CN103430193B - 通过在不同频率和功率水平分析复反射反向散射来检测加载uhf rfid标签的材料的性质 - Google Patents

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Abstract

用于检测接近UHF标签的材料性质的RFID装置。RFID装置包括微芯片、可操作地连接于微芯片的天线和可操作地连接于微芯片和天线的阻抗变换部分。改变RFID装置至少一个组件的电特性在阅读器装置处导致复反射信号，其代表接近RFID装置的材料的检测状态。

Description

通过在不同频率和功率水平分析复反射反向散射来检测加载 UHF RFID标签的材料的性质
相关申请的交叉参考
本申请要求2011年1月18日提交的美国专利申请第13/008,054号的优先权，其在此通过引用而全部并入。
发明的技术领域
本发明的实施方式一般涉及射频识别(RFID)标签，具体地，涉及特高频(UHF)RFID标签和阅读器之间的通信，以评估接近标签天线的材料的状态。
发明背景
自动识别是应用于许多技术——用于帮助仪器识别目标——的广义术语。自动识别常常与自动数据捕获结合。因此，希望识别物品的公司能够捕获关于该物品的信息，以将捕获的信息存储于计算机中，并针对各种有用目的从计算机选择性地检索信息，这些均花费最小的人类劳动。
一种类型的自动识别技术是射频识别(RFID)。射频识别是利用无线电波自动识别目标的技术的一般术语。存在利用RFID识别目标的若干常规方法，其中最常见的是将识别产品的序列号(以及其它信息，如果期望)存储在与天线连接的微芯片上。芯片和天线一起限定RFID应答器电路。天线使得具有收发器的远程阅读器能够与芯片通信，并使得芯片能够将识别信息传输回阅读器——当其被阅读器致动如此做时。阅读器将从RFID标签返回的无线电波转换成然后可被计算机利用的形式。
RFID标签被分成三种不同的类型：有源的、半有源的和无源的。有源和半有源标签包括电池，以为微芯片提供动力。而无源标签被远程提供动力，有源标签传播其信息。无源标签是最频繁使用的，因为它们生产成本低并易于应用。低频RFID系统(125-148kHz)和高频RFID系统(13.56MHz)具有多达1米的短传输范围。特高频(UHF)RFID系统(902-928MHz)可覆盖多至10米的范围。微波频率RFID系统(2.45GHz)覆盖多至30米的传输范围。
传统上，RFID标签多年来已被用于无线追踪货物和键锁系统。最近，已经研究了RFID技术的新应用，包括将RFID标签用作气相和液相环境中的传感器。当检测到信号时，传感器产生可测量的输出——通常是与信号有关的电压或电流。传感器应用的范围为从湿度检测或温度检测到食品监测。
发明概述
以下描述的本发明实施方式不意图是穷尽性的或将本发明限制为下面详细描述中所公开的精确形式。相反，实施方式被选择和描述，以便本领域的其它技术人员可以明白和理解本发明的原理和实践。
公开的实施方式解答了已知天线特性是如何被材料诸如气体、液体或生物剂，或者被物理参数，诸如热、压力、力或辐射改变的。为了在噪音存在的情况下这样做和解决不确定性(ambiguity)和干扰因子的影响，操作标签的方面并测量结果。具体地，芯片阻抗可通过如下设置成已知状态：使芯片阻抗达到其运行阈，但是，然后通过应用阈值以上的功率以可控方式改变芯片阻抗，产生天线阻抗的不同“视图(views)”，其被转化为至标签阅读器系统的混合相位和幅度调制反向散射。通过以频率扩展对其进行实施，可实现对参数的精确检测和对干扰的良好抑制。
在本发明的实施方式中，提供RFID装置，用于检测接近UHF标签的材料的性质。RFID装置包括微芯片、可操作地连接于微芯片的天线和可操作地连接于微芯片和天线的阻抗变换部分。改变RFID装置的至少一个组件(component)的电特性在阅读器装置处导致复反射信号，其代表接近RFID装置的材料的检测状态。
