CN103418908A - 改性层形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种改性层形成方法，即使脉冲激光光线的聚光点位于被加工物的表面，也不会引起烧蚀。在该改性层形成方法中，使聚光点位于被加工物的内部，从预定的照射面照射相对于被加工物具有穿透性的波长的脉冲激光光线，由此在被加工物的内部形成期望的改性层，在被加工物的与照射面相邻的面位于脉冲激光光线的照射位置时，使脉冲激光光线的输出降低到无法加工被加工物的输出。

Description

改性层形成方法
技术领域
本发明涉及改性层形成方法，其使聚光点位于被加工物的内部，对被加工物照射相对于被加工物具有穿透性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内部形成改性层。
背景技术
实际应用有一种内部加工技术，其使聚光点位于被加工物的内部，对被加工物照射相对于被加工物具有穿透性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内部形成改性层而描绘出花纹、图形或文字，所述被加工物由透明或半透明体构成（例如，参照专利文献1）。
此外，实际应用有一种内部加工技术，其使聚光点位于晶片的内部，沿着分割预定线对硅晶片或蓝宝石晶片照射具有穿透性的波长的脉冲激光光线，来在硅晶片或蓝宝石晶片的内部沿着分割预定线形成作为分割起点的改性层，所述硅晶片或蓝宝石晶片在被格子状的分割预定线划分出的表面形成有IC、LSI、LED等多个器件（例如，参照专利文献2）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-76167号公报。
专利文献2：日本特许第3408805号公报。
然而，在上述内部加工技术中，存在以下问题：在脉冲激光光线的聚光点位于被加工物的表面时，会引起烧蚀（アブレーション）而妨碍内部加工的进行。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于提供一种改性层形成方法，即使脉冲激光光线的聚光点位于被加工物的表面，也不会引起烧蚀。
为了解决上述主要的技术课题，本发明提供了一种改性层形成方法，其对被加工物照射相对于被加工物具有穿透性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内部形成改性层，其特征在于，所述改性层形成方法具备：改性层形成步骤，在该改性层形成步骤中，在使聚光点位于被加工物的内部的状态下，经由与脉冲激光光线的光路正交的照射面对被加工物照射脉冲激光光线，由此在被加工物的内部形成改性层；以及输出降低步骤，在该输出降低步骤中，在被加工物的与所述照射面相邻的面位于脉冲激光光线的照射位置时，使脉冲激光光线的输出降低到无法加工被加工物的输出。
输出降低步骤中的脉冲激光光线的输出包括零输出。
在本发明的改性层形成方法中，在被加工物的与脉冲激光光线的照射面相邻的面位于脉冲激光光线的照射位置的情况下，使脉冲激光光线的输出降低到无法加工被加工物的输出，因此，即使脉冲激光光线的聚光点位于与照射面相邻的面，也不会引起烧蚀。
附图说明
图1是用于实施本发明的改性层形成方法的激光加工装置的立体图。
图2是装备在图1所示的激光加工装置中的控制构件的结构框图。
图3是装备在图1所示的激光加工装置中的控制构件的结构框图。
图4的（a）是利用本发明的改性层形成方法加工的半导体晶片的立体图，（b）是放大示出该半导体晶片的主要部分的剖视图。
图5是示出将图4所示的半导体晶片粘贴于安装在环状框架的切割带的状态的立体图。
图6的（a）和（b）是示出将图4所示的半导体晶片保持在图1所示的激光加工装置的卡盘工作台的预定位置的状态下的坐标位置的关系的说明图。
图7的（a）和（b）是示出本发明的改性层形成方法的改性层形成工序的第1实施方式的说明图。
图8是示出利用本发明的改性层形成方法加工的被加工物安装于基片的表面的状态的立体图。
图9的（a）和（b）是示出本发明的改性层形成方法的改性层形成工序的第2实施方式的说明图。
标号说明
1：激光加工装置；
2：静止基座；
3：卡盘工作台机构；
36：卡盘工作台；
37：加工进给构件；
38：第1分度进给构件；
