CN103326115A - 集成电调相控阵列天线及包含此天线的模组、系统 - Google Patents

Abstract

一种集成电调相控阵列天线，包括基片、微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络，所述基片为陶瓷材料，微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络通过金属层结构化方式形成于所述陶瓷材料表面；还提供包含此天线的模组、系统。本发明不但可以降低成本、减少制作电路板的工艺加工流程，且通过电路控制相位可保证大的视场宽度和高分辨率的角度观测。

Description

集成电调相控阵列天线及包含此天线的模组、系统

技术领域

本发明涉及天线领域，尤其是一种电成电调相控阵列天线及包含此天线的模组、系统。

背景技术

已有多种基于可变介电常数电介质的相控阵天线。中国专利公开号为CN101283480A公开了一种基于向列型液晶移相器的相控阵列天线，其中液晶被置于微带线上下两极板间，通过加载直流电场偏转液晶分子并实现介电常数的控制，由此实现其上微带线传输相位延迟的变化。该装置需要对液晶进行气密封装，增加工艺复杂度，降低机械可靠性；而所用反射式微带线移相器单位长度的相移低，兼且需要通过电桥分离外向波与内向波，因此移相器尺寸大，且需要纵向金属化通孔；移相器与天线间使用槽耦合，所需用多层介质结构需要精确对位，对工艺要求高；此外介质的温度特性没有得到补偿，所生成的辐射场波束会随温度变化而漂移。中国专利公开号为CN2739816Y提出了一体化电控移相天线单元，该装置使用包含铁氧体移相器的波导腔，通过将天线和同轴线-波导转换段一体化封装为单一模组实现较为紧凑的设计。但该装置相较平面电路结构，仍有尺寸和重量的局限性，同时铁氧体移相器成本较高，且需要大电流磁路控制移相器，开关速度限制在微秒量级，且不易平面化。美国专利公开号为US5309166A提出基于在空腔波导中集成体材铁电移相器的结构，以实现快速扫描的多单元天线阵。但因波导而笨重，因体材移相器而需高偏置电压，且因非平面设计，而难于集成，并无温度补偿以稳定移相器相移。美国专利公开号为US6172642B1提出了整合温度传感器的铁电相控阵天线，该系统通过安装于各天线单元附近的温度传感器返回的读数，实时计算该温度下铁电介质的介电常数变化，并据此调整移相器工作电压，可在一定程度上补偿移相器的温度漂移。但考虑到铁电移相器已偏离最佳工作温度，导致相移范围缩小或插入损耗提高，因此该方法仍无法完全克服性能的降低，且带来了计算复杂度的增加。

综上，现有技术中基于可变介电常数电介质的相控阵天线，存在以下缺点：成本高、制作电路板的工艺加工复杂，体积与重量较大，且没有温度补偿来稳定移相器。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术存在的问题，提供一种集成电调相控阵列天线及包含此天线的模组、系统，集成电调相控阵列天线采用陶瓷材料上涂覆有铁电功能陶瓷膜层复合结构，可以降低成本；将微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络通过金属层结构化方式形成于所述陶瓷材料表面简化了制作集成电路板的加工流程；小型天线单元组使用矩形贴片天线可缩小集成电路板的平面面积；通过电路控制相位可同时保证大的视场宽度和高分辨率的角度观测。集成电调相控阵列天线模组包括温度补偿背板可保证微型铁电连续移相器相移的温度稳定性，多个集成电调相控阵列天线模组呈弧形阵列拼接可进一步扩展集成电调相控阵列天线模组的观测范围并通过增大阵列口径提高集成电调相控阵列天线模组辐射电磁场的方向性。采用的具体技术方案为：

一种集成电调相控阵列天线，包括基片、微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络，其特征在于，所述基片为陶瓷材料，微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络通过金属层结构化方式形成于所述陶瓷材料表面；

