CN103376424A - 偏置场产生装置、传感器模块及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 157
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 26
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000000306 component Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000002445 nipple Anatomy 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001021 Ferroalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFCWKPUNMWPHLM-UHFFFAOYSA-N [Si].[B].[Fe] Chemical compound [Si].[B].[Fe] NFCWKPUNMWPHLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/02—Permanent magnets [PM]
- H01F7/0273—Magnetic circuits with PM for magnetic field generation
- H01F7/0294—Detection, inspection, magnetic treatment
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0011—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables comprising means, e.g. flux concentrators, flux guides, for guiding or concentrating the magnetic flux, e.g. to the magnetic sensor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0017—Means for compensating offset magnetic fields or the magnetic flux to be measured; Means for generating calibration magnetic fields
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
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Abstract
本发明提供一种偏置场产生装置、传感器模块及其制造方法。偏置场产生装置包括偏置场产生器，偏置场产生器可以提供用于磁性传感器的磁性偏置场。偏置场产生器包括具有磁性材料或者可磁化材料的本体。本体中形成有凹部。凹部适于磁性传感器的封装。
Description
技术领域
本发明总体上涉及偏置场产生器。特别地，本发明涉及一种用于磁性传感器的背偏置（back bias，反偏置）磁体。
背景技术
磁性传感器能够检测磁场或者磁场的变化。用在磁阻传感器中的磁阻效应包括但不限于GMR（巨磁阻（Giant Mangnetoresistance））、AMR（各向异性磁阻（Anisotropic Magnetoresistance））、TMR（磁隧道效应（MagnetoTunnel Effect））、CMR（庞磁阻（Colossal Magnetoresistance））。另一种类型的磁性传感器基于霍尔效应。磁性传感器例如被用来检测运动中的或者旋转中的物体的位置、旋转中的物体的速度或者转动速度等。它们可以被用在汽车应用中。
在一些应用中，诸如例如用于物体的转动速度的检测，偏置场被施加到磁性传感器上以避免饱和。典型的实例包括例如背偏置磁体装置。在背偏置磁体装置中，磁性传感器被设置在将被检测的物体与偏置磁体之间。
发明内容
在一实施例中，凹部被设置在包括磁性材料或者可磁化材料的本体中。该本体是磁性偏置场产生器的一部分。凹部适于磁性传感器的封装。磁性传感器可以被保持在凹部中，从而使得容易提供背偏置磁体装置。
附图说明
