CN103348416A - 用于提供导电接触层的材料、具有上述层的接触元件、用于提供接触元件的方法及上述材料的用途 - Google Patents

用于提供导电接触层的材料、具有上述层的接触元件、用于提供接触元件的方法及上述材料的用途 Download PDF

Info

Publication number
CN103348416A
CN103348416A CN2012800074413A CN201280007441A CN103348416A CN 103348416 A CN103348416 A CN 103348416A CN 2012800074413 A CN2012800074413 A CN 2012800074413A CN 201280007441 A CN201280007441 A CN 201280007441A CN 103348416 A CN103348416 A CN 103348416A
Authority
CN
China
Prior art keywords
scope
basis
contact layer
basis material
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012800074413A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103348416B (zh
Inventor
亨里克·荣格克兰茨
克里斯蒂安·乌尔里希
阿克塞尔·弗林克
托布约恩·乔尔森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Impact Coatings AB
Original Assignee
Impact Coatings AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Impact Coatings AB filed Critical Impact Coatings AB
Publication of CN103348416A publication Critical patent/CN103348416A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103348416B publication Critical patent/CN103348416B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0036—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
    • H01H1/021—Composite material
    • H01H1/023—Composite material having a noble metal as the basic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Contacts (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一种用于提供导电接触层的材料，材料包含为Ag、Cu、Sn、Ni中的任意一种、其一种的第一金属盐或其一种或多种的合金的基体材料。材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In；在0.01at.%至10at.%的范围内的Pd；在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非基体材料已经包含较高量的Sn。从这样的材料，可以提供与仅基体材料的涂层相比具有改进的耐腐蚀性和低的接触电阻的接触层（6）。还公开的是：包括衬底（4）和涂覆在其上的包含材料的接触层（6）的导电接触元件（2）、用于提供接触元件（2）的方法及材料作为接触层和靶材料的用途。

Description

用于提供导电接触层的材料、具有上述层的接触元件、用于提供接触元件的方法及上述材料的用途
技术领域
本公开内容通常涉及导电接触层，且涉及用于提供这样的层的材料。
背景
导电接触元件，即适合于电连接装置的元件比如插入式连接器及滑动或固定接触件的元件，通常包括导电的金属主体，且为了改进某些性能，例如电性能和/或防护性能，导电接触层覆盖接触元件的至少接触区域。防护可以是关于可与其中接触元件具有其应用的环境一起发生的磨损、腐蚀或其它有害的化学反应。
金是通常适合作为接触层但昂贵的一种材料。潜在的金替代物是银。然而，银并非如通常将期望的或需要的那样惰性，且因此，可能需要进一步改进一些性能比如耐腐蚀性，尤其在包含Cl-和/或H2S的环境中，否则Cl-和/或H2S趋向于与银反应且产生具有劣化的电性能的表面层。
在WO 2010/005382 A1中，在条状衬底的表面上提供由按重量计1-10%的In和按重量计90-99%的Ag，尤其由按重量计5%的In和按重量计95%的Ag组成的银-铟合金的传导性层。合金的电性能是好的，且不易与环境空气中的硫反应。
EP1489193公开了由按重量计0.01-5.0%的In和Sn，尤其按重量计0.5%的In和按重量计0.5%的Sn，与由银组成的剩下部分组成的基于银的合金的溅射靶。
US6565983公开了具有用0.001μm至1mm厚的包含金属盐的减少摩擦的层覆盖的接触表面的电接触元件，金属盐为金属卤化物或金属硫化物。
US7670689公开了一种抗硫化作用的银基涂层，银基涂层包括由银基体材料制成的一个主要的层和一个在10nm和1μm之间的氧化薄膜的堆。
T.R.Long，Platinum Metals Rev.，1976，20，46-47公开了，由多于20wt.%的Pd组成的基于银的合金具有改进的耐腐蚀性。
发明概述
鉴于以上，本公开内容的目的是提出一种克服或至少减少现有技术中的问题的解决方案，或是至少提出一种可选择的解决方案。更具体的目的是提出一种能够提供包含导电金属基体材料的导电接触层的解决方案，其中接触元件与由导电金属基体材料本身制成的接触元件相比具有改进的耐腐蚀性。
已经发现，通过添加In和Sn（高至10at.%，即原子百分率），导电基体材料尤其是银关于耐硫化（腐蚀变色）腐蚀性可以被改进，但耐盐雾腐蚀性没有将期望的那么好。之前已经发现具有高的Pd含量（>20wt.%）的基于银的材料改进了耐腐蚀性。然而，Pd的高的价格使得这样的材料在商业上不那么使人感兴趣。因此，具有较少的Pd含量的材料可能是优选的，但对于H2S的耐腐蚀性不是那么足够。包含In+Sn和Pd两者的基于银的材料的考察显示，来自In+Sn和Pd的耐腐蚀性作用可以相互起反作用，例如与在使用In+Sn而没有Pd时相比，Pd可以不利地影响抗硫化作用。因此，一个挑战是寻找具有In+Sn和Pd的材料，该材料能够充分改进对于硫化作用和盐雾腐蚀两者的耐腐蚀性。此外，发现可以使用基于金属盐比如银盐的材料作为基体材料本身或作为材料中的添加剂，代替基于金属例如纯银的材料，从而能够增强耐腐蚀性以及降低材料的摩擦系数，同时保持低的接触电阻。尽管考察已经集中于作为基体材料的金属的银，In+Sn和Pd添加剂还可以与其它基体材料金属一起使用，通常与银、铜、锡、镍或钴、其一种的第一金属盐或其合金一起使用。
本发明通过所附的独立权利要求来限定。实施方式在从属权利要求中及在以下描述和附图中来陈述。
因此，从以下描述中将明显的上述及其它目的和益处为：
根据通过一种用于提供导电接触层的材料来实现的第一方面，材料包含为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金的基体材料，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In；在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非基体材料已经包含较高量的Sn；及在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非至少一种元素已经存在于基体材料中。
例如，如果基体材料为Sn，材料还可以包含在0.01at.%至10at.%的范围内的In和例如在0.01at.%至10at.%的范围内的Pt。
从这样的材料，可以提供与仅有基体材料的涂层相比具有改进的耐腐蚀性和低的接触电阻的接触层。在此，关于基体材料是指构成材料的至少50at.%且为用于改进的耐腐蚀性的靶（target）的材料。
基体材料可以是Ag。在一个实施方式中，材料可以包含小于或约5at.%的In、小于或约10at.%的Sn和小于或约5at.%的至少一种元素或元素的组合。材料可以包含在70at.%至99.7at.%的范围内的基体材料，使得材料中的所有成分的总和为100at.%。这是指对于包含例如10at.%的In、10at.%的Sn和10at.%的Pt的接触层组合物，剩下部分70at.%将由所选定的基体材料组成。
根据通过一种用于提供导电接触层的材料来实现的第二方面，材料包含为Ag、Cu、Sn、Ni中的任意一种、其一种的第一金属盐或其一种或多种的合金的基体材料，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In、在0.01at.%至10at.%的范围内的Pd以及在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非基体材料已经包含较高量的Sn。例如，如果基体材料为Sn，材料还可以包含在0.01at.%至10at.%的范围内的In和在0.01at.%至10at.%的范围内的Pd。
基体材料可以是Ag。在一个实施方式中，材料可以包含小于或约1.5at.%的In、小于或约1.5at.%的Sn、小于或约3at.%的Pd。
材料还可以包含至少约0.01at.%的第二金属盐，优选地金属卤化物或金属硫化物。通过第二金属盐的添加，可以进一步改进耐腐蚀性。第二金属盐可以包含以下金属中的一种或多种：Ag、Sn和Cu。第二金属盐可以是包括以下卤化物中的一种或多种的金属卤化物：碘化物、氯化物和溴化物。
在一个实施方式中，Ag、Cu、Sn、Ni中的一种的第一金属盐是基体材料且第一金属盐是碘化物和溴化物中的一种或多种。第一金属盐可以是AgI或AgBr。
在一个实施方式中，材料还可以包含在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非至少一种元素已经存在于基体材料中。
这样的材料可以包含小于或约10at.%的至少一种元素或元素的组合，使得Pd和至少一种元素或元素的组合的总和为小于或约10at.%。
在一个实施方式中，材料可以包含在70at.%至99.7at.%的范围内的基体材料，使得材料中的所有成分的总和为100at.%。
根据通过一种提供导电接触层的材料来实现的第三方面，材料包含为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金的基体材料，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In、在0.01at.%至10at.%的范围内的Pd以及在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非基体材料已经包含较高量的Sn。
基体材料可以是Ag。
在一个实施方式中，材料还可以包含在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非至少一种元素已经存在于基体材料中。
这样的材料可以包含小于或约10at.%的至少一种元素或元素的组合，使得Pd和至少一种元素或元素的组合的总和为小于或约10at.%。
在一个实施方式中，材料可以包含在70at.%至99.7at.%的范围内的基体材料，使得材料中的所有成分的总和为100at.%。
根据通过一种用于提供导电接触层的材料来实现的第四方面，材料包含为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金的基体材料，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In及在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非至少一种元素已经存在于基体材料中。
基体材料可以是Ag。在一个实施方式中，材料可以包含小于或约5at.%的In和小于或约5at.%的至少一种元素或元素的组合。