微型电调连续移相器采用共面传输线或包含共面可变电容器的振荡器电路形式，外部直流电压源输入的可调直流电压控制所述微型电调连续移相器的工作点；

小型天线单元组包含多个独立馈电的天线单元或分组馈电的单元组，具有可选的电场极化方向，使用矩形贴片天线；

射频馈电网络包含基于平面传输线的功率分配电路，该射频馈电网络连接单一的射频馈电口与各微型电调连续移相器输入端，以便均分功率到各微型电调连续移相器；

偏置电压网络具有包含多个独立可编程电压输出的电压源，以及集成的电阻性扼流传输线以连接微型电调连续移相器的电压端与相对应的直流电压控制输入点，该集成的电阻性扼流传输线通过结构化前述金属层的底面不良导体层实现，并由此保证此集成的电阻性扼流传输线与上层良导体层的电连接。

优选地，所述陶瓷材料基片上涂覆有铁电功能陶瓷膜层的复合结构。

优选地，所述陶瓷材料基片与铁电功能陶瓷膜层的复合结构间具有一层不良导体层。

优选地，所述小型天线单元组使用矩形金属贴片天线，并按照与水平线呈15°至45°夹角放置。

优选地，所述微型电调连续移相器为基于共面波导的微型铁电连续移相器，包括微带线输入端、微带线-共面波导转换巴伦、微带线输出端、高通传输线移相段。

优选地，所述微带线-共面波导转换巴伦为终端开路的扇形线。

优选地，所述高通传输线移相段包含有多个由串联共面电容器和并联接地电感，其中所述微型铁电连续移相器的工作电压即加载在共面电容器两极上。

一种集成电调相控阵列天线模组，包括温度补偿背板、射频通信传感前端、基带数字信号处理器、接地金属面及上述的集成电调相控阵列天线；

所述集成电调相控阵列天线的底面与所述温度补偿背板接触，该温度补偿背板包含温度传感器、自动控制回路以及可调的半导体温控板，可根据实测温度与目标的温差实现自动加热及制冷双向温度补偿，以便保持所述微型铁电连续移相器相移的温度稳定性；

接地金属面用以安装所述基带数字信号处理器和所述射频通信传感前端，并保证电调相控阵列天线与前端处理器间互不干扰；

射频通信传感前端包含双工的通信收发机或用于方位、距离、速度参量传感的雷达前端，并与基带数字信号处理器级联，实现对集成电调相控阵列天线模组辐照宽度及方向的实时动态控制，及对所述射频通信传感前端的状态控制和数据收发。

一种集成电调相控阵列天线系统，包含有两个以上所述的电调相控阵列天线模组，且所述的电调相控阵列天线模组呈弧形阵列拼接。

优选地，还包括柔性连接电路板，所述柔性连接电路板上设有射频功率分配馈电网络和直流馈电网络，以实现所述阵列天线系统中各天线模组间射频与直流信号的柔性连接。

本发明提供的集成电调相控阵列天线采用陶瓷材料上涂覆有铁电功能陶瓷膜层复合结构，可以降低成本；将微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络通过金属层结构化方式形成于所述陶瓷材料表面简化了制作集成电路板的加工流程；小型天线单元组使用矩形贴片天线可缩小集成电路板的平面面积；通过电路控制相位可同时保证大的视场宽度和高分辨率的角度观测。集成电调相控阵列天线模组包括温度补偿背板可保证微型铁电连续移相器相移的温度稳定性，多个电调相控阵列天线模组成弧形阵列拼接可进一步扩展集成电调相控阵列天线模组的观测范围并通过增大阵列口径提高集成电调相控阵列天线模组辐射电磁场的方向性。

附图说明

图1是本发明一实施例集成电调相控阵列天线的结构示意图；

图2是根据本发明的基于共面波导的微型铁电连续移相器的结构示意图;

图3是本发明集成电调相控阵列天线中的偏置电压网络的剖面结构图；

图4是本发明一实施例的集成电调相控阵列天线模组的结构分解图;

图5是本发明集成电调相控阵列天线模组的工作原理图；

图6是本发明一实施例的集成电调相控阵列天线系统结构图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。

本发明提供一种电调相控阵列天线，包括基片、微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络，所述基片为表面上涂覆有铁电功能陶瓷膜层复合结构的陶瓷材料；采用陶瓷材料上涂覆有铁电功能陶瓷膜层复合结构，可以降低成本。

