本发明是有关于一种湿式蚀刻工艺的控制方法，且特别是有关于一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率(etching rate，缩写为E/R)的方法。
背景技术
在目前湿式蚀刻的工艺中，利用磷酸进行氮化硅的蚀刻是现行技术。然而，由于磷酸对氧化物蚀刻率过高可能会将使硅受到损害；反之氧化物蚀刻率过低则会造成氧化物析出的缺陷(defect)，因此现行湿式蚀刻磷酸机台控制氧化物蚀刻率为工艺控制的重要一环。
就目前的湿式蚀刻磷酸机台来看，其具有的控制氧化物蚀刻率的功能为机台参数固定批次间隔(即批次晶圆的批次数)，给予固定量的酸更换，如图1所示。
在图1显示的是一般由磷酸机台参数设定(如步骤100)固定批次间隔，给予固定量的酸更换的补酸过程，主要是先进行步骤102，选择性测试磷酸槽的氧化物蚀刻率，此为可选择性施作的步骤；意指该步骤可以施作或可以不施作，或有时做、有时不做，或者以一定频度来做、或是特定条件下来做。在步骤102之后，选择批次晶圆进行磷酸工艺，以批次数来决定何时补酸，请见步骤104-106。如果批次数已达预定次数N次(如步骤106)，就进行某固定量的补酸(如步骤108)，前述“某固定量”可以预先设定，再重设批次数为0(如步骤101)；如未达预定次数就继续进行下一批次的磷酸工艺(如步骤106)并增加批次数。
然而，各批次晶圆(LOT)因氮化硅膜厚不同、氧化硅溶入磷酸的量不一等因素，定批次间隔给予定量的酸更换的设定，便会造成有时氧化物蚀刻率忽高忽低不稳定的跳动，产生氧化物蚀刻率过高或过低所衍生的风险。
发明内容
本发明提供一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率(E/R)的方法，以精确控制氧化物蚀刻率的变动，并避免氧化物蚀刻率不稳定的问题发生。
本发明提出一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，包括根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值，并根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值，然后根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸。此外，根据所述补酸的量，可推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。
本发明另提出一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，包括根据待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值，并根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值，然后根据各批次晶圆的所述待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸。此外，根据所述补酸的量，可推算氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。
在本发明的实施例中，上述待蚀刻层为不同产品待蚀刻层中蚀刻量相同的膜层。
在本发明的实施例中，上述方法能根据所述氧化物蚀刻率模拟值，决定所述各批次晶圆在所述磷酸工艺期间所述补酸的量与时机。
在本发明的实施例中，上述推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述各批次晶圆中片数较少的进行所述磷酸工艺；或者选择所述氧化物蚀刻率下降值中蚀刻率下降较少的进行所述磷酸工艺。
在本发明的实施例中，上述补酸的量与所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度成正比。
基于上述，本发明能通过预先设定于数据库的氧化物蚀刻率下降值与氧化物蚀刻率上升值，来解决先前技术定批次间隔给予定量的酸更换所衍生的氧化物蚀刻率忽高忽低的风险。
附图说明
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下，其中：
图1是已知的一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法。
图2是依照本发明的一实施例的一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法。
图3是模拟例一的批次数与蚀刻率之间的关系图。
具体实施方式
图2是依照本发明的一实施例的一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法。
在图2中，可依照需求选择根据待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值(如步骤200)，上述待蚀刻层可为不同产品中蚀刻量相同的膜层；或者选择根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值。
假使待蚀刻层为不同产品中材料蚀刻量相同的膜层，则不需看产品差异即可控制氧化物蚀刻率的变化，这样的方法所需要的对应数据少，且能以先前取得的数值带入不同产品中的相同待蚀刻层。另一方面，假使是根据产品待蚀刻层的不同预设氧化物蚀刻率下降值，则可依照批次晶圆的产品的不同而精确控制氧化物蚀刻率的变化。
然后，根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值(如步骤202)；举例来说，上述补酸的量会与所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度成正比。补酸的量少，氧化物蚀刻率上升少；反之，补酸的量多，氧化物蚀刻率上升多。
在数据库得到以上默认值后，可选择性地确认磷酸槽的氧化物蚀刻率(如步骤204)，然后选择批次晶圆进行磷酸工艺(如步骤206)。
之后，于步骤208，根据各批次晶圆对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，且可利用如计算机的类的设备或软件进行程序运算得到此仿真值。在步骤208中，主要是模拟磷酸槽因批次晶圆进行磷酸工艺所导致的氧化物蚀刻率下降情形。如果是以步骤200的默认值进行仿真，则各批次晶圆之间的差异是以待蚀刻层的不同为准。
随后，于步骤210，确定是否氧化物蚀刻率模拟值已超出管制界线。当步骤208所模拟得到的氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行步骤212-216来进行补酸的程序，决定各批次晶圆在磷酸工艺期间所述补酸的量与时机，使磷酸氧化物蚀刻率回到管制界线内；反之，如氧化物蚀刻率模拟值未超出管制界线，表示磷酸氧化物蚀刻率在安全范围，则可选择性进行步骤204，选择性测试磷酸槽的氧化物蚀刻率与进行步骤206。文中的“选择性”意指该步骤可做或可不做，或有时做、有时不做，或者以一定频度来做、或是特定条件下来做。
在步骤212，根据步骤202中的补酸的量，推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。在此阶段中，可通过如计算机的类的设备或软件进行程序运算，来仿真是否磷酸槽氧化物蚀刻率回到管制界线内(如步骤214)，并因应须提升的氧化物蚀刻率多少选定补酸的量。在执行被选的补酸(如步骤216)的程序之后，可选择性进行步骤206测试磷酸槽的氧化物蚀刻率，与进行下批次晶圆的磷酸工艺(如步骤208)。
模拟例一
设定各产品磷酸的应用的氧化物蚀刻率下降值，如表一。表一显示对应内含产品01至产品03的磷酸工艺的氧化物蚀刻率变化。基本上，磷酸拔除的氮化硅膜较多，氧化物蚀刻率下降值就较大。
表一
| 产品_待蚀刻层 | 氧化物蚀刻率下降值 |
| 产品01_IN | 0.0005 |
| 产品01_AE | 0.002 |
| 产品01_BL | 0.0025 |
| 产品01_WL | 0.003 |
| 产品01_SA | 0.0035 |
| 产品01_BA | 0.004 |
| 产品01_ICK | 0.01 |
| 产品02_IN | 0.0006 |
| 产品02_AE | 0.0023 |
| 产品02_BL | 0.0029 |
| 产品02_WL | 0.0033 |
| 产品02_SA | 0.0038 |
| 产品02_BA | 0.0045 |
| 产品02_ICK | 0.012 |
| 产品03_IN | 0.0004 |
| 产品03_AE | 0.0015 |
| 产品03_BL | 0.002 |
| 产品03_WL | 0.0025 |
| 产品03_SA | 0.003 |
| 产品03_BA | 0.0035 |
| 产品03_ICK | 0.0095 |
上表一的数值为单一芯片的数值，某一批次晶圆的总氧化物蚀刻率下降值须乘上芯片数量。
请参照图3显示的批次数与蚀刻率之间的关系图。在图3中的实心黑点表示各批次晶圆的氧化物蚀刻率的变动。纵轴每一格为0.1单位，如点300的氧化物蚀刻率为0.4单位，此时run货批次选定50片、产品01的AE蚀刻层的芯片，则依照表一，单一片“产品01_AE”对应的氧化物蚀刻率下降值是0.002单位，是故推算50片磷酸的氧化物蚀刻率变动应该是0.002×50＝0.1单位；即完成50片产品01_AE的磷酸工艺后，会由点300变化到点302，氧化物蚀刻率来到0.3单位。
依照此法，可模拟推算各批次晶圆进入磷酸槽后，对磷酸的氧化物蚀刻率的变化。当推算的氧化物蚀刻率在允许的管制界线310内，表示氧化物蚀刻率在安全范围不须进行补酸；反之就需要进行补酸。
此外，当推算的氧化物蚀刻率超出管制界线310，表示氧化物蚀刻率已将离开管制的安全范围，应进行磷酸机台补酸的程序。
模拟例二
在不考虑产品别的条件下，设定磷酸的应用的氧化物蚀刻率下降值，如表二。表二显示对应不同磷酸工艺的氧化物蚀刻率变化。基本上，磷酸拔除的氮化硅膜较多，氧化物蚀刻率下降值就较大。
表二
| 待蚀刻层 | 氧化物蚀刻率下降值 |
| IN | 0.0005 |
| AE | 0.0019 |
| BL | 0.0025 |
| WL | 0.0028 |
| SA | 0.0034 |
| BA | 0.004 |
| ICK | 0.0105 |
上表二的数值为单一芯片的数值，某一批次晶圆的总氧化物蚀刻率下降值须乘上芯片数量。
请再次参照图3显示的批次数与蚀刻率之间的关系图。在图3中的实心黑点表示各批次晶圆的氧化物蚀刻率的变动。纵轴每一格为0.1单位，如点300的氧化物蚀刻率为0.4单位，此时run货批次选定50片的AE蚀刻层的芯片，则依照表二，单一片“AE”对应的氧化物蚀刻率下降值是0.0019单位，是故推算50片磷酸的氧化物蚀刻率变动应该是0.0019×50＝0.094单位。
依照此法，可模拟推算各批次晶圆进入磷酸槽后，对磷酸的氧化物蚀刻率的变化。当推算的氧化物蚀刻率在允许的管制界线310内，表示氧化物蚀刻率在安全范围不须进行补酸；反之就需要进行补酸。
此外，当推算的氧化物蚀刻率超出管制界线310，表示氧化物蚀刻率已将离开管制的安全范围，应进行磷酸机台补酸的程序。
至于补酸的量和氧化物蚀刻率模拟值的上升程度，可参照下表三。
表三显示补酸的量是由a至e逐渐变多；也就是说，当补酸的量是c，则氧化物蚀刻率上升值可达0.3单位，因而图3的点302的磷酸在以补酸的量c进行补酸之后，氧化物蚀刻率为0.3+0.3＝0.6单位，来到空心黑点304，图3中的空心黑点是指补酸后的氧化物蚀刻率。依照表三对应，可因应须提升的氧化物蚀刻率多寡，选定补酸的量。同理，各个补酸的量对磷酸的氧化物蚀刻率的变化亦可推算，使得氧化物蚀刻率能回到管制界线310内，用以稳定控制磷酸的氧化物蚀刻率。
表三
| 设备 | 补酸的量 | 氧化物蚀刻率上升值 |
| 设备01 | a | 0.1 |
| 设备01 | b | 0.2 |
| 设备01 | c | 0.3 |
| 设备01 | d | 0.4 |
| 设备01 | e | 0.5 |
| 设备02 | a | 0.1 |
| 设备02 | b | 0.2 |
| 设备02 | c | 0.3 |
| 设备02 | d | 0.4 |
| 设备02 | e | 0.5 |
| 设备03 | a | 0.1 |
| 设备03 | b | 0.2 |
| 设备03 | c | 0.3 |
| 设备03 | d | 0.4 |
| 设备03 | e | 0.5 |
另外，表三亦可简化为表四。表四是在不考虑设备差别的条件下，设定补酸的量与氧化物蚀刻率上升值的关系。
