CN103365102A - 自动获取光刻参数的光刻系统及光刻方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种自动获取光刻参数的光刻系统，包括：光刻参数存储器，用于存储光刻参数；输入模块，用于获取新产品的编号；编号存储器，用于存储现有产品和新产品的编号；处理器，连接光刻参数存储器、输入模块及编号存储器，包括判断单元、第一光刻参数设定单元、第二光刻参数设定单元以及第三光刻参数设定单元，处理器用于执行光刻参数设定流程，并将新产品的光刻参数存入所述光刻参数存储器中。本发明还涉及一种获取光刻参数的光刻方法。本发明利用生产中产品编号的必然与产品的生产工艺、生产流程等挂钩的客观规律，通过计算机系统自动筛选出合适的现有产品，作为新产品设定光刻参数的参考。能够减少人力消耗、提高流片速度和生产效率。

Description

自动获取光刻参数的光刻系统及光刻方法

技术领域

本发明半导体制造中的光刻领域，特别是涉及一种自动获取光刻参数的光刻系统，还涉及一种获取光刻参数的光刻方法。

背景技术

在光刻工艺中，会采用批次控制(Run to Run，R2R)系统进行光刻的控制。在有新的产品需要制造(又称为下线)时，批次控制系统会通过邮件的方式提醒工程师，工程师需要设定这些新产品的光刻参数。

由于每天的新产品较多，例如有8个新产品，就需要维护8(产品)*20(光+刻层次)*16(机台)组光刻参数(下货参数)，每组光刻参数包括曝光量(dose)、焦距(focus)、套刻对准参数(overlay data)等，因此需要耗费大量的人工及时间，而若维护不及时又会导致生产的延误。

发明内容

基于此，有必要针对传统的光刻流程中设定新产品的光刻参数需要耗费大量人工的问题，提供一种自动获取光刻参数的光刻系统。

一种自动获取光刻参数的光刻系统，包括：光刻参数存储器，用于存储光刻参数；输入模块，用于获取新产品的编号；编号存储器，用于存储现有产品和所述新产品的编号；处理器，连接所述光刻参数存储器、输入模块及编号存储器，包括判断单元、第一光刻参数设定单元、第二光刻参数设定单元以及第三光刻参数设定单元，所述处理器用于执行光刻参数设定流程，并将所述新产品的光刻参数存入所述光刻参数存储器中；所述光刻参数设定流程包括所述判断单元从编号存储器中读取并将所述新产品的编号与现有产品的编号进行逐一比较，判断是否存在编号的前A位与所述新产品相同的现有产品，若有，则所述第一光刻参数设定单元将所述编号的前A位与新产品相同的现有产品中，最新反馈给光刻参数存储器的光刻参数设定为所述新产品的光刻参数；否则所述判断单元继续判断是否存在编号的前B位与所述新产品相同的现有产品，若有，则所述第二光刻参数设定单元在所述编号的前B位与新产品相同的现有产品中，取C个产品中每个产品最新反馈给光刻参数存储器的光刻参数计算平均值并设定为所述新产品的光刻参数，其中A＞B；否则所述第三光刻参数设定单元在与所述新产品的光刻工艺相同的现有产品中取D个，计算所述D个现有产品的光刻参数的平均值并设定为新产品的光刻参数。

在其中一个实施例中，包括制程判断模块，所述处理器包括第四光刻参数设定单元；所述制程判断模块用于判断所述新产品的光刻工艺中是否包括关键尺寸量测和套刻对准量测制程；若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均有，则所述处理器用于执行光刻参数设定流程；若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均无，则所述第四光刻参数设定单元根据与所述新产品的光刻工艺和光刻机台型号均相同的现有产品中的光刻参数，确定所述新产品的光刻参数；若有所述关键尺寸量测而无所述套刻对准量测，则光刻参数设定流程中的光刻参数包括光刻曝光量和焦距，所述处理器将所述新产品的套刻对准参数设为0，并执行所述光刻参数设定流程；若无所述关键尺寸量测而有所述套刻对准量测，则光刻参数设定流程中的光刻参数包括套刻对准参数，所述处理器根据最新反馈的现有产品的光刻曝光量和焦距，确定新产品的光刻曝光量和焦距，并执行所述光刻参数设定流程。

在其中一个实施例中，所述光刻参数存储器用于为第一光刻机台提供所述新产品的光刻参数，所述第一光刻机台采用所述新产品的光刻参数对所述新产品进行光刻；所述光刻系统还包括补偿参数存储器，用于存储所述第一光刻机台反馈的光刻参数补偿值；所述补偿参数存储器连接光刻所述新产品的其它光刻机台，所述其它光刻机台根据所述光刻参数补偿值对所述新产品进行光刻。

还有必要提供一种获取光刻参数的光刻方法，包括下列步骤：步骤一，获取新产品的编号；步骤二，将所述新产品的编号与现有产品的编号进行逐一比较；步骤三，判断是否存在编号的前A位与所述新产品相同的现有产品，若有，则将所述编号的前A位与新产品相同的现有产品中，最新反馈的光刻参数作为所述新产品的光刻参数，否则进入下一步骤；步骤四，判断是否存在编号的前B位与所述新产品相同的现有产品，若有，则在所述编号的前B位与新产品相同的现有产品中，取C个产品中每个产品最新反馈的光刻参数的平均值作为所述新产品的光刻参数，否则进入下一步骤；其中A＞B；步骤五，在与所述新产品的光刻工艺相同的现有产品中取D个，将所述D个现有产品中每个产品最新反馈的光刻参数的平均值作为新产品的光刻参数。

在其中一个实施例中，所述步骤二之前还包括判断所述新产品的光刻工艺中是否有关键尺寸量测和套刻对准量测的步骤，若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均有，则进入所述步骤二；若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均无，则根据与所述新产品的光刻工艺和光刻机台型号均相同的现有产品的光刻参数，确定所述新产品的光刻参数。

在其中一个实施例中，若所述关键尺寸量测和所述套刻对准量测中仅有一个，则进入所述步骤二，在没有所述套刻对准量测时，将所述新产品的套刻对准参数设为0，所述步骤三、步骤四和步骤五中的所述光刻参数包括光刻曝光量和焦距；在没有所述关键尺寸量测时，根据最新反馈的现有产品的光刻曝光量和焦距，确定新产品的光刻曝光量和焦距，所述步骤三、步骤四和步骤五中的所述光刻参数包括套刻对准参数。

在其中一个实施例中，所述步骤四中的所述光刻参数包括光刻曝光量和套刻对准参数，其中所述新产品的光刻曝光量是所述C个产品中光刻曝光量反馈成功的C1个现有产品的光刻曝光量的平均值，所述新产品的套刻对准参数是所述C个产品中套刻对准参数反馈成功的C2个现有产品的套刻对准参数的平均值，C1和C2均大于零。

在其中一个实施例中，所述A＝6，B＝2，C＝5，D＝5。

在其中一个实施例中，所述步骤三还包括判断所述现有产品的目标关键尺寸和制程方案是否与所述新产品相同，只有存在所述目标关键尺寸、制程方案及编号的前A位与新产品相同的现有产品时才将其最新反馈的光刻参数作为所述新产品的光刻参数，否则进入所述步骤四。

在其中一个实施例中，所述C个产品是反馈成功、反馈的光刻参数在有效期内、且未被手动重设过光刻参数的现有产品。

在其中一个实施例中，还包括下列步骤：采用所述新产品的光刻参数在第一光刻机台上对所述新产品进行光刻；采集所述第一光刻机台反馈的光刻参数补偿值，并传输给光刻所述新产品的其它光刻机台；根据所述光刻参数补偿值在其它光刻机台上对所述新产品进行光刻。

上述自动获取光刻参数的光刻系统及光刻方法，利用生产中产品编号的必然与产品的生产工艺、生产流程等挂钩的客观规律，通过计算机系统自动筛选出合适的现有产品，作为新产品设定光刻参数的参考。能够减少人力消耗、提高流片速度和生产效率。

附图说明

图1是一实施例中自动获取光刻参数的光刻系统的结构示意图；

图2是另一实施例中自动获取光刻参数的光刻系统的结构示意图；

图3是一实施例中获取光刻参数的光刻方法的流程图；

图4是另一实施例中获取光刻参数的光刻方法的流程图；

图5为11Logic光刻工艺中层次“TO”的光刻参数模板界面；

图6是一实施例中自动获取光刻参数的光刻方法在设定好新产品的光刻参数后的后续流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在光刻的批次控制系统中，每个需要光刻的集成电路产品都会有一个编号。编号是遵循一定规律的，虽然各厂家的编号规则不同，但基本可以认为同一厂(Fab)中编号相似度高的产品，其在光刻工艺和流程上的区别很小。

图1是一实施例中自动获取光刻参数的光刻系统的结构示意图，包括输入模块110、编号存储器120、处理器130以及光刻参数存储器140。处理器130分别连接输入模块110、编号存储器120及光刻参数存储器140。

其中光刻参数存储器140用于存储光刻参数。输入模块110用于获取新产品的编号。编号存储器120用于存储现有产品和新产品的编号。

处理器130包括判断单元、第一光刻参数设定单元、第二光刻参数设定单元以及第三光刻参数设定单元。处理器130用于执行光刻参数设定流程，并将新产品的光刻参数存入光刻参数存储器140中。在光刻参数设定流程中，判断单元从编号存储器120中读取新产品的编号并将其与现有产品的编号进行逐一比较，判断是否存在编号的前A位与新产品相同的现有产品。若有，则第一光刻参数设定单元将符合条件的现有产品中，最新反馈给光刻参数存储器140的光刻参数设定为新产品的光刻参数。否则判断单元继续判断是否存在编号的前B位与新产品相同的现有产品，若有，则第二光刻参数设定单元在编号的前B位与新产品相同的现有产品中，取C个产品中每个产品最新反馈给光刻参数存储器的光刻参数计算平均值并设定为新产品的光刻参数，其中A＞B。否则第三光刻参数设定单元在与新产品的光刻工艺相同的现有产品中取D个，计算D个现有产品的光刻参数的平均值并设定为新产品的光刻参数。

图2是另一实施例中自动获取光刻参数的光刻系统的结构示意图，其在图1所示实施例的基础上增加了制程判断模块150，且处理器130还包括第四光刻参数设定单元。

制程判断模块150用于判断新产品的光刻工艺中是否包括关键尺寸量测和套刻对准量测制程。若关键尺寸量测和套刻对准量测均有，则处理器130用于执行光刻参数设定流程；若关键尺寸量测和套刻对准量测均无，则第四光刻参数设定单元根据与新产品的光刻工艺和光刻机台型号均相同的现有产品中的光刻参数，确定新产品的光刻参数；若有关键尺寸量测而无套刻对准量测，则处理器130的光刻参数设定流程中的光刻参数包括光刻曝光量和焦距，处理器130将新产品的套刻对准参数设为0，并执行光刻参数设定流程；若无关键尺寸量测而有套刻对准量测，则光刻参数设定流程中的光刻参数包括套刻对准参数，处理器130根据最新反馈的现有产品的光刻曝光量和焦距，确定新产品的光刻曝光量和焦距，并执行光刻参数设定流程。

光刻参数存储器140用于为第一光刻机台提供新产品的光刻参数。该第一光刻机台是设定好新产品的光刻参数后先行对新产品进行光刻的机台。对新产品先行光刻后，该第一光刻机台会反馈一个光刻参数补偿值。自动获取光刻参数的光刻系统还包括补偿参数存储器，用于存储第一光刻机台反馈的光刻参数补偿值。补偿参数存储器连接光刻新产品的其它光刻机台，其它光刻机台根据光刻参数补偿值对新产品进行光刻。

图3是一实施例中获取光刻参数的光刻方法的流程图，包括下列步骤：

S210，获取新产品的编号；

S220，将新产品的编号与现有产品的编号进行逐一比较。

S230，判断是否存在编号的前A位与所述新产品相同的现有产品，若有，则执行步骤S232，否则执行步骤S240。

S232，在编号的前A位与新产品相同的现有产品中，将最新反馈的光刻参数作为新产品的光刻参数。

某个产品光刻完成后，通常需要流经量测设备，由量测设备量测后向系统反馈一个光刻参数的反馈值。在本实施例中，光刻参数至少包括曝光量(dose)、焦距(focus)及套刻对准参数(overlay data)。在一个实施例中，产品的编号为8位，取A＝6。假设新产品的编号是QP0006BA，现有产品中存在编号为QP0006AA的产品，则会采用编号为QP0006AA的现有产品中最新反馈的反馈值作为新产品的光刻参数(又称为新产品的下货值)。可以通过电子计算机遍历现有产品的编号，若存在多个编号的前6位与新产品相同的现有产品，则在这多个现有产品中，将最新反馈的那个产品的光刻参数作为新产品的光刻参数。在其它实施例中，也可以是将编号相同的位数最多的那个现有产品最新反馈的光刻参数作为新产品的光刻参数。

上述编号前6位相同的情况，一般两产品之间只是光刻流程中的某一步或几步存在区别，或者更新了某一层次的光刻版。

S240，判断是否存在编号的前B位与新产品相同的现有产品，若有，则执行步骤S242，否则执行步骤S250。

S242，在编号的前B位与新产品相同的现有产品中，取C个产品中每个产品最新反馈的光刻参数的平均值作为新产品的光刻参数；其中A＞B。

在一个实施例中，产品的编号为8位，取B＝2，C＝5。若与新产品编号的前2位相同现有产品不满5个，则有几个取几个。C＝5是一个综合考虑了准确性及计算效率后的取值。

S250，在与新产品的光刻工艺相同的现有产品中取D个，将D个现有产品中每个产品最新反馈的光刻参数的平均值作为新产品的光刻参数。

在一个实施例中，是按照反馈的时间的先后顺序，取最新反馈的D个光刻工艺与新产品相同的现有产品，将其反馈值的平均值作为新产品的光刻参数。经实际实验，取D＝5可以获得较好的效果。

上述获取光刻参数的光刻方法，利用生产中产品编号的必然与产品的生产工艺、生产流程等挂钩的客观规律，通过计算机系统自动筛选出合适的现有产品，作为新产品设定光刻参数的参考。能够减少人力消耗、提高流片速度和生产效率。

图4是另一实施例中获取光刻参数的光刻方法的流程图，其在图3所示实施例的步骤S220之前，还包括：

S212，判断新产品的光刻工艺中是否有关键尺寸(Critical Dimension，CD)量测和套刻对准(Overlay)量测的步骤。若两个量测步骤均无，则执行步骤S214；若至少有一个，则进入步骤S220。

批次控制系统在有新产品需要制造(即下线)时，可以根据该新产品的制造流程自动分析得出其是否有关键尺寸量测和套刻对准量测的步骤，无需人工进行判断。

其中，光刻曝光量和焦距与关键尺寸量测步骤有关，套刻对准参数与套刻对准量测步骤有关。图3所示实施例的方案特别适用于关键尺寸量测和套刻对准量测步骤均有的新产品。

若新产品没有套刻对准量测而有关键尺寸量测步骤，则将新产品的套刻对准参数(overlay data)设为0，光刻曝光量(dose)和焦距(focus)则按照图4所示步骤S220～S250进行设定。若新产品没有关键尺寸量测而有套刻对准量测步骤，则新产品的套刻对准参数按照图4所示步骤S220～S250进行设定，光刻曝光量和焦距可以设定为与最新反馈的某一现有产品的光刻曝光量和焦距相同，还可以将制程方案、光刻机台型号和光刻工艺是否相同作为该现有产品的限制条件，即要求必须满足该现有产品的制程方案、光刻机台型号和光刻工艺中的一项或多项条件与新产品相同，才将新产品的光刻曝光量和焦距参照该现有产品进行设定。

在一个实施例中，步骤S242新产品的光刻参数中光刻曝光量是C个产品中光刻曝光量反馈成功的C1个现有产品的光刻曝光量的平均值，新产品的套刻对准参数是C个产品中套刻对准参数反馈成功的C2个现有产品的套刻对准参数的平均值。也就是说，步骤S242中新产品的光刻曝光量和套刻对准参数是分别独立进行计算的。对于一个现有产品，若光刻曝光量反馈失败、套刻对准参数反馈成功，则可以将其反馈的套刻对准参数作为C1(个)中的一个，计算平均值；反之若光刻曝光量反馈成功、套刻对准参数反馈失败，则可以将其反馈的光刻曝光量作为C2(个)中的一个，计算平均值。因此计算新产品的光刻曝光量和套刻对准参数可以分别采用不同的现有产品进行计算。例如有甲乙丙丁戊己6个现有产品，可以使用甲乙丙丁计算光刻曝光量的平均值(戊己的光刻曝光量反馈失败)，用乙丙丁戊己计算套刻对准参数的平均值。这样可以获得新产品较合理的光刻参数。需要注意的是至少要有一个满足条件且光刻曝光量反馈成功的现有产品，和一个满足条件且套刻对准参数反馈成功的现有产品(C1、C2均大于零)，否则认为步骤S242中没有计算出新产品的光刻参数，执行步骤S250。

在一个实施例中，步骤S232中编号前A位与新产品相同的现有产品还需要满足目标关键尺寸(CD target)和制程方案(Track Recipe)与新产品相同的条件，才将其最新反馈的光刻参数作为新产品的光刻参数。若不存在满足条件的现有产品则进入步骤S240。该限制条件是为了提高新产品的光刻参数设定的合理性。

在一个实施例中，对于前述所有用于计算或直接将其光刻参数作为新产品的光刻参数的现有产品，均需满足以下条件：反馈成功、反馈的光刻参数在有效期内、未被手动重设(reset)过光刻参数。该有效期根据经验可以设定为3个月。这些限制条件同样是为了提高新产品的光刻参数设定的合理性。

在一个实施例中，可以建立模板平台，对所有光刻工艺及所有层次事先维护好光刻参数，包括制程方案(Track Recipe)、光刻机台(Tool)、光刻曝光量(dose)、焦距(focus)、套刻对准参数(overlay data)等，形成如图5所示界面。其中套刻对准参数可以包括tranX、tranY、OffsetX、OffsetY等。图5所示为11Logic光刻工艺中层次“TO”的光刻参数模板界面，当光刻工艺相同(同样是11Logic工艺)的新产品下线后，系统在“TO”层次将会直接调用模板中的光刻参数，如光刻曝光量dose为24毫焦，焦距focus为-0.1微米等，并由系统自动同步维护好这些光刻参数，无须人为参与，极大地提高了效率。

参见图6，自动获取光刻参数的光刻方法在设定好新产品的光刻参数后还可以包括下列步骤：

S260，采用新产品的光刻参数在第一光刻机台上对新产品进行光刻。

按照前面的步骤(例如S232)中设定好新产品的光刻参数后，采用该光刻参数在一机台上先行光刻。例如可以在编号为ALDI06的光刻机台上先行光刻。

S270，采集第一光刻机台反馈的光刻参数补偿值，并传输给光刻新产品的其它光刻机台。

例如，机台ALDI06上先行过后，反馈的光刻曝光量优化值为23毫焦，则补偿值为23-24＝-1毫焦，这一补偿值将被传输给其它光刻机台。

S280，根据光刻参数补偿值在其它光刻机台上对新产品进行光刻。

ALDI07、ALDI10等其它机台会将光刻曝光量同步更新为24+(-1)＝23毫焦。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种自动获取光刻参数的光刻系统，其特征在于，包括：

光刻参数存储器，用于存储光刻参数；

输入模块，用于获取新产品的编号；

编号存储器，用于存储现有产品和所述新产品的编号；

处理器，连接所述光刻参数存储器、输入模块及编号存储器，包括判断单元、第一光刻参数设定单元、第二光刻参数设定单元以及第三光刻参数设定单元，所述处理器用于执行光刻参数设定流程，并将所述新产品的光刻参数存入所述光刻参数存储器中；所述光刻参数设定流程包括所述判断单元从编号存储器中读取并将所述新产品的编号与现有产品的编号进行逐一比较，判断是否存在编号的前A位与所述新产品相同的现有产品，若有，则所述第一光刻参数设定单元将所述编号的前A位与新产品相同的现有产品中，最新反馈给光刻参数存储器的光刻参数设定为所述新产品的光刻参数；否则所述判断单元继续判断是否存在编号的前B位与所述新产品相同的现有产品，若有，则所述第二光刻参数设定单元在所述编号的前B位与新产品相同的现有产品中，取C个产品中每个产品最新反馈给光刻参数存储器的光刻参数计算平均值并设定为所述新产品的光刻参数，其中A＞B；否则所述第三光刻参数设定单元在与所述新产品的光刻工艺相同的现有产品中取D个，计算所述D个现有产品的光刻参数的平均值并设定为新产品的光刻参数。

2.根据权利要求1所述的自动获取光刻参数的光刻系统，其特征在于，包括制程判断模块，所述处理器包括第四光刻参数设定单元；

所述制程判断模块用于判断所述新产品的光刻工艺中是否包括关键尺寸量测和套刻对准量测制程；若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均有，则所述处理器用于执行光刻参数设定流程；若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均无，则所述第四光刻参数设定单元根据与所述新产品的光刻工艺和光刻机台型号均相同的现有产品中的光刻参数，确定所述新产品的光刻参数；若有所述关键尺寸量测而无所述套刻对准量测，则光刻参数设定流程中的光刻参数包括光刻曝光量和焦距，所述处理器将所述新产品的套刻对准参数设为0，并执行所述光刻参数设定流程；若无所述关键尺寸量测而有所述套刻对准量测，则光刻参数设定流程中的光刻参数包括套刻对准参数，所述处理器根据最新反馈的现有产品的光刻曝光量和焦距，确定新产品的光刻曝光量和焦距，并执行所述光刻参数设定流程。

3.根据权利要求1所述的自动获取光刻参数的光刻系统，其特征在于，所述光刻参数存储器用于为第一光刻机台提供所述新产品的光刻参数，所述第一光刻机台采用所述新产品的光刻参数对所述新产品进行光刻；所述光刻系统还包括补偿参数存储器，用于存储所述第一光刻机台反馈的光刻参数补偿值；所述补偿参数存储器连接光刻所述新产品的其它光刻机台，所述其它光刻机台根据所述光刻参数补偿值对所述新产品进行光刻。

4.一种获取光刻参数的光刻方法，包括下列步骤：

步骤一，获取新产品的编号；

步骤二，将所述新产品的编号与现有产品的编号进行逐一比较；

步骤三，判断是否存在编号的前A位与所述新产品相同的现有产品，若有，则将所述编号的前A位与新产品相同的现有产品中，最新反馈的光刻参数作为所述新产品的光刻参数，否则进入下一步骤；

步骤四，判断是否存在编号的前B位与所述新产品相同的现有产品，若有，则在所述编号的前B位与新产品相同的现有产品中，取C个产品中每个产品最新反馈的光刻参数的平均值作为所述新产品的光刻参数，否则进入下一步骤；其中A＞B；

步骤五，在与所述新产品的光刻工艺相同的现有产品中取D个，将所述D个现有产品中每个产品最新反馈的光刻参数的平均值作为新产品的光刻参数。

5.根据权利要求4所述的一种获取光刻参数的光刻方法，其特征在于，所述步骤二之前还包括判断所述新产品的光刻工艺中是否有关键尺寸量测和套刻对准量测的步骤，若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均有，则进入所述步骤二；若所述关键尺寸量测和套刻对准量测均无，则根据与所述新产品的光刻工艺和光刻机台型号均相同的现有产品的光刻参数，确定所述新产品的光刻参数。

6.根据权利要求5所述的一种获取光刻参数的光刻方法，其特征在于，若所述关键尺寸量测和所述套刻对准量测中仅有一个，则进入所述步骤二，在没有所述套刻对准量测时，将所述新产品的套刻对准参数设为0，所述步骤三、步骤四和步骤五中的所述光刻参数包括光刻曝光量和焦距；在没有所述关键尺寸量测时，根据最新反馈的现有产品的光刻曝光量和焦距，确定新产品的光刻曝光量和焦距，所述步骤三、步骤四和步骤五中的所述光刻参数包括套刻对准参数。

7.根据权利要求5所述的一种获取光刻参数的光刻方法，其特征在于，所述步骤四中的所述光刻参数包括光刻曝光量和套刻对准参数，其中所述新产品的光刻曝光量是所述C个产品中光刻曝光量反馈成功的C1个现有产品的光刻曝光量的平均值，所述新产品的套刻对准参数是所述C个产品中套刻对准参数反馈成功的C2个现有产品的套刻对准参数的平均值，C1和C2均大于零。

8.根据权利要求4所述的一种获取光刻参数的光刻方法，其特征在于，所述A＝6，B＝2，C＝5，D＝5。

9.根据权利要求4所述的一种获取光刻参数的光刻方法，其特征在于，所述步骤三还包括判断所述现有产品的目标关键尺寸和制程方案是否与所述新产品相同，只有存在所述目标关键尺寸、制程方案及编号的前A位与新产品相同的现有产品时才将其最新反馈的光刻参数作为所述新产品的光刻参数，否则进入所述步骤四。

10.根据权利要求4所述的一种获取光刻参数的光刻方法，其特征在于，所述C个产品是反馈成功、反馈的光刻参数在有效期内、且未被手动重设过光刻参数的现有产品。

11.根据权利要求4所述的一种获取光刻参数的光刻方法，其特征在于，还包括下列步骤：

采用所述新产品的光刻参数在第一光刻机台上对所述新产品进行光刻；

采集所述第一光刻机台反馈的光刻参数补偿值，并传输给光刻所述新产品的其它光刻机台；

根据所述光刻参数补偿值在其它光刻机台上对所述新产品进行光刻。

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