可以在1mm厚Al₂O₃、AlN等陶瓷基片上涂覆1至10μm的Ba_(1-x)Sr_xTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr_xTi_(1-x))O₃、ZnO、Bi_xNa_(1x)TiO₃、Ba(Ti,Zr)O₃、Bi_(1z)(Na_(1x-y-z)K_xLi_y)_0.5Ba_zTiO₃、(K_0.5Na_0.5)_1-2yAE_yNbO₃(AE可为Mg,Ca,Sr,Ba)等有铁电功能的陶瓷膜层的复合结构。如图1所示，本实施例使用在Al₂O₃的陶瓷材料基片上涂覆Ba_0.6Sr_0.4TiO₃。

微型电调连续移相器12、小型天线单元组11、射频馈电网络13和偏置电压网络14通过金属层结构化方式形成于所述陶瓷材料表面；这种方式简化了集成电路板的加工流程。

微型电调连续移相器采用共面传输线或包含共面可变电容器的振荡器电路形式，外部直流电压源输入的可调直流电压控制所述微型电调连续移相器12的工作点；

图2所示，本实施例中的微型电调连续移相器为基于共面波导的微型铁电连续移相器，包括微带线输入端201、微带线-共面波导转换巴伦202、微带线输出端203、高通传输线移相段204。其微带线-共面波导转换巴伦202为终端开路的扇形线；高通传输线移相段204包含有多个由串联共面电容器和并联接地电感，其中所述微型铁电连续移相器的工作电压即加载在共面电容器两极上。

微带线输入端201及微带线输出端203为基于微带线的50Ω特性阻抗线，在陶瓷材料基片上的典型宽度为0.4至0.5mm。

微带线-共面波导转换巴伦202将集中于微带线与集成电调相控阵列天线底部接地面间的非平衡射频电场转换为分布于介质顶面上共面金属电极间的平衡共面波导模式，优选地，使用终端开路的扇形线实现该巴伦202，单个扇形线典型长度400微米，开口15°。

高通传输线移相段204包含有多个由串联共面电容器C和并联接地电感L，其中微型铁电连续移相器的工作电压即加载在共面电容器两极上。此电压在电容器内电极缝隙间形成直流电场，并改变铁电功能陶瓷膜层表层内介电常数，进而改变决定了电容值；当射频电流馈入同一电容器时，射频信号经过各高通传输线移相段204的相位延迟由以下公式决定：

$\mathrm{\φ}=-\frac{P}{2\mathrm{\πf}}\sqrt{\frac{1}{\mathrm{LC}\left(v\right)}}$

其中，φ为总相移，P为移相段总长，f为工作频率，C(v)为受工作电压控制的串联共面电容值。可见高通传输线移相段的信号传播相位延迟受到电压直接控制。典型的4mm长度的微型铁电连续移相器在工作频率f为9GHz时，随控制电压从0V升至100V时，其相移变化即相对相移可达400°。

同时，随着高通传输线移相段的阻抗变化和材料的损耗提高，该段插入损耗也提高，通过以下定义的优值即增加单位损耗带来的相移提高，以评估微型铁电连续移相器总体性能。

其中FoM为移相器优值，ΔΦ_max为最大相移变化，IL_max为最大插入损耗。本实施例中的Ba_0.6Sr_0.4TiO₃基材的微型电调连续移相器可在工作频率为10GHz下提供高于60°/dB的优值，并可在高度紧凑的微型结构内实现。

小型天线单元组包含多个独立馈电的天线单元或分组馈电的单元组，具有可选的电场极化方向，使用矩形贴片天线；其尺寸由下式决定：

$l=\frac{{\mathrm{\λ}}_0}{2\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_{\mathrm{eff}}}}$

其中l为天线长度，λ₀为该频率的真空波长，ε_eff为贴片下介质的有效介电常数。该介电常数主要由介质复合结构中较低的介电常数决定。

小型天线单元组使用矩形金属贴片天线，并按照与水平线呈15°至45°夹角放置。这样可以提高天线单元的密度，同时减小临近单元组间的耦合。如图1所示，小型天线单元组使用矩形金属贴片天线，并按照与水平线呈45°夹角放置。小型天线单元组形成在涂覆Ba_0.6Sr_0.4TiO₃的Al₂O₃的陶瓷材料基片上，长度4.5mm，宽6mm的贴片天线的工作频率即可达到10GHz，而由其形成的电调相控阵列天线的平面面积是以聚四氟乙烯为基板的同频天线的40%。

