CN103337320A - 一种硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法 - Google Patents

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杜伯学
李忠磊
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Abstract

本发明涉及一种硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法，它包括利用卤族元素强的氧化性，使用卤族元素气体对硅橡胶复合绝缘子进行表面改性处理，替换薄膜表面一层分子结构中C-H结构上的氢原子，形成一层均匀分布的C-卤族元素结构。由于C-卤族元素结构具有很强的电负性，当处于放电环境中，此层能够有效阻止表面电荷的积累，显著提高其表面电荷消散速度。

Description

一种硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法
技术领域
本发明涉及一种硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法。
背景技术
室温硫化硅橡胶(Room Temperature Vulcanized Silicone Rubber，RTV)是20世纪60年代问世的一种新型有机硅弹性体，具有良好的耐候性、耐酸碱性、耐热性、耐寒性及电气特性等优点，广泛应用于电气、电子、土木、航空、航天、建筑和医疗等方面。由于其具有绝缘性好，耐候性强，尤其是具有很好的憎水性和憎水迁移性，所以在电力系统防污方面具有很大的应用潜力。
硅橡胶由于其表面具有优良的憎水性和憎水迁移性，使得降雨、凝露等在硅橡胶表面形成的水珠只能以分离的形式存在于表面，由于水的相对介电常数(80)比空气(1)和硅橡胶(4)大的多，在硅橡胶表面施加一定电压时，这种分离水珠的存在将会引起硅橡胶表面局部电池的提高。当电场达到一定程度时，就会发生电晕放电，即在硅橡胶表面放电。表面放电使得硅橡胶绝缘子表面附着电荷，当施加的电压等于或超过临界电压时，硅橡胶表面的局部放电就发展成滑闪。因此，硅橡胶绝缘子表面电荷的快速消散可以使得降低绝缘子发生滑闪的几率，提高硅橡胶复合绝缘子的电气性能。本发明提供了一种硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法，通过对硅橡胶进行表面改性处理有效提高了硅橡胶抑制表面电荷的积累，显著的提高了电荷消散速率。
目的
本发明的目的在于提供一种聚硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法。
技术方案
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：利用卤族元素强的氧化性，采用卤族元素气体对硅橡胶复合绝缘子薄膜系列产品进行表面改性处理，替换薄膜表面一层分子结构中C-H结构上的氢原子，形成一层均匀分布的C-卤族元素结构。由于C-卤族元素结构具有很强的电负性，当处于放电环境中，此层能够有效阻止表面电荷的积累，显著提高其表面电荷消散速度。
有益效果
本发明的优点和有益效果：
①显著提高产品抑制表面电荷的积聚特性，显著提高表面电荷消散速度；
②对产品机械性能无损伤，保持产品原貌；
③生产工艺及流程简便，且产品性能稳定。
附图说明
图1表面改性处理实验装置图
图2是本发明实施实例中试样表面电位下降曲线；
图3是本发明实施实例中试样表面电荷消散时间。
最佳实施方式
实施案例：图1表面改性处理实验装置图。在密闭容器中放入硅橡胶试样，利用惰性空气持续冲刷容器内部，赶走密闭容器内的空气，形成一个惰性气体的环境。然后向密闭容器内充入卤族元素气体，在保持25℃温度环境下，持续反应5分钟，形成具有表面改性的硅橡胶试样。改变持续时间，重复上面的步骤可以得到不同表面改性处理时间的试样，各试样分别表面改性处理5分钟、10分钟、15分钟、20分钟。
未处理试样与不同表面改性处理时间的试样表面电位动态特性如图2所示：从图中可以看出不论正负电荷，表面改性处理后试样电荷消散速度明显加快，其中改性处理10min的试样表面电势下降最快。图3给出了不同试样的表面电荷的消散时间，即试样的表面电位消散到初试电位的10％的时间。从图中可以看出原始试样电荷消散速度很慢，消散时间达到3小时以上，而表面改性后的试样电荷消散速度明显加快，其中表面改性处理10min的试样消散时间最小，约为0.3小时。这说明经过表面改性处理后，能够显著的提高硅橡胶的表面电荷消散速度。本发明提供了一种有效的硅橡胶表面电荷快速消散方法。

Claims (1)

  1. 本发明专利涉及一种硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法，它包括：
    1.利用卤族元素强的氧化性，采用卤族元素气体对硅橡胶复合绝缘子进行表面改性处理，替换薄膜表面一层分子结构中C-H结构上的氢原子，形成一层均匀分布的C-卤族元素结构。由于C-卤族元素结构具有很强的电负性，当处于放电环境中，此层能够有效阻止表面电荷的积累，显著提高其表面电荷消散速度。
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