在本发明的实施方式中，提供RFID装置，用于检测接近UHF标签的材料的性质。RFID装置包括微芯片和可操作地连接于微芯片的组合结构，其包括天线部分和导体环，其中导体环用作阻抗变换部分。加入到结构中的环境敏感材料响应来自RFID阅读器的信号引起组合结构的电特性变化，导致在所述阅读器处接收复反射信号，其代表材料的检测状态。
通过以下详细描述，本发明的其它特征和优势对于本领域的技术人员而言将变得明显。然而，应该理解，对各个实施方式和具体实施例的详细描述——同时指出本发明的优选和其它实施方式——是以示例性而非限制性的方式给出的。可在本发明范围内进行许多变化和修改而不背离其精神，并且，本发明包括所有这样的修改。
附图简介
通过下面结合附图对实施方式的详细描述，本发明实施方式的这些和其它优势和方面将变得明显和更易于理解，所述附图如下。
图1图解根据示例性实施方式的RFID标签的构造方块图。
图2图解根据示例性实施方式通过分析物或干扰材料浓度改变RFID天线阻抗。
图3图解示例性实施方式，其中变换部分是材料存在的函数。
图4图解示例性实施方式，其中天线和变换部分均依赖于分析物或干扰物(interferer)浓度。
图5图解并入图1元件的RFID标签的基本结构的示例性实施方式。
图6图解根据示例性实施方式的检测，其中RFID标签置于材料上。
图7图解根据示例性实施方式的利用施加于天线特定区域的材料进行的检测。
图8图解根据示例性实施方式检测施加于天线和变换器部分上的材料。
图9图解根据示例性实施方式的天线和变换器的可选区域中两种不同检测材料的应用。
图10图解根据示例性实施方式的RFID阅读器系统的方块图。
图11图解根据示例性实施方式的天线阻抗对ZT和ZR的频率和复共轭的图。
图12图解根据示例性实施方式的RFID标签，其对引起H2S排放的细菌腐烂敏感。
图13图解根据示例性实施方式的标签，其对极性液体诸如水敏感。
图14图解根据示例性实施方式的组合结构。
详细描述
提供以下描述，作为对本发明实施方式——包括最佳的、当前已知的实施方式——的可能教导。相关领域的技术人员将会认识到，可对所述实施方式进行许多改变同时仍获得所公开实施方式的有益结果。还明显的是，所述实施方式的一些期望益处可通过选择所公开实施方式的一些特征而不利用其它特征来获得。因此，本领域的技术人员将认识到，对所述实施方式的许多修改和修正是可能的，并且，在某些情况下，这些修改和修正甚至是期望的。因此，提供以下描述，以说明本发明的原理，而不是限制本发明，因为本发明的范围由权利要求书进行限定。
使谐振器，诸如LC电路、石英晶体和表面声波(SAW)装置加载以这样的材料是已知的技术：所述材料响应检测的材料或状态而改变电或机械特性，从而改变谐振器性质。施加于换能器，该技术依赖于这些装置相对高的Q值，以使结果的分析简单。Q因子或值是谐振电路在其谐振频率下电压和电流上升的度量。
不同于以较低频率运行的装置，UHF RFID装置通常不作为简单的谐振器运行。如果它们作为简单的谐振器运行——在915MHz下利用简单的并行模型，其中Cp＝1pF和Rp＝1000ohms，则Q值可以是5.75，这使得精确检测变得困难。
本文公开的实施方式利用UHF RFID标签和阅读器之间的通信特性来评估接近天线的材料的状态。UHF RFID标签的一种通信协议是EPCglobal第1类第2代协议标准(EPCglobal Class 1 Generation 2 protocol standard)。EPCglobal协议假定标签携带唯一的识别符，其被称为电子产品代码(EPC)。
由于UHF RFID标签，设计是以下参数之间更复杂的关系：
处于接收状态的RFID芯片复合输入阻抗：RR-jXR
