CN103336148B - 样品定位标记的形成方法 - Google Patents

样品定位标记的形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103336148B
CN103336148B CN201310287414.2A CN201310287414A CN103336148B CN 103336148 B CN103336148 B CN 103336148B CN 201310287414 A CN201310287414 A CN 201310287414A CN 103336148 B CN103336148 B CN 103336148B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sample
mark
forming method
organic material
location mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310287414.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103336148A (zh
Inventor
陈强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201310287414.2A priority Critical patent/CN103336148B/zh
Publication of CN103336148A publication Critical patent/CN103336148A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103336148B publication Critical patent/CN103336148B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明提供了一种样品定位标记的形成方法,包括:提供样品,在所述样品表面涂覆一层透光有机材料,用激光反应的方法去掉部分所述透光有机材料作为定位标记。通过在样品表面涂布一层透光有机材料以及用低能量激光反应的方法对样品进行定位标记,避免了对样品表面的破坏和污染;并且使用该方法标记的样品在扫描电镜内易于寻找,操作简单快速,大大提高了样品分析的质量和效率。

Description

样品定位标记的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路及其制造领域,特别涉及样品定位标记的形成方法。
背景技术
在材料分析、结构分析或者失效分析中,需要对样品的特定位置的材料、结构或者失效原因进行分析,为了便于在分析仪器中精确的找到需要分析的目标在样品中的位置,对样品的特定位置进行分析前,通常会先进行样品的定位标记工作,即对该特定结构进行标记以方便后续的样品制备及观测。通常对于晶片类的样品,需先用一定图案的激光熔化样品表面与激光图案对应的区域内的材质以达到标记的效果,在所述样品表面热激发从而在表面或者表面附近导致熔化、烧灼或蒸发,这样致使在样品表面留下永久的标记作为样品表面的识别标记。
对于有些样品,这种方法是可行的,但对于一些表面不能破坏的样品,却不可采用。例如,对于在光发射显微镜进行失效点定位时,这种标记的方法很有可能会造成下层的金属线发生短路或断路,从而无法再次进行定位测试。
对于另外一些分析表面材质的样品,近距离激光标记所产生的熔化材质的飞溅会污染样品,后续分析样品的结构或成分时结果会受到影响,从而无法判断结构的可靠性。。
发明内容
本发明的目的在于提供一种样品定位标记的形成方法,用于解决激光标记时产生的对样品的破坏及污染问题。
本发明的技术方案是一种样品定位标记的形成方法,包括以下步骤:
提供一需定位标记的样品,所述样品具有需要分析的目标;
在样品需要标记的表面涂覆一层透光有机材料;
去掉部分所述透光有机材料作为定位标记;
进一步的,所述样品上需要分析的目标位于所述样品表面。
进一步的,所述样品上需要分析的目标位于所述样品内部。
进一步的,采用笔涂或者滴落旋涂的方法在样品需要标记的表面涂覆一层透光有机材料。
进一步的,所述透光有机材料的厚度为1~100um。
进一步的,所述透光有机材料为红色油性笔材料。
进一步的,采用激光反应的方法去掉部分所述透光有机材料作为定位标记。
进一步的,所述定位标记为一个或多个定位条。
进一步的,所述定位标记为两个相互垂直但不相交的定位条,所述两个定位条的延长线的交点为需要进行分析的目标。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
本发明通过在样品表面涂布一层透光有机材料以及用低能量激光反应的方法对样品进行定位标记,避免了对样品表面的破坏和污染;并且使用该方法标记的样品在扫描电镜内易于寻找,操作简单快速,大大提高了样品分析的质量和效率。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的样品定位标记形成方法的流程图。
图2a~2c为本发明较佳实施例的样品定位标记形成方法的结构俯视图。
图3a~3c为本发明较佳实施例的样品定位标记形成方法的结构侧视图。
图4a~4c为本发明较佳实施例的样品定位标记形成方法的结构侧视图。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂,以下结合说明书附图,对本发明的内容做进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例,本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
其次,本发明利用示意图进行了详细的表述,在详述本发明实例时,为了便于说明,示意图不依照一般比例局部放大,不应对此作为本发明的限定。
请参考图1,图1所示为本发明较佳实施例的样品定位标记形成方法的流程图。本发明提出的一种样品定位标记的形成方法,包括以下步骤:
步骤S01:提供一需定位标记的样品,所述样品具有需要分析的目标;
步骤S02:在样品需要标记的表面涂覆一层透光有机材料;
步骤S03:去掉部分所述透光有机材料作为定位标记。
图2a~2c所示为本发明较佳实施例的样品定位标记形成方法的结构俯视图,请参考图1所示,并结合图2a~2c,详细说明本发明提出的样品定位标记的形成方法:
在步骤S01中,提供一需要定位标记的样品20,如图2a所示,21为样品20上需要进行分析的目标,定位标记便于寻找该目标21进行后续的分析。所述需要分析的目标21位于所述样品20的表面,或者位于所述样品20的内部。
在步骤S02中,在样品20需要标记的目标21所在的表面涂覆一层透光有机材料22,如图2b所示。在样品20的表面涂覆透光有机材料22,采用笔涂或者滴落旋涂的方法,或者本领域技术人员公知的其他涂覆方法,所述透光有机材料的厚度为1~100um,例如10um、30um、60um、90um,或者根据具体的需要及工艺条件来确定。本实施例中,所述透光有机材料为红色油性笔材料,该材料取材方便,并且成本低,直接采用笔涂的方式用红色油性笔在所述样品20的表面涂覆一层红色油性材料,方法简单。
在步骤S03中,去掉部分所述透光有机材料22形成标记23,如图2c所示,对目标21进行分析时,在扫描电镜内通过标记23来确定目标21的具体位置。在本实施例中,通过低能量激光反应的方法去掉透光有机材料22,其中,所述激光可以反应掉部分透光有机材料22而不损伤样品20,去掉的透光有机材料22的厚度由实际的工艺条件及测试条件来决定,例如激光的能量、反应时间、测试所用扫描电镜的扫描倍数等。本实施例中,所述定位标记23为两个相互垂直但不相交的定位条,如图2c所示,所述两个定位条的延长线的交点为需要进行分析的目标21。在其他实施例中,定位标记可以是一个或多个定位条或者其他的形状,以达到确定分析目标的目的。
图3a~3c以及4a~4c为本发明较佳实施例的样品定位标记形成方法的结构侧视图,图3a~3c需要分析的目标位于样品表面,4a~4c需要分析的目标位于样品内部。
在步骤S01中,提供一需要定位标记的样品30与40,需要分析的目标31位于所述样品30的表面,如图3a所示,需要分析的目标41位于所述样品40的内部,如图4a所示。
在步骤S02中,在样品需要分析的目标所在的表面涂覆一层透光有机材料,在图3b中,直接在需要分析的目标31的表面涂覆一层透光有机材料32;在图4b中,需要分析的目标41位于所述样品40内部,在目标41最接近的一面或者适合使用电子扫描电镜进行分析的一面上涂覆透光有机材料42。
在步骤S03中,参考图3c与4c,通过低能量激光反应的方法去掉部分所述透光有机材料32与42形成定位标记33与43,最终通过定位标记确定目标31与41的具体位置。
本发明提供的样品定位标记的方法可用于失效定位、扫描电子显微镜(SEM)/投射电子显微镜(TEM)样品分析等各个方面。
综上所述,本发明通过在样品表面涂布一层透光有机材料以及用低能量激光反应的方法对样品进行定位标记,避免了对样品表面的破坏和污染;并且使用该方法标记的样品在扫描电镜内易于寻找,操作简单快速,大大提高了样品分析的质量和效率。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明范围的任何限定,本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。