在一个实施方式中，材料可以包含在80at.%至99.8at.%的范围内的基体材料，使得材料中的所有成分的总和为100at.%。
根据通过一种用于提供导电接触层的材料来实现的第五方面，材料包含为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金的基体材料，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非基体材料已经包含较高量的Sn及在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os或其任意组合的组的至少一种元素，除非至少一种元素已经存在于基体材料中。
基体材料可以是Ag。材料可以包含小于或约10at.%的Sn和小于或约5at.%的至少一种元素或元素的组合。
在一个实施方式中，材料包含在80at.%至99.8at.%的范围内的基体材料，使得材料中的所有成分的总和为100at.%。
根据第六方面，前述及其它目的和益处通过包括衬底和涂覆在其上的包含材料的接触层的导电接触元件来实现。在此及下文中，关于“材料”是指前述的材料中的任意一种。
导电接触元件还可以包含沉积在接触层上的外部保护层，其中所述外部保护层基本上由Si、O和C组成。
关于“基本上组成”是指（仅）由成分组成的层，达到在如技术人员将认识到的实际情况下可实现的程度。
导电接触元件还可以包含沉积在接触层上的外部保护层，其中所述外部保护层基本上由氧化铟和氧化锡组成。
这样的外部保护层保护接触层，使得其不受例如接触元件的储存期间的褪色的损害，而没有接触电阻的任何显著减少。
根据第七方面，上述及其它目的和益处通过用于提供导电接触元件的方法来实现，包括提供衬底和为衬底提供接触层的步骤，其中接触层包含材料。
接触层可以通过蒸发，优选地通过物理气相沉积，且优选地从包含材料的靶材料涂覆在衬底上。例如，所使用的物理气相沉积技术可以是直流磁控溅射和高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）。其它可能的涂覆方法为电镀、化学镀和等离子喷涂、滚压（rolling）等。
方法还包括用由基本上由Si、O和C组成的聚合物涂层或由基本上由氧化铟和氧化锡组成的金属氧化物的PVD或CVD所产生的外部保护层涂覆接触层的表面的步骤。
根据第八方面，上述及其它目的和益处通过材料作为导电接触元件的接触层的用途来实现。
根据第九方面，上述及其它目的和益处通过材料作为用于通过蒸发，优选地通过物理气相沉积进行沉积的靶材料的用途来实现。
附图简述
参考所附的示意图，通过以下阐述性且非限制性的详细描述，将更好地理解本发明的以上及其它方面、目的和益处。
图1a-图1b显示导电接触元件的实施方式的示意性局部横截面图。
图2是示意性地显示在用于提供导电接触元件的方法中的步骤的框图。
图3显示在使元件经历盐雾腐蚀测试之前和之后且在使元件暴露到腐蚀变色环境之前和之后，来自导电接触元件的实施方式的评估的实验结果。
在图中，甚至在参考编号指的是不同实施方式中的特征时，相同的参考编号用于相同、相似或相应的特征。
详细描述
图1a显示包括衬底4a、4b和涂覆在其上的包含下文将详细讨论的材料的接触层6的导电接触元件2的示意性局部横截面图。衬底4a可以是具有电镀在其上的镍合金4b的铜合金或具有通过PVD涂覆在其上的镍合金4b的不锈钢。同时，其它类型的衬底可能是其它材料的和/或包括仅一层或多于两层的堆。通常，可以使用任何常规的导电接触元件衬底。很好地认识到的是，电接触元件通常用于其中期望能够以可重复的方式产生和/或断开电连接的各种不同的应用中。可以使用本解决方案的应用包括即通常的连接器、开关和断开器、电源连接器、智能卡连接器、电池接触应用、移动电话的充电接触、消费电子产品中的接触、在工业应用、汽车应用、防御和领空应用中的电接触元件及用于信号应用的电接触元件，且包括低电压、中等电压和高电压应用。导电接触元件2可以用于代替任何常规的电接触元件。材料包含为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种或其一种的第一金属盐或其一种或多种的合金的基体材料，材料还包含从0.01高至10at.%的In、从0.01高至10at.%的Sn（除非Sn以较高含量为基体材料的一部分）及从0.01高至10at.%的Pd。因此，In、Sn和Pd中的每一种的量为至少高于0，在此至少0.01at.%，尽管实际上有效量通常将是至少0.1at.%。基体材料通常基本上构成材料的剩余部分，或至少至在实际情况中可能的程度。然而，可以可能的是，不是基体材料、In、Sn和Pd中的任意一种的一部分的若干量的额外的添加剂也存在于材料中，但不应对由结合In、Sn和Pd的基体材料所提供的作用具有任何实质性的有害影响，即与其中材料将基本上由基体材料、In、Sn和Pd组成的材料的情况相比，对接触电阻和耐腐蚀性不具有任何实质性的有害影响。在任意情况下，基体材料应构成材料的至少50at.%。材料的更详细说明的实施方式将在下文中。
通常，接触层6由材料形成，且因此可以基本上由材料组成，但在一些实施方式中，材料可以是部分，例如为由材料组成或包含材料的接触层6的子区域（sub area）或子层（sub layer）。接触层6还可以包含不是材料本身的一部分的额外的试样，例如试样可以部分地存在于接触层中，以提供一些额外的性能或功能。这样的接触层6的一个较详细说明的实例将在下文给出。
接触层6的厚度通常超过10nm，但较小的厚度也是可能的。然而，优选地，厚度小于1μm，或约0.3μm。
在一些实施方式中，材料可以包含小于或约5at.%的In和/或5at.%的Sn和/或5at.%的Pd，或甚至小于或约1.5at.%的In和/或小于或约1.5at.%的Sn和/或小于约3at.%的Pd。例如，其中与全部材料相比较的Sn、In和Pd的量在以下的表1中的A-M标记的范围之内的实施方式是可能的。
Sn In Pd
A ≤10at.% ≤10at.% ≤10at.%
B ≤10at.% ≤5at.% ≤10at.%
C ≤5at.% ≤10at.% ≤10at.%
D ≤5at.% ≤5at.% ≤5at.%
E ≤5at.% ≤5at.% ≤3at.%
F ≤5at.% ≤5at.% ≤10at.%
G ≤5at.% ≤5at.% ≤3at.%
H ≤5at.% ≤1.5at.% ≤10at.%