处于反射/调制器接通状态的RFID芯片复合输入阻抗：RT-jXT
天线阻抗：RA+jXA
在UHF标签设计中，设计工程师通常试图在限定的频段内得到天线和芯片之间的最大功率传递。最佳状态被称为共轭匹配，其中RA和RR相等以及jXA和jXT相等并具有相对的符号。
对于适于充当传感器的UHF装置，天线阻抗此刻在一定程度上是被分析状态诸如气体、液体或生物材料的存在的函数。公开的实施方式涉及检测事件天线特性阻抗的变化如何可以通过RFID阅读器被遥测并与RFID嵌体(inlay)周围的环境作用区分开。RFID嵌体包括天线和微芯片，并且通常被提供在衬底或载体上。嵌体被提供给转换器，其中其被插入到标记或标签中。
检测所需要的状态不同于正常RFID运行所需要的状态。它以影响产生反向散射信号的调节过程的方式处理变换的芯片阻抗和天线阻抗——其在一定程度上是分析物浓度的函数。通过将芯片阻抗设置为处于阈值的已知状态和改变该阻抗和频率，可通过远程阅读器系统对加载天线的材料特性进行测量。通过观察从标签到阅读器的反向散射信号如何被修改，尤其是相位调制和幅度调制分量(components)如何相互作用来确定状态。
RFID嵌体和阅读器之间的通信通常涉及RF信号幅度调制形式的数据下行链路诸如命令消息和通过将其阻抗从其接收状态改变到其传输状态而使数据发回，反射调调制信号的标签。
调制信号是两种形式调制——幅度调制和相位调制——的混合。这些分量的大小(magnitude)和特性由天线、处于接收状态的芯片和处于传输状态的芯片之间的复反射系数确定，并可通过阅读器进行分析。如上所述，芯片阻抗也是功率和频率的函数；因此，对于针对频率给定的天线阻抗，通过在标签处改变读取频率和功率以及在阅读器处测量返回的复反射信号，可评价天线阻抗，并可推导检测的值或状态。
RFID标签的基本构造示于图1中。在特定的入射RF功率下，RFID芯片12具有两种阻抗状态：接收状态ZR和传输状态ZT。对于UHF RFID芯片，输入阻抗的实部(real part)往往是高的，在1000ohms级上，而普通天线阻抗诸如偶极子是相对低的，在70ohms级上。已知在这些元件之间包括阻抗变换部分14，尽管本领域的技术人员会理解，在一些设计中对于一部分作为变换器14和另一个部分作为天线16的限定是任意的，因为它们是共同结构的部分，并且变换和天线功能可被认为分布于结构上。为了能够清楚地描述实施方式，限定了标称相互作用平面18，其中天线16和变换的芯片阻抗相互作用以控制完整的RFID标签10如何响应。
RFID芯片12和天线16的变换的两种状态复阻抗在标称平面18处相互作用。当变换的RFID芯片接收阻抗ZRT并且天线阻抗ZA是彼此的复共轭时，不存在反射能量；即，通过天线16接收的所有功率减去由电阻和其它因素引起的损失通过变换器14被传递到RFID芯片12，这可能也会有损失。对于在不存在干扰环境情况下以单一频率运行的给定RFID标签10，这将给出最佳范围。然而，在实际中，为了允许环境因子的更大的带宽和公差，ZA通常不被设置为ZRT的确切复共轭，以便存在一定量的反射。当RFID芯片12将其阻抗改为ZT并且ZTT被赋予天线ZA时，较大程度的反射是正常的。当ZRT处于或接近ZA的复共轭并且ZTT是相对高的失配时，可将反向散射信号主要看作幅度调制。
图2以方块图形式图解天线阻抗可以被如何修改并与变换的芯片阻抗相互作用。由于接近于具有复介电常数——其响应一个或多个环境因子而变化——的材料(例如，分析物)，天线阻抗ZA改变，因而，其与ZRT和ZTT的相互作用也被改变。具体地，通过设计，ZA不再是ZRT或ZT的复共轭，因此，在两种状态中均存在反射。该反射是复合的，即，其具有常常表示为反射系数的幅度，其中，系数为1表示100％反射和系数为零表示没有反射，因而是完美的匹配，但也是相关的相角。反向散射信号当芯片在ZRT和ZTT之间改变时此刻可被认为是幅度和相位调制的组合，这取决于天线阻抗ZA，其现在是其环境的函数。以这种方式，天线阻抗的改变特性可被远程确定。