附图被包括以提供对实施例的进一步的理解，并且附图被合并到说明书中且构成说明书的一部分。附示出出了实施例并且与说明书一起用来解释实施例的原理。其它的实施例和实施例的许多预期优点将被容易地认识到，因为参考下列的详细描述它们会变得更好理解。附图的元件不必然是相对于彼此成比例的。相同的参考标号表示相应的类似部件。
图1A示意性地示出了偏置场产生器的实施例的横截面视图，并且图1B示意性地示出了被封装的磁性传感器的横截面视图；
图2示意性地示出了根据图1A和1B的实施例的横截面视图，其中被封装的磁性传感器被插入在凹部中；
图3以立体图示意性地示出了偏置场产生器的实施例；
图4以立体图示意性地示出了偏置场产生器的实施例；
图5以立体图示意性地示出了偏置场产生器的实施例；
图6以立体图示意性地示出了被封装的磁性传感器的实施例；
图7以立体图示意性地示出了偏置场产生器的实施例，其中被封装的磁性传感器被插入在凹部中；
图8以立体图示意性地示出了偏置场产生器的实施例，其中被封装的磁性传感器被插入在凹部中；
图9示意性地示出了偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图10示意性地示出了偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图11示意性地示出了包括腔体的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图12示意性地示出了包括腔体的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图13示意性地示出了包括磁通控制器的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图14示意性地示出了包括磁通控制器的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图15示意性地示出了包括两个磁体部分的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图16示意性地示出了包括两个磁体部分的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图17示意性地示出了包括两个磁体部分的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图18示意性地示出了包括两个磁体部分的偏置场产生器的实施例的横截面视图；
图19示意性地示出了作为示例性实施例的方法；以及
图20示意性地示出了作为示例性实施例的方法。
具体实施方式
在下列的详细描述中，参考了附图，附图形成了该详细描述的一部分，并且在附图中通过可实践本发明的说明性具体实施例的方式示出。在这点上，比如“顶部”、“底部”、“前部”、“后部”、“头部”、“尾部”等的方向术语参考正在被描述的图中的方向使用。因为实施例的部件可以被定位在许多不同的方向，所以方向术语被用于示意的目的而绝不是用于限制。将理解的是，在不偏离本发明的范围的情况下可以使用其它的实施例并且可以做出结构或者逻辑变化。因此，下列的详细描述不是被以限制性的意义采用，并且本发明的范围由后附的权利要求定义。
图1A示意性地示出了装置1的横截面视图，该装置可以是例如运动探测器或者接近探测器。图1B还示意性地示出了被封装的磁性传感器5的横截面视图。
装置1包括偏置场产生器2。偏置场产生器2提供了用于磁性传感器的磁性偏置场。在示出的实施例中，偏置场产生器2由包括磁性或者可磁化材料的本体形成。
磁性材料可以包括永磁性材料，比如硬磁材料。硬磁材料可以被认为是铁磁性的并且具有大于2,000奥斯特（Oersted）的高矫顽磁性。例如，包括由钕、铁和硼制成的合金NdFeB的钕磁体可以具有在大约10,000-12,000奥斯特的矫顽磁性。硬磁材料可以包括例如金属铁、钴、镍或者可能包括上面提到的金属作为组分的化合物和合金中的一个或多个。可磁化材料可以包括软磁材料。软磁材料被认为是铁磁性的并且具有小于1,000奥斯特的矫顽磁性。例如，钴具有大约2奥斯特的矫顽磁性。软磁材料可以包括例如镍、铁、铁-镍合金、硅-铁合金、铁-硅-硼合金或者铁-钴合金。替换地，材料可以是具有软磁性质的其它材料。
本体2构成用于提供用于传感器的磁性偏置场的偏置磁体。在一些实施例中，本体是包括由硬磁材料和/或软磁材料形成的多个部分的复合本体。
在本体2中，形成有凹部3。凹部3适于被封装的传感器5以便提供用于被封装的传感器的保持部（holder，保持器）。在示出在图1A和1B中的横截面中，凹部3可以具有宽度4，该宽度对应于被封装的磁性传感器5的宽度8。
被封装的磁性传感器5可以包括一个或多个磁性传感器6和密封磁性传感器6的封装7。磁性传感器6可以使用磁阻效应GMR（巨磁阻）、AMR（各向异性磁阻）、TMR（磁隧道效应）、CMR（庞磁阻）中的一个。磁性传感器6也可以使用霍尔效应。无论磁性传感器6使用什么效应，它都适于检测磁场。
磁性传感器6可以包括半导体芯片，半导体芯片具有被设置于其上的至少一个磁阻或者霍尔传感器元件。磁性传感器6可以具有被包含的集成电路。磁阻传感元件可以是GMR、TMR、CMR、AMR元件或者任何其它形式的磁阻传感器元件。磁阻传感器可以具有被设置在梯度计装置中的两个传感元件。封装7可以包括多个半导体芯片。半导体芯片可以是不同类型的，可以通过不同的技术制造，并且可以包括例如集成的电气的、电-光的或者电-机的回路或者无源部件。集成电路可以例如被设计为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储电路或者集成的无源部件。嵌入有这种功能元件的半导体芯片通常包含起驱动功能元件或者进一步地处理由功能元件产生的信号的作用的电子电路。半导体芯片不需要由特殊的半导体材料制造，例如Si、SiC、SiGe、GaAs，并且此外可以包含不是半导体的无机和/或有机材料，比如，例如离散无源部件、绝缘体、塑料或者金属。
磁性传感器或半导体芯片可以具有接触垫（或者电极），该接触垫（或者电极）允许电接触通过被包括在半导体芯片中的集成电路形成。一个或多个金属层可以被施加于半导体芯片的接触垫上。金属层可以通过任何期望的几何形状和任何期望的材料组分制造。金属层可以例如是以覆盖一区域的层的形式。任何期望的金属或者金属合金（例如，铝、钛、金、银、铜、钯、铂、镍、铬或者镍钒）可以被用作所述材料。金属层不需要是同质的或者不需要仅仅由一种材料制成，也就是说，被包含金属层中的材料的各种组分和浓度均是可能的。接触垫可以位于半导体芯片的活性主面上或者位于半导体芯片的其它面上。
封装7可以用密封材料覆盖磁性传感器6和一个或多个半导体芯片，该密封材料可以是电绝缘的。密封材料可以是任何合适的层压（半固化）或者热塑性或者热固性材料。密封材料可以例如是模制材料，该模制材料可以基于环氧树脂材料，并且可以包含包括小玻璃粒子（SiO2）或者像Al2O3的其它电绝缘矿物填充材料或者有机填充材料的填充材料。各种技术均可以被使用以用模制材料覆盖半导体芯片，例如，压缩模制、注射模制、粉末模制、液体模制和转印模制。
磁性传感器和/或半导体芯片包括外部接触元件或者外部接触垫，其可以是任何形状和尺寸。外部接触元件可以是从被封装的磁性传感器5外部可接近的（可到达的，accessible），并且因此可以允许电接触从被封装的磁性传感器外部通过半导体芯片形成。而且，外部接触元件可以是热传导的，并且可以用作用于散发由半导体芯片产生的热的散热器。外部接触元件可以由任何期望的导电材料组成，例如，由诸如铜、铝或者金的金属、金属合金或者导电有机材料组成。焊接材料（比如焊球或者焊盘）可以被沉积在外部接触元件上。接触元件未示出在图1A和1B中。以实例的方式，在这里描述的这个实施例和其它实施例中，宽度4可以近似与宽度8相同。
在图1A和1B示出的实施例中，封装7的横截面是六边形。两个相对的角之间的最长距离由宽度8给出。宽度8是封装7的外部尺寸。磁体2的凹部3的宽度4适应于宽度8，使得被封装的磁性传感器5被保持在凹部3中。
图2示意性地示出了装置1的横截面视图，其中被封装的磁性传感器5被插入在凹部3中。封装7可以抵接在形成凹部3的邻接部（border，接界部）的两个相对侧壁9和10的接触点12和13处。此外，封装7可以抵接凹部3的底部11。被插入容纳的磁性传感器5被本体2保持。通过插入被容纳的磁性传感器5，传感器模块被形成为包括背偏置磁性传感器，即，包括被设置在磁性偏置场中的磁性传感器，例如使得磁性传感器将不会饱和。传感器模块可以被设置在传感器模块壳体中。
凹部3可以被以形状配合的方式适应于被封装的磁性传感器5，并且在插入被封装的传感器之后，不需要其它的保持部。在这种情况下，该保持可以通过保持力提供，所述保持力可以例如由本体2的材料和/或壳体7的材料的弹性导致。在实施例中，该保持可以包括将被封装的传感器5胶接到本体2。在实施例中，该保持可以包括添加机械保持部14，该机械保持部可以在本体2和封装7的至少一部分上方延伸。机械保持部14可以包括允许容易的附接的弹性或者保持部分。