图1所示，射频馈电网络13包含基于平面传输线的功率分配电路，该射频馈电网络连接单一的射频馈电输入口16与各微型电调连续移相器12的输入端，以便均分功率到各微型电调连续移相器；

偏置电压网络具有包含多个独立可编程电压输出的电压源，以及集成的电阻性扼流传输线303以连接微型电调连续移相器12的电压端与相对应的直流电压控制输入点15，该集成的电阻性扼流传输线303通过结构化前述金属层的底面不良导体层实现，并由此保证此集成的电阻性扼流传输线303与上层良导体层的电连接。

图3是本发明集成电调相控阵列天线中的偏置电压网络的剖面结构图，包括：直流电压控制输入点15、移相器共面电极302、集成的电阻性扼流传输线303、有铁电功能的陶瓷膜层305、陶瓷材料基片304，以及外围的包含多个独立可编程电压输出的电压源。其中，集成的电阻性扼流传输线303连接移相器共面电极302与相对应的控制电压输入点15。偏置电压网络具有多个独立的直流电压输出通道，可独立的通过改变各微型电调连续移相器的工作电压调整相位延迟值，此偏置电压网络的射频-直流去耦合功能，以避免射频信号耦合入直流回路降低后级线性度和稳定性，也避免直流信号漏入并毁损射频回路。陶瓷基片304上的金属层可使用铝、金、钨、铜等材料及其合金，此层与有铁电功能的陶瓷膜层305间可增加一层不良导体层包括镍、铬、钛等材料及其合金。集成的电阻性扼流传输线303通过结构化此不良导体层实现，并由此保证集成的电阻性扼流传输线303与上层良导体层的紧密电连接。本例中，一根宽10μm，厚40nm的镍铬合金线可实现50KΩ/mm串联电阻以作为低阻移相器的直流去耦电路，同时在直流电压控制输入点15外使用20pF对地电容短路射频信号。该偏置电压网络还具有包含多个独立可编程电压输出的电压源，优选地，多路直流偏压由DC-DC变换器实现，本例中使用最多32路14位变换器。

本发明提供的集成电调相控阵列天线具有连续可调的观测方向和视场宽度。射频馈电网络13将收发前端的输出信号由单一的射频输入口16均分到各微型电调连续移相器12的输入口，各微型电调连续移相器与小型天线单元组11一一对应连接，一个小型天线单元为一个天线阵元，从而独立设置各天线阵元（下称阵元）馈口的相对相位，而且各相移值可通过对应微型电调连续移相器的工作电压独立灵活调整。阵列的总辐照场即由各阵元的合场决定，公式如下：

$E\left(\mathrm{\θ}\right)=\underset{i=1}{\overset{N}{\mathrm{\Σ}}}{E}_{\mathrm{Ai}}\left(\mathrm{\θ}\right)P_i{e}^{-j\{\frac{2d\cos \mathrm{\θ\π}}{\mathrm{\λ}}-{\mathrm{\φ}}_i\}}$

其中，θ为观测角，E为总辐射场场强，E_Ai为第i阵元归一化辐射场强，P_i为第i阵元归一化馈电电压，d为阵元间距，λ为工作频率的自由空间波长，φ_i为第i阵元相移幅度。此处可见，观测方向及观测波束宽度可有各P_i及φ_i的选择来确认，并可由移相器动态调整，而视场宽度即扫描范围由各φ_i的最大取值范围来确定。

集成电调相控阵列天线的观测方向亦据此方式控制。天线阵元本身具有较宽的半功率角，即较宽的视场，通过改变各微型电调连续移相器的延迟，即可动态调整阵列收发双向的观测方向及扫描范围即视场宽度。在各观测方向上，合场的波束宽度决定了观测分辨率，通过适当增加阵元数量和阵列口径，可有效压缩合场波束宽度从而实现高分辨率。基于此，该装置可同时保证大的视场宽度和高分辨率的角度观测。优选地，使用8GHz至14GHz带宽的连续电控无源移相器，优值大于60°/dB，插损低于6dB，总相移大于360°，步长由控制电压分辨率决定，本实施例中步长小于0.7°。使用4x4个阵元的矩形小型平面垂直极化天线阵，纵向每4个阵元为一组使用微带线串联，共用同一微型电调连续移相器，纵横阵元间距均为λ/2，总场波束半功率宽度小于30°,扫描范围大于±50°，扫描精度小于0.7°。使用20GHz至25GHz微型电调连续移相器，原理相同，优值大于40°/dB，插损低于9dB，使用30x15阵元的矩形小型平面圆极化天线阵，纵向每15个阵元为一组使用微带线串联，共用同一微型电调连续移相器，纵横阵元间距均为λ/2，总场波束半功率宽度小于5°,扫描范围大于±50°，扫描精度优于0.8°。

图4，一种集成电调相控阵列天线模组，其特征在于，包括温度补偿背板2、射频通信传感前端5、基带数字信号处理器4、接地金属面3及上述的电调相控阵列天线1；所述集成电调相控阵列天线的底面与所述温度补偿背板2接触，该温度补偿背板2包含温度传感器、自动控制回路以及可调的半导体温控板，可根据实测温度与目标的温差实现自动加热及制冷双向温度补偿，以便保持所述微型铁电连续移相器相移的温度稳定性；优选地，温度补偿背板采用半导体热板，提供-40℃到180℃范围内±0.1℃的精确温度控制，可提供最快每分钟30℃的变化，结合单一的热阻探针和闭路控制器可自动稳定101模组温度，典型工作温度为60℃。

射频通信传感前端5包含双工的通信收发机或用于方位、距离、速度参量传感的雷达射频前端，并与基带数字信号处理器4级联，实现对集成电调相控阵列天线辐照宽度及方向的实时动态控制，及对所述射频通信传感前端5的状态控制和数据收发；优选地，雷达射频前端频率范围8至14GHz，带宽400MHz，发射功率不高于40dBm。

本实施例提供的一种集成电调相控阵列天线模组还包括接口和人机界面，接口和人机界面向集成电调相控阵列天线模组的后级控制系统提交数据并受其控制，或直接通过人机界面接收操作者指令并反馈工作状态。

图5为本发明的集成电调相控阵天线模组的工作原理图，其包括：集成电调相控阵列天线1、射频通信传感前端5、数字信号处理器4、人机界面505、多通道直流电压源506。本实施例选定在8GHz至14GHz的频带内工作。首先根据后级系统工作要求通过人机界面505输入命令，数字信号处理器4按照观测方向和分辨率指标解算各微型电调连续移相器所需的控制电压，并下传给电压源506。该电压源506独立输出各路电压值，并经由电调相控阵列天线1所含偏压网络的直流电压控制输入点15输送至各微型电调连续移相器。同时，数字处理器4控制射频通信传感前端5的发射链路所产生的射频信号经由集成电调相控阵列天线1的射频馈电网络13将射频信号分配至各微型电调连续移相器，各微型电调连续移相器根据所载控制电压连续调整自身相位延迟，从而控制所连天线单元组辐射场相位。所有天线单元组的电磁辐射形成远场501，以锁定或扫描至所需方位。反之，该天线模组亦可接收远场辐射，并馈入射频前端接收链路以接收回波或远场来波射频信号。本实例中发射链路上，数字频率综合器连续工作输出单频正弦波，工作频点由其内部的直接数字综合器DDS控制。DDS受数字处理器程序控制，保证调频连续波在一定范围内按照指定的频率对时间关系扫描指定频段。优选地，使用直接数字综合器(DDS)AD9854推动宽带数字锁相环(PLL)ADF4106，此结构使用高鉴相频率提高PLL的频率切换速度，利用DDS的高频分辨率保证频点间距，并由PLL的窄带滤波特性减少DDS输出频谱杂散。频综包含48位相位累加器及两路高性能D/A转换器配合外部100MHz晶振提供良好的动态范围，同时包含低噪声鉴频鉴相器、高精度电荷泵、可编程双模预分频器及分频器，最大可用带宽6GHz并保证200MHz/50μs扫频速度。该频综的本振信号输出到上行30dBm功率放大器及下行正交解调器的双路混频器HMC904。本示例中，数字信号处理器以高速DSP为中心，并包含逻辑处理器、高速随机存储器、闪存、电源、RS485或CAN总线接口，其首先将接收到的时域信号幅值序列通过FFT变换至频域，该频率值即为回波信号与辐照信号频率差，据此可推算障碍物距离。

如图6所示，本发明还提供一种集成电调相控阵列天线系统，包含有两个以上所述的集成电调相控阵列天线模组601，且所述的电调相控阵列天线模组呈弧形阵列拼接。还包括柔性连接电路板602，所述柔性连接电路板602上设有射频功率分配馈电网络和直流馈电网络，以实现阵列天线系统中各天线模组间射频与直流信号的柔性连接。弧形阵列拼接的集成电调相控阵列天线模组601通过柔性连接电路板602中的馈电网络连接到单一的射频收发机和数字处理器，以进一步扩展观测范围并通过增大阵列口径提高方向性。

Claims (10)

1.一种集成电调相控阵列天线，包括基片、微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络，其特征在于，所述基片为陶瓷材料，微型电调连续移相器、小型天线单元组、射频馈电网络和偏置电压网络通过金属层结构化方式形成于所述陶瓷材料表面；

微型电调连续移相器采用共面传输线或包含共面可变电容器的振荡器电路形式，外部直流电压源输入的可调直流电压控制所述微型电调连续移相器的工作点；

小型天线单元组包含多个独立馈电的天线单元或分组馈电的单元组，具有可选的电场极化方向，使用矩形贴片天线；

射频馈电网络包含基于平面传输线的功率分配电路，该射频馈电网络连接单一的射频输入口与各微型电调连续移相器输入端，以便均分功率到各微型电调连续移相器；

偏置电压网络具有包含多个独立可编程电压输出的电压源，以及集成的电阻性扼流传输线以连接微型电调连续移相器的电压端与相对应的直流电压控制输入点，该集成的电阻性扼流传输线通过结构化所述金属层的底面不良导体层实现，并由此保证此集成的电阻性扼流传输线与上层良导体层的电连接。

2.根据权利要求1所述的集成电调相控阵列天线，其特征在于，所述陶瓷材料基片上涂覆有铁电功能陶瓷膜层的复合结构。

3.根据权利要求2所述的集成电调相控阵列天线，其特征在于，所述陶瓷材料基片与铁电功能陶瓷膜层的复合结构间具有一层不良导体层。

4.根据权利要求2所述的集成电调相控阵列天线，其特征在于，所述小型天线单元组使用矩形金属贴片天线，并按照与水平线呈15°至45°夹角放置。

5.根据权利要求2所述的集成电调相控阵列天线，其特征在于，所述微型电调连续移相器为基于共面波导的微型铁电连续移相器，包括微带线输入端、微带线-共面波导转换巴伦、微带线输出端、高通传输线移相段。

6.根据权利要求5所述的集成电调相控阵列天线，其特征在于，所述微带线-共面波导转换巴伦为终端开路的扇形线。

7.根据权利要求5所述的集成电调相控阵列天线，其特征在于，所述高通传输线移相段包含有多个由串联共面电容器和并联接地电感，其中所述微型铁电连续移相器的工作电压即加载在共面电容器两极上。

8.一种集成电调相控阵列天线模组，其特征在于，包括温度补偿背板、射频通信传感前端、基带数字信号处理器、接地金属面及权利要求1所述的电调相控阵列天线；

所述集成电调相控阵列天线底面与所述温度补偿背板接触，该温度补偿背板包含温度传感器、自动控制回路以及可调的半导体温控板，可根据实测温度与目标的温差实现自动加热及制冷双向温度补偿，以便保持所述微型铁电连续移相器相移的温度稳定性；

接地金属面用以安装所述基带数字信号处理器和所述射频通信传感前端，并保证电调相控阵列天线与前端处理器间互不干扰；

射频通信传感前端包含双工的通信收发机或用于方位、距离、速度参量传感的雷达前端，并与基带数字信号处理器级联，实现对集成电调相控阵列天线模组辐照宽度及方向的实时动态控制，及对所述射频通信传感前端的状态控制和数据收发。

9.一种集成电调相控阵列天线系统，其特征在于，包含有两个以上所述的集成电调相控阵列天线模组，且所述的电调相控阵列天线模组成弧形阵列拼接。

10.根据权利要求9所述的一种集成电调相控阵列天线系统，其特征在于，还包括柔性连接电路板，所述柔性连接电路板上设有射频功率分配馈电网络和直流馈电网络，以实现所述阵列天线系统中各天线模组间射频与直流信号的柔性连接。

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