图3显示可选构造，其中变换部分14本身被制成是环境敏感的，即，取决于分析物或干扰物浓度，因而，ZA和ZRT'和ZTT'的相互作用再次给出取决于环境因子的复反向散射信号。
图4显示可选构造，其中，变换部分14和天线16均被制成是环境敏感的，即，取决于分析物或干扰物浓度。在一个实施方式中，两个部分对不期望环境影响的敏感性在复反向散射信号上是相反的，而对期望环境影响的响应在复反向散射信号上是相同的或类似的。
图5显示RFID标签10的基本结构，该RFID标签10可用于检测环境因子。其包括连接于结构20的RFID芯片12，该结构20由合适的导体诸如铜、铝或银制成。
结构20包括两个主要区域：导体环28，其具有两个连接点22、24，充当阻抗变换器；和线性部分26，其充当偶极子天线的改进形式。尽管显示具有两个连接的环28，但许多其它构造也将工作，诸如单一连接或没有连接，其中，天线部分和变换器部分之间是通过电场或磁场耦合的。
在所示设计中，环28的长度、导体尺寸和两个分接头(tap)点22、24围绕环周长相对于彼此的位置限定标签设计的调谐和阻抗变换。对于天线26，部件的长度、形状和存在诸如在末端的大块(large blocks)或尖点(sharp points)限定天线性能。
布置天线和变换网络的设计以产生接收状态和传输状态的特定相对复反射系数，这产生相位和幅度调制的组合。该阻抗匹配状态不同于通常用于RFID标签设计的阻抗匹配状态，其中目的是实现尽可能接近于感兴趣的限定带上的共轭匹配。
图6显示接近材料2的RFID标签，材料2的复介电常数在一定程度上是环境因子的函数。天线26和芯片12相对于彼此的阻抗状态被选择，以便复介电常数的变化产生来自RFID装置的复反向散射的限定变化，其可由相干阅读器装置进行解释。
图7图解了其中特定的环境敏感材料4被置于天线26或阻抗变换器区域上的布置。对材料4和位置的选择取决于被检测的环境因子，例如，如果材料4改变其复介电常数，其可被置于天线26具有高RF电场的部分上，诸如偶极子结构的末端，或者直接跨过放置RFID芯片12的相同间隙。如果材料4要改变磁导率，将其接近于中心环28放置可能更有效。
图8图解这样的结构：其中阻抗变换器和天线26均由共同的材料6覆盖。在一个实施方式中，期望的环境因子对这两部分的作用对反向散射信号产生加性效应，并且，不期望影响——其对测量结果产生噪音——的作用对反向散射信号具有负组合影响。
图9图解这样的结构：其中，阻抗变换器和天线26由不同的材料17、19覆盖。在一个实施方式中，期望的环境因子对这两部分的作用将对反向散射信号产生加性效应，并且，不期望影响——其对测量结果产生噪音——的作用对反向散射信号具有负组合影响。
图10显示用于读取RFID装置的阅读器系统30，RFID装置具有被设计成将环境因子转换成复反向散射变化的天线。阅读器系统30包括两个部分，即，传输部分32和接收部分34。
传输部分32包括频控振荡器36和调幅器38，其驱动功率放大器40到传输天线42中。接收部分34具有连接于低噪音放大器46的接收天线44，其然后经0度90度功率分配器48驱动两个混频器50、52。混频器50、52由源自传输信号的相等的相位局部振荡器信号54驱动。这种形式的相干解调从阅读器单元30范围内响应的标签10恢复反向散射信号的同相(I)和正交(Q)形式。恢复的I和Q信号然后被提供给数字信号处理程序块56，并且，恢复的数据诸如标签10的ID和关于反向散射信号的幅度和相位的信息被提供给控制微控制器60。