4：激光光线照射单元支承机构；
43：第2分度进给构件；
5：激光光线照射单元；
52：激光光线照射构件；
524：聚光器；
53：聚光点位置调整构件；
6：摄像构件；
7：控制构件；
10：半导体晶片；
F：环状框架；
T：切割带。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的改性层形成方法的优选的实施方式进行更为详细的说明。
图1示出了用于实施本发明的改性层形成方法的激光加工装置的立体图。图1所示的激光加工装置1具备：静止基座2；卡盘工作台机构3，其以能够沿由箭头X示出的加工进给方向（X轴方向）移动的方式配设于该静止基座2，并用于保持被加工物；激光光线照射单元支承机构4，其以能够沿与X轴方向正交的、由箭头Y示出的分度进给方向（Y轴方向）移动的方式配设于静止基座2；以及激光光线照射单元5，其以能够沿由箭头Z示出的聚光点位置调整方向（Z轴方向）移动的方式配设于该激光光线照射单元支承机构4。
上述卡盘工作台机构3具备：一对引导轨31、31，它们沿X轴方向平行地配设在静止基座2上；第1滑动块32，其以能够沿X轴方向移动的方式配设在该引导轨31、31上；第2滑动块33，其以能够沿Y轴方向移动的方式配设在该第1滑动块32上；罩工作台35，其被圆筒部件34支承在该第2滑动块33上；以及卡盘工作台36，其作为被加工物保持构件。该卡盘工作台36具备由多孔性材料形成的吸附卡盘361，作为被加工物的例如圆盘状的半导体晶片被未图示的吸引构件保持在吸附卡盘361上。借助配设在圆筒部件34内的未图示的脉冲电动机使这样构成的卡盘工作台36旋转。此外，在卡盘工作台36配设有用于固定后述的环状框架的夹紧器362。
在所述第1滑动块32的下表面设置有一对被引导槽321、321，所述被引导槽321、321与所述一对引导轨31、31嵌合，并且在所述第1滑动块32的上表面设置有沿Y轴方向平行地形成的一对引导轨322、322。以这种方式构成的第1滑动块32构成为，通过被引导槽321、321与一对引导轨31、31嵌合而使第1滑动块32能够沿一对引导轨31、31在X轴方向移动。图示的实施方式的卡盘工作台机构3具备加工进给构件37，该加工进给构件37用于使第1滑动块32沿一对引导轨31、31在X轴方向移动。该加工进给构件37包括外螺纹杆371和脉冲电动机372等驱动源，所述外螺纹杆371以与所述一对引导轨31、31平行的方式配设在这一对引导轨31、31之间，所述脉冲电动机372等驱动源用于驱动该外螺纹杆371旋转。外螺纹杆371的一端被轴支承块373支承为旋转自如，所述轴支承块373固定于所述静止基座2，所述外螺纹杆371的另一端与所述脉冲电动机372的输出轴传动连结。此外，外螺纹杆371与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合，所述未图示的内螺纹块突出设置在第1滑动块32的中央部下表面。因此，借助脉冲电动机372对外螺纹杆371进行正转和反转驱动，由此使第1滑动块32沿引导轨31、31在X轴方向移动。
激光加工装置1具备X轴方向位置检测构件374，X轴方向位置检测构件374用于检测出所述卡盘工作台36的加工进给量即X轴方向位置。该X轴方向位置检测构件374由线性标度374a和读取头374b构成，线性标度374a沿引导轨31配设，读取头374b配设于第1滑动块32，并与第1滑动块32一起沿线性标度374a移动。在图示的实施方式中，该X轴方向位置检测构件374的读取头374b每隔1μm将一个脉冲的脉冲信号输送到后述的控制构件。并且，后述的控制构件通过对输入的脉冲信号进行计数，来检测出卡盘工作台36的加工进给量即X轴方向位置。此外，在使用脉冲电动机372作为所述加工进给构件37的驱动源时，通过对向脉冲电动机372输出脉冲信号的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数，也能够检测出卡盘工作台36的加工进给量即X轴方向位置。
所述第2滑动块33构成为，在其下表面设置有一对被引导槽331、331，所述一对被引导槽331、331与设置在所述第1滑动块32的上表面的一对引导轨322、322嵌合，通过使所述被引导槽331、331与一对引导轨322、322嵌合，所述第2滑动块33能够沿Y轴方向移动。卡盘工作台机构3具备第1分度进给构件38，该第1分度进给构件38用于使第2滑动块33沿着设置于第1滑动块32的一对引导轨322、322在Y轴方向移动。该第1分度进给构件38包括外螺纹杆381和脉冲电动机382等驱动源，所述外螺纹杆381以与所述一对引导轨322、322平行的方式配设在这一对引导轨322、322之间，所述脉冲电动机382等驱动源用于驱动该外螺纹杆381旋转。外螺纹杆381的一端被轴支承块383支承为旋转自如，所述轴支承块383固定于所述第1滑动块32的上表面，所述外螺纹杆381的另一端与所述脉冲电动机382的输出轴传动连结。此外，外螺纹杆381与形成于未图示的内螺纹块的贯通内螺纹孔螺合，所述未图示的内螺纹块突出设置在第2滑动块33的中央部下表面。因此，借助脉冲电动机382对外螺纹杆381进行正转和反转驱动，由此使第2滑动块33沿引导轨322、322在Y轴方向移动。
激光加工装置1具备Y轴方向位置检测构件384，Y轴方向位置检测构件384用于检测出所述第2滑动块33的分度加工进给量即Y轴方向位置。该Y轴方向位置检测构件384由线性标度384a和读取头384b构成，线性标度384a沿引导轨322配设，读取头384b配设于第2滑动块33，并与第2滑动块33一起沿线性标度384a移动。在图示的实施方式中，该Y轴方向位置检测构件384的读取头384b每隔1μm将一个脉冲的脉冲信号输送到后述的控制构件。并且，后述的控制构件通过对输入的脉冲信号进行计数，来检测出卡盘工作台36的分度进给量即Y轴方向位置。此外，在使用脉冲电动机382作为所述第1分度进给构件38的驱动源时，通过对向脉冲电动机382输出脉冲信号的后述的控制构件的驱动脉冲进行计数，也能够检测出卡盘工作台36的分度进给量即Y轴方向位置。
所述激光光线照射单元支承机构4具备可动支承基座42和一对引导轨41、41，所述引导轨41、41沿Y轴方向平行地配设在静止基座2上，所述可动支承基座42以能够沿由箭头Y示出的方向移动的方式配设在所述引导轨41、41上。该可动支承基座42由移动支承部421和安装部422构成，所述移动支承部421以能够移动的方式配设在引导轨41、41上，安装部422安装于该移动支承部421。安装部422在一侧面平行地设置有沿Z轴方向延伸的一对引导轨423、423。激光光线照射单元支承机构4具备第2分度进给构件43，该第2分度进给构件43用于使可动支承基座42沿着一对引导轨41、41在Y轴方向移动。该第2分度进给构件43包括外螺纹杆431和脉冲电动机432等驱动源，所述外螺纹杆431以与所述一对引导轨41、41平行的方式配设在这一对引导轨41、41之间，所述脉冲电动机432等驱动源用于驱动该外螺纹杆431旋转。外螺纹杆431的一端被未图示的轴支承块支承为旋转自如，所述轴支承块固定于所述静止基座2，所述外螺纹杆431的另一端与所述脉冲电动机432的输出轴传动连结。此外，外螺纹杆431与形成于未图示的内螺纹块的内螺纹孔螺合，所述未图示的内螺纹块突出设置在构成可动支承基座42的移动支承部421的中央部下表面。因此，借助脉冲电动机432对外螺纹杆431进行正转和反转驱动，由此使可动支承基座42沿引导轨41、41在Y轴方向移动。
激光光线照射单元5具备单元支架51和激光光线照射构件52，激光光线照射构件52安装于该单元支架51。单元支架51设置有一对被引导槽511、511，所述被引导槽511、511以能够滑动的方式与设置于所述安装部422的一对引导轨423、423嵌合，通过将所述被引导槽511、511嵌合于所述引导轨423、423，来将单元支架51支承为能够沿Z轴方向移动。
激光光线照射单元5具备聚光点位置调整构件53，该聚光点位置调整构件53用于使单元支架51沿着一对引导轨423、423在Z轴方向移动。聚光点位置调整构件53包括外螺纹杆（未图示）和脉冲电动机532等驱动源，所述外螺纹杆配设在一对引导轨423、423之间，所述脉冲电动机532等驱动源用于驱动该外螺纹杆旋转，借助脉冲电动机532对未图示的外螺纹杆进行正转和反转驱动，由此使单元支架51和激光光线照射构件52沿引导轨423、423在Z轴方向移动。此外，在图示的实施方式中，通过脉冲电动机532的正转驱动使激光光线照射构件52向上方移动，通过脉冲电动机532的反转驱动使激光光线照射构件52向下方移动。
激光光线照射单元5具备Z轴方向位置检测构件54，Z轴方向位置检测构件54用于检测出激光光线照射构件52的Z轴方向位置。Z轴方向位置检测构件54由线性标度54a和读取头54b构成，线性标度54a与所述引导轨423、423平行地配设，读取头54b安装于所述单元支架51，并与单元支架51一起沿线性标度54a移动。在图示的实施方式中，该Z轴方向位置检测构件54的读取头54b每隔0.1μm将一个脉冲的脉冲信号输送到后述的控制构件。
激光光线照射构件52包括圆筒形状的壳体521，该壳体521固定于所述单元支架51，并实际上沿水平延伸。参照图2对该激光光线照射构件52进行说明。激光光线照射构件52具备：脉冲激光光线振荡构件522，其配设在所述壳体521内；输出调整构件523，其对由该脉冲激光光线振荡构件522振荡出的脉冲激光光线的输出进行调整；以及聚光器524，其使利用该输出调整构件523调整了输出的脉冲激光光线照射于被加工物W，所述被加工物W保持在所述卡盘工作台36的保持面。
所述脉冲激光光线振荡构件522由脉冲激光光线振荡器522a和重复频率设定构件522b构成，所述脉冲激光光线振荡器522a用于振荡出脉冲激光光线，所述重复频率设定构件522b用于设定脉冲激光光线振荡器522a振荡出的脉冲激光光线的重复频率。所述输出调整构件523将由脉冲激光光线振荡构件522振荡出的脉冲激光光线的输出调整为预定的输出。通过未图示的后述的控制构件对所述输出调整构件523以及脉冲激光光线振荡构件522的脉冲激光光线振荡器522a和重复频率设定构件522b进行控制。
所述聚光器524具备方向变换镜524a和聚光透镜524b，所述方向变换镜524a用于对由脉冲激光光线振荡构件522振荡出并利用输出调整构件523调整了输出的脉冲激光光线朝向卡盘工作台36的保持面进行方向变换，所述聚光透镜524b用于使利用该方向变换镜524a变换了方向的脉冲激光光线聚光并照射到保持在卡盘工作台36的被加工物W。如图1所示，这样构成的聚光器524安装于壳体521的末端。
回到图1继续进行说明，在构成所述激光光线照射构件52的壳体521的末端部配设有摄像构件6，所述摄像构件6用于检测出需要利用激光光线照射构件52进行激光加工的加工区域。该摄像构件6除利用可见光线进行摄像的通常的摄像元件（CCD：Charge-Coupled Device（电荷耦合器件））以外，还由以下部分等构成：红外线照明构件，其用于对被加工物照射红外线；光学系统，其用于捕捉由该红外线照明构件照射的红外线；以及摄像元件（红外线CCD），其用于输出与被该光学系统捕捉到的红外线相对应的电信号，该摄像构件6将摄像得到的图像信号输送到后述的控制构件。
激光加工装置1具备图3所示的控制构件7。控制构件7由计算机构成，其具备：中央处理装置（CPU）71，其根据控制程序进行运算处理；只读存储器（ROM：ReadOnly Memory）72，其用于存储控制程序等；可读写的随机存储器（RAM：RandomAccess Memory）73，其用于存储后述的被加工物的设计值的数据和运算结果等；计数器74；以及输入接口75和输出接口76。向控制构件7的输入接口75输入来自所述X轴方向位置检测构件374、Y轴方向位置检测构件384、Z轴方向位置检测构件54以及摄像构件6等的检测信号。并且，从控制构件7的输出接口76向所述脉冲电动机372、脉冲电动机382、脉冲电动机432、脉冲电动机532、输出调整构件523以及激光光线照射构件52的脉冲激光光线振荡器522a和重复频率设定构件522b等输出控制信号。
接着，对使用上述激光加工装置1实施的改性层形成方法的第1实施方式进行说明。在图4的（a）和（b）中示出了作为被加工物的半导体晶片的立体图和放大示出了半导体晶片的主要部分的剖视图。图4的（a）和（b）示出的半导体晶片10在例如厚度为200μm的硅基板的表面10a呈格子状地排列有多条间隔道11，并且在被该多条间隔道11划分出的多个区域形成有IC、LSI等器件12。为了防止外周端部因意外受到的冲击而发生破裂或破碎，如此形成的半导体晶片10在外周部从表面10a到背面10b实施了倒角而形成有圆弧面10c。
如图5所示，将上述图4所示的半导体晶片10的表面10a粘贴在安装于环状框架F的切割带T的表面（晶片粘贴工序）。因此，粘贴于切割带T的表面的半导体晶片10以背面10b为上侧。
在实施了上述的晶片粘贴工序之后，将半导体晶片10的切割带T侧载置于图1所示的激光加工装置1的卡盘工作台36上。并且，通过使未图示的吸引构件工作，来经由切割带T将半导体晶片10吸引保持在卡盘工作台36上（晶片保持工序）。因此，保持在卡盘工作台36的半导体晶片10以背面10b为上侧。
利用加工进给构件37使以上述方式吸引保持了半导体晶片10的卡盘工作台36位于摄像构件6的正下方。这样，当卡盘工作台36位于摄像构件6的正下方时，利用摄像构件6和控制构件7实行校准作业，该校准作业用于检测出半导体晶片10需要进行激光加工的加工区域。即，摄像构件6和控制构件7实行图案匹配等图像处理，以完成激光光线照射位置的校准，该图案匹配用于对聚光器524与沿半导体晶片10的预定方向形成的间隔道11进行位置对准，所述聚光器524构成了用于沿间隔道11照射激光光线的激光光线照射构件52。此外，对形成于半导体晶片10的、沿相对于所述预定方向正交的方向延伸的间隔道11也同样完成激光光线照射位置的校准。此时，半导体晶片10的形成有间隔道11的表面10a位于下侧，但由于摄像构件6像上述那样具备由红外线照明构件、用于捕捉红外线的光学系统、以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件（红外线CCD）等构成的摄像构件，因此，能够透过背面10b对间隔道11进行摄像。
在像上述那样进行了校准后，卡盘工作台36上的半导体晶片10成为位于图6的（a）所示的坐标位置的状态。此外，图6的（b）示出了将卡盘工作台36即半导体晶片10从图6的（a）所示的状态旋转了90度的状态。
此外，关于在位于图6的（a）和图6的（b）所示的坐标位置的状态下的半导体晶片10上形成的各间隔道11的进给开始位置坐标值（A1、A2、A3......An）、进给终止位置坐标值（B1、B2、B3......Bn）以及进给开始位置坐标值（C1、C2、C3......Cn）、进给终止位置坐标值（D1、D2、D3......Dn），将它们的设计值的数据存储在控制构件7的随机存储器（RAM）73中。这些进给开始位置坐标值（A1、A2、A3......An）、进给终止位置坐标值（B1、B2、B3......Bn）以及进给开始位置坐标值（C1、C2、C3......Cn）、进给终止位置坐标值（D1、D2、D3......Dn）设定在半导体晶片10中的作为脉冲激光光线的照射面的背面10b和相邻的圆弧面10c之间的边界处。
在以上述方式实施校准工序后，移动卡盘工作台36而使图6的（a）中的最上方的间隔道11位于激光光线照射构件52的聚光器524的正下方，所述激光光线照射构件52构成了激光光线照射单元5。并且，进一步像图7的（a）示出的那样，使间隔道11的进给开始位置坐标值（A1）位于聚光器524的正下方。并且，使聚光点位置调整构件53工作，以使从聚光器524照射的激光光线的聚光点P对准半导体晶片10的厚度方向中间部。接着，从激光光线照射构件52的聚光器524对构成半导体晶片10的硅基板照射相对于硅基板具有穿透性的波长的脉冲激光光线，并使卡盘工作台36以预定的加工进给速度沿图7的（a）中的箭头X1示出的加工进给方向移动。并且，如图7的（b）所示，在间隔道11的进给终止位置坐标值（B1）到达激光光线照射构件52的聚光器524的照射位置时，控制构件7对输出调整构件523输出控制信号，以降低由脉冲激光光线振荡构件522振荡出的脉冲激光光线的输出。该输出是无法加工作为被加工物的半导体晶片10的输出，包括零输出。因此，即使卡盘工作台36沿箭头X1示出的方向移动、作为半导体晶片10的外周部的圆弧面10c通过作为聚光器524的正下方的脉冲激光光线的照射位置、并且脉冲激光光线的聚光点位于圆弧面10c，也不会引起烧蚀。其结果是，如图7的（b）所示，在半导体晶片10的内部，在圆弧面10c的内侧的范围内沿着间隔道11形成有恰当的改性层100。
例如以下述方式设定上述改性层形成工序的加工条件。
光源：半导体激励固体脉冲激光器（Nd：YAG）
波长：1064nm
重复频率：100kHz
平均输出：0.2W
聚光点直径：
Figure BDA00003205912300101
加工进给速度：100mm/秒
在像以上那样沿着在半导体晶片10的第1方向延伸的全部的间隔道11实施了上述改性层形成工序后，使卡盘工作台36旋转90度，沿着在相对于所述第1方向正交的第2方向形成的各间隔道11实施上述改性层形成工序。并且，将实施过改性层形成工序的半导体晶片10搬送到分割工序，在分割工序中，沿着在内部形成有改性层100的间隔道11进行分割。
接着，对使用上述的激光加工装置1实施的改性层形成方法的第2实施方式进行说明。在图8示出了通过蜡将由玻璃形成为四棱台形的被加工物20安装在基片21的表面的立体图。被加工物20具备：正方形的下表面201；比该下表面201小的正方形的上表面202；以及分别将下表面201和上表面202各自的4条边连接起来的4个倾斜侧面203、203、203、203。
为了在所述被加工物20的内部形成改性层以形成预定的图案，将安装有被加工物20的基片21载置在图1所示的激光加工装置1的卡盘工作台36上。并且，通过使未图示的吸引构件工作，来经由基片21将被加工物20吸引保持在卡盘工作台36上（被加工物保持工序）。
利用加工进给构件37使以上述方式吸引保持了被加工物20的卡盘工作台36位于摄像构件6的正下方。接着，摄像构件6对图8所示的被加工物20的上表面202的4个角E1、E2、E3、E4中的E1和E2进行摄像，并将摄像得到的图像信号输送到控制构件7。并且，控制构件7根据由摄像构件6输送来的图像信号，检验连接E1和E2的边是否与X轴方向平行。如果连接E1和E2的边不与X轴方向平行，则转动卡盘工作台36，以将连接E1和E2的边调整为与X轴方向平行。并且，再次对被加工物20的上表面202的4个角E1、E2、E3、E4进行摄像，并将摄像得到的图像信号输送到控制构件7。并且，控制构件7根据由摄像构件6送来的图像信号，求出4个角E1、E2、E3、E4的坐标值，并将该坐标值存储在随机存储器（RAM）73中（校准工序）。
在实施了上述校准工序后，使加工进给构件37和第1分度进给构件38工作从而移动卡盘工作台36，如图9的（a）所示，使保持在卡盘工作台36的被加工物20的上表面202位于聚光器524的正下方。并且，使聚光点位置调整构件53工作，使从聚光器524照射的激光光线的聚光点P对准被加工物20的内部的预定位置。接着，使激光光线照射构件52工作，从聚光器524自作为照射面的上表面202对被加工物20照射相对于被加工物20具有穿透性的波长的脉冲激光光线，并使卡盘工作台36根据设定的程序沿X轴方向和Y轴方向移动，同时使聚光点位置调整构件53工作以使聚光点位置根据设定的程序移动（改性层形成工序）。此时，如图9的（b）所示，在由于任何扫描错误导致与作为照射面的上表面202相邻的倾斜侧面203位于作为聚光器524的正下方的脉冲激光光线的照射位置时，控制构件7在脉冲激光光线的照射位置超过所述E2的时刻对输出调整构件523输出控制信号，以降低由脉冲激光光线振荡构件522振荡出的脉冲激光光线的输出。该输出是无法加工被加工物20的输出，包括零输出。因此，即使脉冲激光光线的聚光点位于倾斜侧面203，也不会引起烧蚀。其结果是，如图9的（b）所示，通过透过作为照射面的上表面202照射的脉冲激光光线，而在被加工物20的内部形成了由改性层构成的预定的图案200。

Claims (2)

1.一种改性层形成方法，其对被加工物照射相对于被加工物具有穿透性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内部形成改性层，其特征在于，所述改性层形成方法具备：
改性层形成步骤，在该改性层形成步骤中，在使聚光点位于被加工物的内部的状态下，经由与脉冲激光光线的光路正交的照射面对被加工物照射脉冲激光光线，由此在被加工物的内部形成改性层；以及
输出降低步骤，在该输出降低步骤中，在被加工物的与所述照射面相邻的面位于脉冲激光光线的照射位置时，使脉冲激光光线的输出降低到无法加工被加工物的输出。
2.根据权利要求1所述的改性层形成方法，其中，
所述输出降低步骤中的输出包括零输出。
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