表四
| 补酸的量 | 氧化物蚀刻率上升值 |
| a | 0.1 |
| b | 0.2 |
| c | 0.3 |
| d | 0.4 |
| e | 0.5 |
以此类推，各批次晶圆对磷酸的氧化物蚀刻率的变化都可依此法推算，而补酸的量与时机、补酸的量对磷酸的氧化物蚀刻率的变化等都是可以由程序链接判定，仿真推算对氧化物蚀刻率的变化与决定派货，执行磷酸机台补酸的量与时机，达到实时监控与管制的目的。
综上所述，本发明是通过事先建立的数据库，将各批次晶圆依产品待蚀刻层或单纯只看待蚀刻层的不同来估算氧化物蚀刻的变化，以避免已知定批次间隔给予定量的酸更换的方式所造成的氧化物蚀刻率不稳定所衍生的风险。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求范围所界定的为准。
Claims (11)
1.一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法包括：
根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值；
根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值；
根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸；以及
根据所述补酸的量，推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。
2.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法还包括根据所述氧化物蚀刻率模拟值，决定所述各批次晶圆在所述磷酸工艺期间所述补酸的量与时机。
3.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述各批次晶圆中片数较少的进行所述磷酸工艺。
4.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述氧化物蚀刻率下降值中蚀刻率下降较少的进行所述磷酸工艺。
5.如权利要求1所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：所述补酸的量与所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度成正比。
6.一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法包括：
根据待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值；
根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值；
根据各批次晶圆的所述待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸；以及
根据所述补酸的量，推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。
7.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：所述待蚀刻层为不同产品中蚀刻量相同的膜层。
8.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法还包括根据所述氧化物蚀刻率模拟值，决定所述各批次晶圆在所述磷酸工艺期间所述补酸的量与时机。
9.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述各批次晶圆中片数较少的进行所述磷酸工艺。
10.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：推算所述氧化物蚀刻率模拟值的步骤包括：当所述氧化物蚀刻率模拟值接近所述管制界线，选择所述氧化物蚀刻率下降值中蚀刻率下降较少的进行所述磷酸工艺。
11.如权利要求6所述的磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于：所述补酸的量与所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度成正比。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112908845A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101727023A (zh) * | 2008-10-28 | 2010-06-09 | 浩硕科技股份有限公司 | 蚀刻液浓度控制方法 |
| US7776756B1 (en) * | 2004-04-20 | 2010-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7776756B1 (en) * | 2004-04-20 | 2010-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching apparatus, a method of controlling an etching solution, and a method of manufacturing a semiconductor device |
| CN101727023A (zh) * | 2008-10-28 | 2010-06-09 | 浩硕科技股份有限公司 | 蚀刻液浓度控制方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112908845A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统 |
| CN112908845B (zh) * | 2021-02-24 | 2023-10-10 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统 |
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