在运行中，阅读器系统30最初以与标准RFID阅读器相似的方式运转。如果双向协议诸如电子产品代码(EPC)第1类第2代UHF空中接口协议标准(Air Interface Protocolstandard)被应用，则阅读器系统30幅度调制其与QUERY命令的信息并等待RN16(16-位随机数)从标签的响应。然后，阅读器30可通过确认(ACK)响应于某一标签10并通过发送对标签10特异的命令而完成正常的读取和写入功能。
当试图确定与环境因子有关的复反向散射特性时，通常将进行若干测量以克服噪音和不确定性。在示例性实施方式中，关键点是能够通过改变传输功率将芯片阻抗设置为已知值。RFID芯片12具有ZR和ZT，其部分依赖于入射RF功率。因此，通过将由阅读器系统30传输的功率水平降低到标签10将读取的最小阈值，ZR和ZT变成已知的。然后，通过逐步地将功率提高到最小阈值以上，ZR和ZT被有效地设置成一组已知值。另外，通过改变频率，可以进行其它测量。这组数据点允许精确推导天线阻抗并有助于分离噪音效应，诸如阅读器系统30和被分析的RFID标签10之间的未知范围。
图11图解用于测量对天线的环境影响的过程。对于无线电工程师，显示复阻抗的常规方法是应用已知的史密斯圆图(smith chart)。通过以两种状态绘制天线阻抗和与芯片阻抗的复共轭，可利用史密斯圆图使调制过程可视化。也可以应用其它的可视化方法。
天线阻抗ZA由线表示，因为其基本上随频率而变化。两个芯片阻抗被显示为它们的共轭，以使相对向量的可视化更容易(例如，当两个绘图占据相同的点时，ZR和ZA之间完美的匹配会以这种表示出现)。
考虑到天线在单一频率下的最初状况，存在代表相对失配的两个向量，其被显示为：VA1和VA2。这些向量具有代表相对反射系数的给定长度和代表相位的相对角。因为芯片12在ZR和ZT之间切换以将信号发送回阅读器系统30，所以反向散射信号是ZR、ZT和ZA的特性。由于以最小阈值或高于最小阈值的已知量操作标签10，ZR和ZT是已知的。当天线阻抗ZA被环境改变成ZAS时，产生两个新向量VAS1和VAS2，改变调制，从而改变反向散射。通过改变频率和功率使其高于最小阈值，以已知方式改变ZR和ZT，可完成复反向散射信号的一系列测量，使得ZAS的值得以确定。
图12图解用于测量从指示细菌存在的产品8排放的气体的实施方式。置于天线末端上的材料21是半透性塑料或泡沫，而且，它将吸附存在的任何硫化氢。因为H2S的相对介电常数为9，这将使天线阻抗ZA变为ZAS，其通过观察反向散射信号的变化而被遥测。
另一实施方式显示于图13中。在该实施方式中，另外的结构25被加入到天线的变换部分中。叉指式(inter-digital)结构25对由上面被极性液体诸如水湿润的区域引起的介电常数的变化作出反应，并改变ZR到ZRT和ZT到ZTT的变换，因而改变反向散射信号相位和幅度分量。
图14显示加载标签的检测区域的两种不同材料27、29的实施方式。两种材料27、29均吸收水蒸气，但加载偶极子末端的材料选择性地吸收硫化氢。两个检测区域被布置，以便在水蒸气存在的情况下，对调制反向散射信号的作用相比未暴露的天线是最小的，由此暴露于硫化氢的作用被最大化。
下面任意权利要求中的所有装置的相应结构、材料、作用和等同物以及功能元件均意图包括结合具体要求保护的其它权利要求要素执行功能的任何结构、材料或作用。本领域的技术人员将理解，对示例性实施方式的许多修改是可能的，而不背离本发明的范围。
另外，有可能利用公开的实施方式的一些特征而不相应地利用其它特征。因此，对示例性实施方式的上述描述被提供用于说明本发明原理的目的，而不是限制本发明，因为本领域的范围仅由所附权利要求书限定。

Claims (26)

1.RFID装置，包括：
微芯片；
可操作地连接于所述微芯片的天线，所述天线具有线性部分和阻抗变换部分，所述阻抗变换部分可操作地连接于所述微芯片和所述天线，其中所述阻抗变换部分包括导体材料环，所述导体材料环具有一对连接点，用以通过电磁场连接所述微芯片；
其中，改变所述RFID装置的至少一个组件的阻抗在阅读器装置处导致复反射信号，其代表接近所述RFID装置的被检测的材料的检测状态。
2.权利要求1所述的RFID装置，其中所述装置以特高频率运行。
3.权利要求1所述的RFID装置，其中所述装置在902-928MHz带中运行。
4.权利要求1-3任一项所述的RFID装置，其中所述RFID装置的组件的所述阻抗包括复阻抗。
5.权利要求1所述的RFID装置，其中所述被检测的材料包括施加于所述线性部分的分析物，并且改变的阻抗包括所述线性部分的阻抗。
6.权利要求1所述的RFID装置，其中所述被检测的材料是施加于所述阻抗变换部分的分析物，并且改变的阻抗包括所述阻抗变换部分的阻抗。
7.权利要求1所述的RFID装置，其中所述被检测的材料是施加于所述线性部分和所述阻抗变换部分两者的分析物，并且改变的阻抗包括所述线性部分的阻抗和所述阻抗变换部分的阻抗。
8.权利要求1所述的RFID装置，其中所述复反射信号包括幅度调制和相位调制的组合。
9.权利要求1所述的RFID装置，其中所述导体材料包括铜、铝和银中的任意一种。
10.权利要求1所述的RFID装置，其中所述天线的所述线性部分包括偶极子天线。
11.权利要求1所述的RFID装置，其中所述被检测的材料具有复介电常数，其响应环境因子而变化。
12.权利要求1所述的RFID装置，其中所述RFID装置附着于所述被检测的材料。
13.权利要求1所述的RFID装置，其中所述被检测的材料被施加于所述线性部分的特定区域。
14.权利要求1所述的RFID装置，其中所述被检测的材料被施加于所述线性部分的特定区域和所述阻抗变换部分。
15.权利要求1所述的RFID装置，其中第一种所述被检测的检测材料被施加于所述线性部分并且第二种所述被检测的材料被施加于所述阻抗变换部分。
16.RFID装置，包括：
微芯片；
组合结构，其可操作地连接于所述微芯片并包括天线部分和导体环，其中所述导体环包括至少一个连接点，用于通过电场连接所述微芯片与所述组合结构，使得所述导体环起阻抗变换部分的作用；
其中，加入到所述组合结构的环境敏感材料响应来自RFID阅读器的信号引起所述组合结构的阻抗的变化，导致在所述RFID阅读器处接收的复反射信号，其代表所述材料的检测状态。
17.权利要求16所述的RFID装置，其中所述导体环包括铜、铝和银中的任意一种。
18.权利要求16所述的RFID装置，其中所述天线部分包括偶极子天线。
19.权利要求16所述的RFID装置，其中所述RFID装置以902-928MHz之间的特高频率运行。
20.权利要求16所述的RFID装置，其中所述环境敏感材料包括分析物。
21.权利要求16所述的RFID装置，其中所述环境敏感材料包括一定浓度的干扰物。
22.权利要求16所述的RFID装置，其中所述环境敏感材料被施加于所述天线部分。
23.权利要求16所述的RFID装置，其中所述环境敏感材料被施加于所述导体环。
24.权利要求16所述的RFID装置，其中所述环境敏感材料被施加于所述导体环和所述天线部分。
25.权利要求16所述的RFID装置，其中所述天线部分和所述导体环由不同的环境敏感材料覆盖。
26.权利要求16所述的RFID装置，其中所述组合结构的所述阻抗的变化通过改变由所述阅读器传输的入射射频功率和测量反射信号的幅度调制和相位调制进行控制。
CN201280013843.4A 2011-01-18 2012-01-11 通过在不同频率和功率水平分析复反射反向散射来检测加载uhf rfid标签的材料的性质 Active CN103430193B (zh)

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