CN103365520B - 一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，包括（1）导电薄膜烘烤缩水，（2）电极处导电层蚀刻：采用酸刻或蚀刻膏蚀刻的方式，将导电薄膜需要布设电极区域的导电层蚀刻掉，（3）在已蚀刻区域布设电极，（4）将布设好电极的导电薄膜置于烤箱进行烘烤，（5）导电层中央蚀刻出Pattern。本发明改变了现有制作电容屏Sensor的步骤，将原来的导电薄膜→烘烤缩水→导电层蚀刻形成Pattern→电极制作(涉及烘烤)中，制作电极的步骤提前，Pattern的制作提后，这样Pattern制作后，不再经过高温烘烤，而避免了基材形变与导电层形变的不同，水波纹也随之消除。
Description
技术领域
本发明涉及一种消除Sensor蚀刻痕的方法，尤其涉及一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法。
背景技术
近年来，触控面板在各行各业得到了广泛的应用。触摸屏厂商也如雨后春笋一样涌现出来。触摸屏厂商之间的竞争也越来越激烈，作为考核触摸屏外观的一个重要指标，如何消除蚀刻痕成为一个重要的课题。
这种触摸屏的薄膜电容Sensor构成为：透明基材上设有导电层，导电层的四周的导电物质被蚀刻并设以电极，导电层中央导电物质被蚀刻并设以精心制作的图案，也就是pattern。蚀刻痕是指形成Pattern后，蚀刻区域与未蚀刻区域的差异。其形成主要由两个原因：1、Pattern区域的反射率与蚀刻区域的反射率不同；2、Pattern区域的形变与基材的形变不同，导致漫反射的形成，表现为蚀刻痕。为了避免上述问题2，现有技术中，常在导电薄膜上专门制作一层反射层，增加反射层意味着增加成本。然而随着市场竞争日益激烈，成本压力逐渐凸显，低成本的要求随之而来。
发明内容
本发明的目的就在于提供一种解决上述问题，避免Pattern区域的形变与基材的形变不同，导致漫反射的形成，形成蚀刻痕的一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是这样的：一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，包括以下步骤：
（1）导电薄膜烘烤缩水：将导电薄膜置于烤箱进行缩水，使导电薄膜中杂质吸收的水分析出，内部分子稳定，所述导电薄膜包括基材和设置在基材上的导电层；
（2）电极处导电层蚀刻：采用酸刻或蚀刻膏蚀刻的方式，将导电薄膜需要布设电极区域的导电层蚀刻掉；
（3）在已蚀刻区域布设电极；
（4）将布设好电极的导电薄膜置于烤箱进行烘烤，烘干电极材料；
（5）导电层中央蚀刻出Pattern，其中，蚀刻线的宽度小于75μm，蚀刻方式为酸刻、蚀刻膏蚀刻或干刻。
作为优选：所述导电薄膜选用ITO膜，其基材是PET，导电层为ITO，其中烘烤条件为135℃、60分钟。
作为优选：所述步骤（3）中布设电极采用的电极材料为银浆或碳浆。
作为优选：所述步骤（3）中的蚀刻线的宽度为50μm，蚀刻方式干刻。
与现有技术相比，本发明的优点在于：改变了现有制作电容屏Sensor的步骤，将原来的导电薄膜→烘烤缩水→导电层蚀刻形成Pattern→电极制作(涉及烘烤)中，制作电极的步骤提前，Pattern的制作提后，这样Pattern制作后，不再经过高温烘烤，而避免了基材形变与导电层形变的不同，水波纹也随之消除。
附图说明
图1为Sensor的结构示意图；
图2为理论上Pattern区域反射与蚀刻区域蚀刻反射示意图；
图3为现有制作方法后漫反射示意图；
图4为现有技术中添加反射层的导电薄膜结构示意图。
图中：1、基材；2、Pattern；3、电极；4、反射层；5、导电层。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1：参见图1到图4，薄膜电容Sensor构成为：透明基材1上设有导电层5，导电层5的四周的导电物质被蚀刻并设以电极3，导电层5中央导电物质被蚀刻并设以pattern，其Pattern区域反射与蚀刻区域蚀刻反射示意图如图2所示。
传统的薄膜式结构的Sensor制程如下所示：
导电薄膜→烘烤缩水→导电层5蚀刻形成Pattern2→电极3制作(涉及烘烤)。
此制作过程中，电极3处的导电层5的蚀刻与Pattern2处导电层5的蚀刻同时完成，但是在电极3制作后，会涉及烘烤制程，这样就会导致导电层5与基材1形变不同，而且导电层5本身蚀刻线宽存在差异，受力不均，蚀刻痕会很明显。
为了达到无蚀刻痕的效果，现有技术中一般会在导电薄膜上专门制作一层反射层4，但增加反射层4意味着增加成本。
而本实施例中，提供了一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，其主要思想是将制作电极的步骤提前，Pattern制作提后，这样Pattern制作后，不再经过高温烘烤，从而避免了基材形变与导电层形变的不同，水波纹也随之消除。制作过程简化如下所示：
导电薄膜→烘烤缩水→电极处导电层蚀刻→电极制作(涉及烘烤)→制作Pattern；
具体步骤如下：
一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，包括以下步骤：
（1）导电薄膜烘烤缩水：将导电薄膜置于烤箱进行缩水，使导电薄膜中杂质吸收的水分析出，内部分子稳定，所述导电薄膜包括基材和设置在基材上的导电层；本实施例中，所述导电薄膜选用ITO膜HNC50-AB150，其基材1是PET，导电层为ITO，其中烘烤条件为135℃、60分钟。
（2）电极处导电层蚀刻：采用酸刻或蚀刻膏蚀刻的方式，将导电薄膜需要布设电极区域的导电层蚀刻掉，本实施例中，采用酸刻方式，酸刻采用的酸液为HCl，摩尔浓度为4.71mol/L。
（3）在已蚀刻区域布设电极，本实施例中，采用的方式为在上述已酸刻好的导电层处丝印银浆，银浆线宽为80±5μm。
（4）将布设好电极的导电薄膜置于烤箱进行烘烤，烘干电极材料，烘烤条件为135℃、45分钟。
（5）导电层中央蚀刻出Pattern，其中，蚀刻线的宽度小于75μm，蚀刻方式为酸刻、蚀刻膏蚀刻或干刻，本实施例中，蚀刻方式采用红外线干刻，干刻线宽50μm。
本发明和增加反射层相比，Pattern处的导电层与电极处的导电层的蚀刻是分开的，虽然这样做成本会有所增加，但是与在导电薄膜增加反射层所增加的成本相比，成本的增加较少。另外，由于将制作电极的步骤提前，Pattern制作提后，这样Pattern制作后，不再经过高温烘烤，从而避免了基材形变与导电层形变的不同，水波纹也随之消除
上述实例仅为本发明的一种可以具体实施的方式之一，并不以此为限，其中，导电薄膜可以是除ITO膜外其他用于电容领域的导电膜。
Claims (4)
1.一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）导电薄膜烘烤缩水：将导电薄膜置于烤箱进行缩水，使导电薄膜中杂质吸收的水分析出，内部分子稳定，所述导电薄膜包括基材和设置在基材上的导电层；
（2）电极处导电层蚀刻：采用酸刻或蚀刻膏蚀刻的方式，将导电薄膜需要布设电极区域的导电层蚀刻掉；
（3）在已蚀刻区域布设电极；
（4）将布设好电极的导电薄膜置于烤箱进行烘烤，烘干电极材料；
（5）导电层中央蚀刻出Pattern，其中，蚀刻线的宽度小于75μm，蚀刻方式为酸刻、蚀刻膏蚀刻或干刻。
2.根据权利要求1所述的一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，其特征在于：所述导电薄膜选用ITO膜，其基材是PET，导电层为ITO，其中烘烤条件为135℃、60分钟。
3.根据权利要求1所述的一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中布设电极采用的电极材料为银浆或碳浆。
4.根据权利要求1所述的一种无蚀刻痕的电容屏Sensor制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中的蚀刻线的宽度为50μm，蚀刻方式干刻。
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