I ≤5at.% ≤1.5at.% ≤3at.%
J ≤1.5at.% ≤5at.% ≤10at.%
K ≤1.5at.% ≤5at.% ≤3at.%
L ≤1.5at.% ≤1.5at.% ≤10at.%
M ≤1.5at.% ≤1.5at.% ≤3at.%
表1-可能范围的实例
根据表1中的A-M的量是可能与为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其一种的第一金属盐的任意基体材料一起使用的每一种量，但当基体材料为Ag时，可以是特别感兴趣的。
保持In+Sn和Pd之间的关系可以是有利的，使得Pd的at.%小于至少约两倍的In+Sn按at.%计的量，或甚至小于约1.5倍的In+Sn按at.%计的量。
在一个更特定的实施方式中，衬底4a为已经PVD涂覆有包含至少72at.%的Ni的镍合金的304等级不锈钢，该镍合金形成了其上已经用PVD涂覆接触层6的衬底层4b。接触层由包含95.5at.%的Ag、1at.%的In、1at.%的Sn以及2.5at.%的Pd的银合金形成。
注意到，衬底不必是导电的，且因此在一些实施方式中可以为不导电的。
在其中基体材料包含Ag、Cu、Sn、Ni中的任意一种的第一金属盐的实施方式中，第一金属盐优选地为碘化物和溴化物中的一种或多种，比如AgI或AgBr。
在一个实施方式中，基体材料为在95.5at.%下的Ag和AgI（比例约1:1），且材料还可以包含约1at.%的In、约1at.%的Sn和约2.5at.%的Pd。
当基体材料包含不是Ag的其它材料即Cu和/或Sn和/或Ni和/或Co时，In、Sn和Pd的量可以选自相应范围A-M的上部部分，即以相对较高的量，以较好地补偿这些材料比Ag弱的惰性。
在一些实施方式中，材料还可以包含至少约0.01at.%，或实际上通常至少约0.1at.%的第二金属盐，优选地金属卤化物或金属硫化物。优选地，金属为银、锡和铜中的一种或多种，且优选地卤化物为碘化物、氯化物和溴化物中的任意一种。
在一个实施方式中，基体材料为Ag，材料包含约1at.%的In、约1at.%的Sn和约2.5at.%的Pd，且还包含45%的AgI（碘化银），剩下部分基本上由基体材料Ag组成。
在涉及盐雾暴露（所使用的测试与IEC 60068-2-11测试Ka很好地相一致）和硫化氢暴露（所使用的测试与IEC 60068-2-60测试Ke很好地相一致）的环境腐蚀测试中评估设置有不同组成的接触层6的导电接触元件2。用于环境腐蚀测试的导电接触元件2相应于图1a所示的导电接触元件2，其中衬底4a为涂覆有包含至少72at.%的Ni的0.3μm镍合金的304等级不锈钢，该镍合金形成了在其上涂覆0.3μm接触层6的衬底4b。
盐雾暴露测试涉及在48小时期间内，使室温下置于密闭容器内的导电接触元件2每天经历盐雾喷射（在水中的5%（w/w）NaCl）5-10次。之后，在去离子水中冲洗导电接触元件2。在硫化氢暴露测试中，导电接触元件2固定在高出50ml Na2S（22.8g/l）溶液的表面10-100mm的烧杯中，持续24小时。烧杯位于在室温下的密闭容器中。
在盐雾暴露后，检验导电接触元件2的电性能和所述元件2的接触层6的耐腐蚀性。
在暴露到硫化氢后，检验接触层6的耐腐蚀变色性（tarnish resistance），即其抗硫化作用。腐蚀变色导致导电接触元件2的增加的接触电阻。一些接触层6组合物在暴露到硫化氢后展示不明显的浅黄色褪色，然而褪色没有不利地影响导电接触元件2的电性能。
设置有纯Ag（100at.%）的接触层6的导电接触元件2在暴露到盐雾和硫化氢两者后经历腐蚀。通过将Pd添加到接触层6中，Ag-Pd（90-10at.%）实现比纯Ag接触层6好得多的耐盐雾腐蚀性和稍微改进的抗硫化作用。如通常已知的，在Ag组合物中的甚至较高水平的Pd还可导致改进的抗硫化作用。
通过将In和Sn添加到基体材料中，对于Sn高至10at.%且对于In低于5at.%，设置有包含作为基体材料的Ag的接触层6的导电接触元件2的耐腐蚀性关于腐蚀变色而言是增强的。然而，对于这样的接触层6组合物，没有改进耐盐雾腐蚀性。
甚至对于非常低浓度的Pd和In（0.5at.%的Pd和1at.%的In），设置有Ag-Pd-In的接触层6组合物的导电接触元件2在暴露到盐雾后没有展示可检测到的腐蚀，且在暴露到硫化氢后展示不明显的浅黄色褪色，然而，褪色没有不利地影响导电接触元件2的电性能。对于低至非常低浓度的Pd和Sn（0.5at.%的Pd，1at.%的Sn）的Ag-Pd-Sn的接触层6组合物，也得到了相同的结果。
对于包含Ag、Pd、In和Sn的接触层6组合物，In+Sn和Pd的耐腐蚀性作用可以相互起反作用。与如果仅使用In+Sn相比，Pd可以不利地影响耐腐蚀变色性。具有0.01at.%的Pd含量和在以上指定的区间内的In/Sn水平的Ag-Pd-In-Sn的接触层6组合物导致与纯Ag的接触层6相比的改进的耐腐蚀变色性，但没有导致显著改进的耐盐雾腐蚀性。具有在Ag-Pd-In-Sn组合物中的0.5at.%的增加的Pd水平，在盐雾或硫化氢暴露后，不存在腐蚀迹象。因此，这样的接触层6展示比纯Ag好得多的耐盐雾腐蚀性和耐硫化氢腐蚀性和与Ag-In-Sn相比的改进的耐盐雾腐蚀性。在0.01at.%和5at.%的范围内的Pd，Ag-Pd-In-Sn组合物导致比纯Ag好的耐硫化氢腐蚀性和耐盐雾腐蚀性。在0.1at.%至5at.%的范围内的Pd含量导致与纯Ag的接触层6组合物相比的改进的耐硫化氢腐蚀性和耐盐雾腐蚀性，和与Ag-In-Sn组合物相比的改进的耐盐雾腐蚀性。通过改变Ag-Pd-In-Sn组合物中的Sn和In的含量，发现在0.01至10at.%的范围内的Sn水平和在0.01至5at.%的范围内的In水平导致与纯Ag相比的改进的耐腐蚀性。
在上述区间内，对于具有不是Pd或与Pd结合的其它贵金属的Ag-In-Sn合金，在环境测试中得到类似的结果。对于包含Ag-Ru-Pd-In-Sn（97.5-0.25-0.25-1-1at.%）、Ag-Pt-In-Sn（97.5-0.5-1-1at.%）和Ag-Au-In-Sn（97.5-0.5-1-1）的接触层6组合物，任一项环境测试中均不存在腐蚀迹象。所有三个接触层6组合物展示比Ag-In-Sn或纯Ag的接触层6高得多的耐腐蚀性。这些结果表明，与如果使用纯Ag或Ag-In-Sn组合物相比，在Ag-In-Sn组合物中添加任意贵金属包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或贵金属的组合可增强接触层6的耐腐蚀性。
如上文所讨论的，包含Ag-Pd-In的接触层6组合物导致与纯Ag相比的改进的耐腐蚀性。因此，以上关于在Ag-In-Sn组合物中使用任意贵金属包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或贵金属的组合的确定指示应该还可以适用于Ag-In组合物。对于Ag-Sn的接触层组合物，适用相同的推理。
认为可能的是，包含不是Ag的其它基体材料例如Cu、Sn、Ni、Co或基体材料的组合的接触层6组合物还将产生具有与仅具有基体材料本身的接触层6的导电接触元件2相比的改进的耐腐蚀性的导电接触元件2。通过形成两种或更多种金属的合金，显著改进具有持久的或改进的接触电阻的基体材料的耐腐蚀性是可能的。例如，本领域已知的是，由于如与单独的Cu和Ni相比的增强的耐腐蚀性，已经发现Cu和Ni的合金在船舶应用中的广泛使用。
图1b显示包括衬底4a、4b和涂覆在其上的接触层6的导电接触元件2的示意性局部横截面图。所示结构的这些部分相应于图1a的结构，且相应的部分可以是如关于图1a在上文讨论的相同或相似的部分。此外，图1b包括沉积在接触层6上的外部保护层8。外部保护层8可以是由主要由Si、O和C组成的聚合物涂层或主要由氧化铟和氧化锡组成的金属氧化物的PVD或CVD产生的，参见例如M.Grischke,A.Hieke,F.Morgenweck,H.Dimigen,Diamonds and Related Materials,1998,7,454-458。聚合物涂层厚度可以小于20nm。金属氧化物层的涂层厚度可以小于100nm。
通过聚合物层的沉积，可以形成保护层8，使得其包括由沉积产生的包括Si、O、C、F的外部（顶部）部分，和/或在用下面的形成至少部分保护层8的接触层6沉积的过程中可以存在反应。
通常，接触层例如Au层是用电镀来沉积的。根据本公开内容的材料也可以被电镀，但有利地用蒸发技术尤其是物理气相沉积（PVD）来沉积。形成这的益处包括涂覆难以电镀的材料例如不锈钢和铝的可能性，该益处允许更好地控制层的组成和厚度，且可以更环境友好地进行沉积。在保护涂层8由聚合物层的沉积产生时，使用具有单独的室的PVD涂覆设备是有利的，其中具有在一个室中涂覆的接触层6的接触元件4被移至用于涂覆保护层8的后一个室。本申请人的PVD设备和
Figure BDA00003610748500122
可以有利地被使用且适合于大量生产，大量生产一直是相比于电镀的蒸发技术的缺点。
除了如上文所提及的涂覆技术以外，接触层可以单独形成且然后附接例如通过焊接到接触元件上。可使用其它常规的技术，例如将一片材料例如由材料制成的线滚压（rolling down）至衬底4的表面中或至起始材料的在之前的步骤中已经提供在衬底之上的已经存在的接触层中。
图2是示意性地显示在用于制造导电接触元件的方法中的步骤的框图。在步骤102a中提供衬底，衬底可以为在前面所讨论的衬底中的一种。步骤102可以包括衬底比如在预先生产的衬底4a上的如前述讨论中的层4b的涂层例如通过PVD，但还可以包括提供完全预先生产的衬底，例如衬底可以是由基体金属（base metal）或金属合金制成的接触元件。接着，在步骤104中，用接触层6涂覆衬底4a、4b，其中接触层包括如在前面所讨论的材料。如已经提及的，步骤104优选地通过蒸发，优选地通过物理气相沉积（PVD），且优选地从包含材料的靶材料进行。然而，还可以使用多个靶比如用于材料的每一种成分的靶。在下文的一些进一步的详述中，讨论如何提供包含材料的靶材料。在最后的任选的步骤106中，用Si-O-C层涂覆接触层6，也优选地通过PVD，使得结果为通常具有低于约20nm的厚度的外部保护层8。这样的保护层在上文讨论。
本公开内容的材料可以以不同的方式预先生产，以便进一步用作用于使用PVD来沉积接触层的涂覆材料，即可以以靶材料的形式来提供且用作靶材料。在一个实施方式中，成分材料是合金化的，即熔化且在液态下混合且然后冷却。在另外的实施方式中，成分中的一种或多种以被烧结的粉末的形式来提供，包括冷或热的等压压制（CIPing或HIPing）的粉末。然后，在约200-400℃下热处理压制的粉末，持续1-4小时。在另外的实施方式中，包含材料的靶材料由为纯金属或部分材料的合金的起始材料制成，例如将基体材料用作起始材料，然后通过在起始材料所处的烘箱、真空室或化学浴中扩散来提供其余的成分。
图3显示来自在环境测试之前和之后的导电接触元件2的一个实施方式的评估的实验结果。在每一组中，左边的柱表示沉积的结果，中间的柱表示在盐雾暴露（IEC 60068-2-11测试Ka）后的结果且右边的柱表示在混合气体暴露（IEC 60068-2-60测试Ke）后的结果。评估的导电接触元件与图1a相一致，其中衬底4a为已经用包含至少72at.%Ni的0.3μm镍合金涂覆的304等级不锈钢，该镍合金形成了其上已经用PVD涂覆0.3μm接触层6的衬底层4b。接触层由包含95.5at.%的Ag、1at.%的In、1at.%的Sn和2.5at.%的Pd的Ag合金形成。盐雾暴露涉及在48小时的期间内，使导电接触元件2在35℃和90-95%相对湿度（RH）下经历盐雾。混合气体暴露涉及使导电接触元件经历混合气体（H2S 0,1ppm+SO2 0,5ppm，在25℃、75%RH下），持续2至96小时。
可以看做复合材料的本公开内容中的材料是指i.a.包括构成元素的混合物，即基于金属的材料或金属混合物，例如但不必一定是在合金中，且不要求混合的成分的完全均匀的分布。例如，当材料以在前面讨论的接触层6的形式提供时，构成元素中的一些例如Sn和In可以以较高的浓度存在于层的表面部分中。还可能的是，具有在由材料制成的整个接触层中的组成的其它变化，例如在浓度上的其它变化，比如梯度，且层可以包括多层的结构，例如包括用另外的构成材料的层层压的一些构成材料的原子薄层。
用在本公开内容中的化学元素的缩写都是已知的，每一个明确地相应于化学元素：Ag（银），Au（金），Ni（镍），Sn（锡），In（铟）、Pd（铅），Cu（铜），Si（硅），C（碳），O（氧），F（氟），Na（钠），Cl（氯），Br（溴），I（碘），S（硫），H（氢），钴（Co）。
在图中且在前述文字中的任何阐述和描述将被认为是示例性且非限制性的。本发明不限于所公开的实施方式。
本发明通过权利要求来限定，且在实施所要求保护的本发明时，例如通过学习附图、公开内容及权利要求，本领域的技术人员可以理解且实现关于所公开的实施方式的变化。在权利要求中的词汇“包含（comprising）”的使用不排除其他元素或步骤，且冠词“一（a）”或“一（an）”的使用不排除复数。在不同的从属权利要求中出现的特征本身不排除这些特征的组合。在权利要求中的任意参考符号是用于增强可理解性，且不应被解释成限制权利要求的范围。

Claims (36)

1.一种用于提供导电接触层的材料，所述材料包含基体材料，所述基体材料为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In；在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非所述基体材料已经包含较高量的Sn；及在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非所述至少一种元素已经存在于所述基体材料中。
2.如权利要求1所述的材料，其中所述基体材料为Ag。
3.如权利要求1或2所述的材料，其中所述材料包含小于或约5at.%的In、小于或约10at.%的Sn及小于或约5at.%的所述至少一种元素或元素的组合。
4.如权利要求1-3中任一项所述的材料，其中所述材料包含在70at.%至99.7at.%的范围内的所述基体材料，使得所述材料中的所有成分的总和为100at.%。
5.一种用于提供导电接触层的材料，所述材料包含基体材料，所述基体材料为Ag、Cu、Sn、Ni中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In；在0.01at.%至10at.%的范围内的Pd；及在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非所述基体材料已经包含较高量的Sn。
6.如权利要求5所述的材料，其中所述基体材料为Ag。
7.如权利要求5-6中任一项所述的材料，其中所述材料包含小于或约1.5at.%的In、小于或约1.5at.%的Sn及小于或约3at.%的Pd。
8.如权利要求5-7中任一项所述的材料，其中所述材料还包含至少约0.01at.%的第二金属盐，优选地金属卤化物或金属硫化物。
9.如权利要求8所述的材料，其中所述第二金属盐包含以下金属中的一种或多种：Ag、Sn和Cu。
10.如权利要求8-9中任一项所述的材料，其中所述第二金属盐为包括以下卤化物中的一种或多种的金属卤化物：碘化物、氯化物和溴化物。
11.如权利要求5-10中任何一项所述的材料，其中所述基体材料为Ag、Cu、Sn、Ni中的一种的所述第一金属盐，且为碘化物和溴化物中的一种或多种。
12.如权利要求5-11中任一项所述的材料，其中所述第一金属盐为AgI或AgBr。
13.如权利要求5-12中任一项所述的材料，还包含在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非所述至少一种元素已经存在于所述基体材料中。
14.如权利要求13所述的材料，其中所述材料包含小于或约10at.%的所述至少一种元素或元素的组合，使得Pd和所述至少一种元素或元素的组合的总和为小于或约10at.%。
15.如权利要求5-14中任一项所述的材料，其中所述材料包含在70at.%至99.7at.%的范围内的所述基体材料，使得所述材料中的所有成分的总和为100at.%。
16.一种用于提供导电接触层的材料，所述材料包含基体材料，所述基体材料为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In；在0.01at.%至10at.%的范围内的Pd；及在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非所述基体材料已经包含较高量的Sn。
17.如权利要求16所述的材料，其中所述基体材料为Ag。
18.如权利要求16-17中任一项所述的材料，还包含在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非所述至少一种元素已经存在于所述基体材料中。
19.如权利要求18所述的材料，其中所述材料包含小于或约10at.%的所述元素或元素的组合，使得Pd和所述至少一种元素或元素的组合的总和为小于或约10at.%。
20.如权利要求16-19中任一项所述的材料，其中所述材料包含在70at.%至99.7at.%的范围内的所述基体材料，使得所述材料中的所有成分的总和为100at.%。
21.一种用于提供导电接触层的材料，所述材料包含基体材料，所述基体材料为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的In；和在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意组合的组的至少一种元素，除非所述至少一种元素已经存在于所述基体材料中。
22.如权利要求21所述的材料，其中所述基体材料为Ag。
23.如权利要求21或22所述的材料，其中所述材料包含小于或约5at.%的In和小于或约5at.%的所述至少一种元素或元素的组合。
24.如权利要求21-23中任一项所述的材料，其中所述材料包含在80at.%至99.8at.%的范围内的所述基体材料，使得所述材料中的所有成分的总和为100at.%。
25.一种用于提供导电接触层的材料，所述材料包含基体材料，所述基体材料为Ag、Cu、Sn、Ni、Co中的任意一种、其任意一种的第一金属盐或其任意一种或多种的合金，其中所述材料还包含：在0.01at.%至10at.%的范围内的Sn，除非所述基体材料已经包含较高量的Sn；和在0.01at.%至10at.%的范围内的选自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os或其任意组合的组的至少一种元素，除非所述至少一种元素已经存在于所述基体材料中。
26.如权利要求25所述的材料，其中所述基体材料为Ag。
27.如权利要求25或26中任一项所述的材料，其中所述材料包含小于或约10at.%的Sn和小于或约5at.%的所述至少一种元素或元素的组合。
28.如权利要求25-27中任一项所述的材料，其中所述材料包含在80at.%至99.8at.%的范围内的所述基体材料，使得所述材料中的所有成分的总和为100at.%。
29.一种导电接触元件（2），所述导电接触元件（2）包括衬底（4）和涂覆在其上的接触层（6），所述接触层（6）包含如前述权利要求1-4、5-15、16-20、21-24或25-28中任一项所述的材料。
30.如权利要求29所述的导电接触元件（2），还包括沉积在所述接触层（6）上的外部保护层（8），所述外部保护层（8）包含Si、O和C，优选地基本上由Si、O和C组成。
31.如权利要求29所述的导电接触元件（2），还包括沉积在所述接触层上的外部保护层（8），所述外部保护层（8）包含氧化铟和氧化锡，优选地基本上由氧化铟和氧化锡组成。
32.一种用于提供导电接触元件（2）的方法，包括以下步骤：
提供（102）衬底（4）；且
为所述衬底提供（104）接触层（6），其中所述接触层包含如权利要求1-4、5-15、16-20、21-24或25-28中任一项所述的材料。
33.如权利要求32所述的方法，其中所述接触层通过蒸发，优选地通过物理气相沉积，且优选地从包含如权利要求1-4、5-15、16-20、21-24或25-28中任一项所述的材料的靶材料被涂覆到所述衬底上。
34.如权利要求32-33中任一项所述的方法，其中所述方法还包括以下步骤：
用外部保护层（8）涂覆（106）所述接触层（6）的表面，所述外部保护层（8）由基本上由Si、O和C组成的聚合物涂层或由基本上由氧化铟和氧化锡组成的金属氧化物的PVD或CVD所产生。
35.如权利要求1-4、5-15、16-20、21-24或25-28中任一项所述的材料作为导电接触元件（2）的接触层（6）的用途。
36.如权利要求1-4、5-15、16-20、21-24或25-28中任一项所述的材料作为用于通过蒸发，优选地通过物理气相沉积进行沉积的靶材料的用途。
CN201280007441.3A 2011-02-09 2012-02-09 用于提供导电接触层的材料、具有上述层的接触元件、用于提供接触元件的方法及上述材料的用途 Active CN103348416B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161440978P 2011-02-09 2011-02-09
US61/440,978 2011-02-09
SE1150101-2 2011-02-09
SE1150101A SE536911C2 (sv) 2011-02-09 2011-02-09 Material för att åstadkomma ett elektriskt ledande kontaktskikt, ett kontaktelement med sådant skikt, metod för att åstadkomma kontaktelementet, samt användning av materialet
PCT/EP2012/052222 WO2012107524A1 (en) 2011-02-09 2012-02-09 Material for providing an electrically conducting contact layer, a contact element with such layer, method for providing the contact element, and uses of the material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103348416A true CN103348416A (zh) 2013-10-09
CN103348416B CN103348416B (zh) 2016-11-30

Family

ID=

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108728684A (zh) * 2014-11-17 2018-11-02 奥米加股份有限公司 基于钯的合金
CN112424466A (zh) * 2018-07-12 2021-02-26 罗伯特·博世有限公司 用于涂覆至少一个金属构件的方法
CN114564884A (zh) * 2022-02-16 2022-05-31 昆明贵金属研究所 一种同时优化电接触材料的多种电接触性能的设计方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000069975A1 (en) * 1999-05-14 2000-11-23 Flex Products, Inc. Bright aluminum pigment
CN1302253A (zh) * 1998-06-22 2001-07-04 目标技术有限公司 用于光学存储介质的反射或半反射层的金属合金
CN1325155A (zh) * 2000-05-20 2001-12-05 施托尔贝格金属工厂两合公司 导电性金属带和插塞连接件
CN1328712A (zh) * 1998-11-30 2001-12-26 Abb股份有限公司 电接触元件及电接触元件的用途
US20040253137A1 (en) * 2003-06-16 2004-12-16 W.C. Heraeus Gmbh & Co., Kg Alloy and its use
CN1620706A (zh) * 2002-01-21 2005-05-25 住友电气工业株式会社 电触点及使用该电触点的断路器
CN1691167A (zh) * 2004-04-21 2005-11-02 株式会社神户制钢所 半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1302253A (zh) * 1998-06-22 2001-07-04 目标技术有限公司 用于光学存储介质的反射或半反射层的金属合金
CN1328712A (zh) * 1998-11-30 2001-12-26 Abb股份有限公司 电接触元件及电接触元件的用途
WO2000069975A1 (en) * 1999-05-14 2000-11-23 Flex Products, Inc. Bright aluminum pigment
CN1325155A (zh) * 2000-05-20 2001-12-05 施托尔贝格金属工厂两合公司 导电性金属带和插塞连接件
CN1620706A (zh) * 2002-01-21 2005-05-25 住友电气工业株式会社 电触点及使用该电触点的断路器
US20040253137A1 (en) * 2003-06-16 2004-12-16 W.C. Heraeus Gmbh & Co., Kg Alloy and its use
CN1691167A (zh) * 2004-04-21 2005-11-02 株式会社神户制钢所 半反射膜或反射膜，光学信息记录介质和溅射靶材

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108728684A (zh) * 2014-11-17 2018-11-02 奥米加股份有限公司 基于钯的合金
CN112424466A (zh) * 2018-07-12 2021-02-26 罗伯特·博世有限公司 用于涂覆至少一个金属构件的方法
CN114564884A (zh) * 2022-02-16 2022-05-31 昆明贵金属研究所 一种同时优化电接触材料的多种电接触性能的设计方法
CN114564884B (zh) * 2022-02-16 2024-04-19 昆明贵金属研究所 一种同时优化电接触材料的多种电接触性能的设计方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2673785A1 (en) 2013-12-18
SE536911C2 (sv) 2014-10-28
SE1150101A1 (sv) 2012-08-10
EP2673785B1 (en) 2019-10-02
WO2012107524A1 (en) 2012-08-16
US20140102761A1 (en) 2014-04-17
SI2673785T1 (sl) 2020-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2817430B1 (en) Coating with conductive and corrosion resistance characteristics
US9966163B2 (en) Electric contact material for connector and method for producing same
EP3007533B1 (en) Metal foil for electromagnetic shielding, electromagnetic shielding member, and shielded cable
KR101508099B1 (ko) 전자파 실드용 금속박, 전자파 실드재 및 실드 케이블
US20110151276A1 (en) Anti tarnish silver alloy
WO2015108004A1 (ja) コネクタ用電気接点材料及びその製造方法
US20110162707A1 (en) Electrical contact with anti tarnish oxide coating
EP2905357A1 (en) Metal material for use in electronic component, and method for producing same
EP2905356B1 (en) Metal material for use in electronic component
US7015406B2 (en) Electric contact
Cheng et al. Vapor deposited thin gold coatings for high temperature electrical contacts
WO2005042797A1 (en) A stainless steel strip coated with a metallic layer
EP2673785B1 (en) Material for providing an electrically conducting contact layer, a contact element with such layer, method for providing the contact element, and uses of the material
CN103348416B (zh) 用于提供导电接触层的材料、具有上述层的接触元件、用于提供接触元件的方法及上述材料的用途
Lindborg et al. Intermetallic growth and contact resistance of tin contacts after aging
KR20180027437A (ko) 연료 전지용 통전 부재, 연료 전지 셀, 연료 전지 스택 및 연료 전지용 통전 부재의 제조 방법
CN110603349A (zh) 镀锡铜端子材、端子以及电线末端部结构
KR102500535B1 (ko) 하이브리드 투명 전도성 전극
JP7333010B2 (ja) 電気接点材料、端子金具、コネクタ、ワイヤーハーネス、及び電気接点材料の製造方法
JP5887287B2 (ja) 電磁波シールド用金属箔及び電磁波シールド材
Innocenti et al. PVD Coatings as Protective Films in Fashion Industry
JP2023056185A (ja) ＰｔＲｕ合金めっき膜及び該ＰｔＲｕ合金めっき膜を備える積層構造
KR20030022203A (ko) 부도체 기판상의 고내구성 은 박막 적층 구조 및 그 형성방법
JP2023155087A (ja) ＰｔＲｕ合金薄膜を備える積層構造
IN-LAY 14.5 CLAD METALS, INLAY, AND EDGE LAY

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant