CN103346065A - 激光退火的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种激光退火的方法及装置，通过增加一预处理设备，对基板进行预处理工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第N基板在转化设备进行转化工艺的时间，通过机械手臂调取第N+1基板至预处理设备，提高了机械手臂的利用率，并且通过增加一缓冲设备进行缓冲处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的生产效率低下的问题，在提高生产效率的同时，降低了制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及激光退火技术，尤其涉及一种激光退火的方法及装置。
背景技术
液晶显示器由于具有外型轻薄、耗电量少、分别率佳、无辐射以及抗电磁干扰等特性，而被广泛应用于手机、个人数字助理、笔记型计算机、平面显示器等信息数码产品上。然而随着使用者对于显示器视觉感受要求提升，加上新技术应用领域不断的扩展，于是更高画质、高分辨率且具低价位的液晶显示器变成未来显示技术发展的趋势，也造就了新的显示技术发展的原动力，而其中低温复晶硅薄膜晶体管技术是实现上述目标的一项重要量产技术。
一般低温多晶硅制程大多利用准分子激光退火技术进行，通常情况下，需要对非晶硅进行初步加热，以减少激光设备的能量消耗，从而增长激光设备的使用寿命，如美国专利（公开号：US5840118103）公开的将非晶硅转换为多晶硅的方法，在非晶硅结构两侧各增加一加热器，利用一激光束经反射镜照射于非晶硅表面，达到对非晶硅表面上的薄膜进行初步加热的目的；而此方法会造成玻璃基板温度分布不均匀，从而造成准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，影响产品的良率。
另外，现有技术中的激光退火设备均采用单一腔体搭配机械手臂来制造产品，基板传送至激光退火设备的工艺腔体的路径与基板从工艺腔体返回的路径均相同，且在生产进行过程中，激光退火设备的激光源发射激光是无法控制停止再开的动作的，即机械手臂在传送基板的时间内，激光退火设备中的激光源仍然在持续不断的发射激光，从而造成了成本上的浪费，再者，由于机械手臂传送基板的路径与返回路径相同，使得机械手臂在基板进行激光退火工艺的过程中，而无法传送其他基板，进一步的降低了生产效率，从而进一步的增大了制造成本。
中国专利（公开号：CN1553477A）公开了一种激光结晶系统和一种实时控制准分子激光退火程序能量密度的方法，该激光结晶系统包含一准分子激光退火装置与一光学检测装置，该实时控制准分子激光退火程序的能量密度的方法，包含有利用进行以最佳能量密度决定程序，以决定出一最佳能量密度，以及利用该最佳能量密度的准分子激光来进行一准分子激光退火程序。
上述发明虽然能够实时调整准分子激光的能量密度于一最佳值，确保多晶硅层的结晶状态，但是该发明仍然未能克服由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，同时，该发明也未能提出采用除激光源以外的其他方式对基板进行初步加热，单纯采用激光源对基板进行加热，浪费大量能源且损耗激光设备的寿命，所以，该发明既未能克服由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，又未能解决浪费能量造成激光设备寿命降低的问题。
美国专利（公开号：US5840118A）公开一种激光工艺系统及采用该系统的方法，其以激光线于预定方向对形成于玻璃基板上的非晶硅进行逐步扫描，并通过设置于非晶硅上方的一对加热器对即将被激光扫描或者刚刚被激光扫描过的非晶硅进行加热。
该发明虽然能够防止由于激光照射产生的突然相变，但是该发明仍然未能克服由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，另外，虽然该发明用一对加热器对非晶硅进行加热，但是并未说明均匀加热，所以，该发明未能克服玻璃基板温度分布不均匀，从而造成准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而影响产品的良率。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明提供一种激光退火的方法及装置，通过安装数只热源分布均匀的近红外光源，达到对非晶硅基板的初步加热，同时，设置机械手臂的传送路径与返回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种激光退火的方法，同时应用于多个具有非晶硅薄膜的基板上，其中，包括：
于一激光退火装置中，对第N基板进行预处理工艺后，继续对该第N基板进行转化工艺，并对第N+1基板进行所述预处理工艺；
对完成所述转化工艺的第N基板进行缓冲处理的同时，对第N+1基板进行所述转化工艺，并对第N+2基板进行所述预处理工艺；
其中，N为正整数。
上述的激光退火的方法，其中，所述激光退火装置中设置有预处理区、转化区和缓冲区；
于所述预处理区中进行所述预处理工艺；
于所述转化区中进行所述转化工艺；
于所述缓冲区中进行所述缓冲处理。
上述的激光退火的方法，其中，进行所述预处理工艺的时间为T1，进行所述转化工艺的时间为T2；
当T1＜T2时，所述第N基板传送至转化区T2-T1时间后，将所述第N+1基板放置于所述预处理区；
当T1≥T2时，所述第N基板传送至转化区的同时，将所述第N+1基板放置于所述预处理区。
上述的激光退火的方法，其中，所述预处理工艺为预加热工艺。
上述的激光退火的方法，其中，所述预处理区中设置有一预加热源，利用所述预加热源对所述基板进行预加热工艺。
上述的激光退火的方法，其中，所述预加热源包括多个热源分布均匀的近红外光源。
上述的激光退火的方法，其中，每个所述近红外光源均设置于所述基板的上方。
上述的激光退火的方法，其中，每个所述近红外光源与所述基板的上表面之间的距离H均相等，且该H的范围为200mm～300mm。
上述的激光退火的方法，其中，所述预加热工艺的加热温度为450℃～550℃。
上述的激光退火的方法，其中，所述转化工艺为激光退火工艺，通过该激光退火工艺将所述基板中的非晶硅薄膜部分或者全部转化为多晶硅薄膜。
上述的激光退火的方法，其中，所述缓冲处理为降温处理。
上述的激光退火的方法，其中，还包括：采用一机械手臂将每个基板放置于所述预处理区进行预处理工艺。
上述的激光退火的方法，其中，激光退火装置中还包括一返回区，采用第二基板载具将完成缓冲处理的基板从缓冲区传送至所述返回区。
上述的激光退火的方法，其中，采用所述机械手臂从所述缓冲区或者所述返回区中取回所述基板。
上述的激光退火的方法，其中，还包括：采用一气浮式控制平台将完成所述预处理工艺的基板传送至所述转化区。
上述的激光退火的方法，其中，还包括：采用第一基板载具将完成所述转化工艺的基板传送至所述缓冲区。
一种激光退火装置，应用于如上述的激光退火的方法中，其中，所述装置包括：预处理设备、转化设备和缓冲设备；
所述预处理设备通过一浮动式控制平台将完成预处理工艺的基板传送至所述转化设备中进行转化工艺；
所述转化设备通过第一基板载具将完成转化工艺的基板传送至所述缓冲设备进行缓冲处理。
上述的激光退火装置，其中，所述装置还包括一返回设备，所述缓冲设备通过第二基板载具将完成缓冲处理的基板传送至所述返回设备。
上述的激光退火装置，其中，采用一机械手臂从所述缓冲设备或者所述返回设备中取回基板。
上述的激光退火装置，其中，所述预处理工艺为预加热工艺。
上述的激光退火装置，其中，所述预处理设备中设置有一预加热源，利用所述预加热源对所述基板进行预加热工艺。
上述的激光退火装置，其中，所述预加热源包括多个热源分布均匀的近红外光源。
上述的激光退火装置，其中，每个所述近红外光源均设置于所述基板的上方。
上述的激光退火装置，其中，每个所述近红外光源与所述基板的上表面之间的距离H均相等，且该H的范围为200mm～300mm。
上述的激光退火装置，其中，所述预加热工艺的加热温度为450℃～550℃。
上述的激光退火装置，其中，所述转化工艺为激光退火工艺，以将所述基板中的非晶硅薄膜部分或者全部转化为多晶硅薄膜。
上述的激光退火装置，其中，所述缓冲处理为降温处理。
上述的激光退火装置，其中，采用所述机械手臂将每个基板放置于所述预处理设备中进行预处理工艺。
上述方案具有如下优点或者有益效果：
本发明通过增加一预处理区，对基板进行预处理工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第N基板在转化区进行转化工艺的时间，通过机械手臂调取第N+1基板至预处理区，提高了机械手臂的利用率，提高了生产效率，并且增加一缓冲区进行缓冲处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，进一步的提高了生产效率，降低了制造成本。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明提供的当预处理工艺时间T1≥转化工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图；
图2是本发明提供的当预处理工艺时间T1＜转化工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图；
图3是本发明提供的激光退火装置的结构示意图；
图4是本发明实施例1提供的激光退火装置的结构示意图；
图5是本发明实施例1中预处理设备的结构示意图；
图6是本发明实施例2提供的当预加热工艺时间T1≥激光退火工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图；
图7是本发明实施例2提供的当预加热工艺时间T1＜激光退火工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明做进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
图1是本发明提供的当预处理工艺时间T1≥转化工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图；如图所示，首先利用一机械手臂将第N基板放置于预处理区进行预处理工艺，再将完成预处理工艺的第N基板通过一浮动式控制平台传送至转化区进行转化工艺（将非晶硅薄膜部分或者全部转化为多晶硅薄膜的工艺），而后利用一基板载具将完成转化工艺的第N基板传送至缓冲区进行缓冲处理，最后对完成缓冲处理的第N基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
另外，在将第N基板传送至转化区的同时，利用机械手臂将第N+1基板放置于预处理区进行预处理工艺；利用一浮动式控制平台将完成预处理工艺的第N+1基板传送至转化区进行转化工艺，同时利用机械手臂将第N+2基板放置于预处理区进行预处理工艺；而后利用一基板载具将完成转化工艺的第N+1基板传送至缓冲区进行缓冲处理，最后对完成缓冲处理的第N+1基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第N+2基板完成预处理工艺后，利用一浮动式控制平台将第N+2基板传送至转化区进行转化工艺，同时利用机械手臂将第N+3基板放置于预处理区进行预处理工艺，然后利用一基板载具将完成转化工艺的第N+2基板传送至缓冲区进行缓冲处理，最后对完成缓冲处理的第N+2基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第N+3基板完成预处理工艺后，重复第N基板或者第N+1基板或者第N+2基板的工艺步骤（完成预处理工艺后的工艺步骤）。
其中，N为正整数，如1、2、3、4、5等值；预处理工艺优选为预加热工艺，于预处理区中设置一预加热源，预加热源为热源分布均匀的近红外光源，预加热源距离传送至预加热区的第N基板的上表面高度为H，H的范围为200mm～300mm，如200mm、225mm、250mm、275mm、300mm等；另外，预加热源对第N基板的加热温度为450℃～550℃，如450℃、475℃、500℃、525℃、550℃等。
通过增加一预处理区，对基板进行预处理工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第N基板在转化区进行转化工艺的时间，通过机械手臂调取第N+1基板至预处理区，提高了机械手臂的利用率，提高了生产效率，并且增加一缓冲区进行缓冲处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，进一步的提高了生产效率，降低了制造成本。
图2是本发明提供的当预处理工艺时间T1＜转化工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图；如图所示，首先利用一机械手臂将第N基板放置于预处理区进行预处理工艺，再将完成预处理工艺的第N基板通过一浮动式控制平台传送至转化区进行转化工艺（将非晶硅薄膜部分或者全部转化为多晶硅薄膜的工艺），而后利用一基板载具将完成转化工艺的第N基板传送至缓冲区进行缓冲处理，最后对完成缓冲处理的第N基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
另外，在将第N基板传送至转化区T2-T1时间后，利用机械手臂将第N+1基板放置于预处理区进行预处理工艺；利用一浮动式控制平台将完成预处理工艺的第N+1基板传送至转化区进行转化工艺，并在将第N+1基板传送至转化区T2-T1时间后，利用机械手臂将第N+2基板放置于预处理区进行预处理工艺；而后利用一基板载具将完成转化工艺的第N+1基板传送至缓冲区进行缓冲处理，最后对完成缓冲处理的第N+1基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第N+2基板完成预处理工艺后，利用一浮动式控制平台将第N+2基板传送至转化区进行转化工艺，并在将第N+2基板传送至转化区T2-T1时间后，利用机械手臂将第N+3基板放置于预处理区进行预处理工艺，然后利用一基板载具将完成转化工艺的第N+2基板传送至缓冲区进行缓冲处理，最后对完成缓冲处理的第N+2基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第N+3基板完成预处理工艺后，重复第N基板或者第N+1基板或者第N+2基板的工艺步骤（完成预处理工艺后的工艺步骤）。
其中，N为正整数，如1、2、3、4、5等；预处理工艺优选为预加热工艺，于预处理区中设置一预加热源，预加热源为热源分布均匀的近红外光源，预加热源距离传送至预加热区的第N基板的上表面高度为H，H的范围为200mm～300mm，如200mm、215mm、245mm、280mm、300mm等；另外，预加热源对第N基板的加热温度为450℃～550℃，如450℃、480℃、510℃、530℃、550℃等。
通过增加一预处理区，对基板进行预处理工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第N基板在转化区进行转化工艺的时间，通过机械手臂调取第N+1基板至预处理区，提高了机械手臂的利用率，提高了生产效率，并且增加一缓冲区进行缓冲处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，进一步的提高了生产效率，降低了制造成本。
图3是本发明提供的激光退火装置的结构示意图；如图所示，激光退火装置包括：预处理设备、转化设备和缓冲设备；通过一机械手臂将一基板放置于预处理设备中进行预处理工艺，通过一气浮式控制平台将完成预处理工艺的基板传送至转化设备，通过第一基板载具将完成转化工艺的基板传送至缓冲设备进行缓冲处理，机械手臂从缓冲设备中取回该基板并放置于基板装载匣中。
实施例1：
图4是本发明实施例1提供的激光退火装置的结构示意图；如图所示，激光退火装置包括：预处理设备、转化设备、缓冲设备和返回设备；其中，预处理设备优选为预加热设备，转化设备优选为激光退火设备；通过一机械手臂将一基板放置于预加热设备中进行预加热工艺，通过一气浮式控制平台将完成预加热工艺的基板传送至激光退火设备，以对该基板进行激光退火工艺，通过第一基板载具将完成激光退火工艺的基板传送至缓冲设备进行降温处理，而后通过第二基板载具将完成降温处理的基板传送至返回设备，机械手臂从返回设备中取回该基板并放置于基板装载匣中。
本发明实施例1中的激光退火装置亦可不包括返回设备，通过第一基板载具将完成激光退火工艺的基板传送至缓冲设备进行降温处理后，采用机械手臂从缓冲设备中取回该基板并放置于基板装载匣中。
其中，上述基板包括衬底和非晶硅薄膜，衬底优选为硬质衬底，如玻璃衬底或者塑料衬底，非晶硅薄膜覆盖于硬质衬底的上表面。
图5是本发明实施例1中预处理设备的结构示意图；如图所示，预处理设备101中设置有预加热源104，预加热源104中设置有多个热源分布均匀的近红外光源105，机械手臂传送至该预加热设备101的基板A，基板A譬如包括硬质衬底103和覆盖于该硬质衬底103的上表面的非晶硅薄膜102，且预加热源104的下表面距离基板A的非晶硅薄膜102的上表面的高度为H，H为200mm～300mm中任意一值，如200mm、210mm、240mm、260mm、300mm等，另外，预加热设备101的加热温度为450℃～550℃，如450℃、465℃、515℃、520℃、550℃等。
本发明实施例1通过增加一预处理设备，对基板进行预加热工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时增加一缓冲设备或缓冲设备和返回设备，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，进一步的提高了生产效率，降低了制造成本。
实施例2：
图6是本发明实施例2提供的当预加热工艺时间T1≥激光退火工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图；如图所示，预处理区优选为预加热区，转化区优选为激光退火区，预处理工艺优选为预加热工艺，转化工艺优选为激光退火工艺，缓冲处理优选为降温处理，首先利用一机械手臂将例如第1基板放置于预加热区进行预加热工艺，再将完成预加热工艺的第1基板通过一浮动式控制平台传送至激光退火区进行激光退火工艺，而后利用第一基板载具将完成激光退火工艺的第1基板传送至缓冲区进行降温处理，最后对完成降温处理的第1基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
另外，在将第1基板传送至激光退火区的同时，利用机械手臂将第2基板放置于预加热区进行预加热工艺；利用一浮动式控制平台将完成预加热工艺的第2基板传送至激光退火区进行激光退火工艺，同时利用机械手臂将第3基板放置于预加热区进行预加热工艺；而后利用第一基板载具将完成激光退火工艺的第2基板传送至缓冲区进行降温处理，最后对完成降温处理的第2基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第3基板完成预加热工艺后，利用一浮动式控制平台将第3基板传送至激光退火区进行激光退火工艺，同时利用机械手臂将第4基板放置于预加热区进行预加热工艺，然后利用第一基板载具将完成激光退火工艺的第3基板传送至缓冲区进行降温处理，最后对完成降温处理的第3基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第4基板完成预加热工艺后，重复第1基板或者第2基板或者第3基板的工艺步骤。
其中，预加热区中设置有一预加热源，预加热源为热源分布均匀的近红外光源，预加热源距离传送至预加热区的基板的上表面高度为H，H的范围为200mm～300mm，如200mm、215mm、230mm、290mm、300mm等；另外，预加热源对该基板的加热温度为450℃～550℃，如450℃、460℃、510℃、540℃、550℃等。
通过增加一预加热区，对基板进行预加热工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第1基板在激光退火区进行激光退火工艺的时间，通过机械手臂调取第2基板至预加热区，提高了机械手臂的利用率，提高了生产效率，并且增加一缓冲区进行降温处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，进一步的提高了生产效率，降低了制造成本。
图7是本发明实施例2提供的当预加热工艺时间T1＜激光退火工艺时间T2时的激光退火方法的流程示意图；如图所示，预处理区优选为预加热区，转化区优选为激光退火区，预处理工艺优选为预加热工艺，转化工艺优选为激光退火工艺，缓冲处理优选为降温处理，首先利用一机械手臂将例如第1基板放置于预加热区进行预加热工艺，再将完成预加热工艺的第1基板通过一浮动式控制平台传送至激光退火区进行激光退火工艺，而后利用一基板载具将完成激光退火工艺的第1基板传送至缓冲区进行降温处理，最后对完成降温处理的第1基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
另外，在将第1基板传送至激光退火区T2-T1时间后，利用机械手臂将第2基板放置于预加热区进行预加热工艺；利用一浮动式控制平台将完成预加热工艺的第2基板传送至激光退火区进行激光退火工艺，并在将第2基板传送至激光退火区T2-T1时间后，利用机械手臂将第3基板放置于预加热区进行预加热工艺；而后利用一基板载具将完成激光退火工艺的第2基板传送至缓冲区进行降温处理，最后对完成降温处理的第2基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第3基板完成预加热工艺后，利用一浮动式控制平台将第3基板传送至激光退火区进行激光退火工艺，并在将第3基板传送至激光退火区T2-T1时间后，利用机械手臂将第4基板放置于预加热区进行预加热工艺，然后利用一基板载具将完成激光退火工艺的第3基板传送至缓冲区进行降温处理，最后对完成降温处理的第3基板进行取回处理，通过一机械手臂取回并放置于基板装载匣中。
第4基板完成预加热工艺后，重复第1基板或者第2基板或者第3基板的工艺步骤。
其中，上述的预加热区中设置有一预加热源，预加热源优选的为热源分布均匀的近红外光源，预加热源距离传送至预加热区的第1基板的上表面高度为H，H的范围为200mm～300mm，如200mm、215mm、280mm、295mm、300mm等；同时，预加热源对第1基板的加热温度为450℃～550℃，如450℃、465℃、490℃、545℃、550℃等。
本实施例通过增加一预加热区，对基板进行预加热工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第1基板在激光退火区进行激光退火工艺的时间，通过机械手臂调取第2基板至预加热区，提高了机械手臂的利用率，提高了生产效率，并且增加一缓冲区进行降温处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，进一步的提高了生产效率，降低了制造成本。
综上所述，本发明通过增加一预处理区，对基板进行预处理工艺，解决了现有技术中准分子激光退火工艺中的结晶率不稳定的问题，进而提高产品的良率，同时，利用第N基板在转化区进行转化工艺的时间，通过机械手臂调取第N+1基板至预处理区，提高了机械手臂的利用率，提高了生产效率，并且增加一缓冲区进行缓冲处理，使得基板的传送路径和取回路径不同，从而克服了现有技术中由于机械手臂的传送路径与返回路径相同而造成的降低生产效率的问题，进一步的提高了生产效率，降低了制造成本。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (28)
1.一种激光退火的方法，同时应用于多个具有非晶硅薄膜的基板上，其特征在于，包括：
于一激光退火装置中，对第N基板进行预处理工艺后，继续对该第N基板进行转化工艺，并对第N+1基板进行所述预处理工艺；
对完成所述转化工艺的第N基板进行缓冲处理的同时，对第N+1基板进行所述转化工艺，并对第N+2基板进行所述预处理工艺；
其中，N为正整数。
2.如权利要求1所述的激光退火的方法，其特征在于，所述激光退火装置中设置有预处理区、转化区和缓冲区；
于所述预处理区中进行所述预处理工艺；
于所述转化区中进行所述转化工艺；
于所述缓冲区中进行所述缓冲处理。
3.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，进行所述预处理工艺的时间为T1，进行所述转化工艺的时间为T2；
当T1＜T2时，所述第N基板传送至转化区T2-T1时间后，将所述第N+1基板放置于所述预处理区；
当T1≥T2时，所述第N基板传送至转化区的同时，将所述第N+1基板放置于所述预处理区。
4.如权利要求3所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预处理工艺为预加热工艺。
5.如权利要求4所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预处理区中设置有一预加热源，利用所述预加热源对所述基板进行预加热工艺。
6.如权利要求5所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预加热源包括多个热源分布均匀的近红外光源。
7.如权利要求6所述的激光退火的方法，其特征在于，每个所述近红外光源均设置于所述基板的上方。
8.如权利要求7所述的激光退火的方法，其特征在于，每个所述近红外光源与所述基板的上表面之间的距离H均相等，且该H的范围为200mm～300mm。
9.如权利要求4～8中任意一项所述的激光退火的方法，其特征在于，所述预加热工艺的加热温度为450℃～550℃。
10.如权利要求3所述的激光退火的方法，其特征在于，所述转化工艺为激光退火工艺，通过该激光退火工艺将所述基板中的非晶硅薄膜部分或者全部转化为多晶硅薄膜。
11.如权利要求3所述的激光退火的方法，其特征在于，所述缓冲处理为降温处理。
12.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，还包括：采用一机械手臂将每个基板放置于所述预处理区进行预处理工艺。
13.如权利要求12所述的激光退火的方法，其特征在于，激光退火装置中还包括一返回区，采用第二基板载具将完成缓冲处理的基板从缓冲区传送至所述返回区。
14.如权利要求13所述的激光退火的方法，其特征在于，采用所述机械手臂从所述缓冲区或者所述返回区中取回所述基板。
15.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，还包括：采用一气浮式控制平台将完成所述预处理工艺的基板传送至所述转化区。
16.如权利要求2所述的激光退火的方法，其特征在于，还包括：采用第一基板载具将完成所述转化工艺的基板传送至所述缓冲区。
17.一种激光退火装置，应用于如权利要求1所述的激光退火的方法中，其特征在于，所述装置包括：预处理设备、转化设备和缓冲设备；
所述预处理设备通过一浮动式控制平台将完成预处理工艺的基板传送至所述转化设备中进行转化工艺；
所述转化设备通过第一基板载具将完成转化工艺的基板传送至所述缓冲设备进行缓冲处理。
18.如权利要求17所述的激光退火装置，其特征在于，所述装置还包括一返回设备，所述缓冲设备通过第二基板载具将完成缓冲处理的基板传送至所述返回设备。
19.如权利要求18所述的激光退火装置，其特征在于，采用一机械手臂从所述缓冲设备或者所述返回设备中取回基板。
20.如权利要求19所述的激光退火装置，其特征在于，所述预处理工艺为预加热工艺。
21.如权利要求20所述的激光退火装置，其特征在于，所述预处理设备中设置有一预加热源，利用所述预加热源对所述基板进行预加热工艺。
22.如权利要求21所述的激光退火装置，其特征在于，所述预加热源包括多个热源分布均匀的近红外光源。
23.如权利要求22所述的激光退火装置，其特征在于，每个所述近红外光源均设置于所述基板的上方。
24.如权利要求23所述的激光退火装置，其特征在于，每个所述近红外光源与所述基板的上表面之间的距离H均相等，且该H的范围为200mm～300mm。
25.如权利要求20～24中任意一项所述的激光退火装置，其特征在于，所述预加热工艺的加热温度为450℃～550℃。
26.如权利要求17所述的激光退火装置，其特征在于，所述转化工艺为激光退火工艺，以将所述基板中的非晶硅薄膜部分或者全部转化为多晶硅薄膜。
27.如权利要求17所述的激光退火装置，其特征在于，所述缓冲处理为降温处理。
28.如权利要求19所述的激光退火装置，其特征在于，采用所述机械手臂将每个基板放置于所述预处理设备中进行预处理工艺。
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