Claims (5)

1.一种样品定位标记的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一需定位标记的样品,所述样品具有需要分析的目标;
在样品需要标记的表面采用红色油性笔笔涂或者滴落旋涂一层透光有机材料;
去掉部分所述透光有机材料作为定位标记,所述定位标记为两个相互垂直但不相交的定位条,所述两个定位条的延长线的交点为需要进行分析的目标。
2.如权利要求1所述的样品定位标记的形成方法,其特征在于,所述样品上需要分析的目标位于所述样品表面。
3.如权利要求1所述的样品定位标记的形成方法,其特征在于,所述样品上需要分析的目标位于所述样品内部。
4.如权利要求1所述的样品定位标记的形成方法,其特征在于,所述透光有机材料的厚度为1~100um。
5.如权利要求1所述的样品定位标记的形成方法,其特征在于,采用激光反应的方法去掉部分所述透光有机材料作为定位标记。
CN201310287414.2A 2013-07-09 2013-07-09 样品定位标记的形成方法 Active CN103336148B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310287414.2A CN103336148B (zh) 2013-07-09 2013-07-09 样品定位标记的形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310287414.2A CN103336148B (zh) 2013-07-09 2013-07-09 样品定位标记的形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103336148A CN103336148A (zh) 2013-10-02
CN103336148B true CN103336148B (zh) 2016-08-31

Family

ID=49244351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310287414.2A Active CN103336148B (zh) 2013-07-09 2013-07-09 样品定位标记的形成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103336148B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107727653A (zh) * 2016-08-10 2018-02-23 中国石油天然气股份有限公司 含盐储层样品的制备及评价方法
CN115931423A (zh) * 2023-03-14 2023-04-07 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体芯片的失效点位置的切片方法及切片装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136543A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Sony Corp 半導体装置
CN1373463A (zh) * 2000-11-14 2002-10-09 东陶机器株式会社 标记形成的方法以及用该方法获得的制品
CN1658070A (zh) * 2004-02-06 2005-08-24 罗姆及海斯电子材料有限公司 成像组合物及方法
CN1854714A (zh) * 2005-04-18 2006-11-01 力晶半导体股份有限公司 一种利用微区覆膜进行缺陷分析的方法
KR20090037171A (ko) * 2007-10-11 2009-04-15 주식회사 동부하이텍 웨이퍼 마크 형성 방법
CN102221792A (zh) * 2010-04-13 2011-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 在半导体光刻工艺中进行的对准方法
CN102435154A (zh) * 2011-09-15 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 一种新的关键尺寸监控结构的外形设计

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100446175C (zh) * 2005-09-26 2008-12-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 精确定位聚焦离子束修补位置的方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136543A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Sony Corp 半導体装置
CN1373463A (zh) * 2000-11-14 2002-10-09 东陶机器株式会社 标记形成的方法以及用该方法获得的制品
CN1658070A (zh) * 2004-02-06 2005-08-24 罗姆及海斯电子材料有限公司 成像组合物及方法
CN1854714A (zh) * 2005-04-18 2006-11-01 力晶半导体股份有限公司 一种利用微区覆膜进行缺陷分析的方法
KR20090037171A (ko) * 2007-10-11 2009-04-15 주식회사 동부하이텍 웨이퍼 마크 형성 방법
CN102221792A (zh) * 2010-04-13 2011-10-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 在半导体光刻工艺中进行的对准方法
CN102435154A (zh) * 2011-09-15 2012-05-02 上海华力微电子有限公司 一种新的关键尺寸监控结构的外形设计

Also Published As

Publication number Publication date
CN103336148A (zh) 2013-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104777024B (zh) 一种透射电镜样品的制备方法及定位方法
CN103913358A (zh) Tem样品的制备方法和失效分析方法
CN105849032A (zh) 打印式数字微流体装置的使用及其制造方法
CN103336148B (zh) 样品定位标记的形成方法
CN103760177B (zh) 一种基于三维tem样品进行缺陷分析的方法
US20110227558A1 (en) Nanofluidic channels with integrated charge sensors and methods based thereon
CN105352768A (zh) 一种tem样品的定位方法
JP6421254B2 (ja) 固−液相界面の電気化学反応をその場で測定するためのチップアセンブリ
CN100446175C (zh) 精确定位聚焦离子束修补位置的方法
CN104865107B (zh) 一种平面tem样品的制备方法
CN103094031B (zh) 带电粒子束系统孔阑
CN104751473A (zh) 碳酸岩多尺度孔洞特征的确定方法及装置
CN103808540A (zh) 透射电子显微镜样品的制作方法
CN105140307B (zh) 一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用
CN103411990B (zh) 钢铁材料中氮化物及氧化物析出相的检测方法
CN105241718A (zh) 一种tem样品制备方法
Rosskopf et al. Surface-controlled contact printing for nanowire device fabrication on a large scale
CN103267661B (zh) Sem/tem样品的定位方法
CN104820085B (zh) 含油有效储集空间和含油孔径下限的测定方法与测定系统
CN104535885A (zh) 字线漏电点的定位方法
CN106206227B (zh) 一种具备场效应晶体管功能的透射电镜样品台载样区
CN107096998A (zh) 一种利用超快激光进行抗腐蚀打标的方法
CN108010860A (zh) 一种便于透射电镜样品制备的自定位电迁移测试结构及透射电镜样品制备方法
CN106706386A (zh) 透射电镜样品的制备方法及观测方法
Qian et al. Heterogeneous optoelectronic characteristics of Si micropillar arrays fabricated by metal-assisted chemical etching

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant