CN103376169A - 高精度高空间分辨率测量led芯片与封装有源区温度的方法 - Google Patents

高精度高空间分辨率测量led芯片与封装有源区温度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103376169A
CN103376169A CN2012101326273A CN201210132627A CN103376169A CN 103376169 A CN103376169 A CN 103376169A CN 2012101326273 A CN2012101326273 A CN 2012101326273A CN 201210132627 A CN201210132627 A CN 201210132627A CN 103376169 A CN103376169 A CN 103376169A
Authority
CN
China
Prior art keywords
measured
spatial resolution
temperature
led chip
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101326273A
Other languages
English (en)
Inventor
季杭峰
王米成
孙泉明
李立新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HANGZHOU HONYAR-UNITY OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Hangzhou Honyar Electrical Co Ltd
Original Assignee
HANGZHOU HONYAR-UNITY OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Hangzhou Honyar Electrical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HANGZHOU HONYAR-UNITY OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd, Hangzhou Honyar Electrical Co Ltd filed Critical HANGZHOU HONYAR-UNITY OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2012101326273A priority Critical patent/CN103376169A/zh
Publication of CN103376169A publication Critical patent/CN103376169A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,包括如下步骤:1)获取表征材料特性的声子与温度的关系;2)安装被测LED器件在显微镜下,并调节位置使得激光聚焦点在被测位置上;3)打开激光器,使得激光准确聚焦在被测位置;4)将被测LED器件在一定功率下点亮,收集散射拉曼信号;5)确定表征材料特性的声子的散射拉曼信号的频率;6)计算出对应的温度。所述LED器件、拉曼探测器中的CCD器件都可以高速开关,所述LED器件与拉曼探测器中的CCD器件在电路控制下高频率调制交替工作。本发明具有测量精度高、测量准确的优点。

Description

高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法
技术领域
本发明涉及测温技术,具体涉及一种测量LED芯片与封装有源区温度的方法。
背景技术
LED技术中一个很重要的方面是它的散热管理。对于高亮度的用于照明应用的LED产品尤其如此。与其他传统灯具不同,LED的散热在很大程度上是通过热传导完成的。另外,LED的驱动电流和对应的输入功率不断增大,对其散热功能提出了更高的要求。LED的散热管理对LED芯片、封装、模组和灯具的可靠性、寿命以及电光性能有着决定性的影响。为了能设计制造高可靠、长寿命、高性能的LED产品,我们不能忽略对LED灯具、模组、封装乃至芯片的温度的准确测量,同时我们也要清楚知道热在LED内部的传导途径和方式。
当前虽然业界对LED器件的散热性能很关注(因为它直接关系到器件和灯具的可靠性和寿命),但普遍采用的测温办法还不能满足要求,如测温准确性不高、只能测出外围部分(非器件有源区)的温度、测量值只代表器件内部的平均温度等。根本上,这些方法只能估算出LED芯片、封装有源区的结温。
发明内容
本发明所要解决的技术问题就是提供一种高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,具有测量精度高、测量准确的优点。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案,高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,其特征在于包括如下步骤:
1)、获取表征材料特性的声子与温度的关系;
2)、安装被测LED器件在显微镜下,并调节位置使得激光聚焦点在被测位置上;
3)、打开激光器,使得激光准确聚焦在被测位置;
4)、将被测LED器件在一定功率下点亮,收集散射拉曼信号;
5)、确定表征材料特性的声子的散射拉曼信号的频率;
6)、计算出对应的温度。
改进的,所述LED器件、拉曼探测器中的CCD器件都可以高速开关,所述LED器件与拉曼探测器中的CCD器件在电路控制下高频率调制交替工作,可以消除LED所发出来的光对拉曼散射光的干扰。
优选的,表征材料可以是GaN,蓝宝石、SiC等。
优选的,激光器使用紫外或者近红外激光器作为显微共聚焦激光拉曼光谱测温的光源。
本发明采用上述技术方案具有测量精度高、测量准确的优点。
具体实施方式
高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,包括如下步骤:
1)、获取表征材料特性的声子与温度的关系。
2)、安装被测LED器件在显微镜下,并调节位置使得激光聚焦点在被测位置上。
3)、打开激光器,使得激光准确聚焦在被测位置。
4)、将被测LED器件在一定功率下点亮,收集散射拉曼信号。
5)、确定表征材料特性的声子的散射拉曼信号的频率。
6)、计算出对应的温度。
步骤6中通过公式
Figure BDA0000158836550000031
推导出
Figure BDA0000158836550000032
计算,其中ω(T)及ω(0)为对应TK和0K时的声子频率,A和B为两个相关配合参数,c为真空条件下光速,h为普朗克常数。
所述LED器件、拉曼探测器中的CCD器件都可以高速开关,所述LED器件与拉曼探测器中的CCD器件在电路控制下高频率调制交替工作,可以消除LED所发出来的光对拉曼散射光的干扰。所述表征材料可以是GaN,蓝宝石、SiC等,所述激光器使用紫外或者近红外激光器作为显微共聚焦激光拉曼光谱测温的光源。
上述具体实施方式不是对本本发明的具体限定,本领域技术人员可以根据本本发明作出各种改变和变形,其只要不脱离本发明的精神,均应属于本发明所附权利要求所定义的范围。

Claims (4)

1.高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,其特征在于包括如下步骤:
1)、获取表征材料特性的声子与温度的关系;
2)、安装被测LED器件在显微镜下,并调节位置使得激光聚焦点在被测位置上;
3)、打开激光器,使得激光准确聚焦在被测位置;
4)、将被测LED器件在一定功率下点亮,收集散射拉曼信号;
5)、确定表征材料特性的声子的散射拉曼信号的频率;
6)、计算出对应的温度。
2.根据权利要求1所述的高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,其特征在于:所述LED器件、拉曼探测器中的CCD器件都可以高速开关,所述LED器件与拉曼探测器中的CCD器件在电路控制下高频率调制交替工作。
3.根据权利要求1或2所述的高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,其特征在于:所述表征材料为GaN或蓝宝石或SiC。
4.根据权利要求3所述的高精度高空间分辨率测量LED芯片与封装有源区温度的方法,其特征在于:所述激光器使用紫外或者近红外激光器作为显微共聚焦激光拉曼光谱测温的光源。
CN2012101326273A 2012-04-28 2012-04-28 高精度高空间分辨率测量led芯片与封装有源区温度的方法 Pending CN103376169A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101326273A CN103376169A (zh) 2012-04-28 2012-04-28 高精度高空间分辨率测量led芯片与封装有源区温度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012101326273A CN103376169A (zh) 2012-04-28 2012-04-28 高精度高空间分辨率测量led芯片与封装有源区温度的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103376169A true CN103376169A (zh) 2013-10-30

Family

ID=49461625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101326273A Pending CN103376169A (zh) 2012-04-28 2012-04-28 高精度高空间分辨率测量led芯片与封装有源区温度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103376169A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106909083A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 北京培科创新技术有限公司 基于拉曼散射的测量区域温度实时控制系统和方法
CN109060164A (zh) * 2018-09-25 2018-12-21 厦门大学 基于显微高光谱的发光器件温度分布测量装置及测量方法
CN114813697A (zh) * 2022-03-16 2022-07-29 江苏暖阳半导体科技有限公司 micro LED芯片的高通量多通道快速拉曼检测系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1786690A (zh) * 2005-12-09 2006-06-14 中国科学院上海技术物理研究所 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
WO2006099453A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Massachusetts Institute Of Technology (Mit) High performance ccd-based thermoreflectance imaging using stochastic resonance
CN101059439A (zh) * 2006-04-19 2007-10-24 中国科学院半导体研究所 显微拉曼谱仪与近红外光谱仪的联合测试系统
CN101105519A (zh) * 2007-08-03 2008-01-16 重庆大学 一种led芯片/晶圆的非接触式检测方法
CN101738387A (zh) * 2009-12-18 2010-06-16 中国铝业股份有限公司 一种铝酸钠溶液拉曼光谱半定量分析方法
CN102230831A (zh) * 2011-03-30 2011-11-02 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 同时测量led中衬底温度和器件层温度的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006099453A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Massachusetts Institute Of Technology (Mit) High performance ccd-based thermoreflectance imaging using stochastic resonance
CN1786690A (zh) * 2005-12-09 2006-06-14 中国科学院上海技术物理研究所 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
CN101059439A (zh) * 2006-04-19 2007-10-24 中国科学院半导体研究所 显微拉曼谱仪与近红外光谱仪的联合测试系统
CN101105519A (zh) * 2007-08-03 2008-01-16 重庆大学 一种led芯片/晶圆的非接触式检测方法
CN101738387A (zh) * 2009-12-18 2010-06-16 中国铝业股份有限公司 一种铝酸钠溶液拉曼光谱半定量分析方法
CN102230831A (zh) * 2011-03-30 2011-11-02 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 同时测量led中衬底温度和器件层温度的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106909083A (zh) * 2015-12-22 2017-06-30 北京培科创新技术有限公司 基于拉曼散射的测量区域温度实时控制系统和方法
CN106909083B (zh) * 2015-12-22 2022-06-14 北京培科创新技术有限公司 基于拉曼散射的测量区域温度实时控制系统和方法
CN109060164A (zh) * 2018-09-25 2018-12-21 厦门大学 基于显微高光谱的发光器件温度分布测量装置及测量方法
CN114813697A (zh) * 2022-03-16 2022-07-29 江苏暖阳半导体科技有限公司 micro LED芯片的高通量多通道快速拉曼检测系统
CN114813697B (zh) * 2022-03-16 2022-12-27 江苏暖阳半导体科技有限公司 micro LED芯片的高通量多通道快速拉曼检测系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101701854B (zh) 一种检测led灯具芯片结温的方法
CN102829890B (zh) 一种led结温的测量装置及方法
CN102116829A (zh) 一种二极管热阻测量方法及装置
CN105973571B (zh) 一种基于ccd的led芯片显微表面亮度的测量方法
CN103592590B (zh) 一种led器件光电热集成的测试系统及方法
CN103376169A (zh) 高精度高空间分辨率测量led芯片与封装有源区温度的方法
CN109060164B (zh) 基于显微高光谱的发光器件温度分布测量装置及测量方法
CN103323486A (zh) 一种高阻值材料的塞贝克系数的测试芯片
CN103926517A (zh) 功率型led热阻的测试装置及方法
Elger et al. Transient thermal analysis for accelerated reliability testing of LEDs
Fu et al. Can thermocouple measure surface temperature of light emitting diode module accurately?
JP2009002739A (ja) 放射温度計
CN102230831A (zh) 同时测量led中衬底温度和器件层温度的方法
CN113670469A (zh) 基于分布式测温光纤的igbt功率器件及其温度监测方法
CN204575216U (zh) 分布式光纤温度测量装置
CN203376143U (zh) Led灯温度特性检测装置
CN104713651A (zh) 一种高空间分辨力及高时间分辨力的红外热成像测温方法
CN104076265A (zh) 一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置
CN105318985B (zh) 一种通过反射光相对强度测量物体表面温度的装置及方法
CN105300550B (zh) 一种器件微米尺度二维温度分布的测量方法及系统
Choi et al. Precise measurement of junction temperature by thermal analysis of light-emitting diode operated at high environmental temperature
CN202735241U (zh) 一种红外气体传感器
KR101204885B1 (ko) Led 발열량 측정 장치 및 측정 방법
KR101418308B1 (ko) 엘이디 파장 측정 장치 및 이를 이용한 엘이디 파장 측정 방법
CN204719563U (zh) 光电探测器的控制装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20131030

RJ01 Rejection of invention patent application after publication