图3以立体图中示出了包括磁性或者可磁化材料的本体20的实施例，本体20提供磁性偏置场。适应于被封装的磁性传感器或者壳体7的外部尺寸的凹部30由两个相对的突出部15和16形成。突出部15、16可以以形状配合的方式保持被封装的磁性传感器。
图4是包括磁性或者可磁化材料的本体21的实施例的立体图，本体21提供磁性偏置场。换句话说，本体21构成偏置磁体。适应于被封装的磁性传感器的外部尺寸的凹部31由凹槽（凹口，notch）31形成。被封装的磁性传感器可以被插入在凹槽31中。凹槽31的宽度w适于磁性传感器的封装，以便保持该封装在位。传统地，必须提供单独的保持部来用于具有背偏置磁性传感器的传感器模块的组装。通过产生偏置场的凹部（例如，设置在本体中的凹槽），可省去单独的保持部。
图5是包括磁性或者可磁化材料的本体22的实施例的立体图，本体22提供磁性偏置场。本体22的形状形成为提供凹部或者凹槽32，该凹部或者凹槽32适于或者匹配被容纳或者被封装的磁性传感器50。被封装的磁性传感器50以立体图示出在图6中。凹槽32具有底部表面40。本体22的界定或者限定凹槽32的第一表面由第一区域41和第二区域42形成。第一区域41邻近底部表面40，并且第二区域42邻近第一区域41。第一区域41和第二区域42一起形成用于凹槽32的基本上凸出的或者悬突的邻接部。本体22的界定或者限定凹槽32的第二表面由第三区域43和第四区域44形成。第三区域43邻近底部表面40，并且第四区域44邻近第三区域43。第三区域43和第四区域44一起形成用于凹槽32的基本上凸出的邻接部。在如图5中示出的正交坐标系中，第一和第二表面在x方向界定或者限定了凹槽32。凹槽32沿着y方向延伸。通常，被封装的磁性传感器50可以具有与x-z平面相交的多于n个（外）表面，其中n为任何大于2的整数。
被封装的磁性传感器50包括第一封装表面51和第二封装表面52。本体22的第一区域41和第二区域42适于或者匹配第一和第二封装表面51和52。两个表面51和52及相应的两个区域41和42围成彼此相同的角度，并且它们具有近似相同的宽度。被封装的磁性传感器50还包括第三封装表面53、第四封装表面54、第五封装表面55和第六封装表面56。本体22的第三区域43和第四表面44适于或者匹配第四和第五封装表面54和55。两个表面54和55及相应的两个区域43和44围成彼此相同的角度，并且它们具有近似相同的宽度。它们彼此适应或者匹配。本体22的底部表面40适于被封装的磁性传感器50的第六封装表面56，即，它们具有近似相同的宽度。换句话说，凹槽32的在x-z平面中的横截面与被封装的磁性传感器50的在x-z平面中的横截面相同。被封装的磁性传感器50还包括第七表面57和第八表面58。提供通向被密封的磁性传感器或/和被密封的半导体芯片的电接触的外部接触元件61、62、63和64穿过第八封装表面58。在实施例中，示出四个外部接触元件61、62、63和64。但是，根据被密封的磁性传感器的种类，任何数量的外部接触元件均是可能的。
图7示出了传感器模块70，该传感器模块包括如图6示出的被封装的磁性传感器50和如图5示出的本体22。被封装的磁性传感器50沿着y方向被插入（例如被推入或者被压入）凹槽32中。在x方向上，传感器50被保持在第一表面41、42和第二表面43、44之间。在z方向，由于第一和第二表面的凸出的形状，传感器通过底部表面40以及第二区域42和第四区域44保持。仅仅在y方向上需要另外的保持部。外部接触元件61、62、63和64伸出本体22之外，并且可以通过传统的方法接触。
虽然本体22被基本上表示为长方体，但是这不应被理解为限制性的。适于提供期望的磁性偏置场的本体22的任何外形也是可以的。
图8示出了传感器模块的进一步实施例。包括磁性或者可磁化材料的本体23提供磁性偏置场。本体23是偏置磁体或者偏置场产生器。本体23包括凹槽32，该凹槽形成为如参考图6所描述的。本体23与本体22的不同之处至少在于，凹槽32没有从本体23的一个端部延伸到另一个端部，而是在y方向上在一个端部处是封闭的。被插入在凹槽32中的被封装的磁性传感器50可以通过第七封装表面57抵接本体23，所述第七封装表面与外部接触元件61、62、63和64可穿过的第八封装表面58相对。传感器50可以通过六个封装表面51、52、54、55、56和57抵接本体23并且被更稳固地保持。
在下文中，将参考图9至18描述进一步的实施例，其中图9至18都示出了包括用于提供磁性偏置场的磁性和可磁化材料的不同本体的横截面。所有本体提供了用于被封装的磁性传感器的保持部，其中，例如，装的横截面（本体适于该横截面）是大体上八边形（或者，更一般地，是具有多于n个与x-z平面相交的表面的多边形，其中n为大于6的整数）。因此图9至18的封装与示出在图6中的封装的不同在于（外）封装表面的数量。本发明不限于示出在被描述的实施例中的封装形状。本体形状（即，偏置磁体的形状）可以适于任何封装形状。它足够用于估计被容纳的磁性传感器的外部尺寸和用于制造被以向被封装的或者容纳的磁性传感器提供保持部的方式成形的偏置磁体。
图9示出了本体90的横截面。本体90包括凹槽33。凹槽33可以以与示出在图5中的相同的方式穿过整个本体90。例如，凹槽33可以如图8示出地在一个端部处封闭。
图10示出了本体91的横截面。本体91包括凹槽34。凹槽34可以以与在图5中示出的相同的方式穿过整个本体91。例如，凹槽34可以如图8中所示地在一个端部处封闭。凹槽34在z方向上在两侧封闭。凹槽34提供了至少在z和x方向在两侧封闭并且在y方向在一侧或者两侧开口的腔体。
图11以横截面视图示出了进一步的实施例。本体92包括凹槽35，凹槽提供如前面的实施例示出的用于被封装的磁性传感器的保持部。本体92还包括腔体41。腔体41被构造成使由本体92产生的磁场成形。腔体41通入凹槽35中。
从图11中的横截面可以看出，腔体41具有在近似平行于凹槽35的底部并且因此大体上平行于被插入的封装磁性传感器的封装表面的第一方向上延伸的底部。当在竖直方向（即沿着z轴）朝向凹槽35远离腔体底部运动时，腔体41的侧向宽度在x轴方向上增加。当在竖直方向（即沿着z轴）朝向凹槽35远离腔体底部运动时，腔体41的在y轴的方向（其垂直于图11中的绘图平面）的侧向宽度可以以与在x轴方向上的侧向宽度相同的方式增加。腔体41则具有截头体的形状。腔体41也可以被形成为沿着y轴平行于凹槽35延伸的凹槽。被形成为凹槽的腔体41可以在y轴的方向上在两个端部处都封闭，可以比被封装的磁性传感器短、比被封装的磁性传感器长、或者具有与被封装的磁性传感器相同的长度。
在本体92中提供腔体41允许由本体92产生的磁场的独立二维形状。因此，例如，磁性偏置场被提供为在x和y方向上具有被减小了的或者为零的侧向场分量。腔体41提供了磁性偏置场的成形，使得在被插入的封装磁性传感器的位置处至少在x方向上和在y方向上的磁场的侧向分量为零或者被减小到几乎为零。特别地，x分量和y分量可以通过腔体41的形状而彼此独立地成形。由凹槽35提供的保持部可以以相对于磁性偏置场将被封装的磁性传感器保持在对于传感器的功能是最好的位置中的方式来适应于腔体41。例如，被封装的磁性传感器可以类似于图8中示出的实施例而在y方向上抵接本体92。
在图12中示出了进一步的实施例。本体93的横截面视图示出了凹槽36，凹槽在形状上适于将被封装的磁性传感器插入凹槽36中。本体93还包括适于使磁性偏置场成形的腔体42。腔体42与前面的实施例中的腔体41不同之处在于没有平坦的底部。腔体42可以具有角锥的形状，或者该腔体可类似于腔体41沿着y轴延伸。本体93被表示为具有相互不平行的两个外表面101和102。如在所有实施例中所示的产生磁性偏置场的本体的形状仅仅是示例性的。
腔体41和42的被描述的形状将不应以限制性的意义理解。它们都具有使用于将被插入在由适合的凹槽形成的保持部中的磁性传感器的磁性偏置场成形的能力。
图13示出了进一步的实施例。本体92、凹槽35和腔体41可以对应于参考图11解释的那些部件。但是，腔体41可以不表示填充有周围的空气的开口，而是腔体41可以用磁通控制材料填充。磁通控制材料可以是软磁材料。根据这个实施例的本体92可以是包括硬磁材料和位于腔体41中的软磁材料的复合本体。腔体41的形状和软磁材料的性质一起限定对磁性偏置场上的成形影响。复合本体也可以包括以使磁性偏置场成形的另一布置的方式的硬磁材料和软磁材料。
图14示出了进一步的实施例。本体93、凹槽36和腔体42可以对应于参考图12解释的那些部件。对于示出在图13中的实施例，腔体42可以用磁通控制材料填充。磁通控制材料可以是软磁材料。根据这个实施例的本体93可以是包括硬磁材料和位于腔体41中的软磁材料的复合本体。腔体41的形状和软磁材料的性质一起限定了对磁性偏置场的成形影响。
图15示出了包括具有组装表面A和B的两个偏置磁体部分193和293的实施例。当部分193和293被放到一起时，即，当组装表面A抵靠组装表面B时，形成类似于示出在图12中的本体93的偏置磁体。偏置磁体部分193包括腔体142，并且偏置磁体部分293包括腔体242，当两个部分被组装时，这两个部分一起形成腔体。腔体142和242可以用软磁材料填充，如对于示出在图14中的实施例所解释的一样。偏置磁体部分193包括凹槽136，该凹槽在y方向上被部分193的突出部分110部分地封闭。偏置磁体部分293包括凹槽236，该凹槽在y方向上被部分293的突出部分210部分地封闭。当两个部分193和293被组装时，凹槽136和236一起形成提供用于被封装的磁性传感器的保持部的凹槽。凹槽136和236在y方向上可以朝向另一侧开口或者它们可以被完全地封闭。组装表面A和B可以被形成以提供用于组装和用于保持的引导。
由两个本体部分组装的本体的优点可以是，提供用于被封装的磁性传感器的保持部的凹槽可以在除了让传感器的电触点穿过或者通过之外的所有方向上均被封闭。这种穿过在示出在图15中的实施例中由突出部分110和210所围绕的开口115和215提供。被封装的磁性传感器可以在组装这两个部分之前被插入。凹槽136和236可以以这样的方式适应于被封装的磁性传感器的封装，即，所述方式使得被封装的传感器以形状配合的方式保持在位。虽然示出了具有两个磁体部分的实施例，但是具有多于两个磁体部分的实施例也是可以的。
图16示出了具有两个磁体部分191和291的进一步实施例，两个磁体部分191和291具有组装表面A和B。当部分191和291被放到一起时，即，当组装表面A抵靠组装表面B时，形成类似于示出在图11中的本体91的偏置磁体。偏置磁体部分191包括凹槽134，该凹槽在y方向上可以被磁体部分191的部分120封闭。偏置磁体部分291包括凹槽234，该凹槽在y方向上可以被磁体部分291的部分220封闭。当两个部分191和291被组装时，凹槽134和234一起形成提供用于被封装的磁性传感器的保持部的凹槽。如上文中解释的一样，磁性部分191和192可以提供用于将被偏置磁体保持的被封装的磁性传感器的电触点的开口。
图17和18示出了包括两个磁体部分的进一步实施例，其中该两个磁体部分通过将第一磁体部分的组装表面A放置成抵靠另一个磁体部分的组装表面B而组装。图17的实施例对应于在图9中示出的实施例，而图18的实施例对应于示出在图11中的实施例（其中参考标号被相应地修改）。在根据图18的实施例中，仅仅磁体部分192包括偏置场成形腔体141。腔体141没有被如图15中的腔体142、242一样地分成两个。在任一实施例中，腔体142、242或者腔体141可以被软磁材料填充。
在具有两个磁体部分的实施例中，通过将两个磁体部分固定到一起可实现将被封装的磁性传感器保持于偏置磁体。两个磁体部分可以通过将被组装的部分插入到偏置磁体或者传感器模块壳体中而固定到一起。该保持可以进一步地通过任何机械保持或者通过胶接实现。其它的保持方法也是可以的。
图19是示出制造根据实施例的传感器模块的方法的流程图。在步骤I中，提供被容纳的磁性传感器。传感器可以被选择以最好地适应于目标应用。
在步骤II中，提供偏置磁体。偏置磁体被成形以提供用于传感器的壳体的保持部。可以测量被容纳的磁性传感器的尺寸，或者可以使用以数据表的方式给定的尺寸，以估计用于保持被封装的磁性传感器的偏置磁体的适合的形状。偏置磁体可以附加地被形成为至少在磁性传感器将被成形的偏置磁体保持在位的位置处使磁性偏置场成形。
在步骤III中，将被封装的磁性传感器插入由偏置磁体提供的保持部中。如果偏置磁体是两部分的偏置磁体，则插入磁性传感器的步骤可以包括组装该两个磁体部分。
在步骤IV中，将被插入的被容纳的磁性传感器固定在保持部中。由于传感器已经被偏置磁体保持在位，因此可以不需要对保持机构有额外的需求。将传感器固定在保持部中可以仅仅通过将两个磁体部分固定到一起而实现。
在可选的步骤V中，将传感器模块（即具有被插入的传感器的偏置磁体）容纳在传感器模块壳体中。当将被容纳的磁性传感器固定在偏置磁体中是通过将传感器模块插入在传感器模块壳体中实现的时，步骤V可以与步骤VI组合。
图20是示出制造根据实施例的传感器模块的方法的流程图。在步骤A中，为了制造适于产生用于磁性传感器的磁性偏置场的偏置场产生器，提供磁性粒子的粉末。在下一个步骤B中，粉末被模制或者按压成本体，本体被成形以提供用于磁性传感器的壳体的保持部。
用于用磁性粒子的粉末或者颗粒形成期望的形状的磁体的方法包括但不限于例如烧结、铸造和注塑模制。烧结包括加热粉末到低于熔点的温度并且将它按压成形。铸造包括加热粉末到高于熔点的温度并且浇注液体进入模具中。注塑模制包括使用具有磁性粒子的粉末的各种树脂或者塑料材料的树脂或者复合物并且将混合物注射到模具中。优选的方法取决于将被制造的偏置磁体的形状、被使用的磁性材料以及是期望复合本体或是同质本体。例如，在一个实施例中，第一磁性材料的本体可以被形成包括腔体，并且然后腔体可以被用第二可磁化材料填充。在另一个实施例中，本体可以被通过在每个其它层的顶部上沉积不同的层而制造，以获得分层结构。
此外，虽然本发明的实施例的特别的特征或者方面可以已经相对于多个实施例中的仅一个实施例披露，但是对于任何给定的或者特别的应用，这种特征或者方面可以如可以是期望的或者有益地与其它实现的一个或多个其它特征或者方面组合。而且，对于术语“包括”、“具有”、“带有”或者其其它变型在详细描述或者权利要求中的使用的程度来说，这种词语意图以类似于词语“包含”的方式是包含性的。而且，词语“示例性”仅仅意指为实例，而不是最好的或者最佳的。还应认识到，为了简单和容易理解的目的，在这里描述的特征和/或元件相对于彼此用特定的尺寸示出说明，并且实际的尺寸可以与这里示出说明的尺寸非常不同。
虽然已经在这里示出和描述具体的实施例，但是将被本领域普通技术人员认识到的是，各种替换的和/或等同的实现可以代替示出和描述的具体的实施例而不偏离本发明的范围。特别地，考虑到由上文中描述的元件或者结构（组件、装置、电路、系统等）执行的各种功能，除非被相反地指明，用来描述这种元件的词语（包括对“装置”的引用）意图对应于执行被描述的元件的特定功能的（例如，功能地等同的）任何元件或者结构，即使所述任何元件或者结构在结构上不同于在本发明的在这里示出的示例性实现中执行该功能的被揭露的结构。这个应用意图覆盖在这里讨论的具体实施例的任何适应性变化或者变更。因此，意图的是，这个发明仅仅由权利要求和等同物限制。
Claims (28)
1.一种装置，包括：
偏置场产生器，被构造成提供用于磁性传感器的磁性偏置场，其中所述偏置场产生器包括：
本体，包括磁性材料或者可磁化材料；
磁性传感器；
封装，容纳所述磁性传感器；
凹部，形成在所述本体中，其中所述凹部适于所述封装。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述封装被设置在所述凹部中。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，
所述凹部在第一方向上具有第一宽度，所述第一宽度对应于所述封装的外部尺寸；
所述凹部具有邻接部；并且
所述封装被布置在所述凹部中，使得所述封装在所述第一方向上与位于所述凹部的所述邻接部处的至少两个相对的点抵接。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述本体具有在所述第一方向上界定所述凹部的第一表面和第二表面，其中所述第一表面和所述第二表面具有基本上凸出的形状。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，
所述凹部在第二方向上至少在一侧处开口，其中所述第二方向基本上垂直于所述第一方向，并且
所述本体被构造成容纳沿着所述第二方向插入到所述凹部中的所述封装。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述凹部在所述第二方向上在一侧处由所述本体界定，并且所述被插入的封装在所述第二方向上抵接所述本体。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，
所述凹部在第一方向上具有第一宽度，所述第一宽度对应于所述封装的外部尺寸；
所述凹部在第二方向上至少在一侧处开口，其中所述第二方向基本上垂直于所述第一方向；并且
所述凹部在第三方向上至少在一侧处封闭，其中所述第三方向基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向，并且所述封装能够沿着所述第二方向插入到所述凹部中。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述凹部包括形成在所述本体中的腔体，所述腔体被构造成用于成形所述磁性偏置场。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述本体包括两个单独的本体部分，每个本体部分包括所述凹部的一部分。
10.一种装置，包括：
偏置磁体，提供用于磁性传感器的磁性偏置场，其中所述偏置磁体被成形为提供用于所述磁性传感器的保持部。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述保持部由凹槽形成，所述磁性传感器的壳体可以插入到所述凹槽中。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述凹槽被成形为以形状配合的方式保持所述磁性传感器的所述壳体。
13.根据权利要求10所述的装置，其中，所述凹槽被成形为在至少第一方向上和第二方向上保持所述磁性传感器的所述壳体，所述第一方向和第二方向彼此垂直。
14.根据权利要求10所述的装置，其中，所述偏置磁体包括多个磁体部分，并且所述保持部通过将所述磁体部分组装到一起而形成。
15.根据权利要求10所述的装置，其中，所述偏置磁体被进一步地成形为用于成形所述磁性偏置场。
16.一种传感器模块，包括：
磁性传感器，用于检测磁场；
壳体，所述磁性传感器被密封在所述壳体中；以及
偏置磁体，提供用于所述磁性传感器的磁性偏置场；
其中，所述偏置磁体被成形为提供用于所述磁性传感器的所述壳体的保持部，所述壳体被设置在所述保持部内。
17.根据权利要求16所述的传感器模块，进一步包括位于所述偏置磁体中的磁性偏置场成形腔体。
18.根据权利要求17所述的传感器模块，其中，所述磁性偏置场成形腔体包括磁通控制器。
19.根据权利要求16所述的传感器模块，进一步包括用于将所述磁性传感器固定在所述保持部中的另一保持机构。
20.一种制造传感器模块的方法，所述方法包括：
提供被密封在壳体中的磁性传感器；
提供偏置磁体，所述偏置磁体被成形为提供用于所述磁性传感器的所述壳体的保持部；以及
将所述壳体插入到所述偏置磁体的所述保持部中。
21.根据权利要求20所述的方法，进一步包括将所述壳体固定在所述保持部中。
22.根据权利要求20所述的方法，进一步包括将所述传感器模块容纳在传感器模块壳体中。
23.根据权利要求20所述的方法，进一步包括：
估计所述壳体的外部尺寸；
制造所述偏置磁体，所述偏置磁体被构造成提供适于所述磁性传感器的磁性偏置场并且所述偏置磁体被成形为将所述壳体保持在所述磁性偏置场中。
24.一种制造偏置场产生器的方法，所述偏置场产生器提供用于磁性传感器的磁性偏置场，包括：
提供磁性粒子的粉末；以及
将所述粉末模制或者按压成本体，所述本体被成形为提供用于所述磁性传感器的壳体的保持部。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述模制或者按压的步骤包括形成所述本体的两个部分，所述方法进一步包括将所述两个部分组装以便一起提供用于所述壳体的所述保持部。
26.根据权利要求24所述的方法，其中，所述模制或者按压的步骤包括将所述粉末模制或者按压成所述本体，所述本体被进一步地成形为形成腔体以成形所述磁性偏置场。
27.根据权利要求25所述的方法，进一步包括用软磁材料填充所述腔体以形成磁通控制器。
28.根据权利要求24所述的方法，其中，所述本体以分层结构形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/453,199 US9153369B2 (en) | 2012-04-23 | 2012-04-23 | Bias field generator including a body having two body parts and holding a packaged magnetic sensor |
| US13/453,199 | 2012-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103376424A true CN103376424A (zh) | 2013-10-30 |
| CN103376424B CN103376424B (zh) | 2016-08-10 |
Family
ID=49290300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310144309.3A Expired - Fee Related CN103376424B (zh) | 2012-04-23 | 2013-04-23 | 偏置场产生装置、传感器模块及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9153369B2 (zh) |
| CN (1) | CN103376424B (zh) |
| DE (1) | DE102013104103B4 (zh) |
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| DE102013104103A1 (de) | 2013-10-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |