CN103312266A - 一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，由温度传感器、温度自适应模块、减法电路以及振荡环路组成。温度传感器输入直流稳压（可以是带隙基准电压BG），输出电压随温度成线性变化；温度自适应模块可以将温度传感器所得到的曲线的斜率调试至所需要的值；减法电路进一步调整曲线的截距。通过这种方式得到的电压随温度的变化曲线，可使得振荡环路在误差允许的范围内得到较稳定的输出频率。本发明的设计可以更好的提高环形振荡器的电路的稳定性，提高其实用性与功效，本发明采用CMOS器件搭建而成，设计简单而且制造成本较低。

Description

一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种受温度不敏感的环形振荡器的电路设计。

背景技术

环形振荡器的应用很广泛，环形振荡器的结构也很多，实现的功能也越来越得到人们的重视。环形振荡器是大多数电子系统必不可少的组成部分，更是无线通信系统的核心组成部分之一，一直在通信、电子、航海航空以及医学等装备以及仪器仪表领域扮演着重要的角色。例如在无线电测量仪器中，环形振荡器可以产生各种频段的正弦信号电压；在热处理、热加工、超声波加工和某些医疗设备中，环形振荡器产生大频率的高频电流可对负载进行加热。在人们的日常生活中，环形振荡器的应用也是无处不在，例如：电视，微波炉，智能卡等等离不开环形振荡器的应用。环形振荡器是一种可以通过自激方式使自身信号按固定周期变化的电路，一般由奇数个反相器或者差分反相器组成，其振荡频率受各级反相器的延时大小控制，当然也受其他暂定因数的影响。环形振荡器的性能特点使其有利于设计高频、宽调节范围、高线性的振荡器。CMOS环形振荡器易与数字电路集成的优点使其在芯片系统中有着很好的应用前景；而且CMOS环形振荡器比电感占用的芯片面积小很多，有着更大的调节范围。CMOS环形振荡器在CMOS工艺中具有十分重要的意义。

环形振荡器因其结构简单易于集成而用于许多集成电路芯片的设计，人们提出并采用了许多关于环形振荡器的结构，但多数结构都存在着稳定性低的问题，其振荡频率受温度变化以及工艺的不确定因素的影响很大，由于这些暂态因素，相同的环形振荡器的结构可能在不同的条件下输出不同的结果，甚至使得某些输出给出错误的值。例如当温度变化50％时，频率可变化50％以上，而随着工艺参数从标准情况向最坏情况改变时，输出频率的变化可达到100％以上。在同时考虑温度和工艺参数影响的情况下，输出频率的漂移就会更大，从而给电路性能造成了很大的影响。因此，改进环形振荡器的频率稳定性就十分有意义。

环形振荡器的性能参数受到了诸多因素的影响，目前国内外在对振荡器的性能参数进行改进设计方面已有很多的研究，但总体上来说，还存在一些不足，例如电路复杂，不易实现。

发明内容

本发明的目的是为了解决环形振荡器的稳定性受温度影响的问题，提出一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，具有简单的结构，利用温度传感器、温度自适应模块和减法电路来减小环形振荡器的输出频率对温度的敏感性，从新的电路结构方面研究改进环形振荡器的输出稳定性。

一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，电路包括温度传感器、自适应模块、减法电路、汲取电流式环形振荡器；

温度传感器包括NMOS晶体管Ma和PMOS晶体管Mb，Mb的漏极和Ma的漏极相连，Mb的源极接电压Vdd，Mb的栅极连接直流稳定电压V_BG，Ma的栅极和漏极相连，Ma源极接地，Ma/Mb的漏极输出电压V_temp；

自适应模块包括NMOS晶体管Mc和PMOS晶体管Md，Md的漏极和Mc的漏极相连，Md的栅极与漏极相连，Md的源极接电压Vdd；Mc的源极接地，栅极连接温度传感器中Ma/Mb的漏极；温度传感器的输出电压V_temp通过Mc的栅极输入，由Mc/Md的漏极输出，电压记为V_out；

减法电路具体包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M5、NMOS晶体管M6、PMOS晶体管M7、PMOS晶体管M8、PMOS晶体管M9、PMOS晶体管M10；

M1和M2的栅极相连，源极接地，其中M1栅极和漏极相连，M1和M2构成镜像电流源；M3和M4以及M5和M6的源极分别接M1和M2的漏极，M3和M4的栅极分别接直流稳压输入V_BG1、V_BG2，M5的栅极和漏极相连，M6栅极与自适应模块2的输出V_out相连，M3、M4、M5、M6的漏极分别和M7、M8、M9、M10的漏极相连；M7、M8、M10的栅极和漏极都相连，M8的栅极和M9的栅极相连，M7～M10的源极都接电压Vdd；减法电路由M5的漏极输出V_sub；

汲取电流式环形振荡器包括PMOS晶体管M11、PMOS晶体管M13、PMOS晶体管M14、PMOS晶体管M17、PMOS晶体管M18、PMOS晶体管M111、PMOS晶体管M112、NMOS晶体管M12、NMOS晶体管M15、NMOS晶体管M16、NMOS晶体管M19、NMOS晶体管M110、NMOS晶体管M113、NMOS晶体管M114；

M11的栅极和漏极相连，源极接电压Vdd，漏极和M12的漏极相连；M12栅极接减法电路的输出V_sub，源极接地，漏极与M11的漏极相连；M13～M16作为振荡环路的一路，M13源极接电压Vdd，栅极和M11的栅极相连，漏极与M14的源极相连；M14栅极与M15栅极相连，漏极与M15漏极相连，源极接M13的漏极，M14和M15构成一级反相器；M15源极和M16漏极相连；M16栅极接减法电路的输出V_sub，源极接地；

其他两路的连接方式与M13～M16的连接相似；M17、M111的连接方式与M13相似，M17、M111的栅极都与M11的栅极相连，漏极分别与M18和M112的源极相连，源极都接Vdd；M18和M19、M112和M113的连接方式与M14和M15相似，M18和M19栅极相连，漏极相连，M112和M113也是栅极相连，漏极相连，振荡环路M14和M15的栅极与M112和M113漏极相连，输出电压V_osci，M18和M19的栅极与M14和M15的漏极相连，M112和M113的栅极与M18和M19的漏极相连；M110、M114的连接方式与M16的相似，M110、M114的栅极都接减法电路的输出V_sub，源极都接地，漏极分别与M19和M113的漏极相连。

本发明的优点在于：

（1）本发明所阐述的对温度不敏感的环形振荡器的电路设计，创新的将温度传感器以及新型简单的自适应模块，还有性能优良的减法电路链接起来，成功的将输入的直流稳压转变为振荡环路所需要的电压，得到对温度不敏感的环形振荡器的电路；

（2）现有很多环形振荡器在设计中都受到一些暂定因数的影响，例如温度和电压，这样在功能和稳定性方面效果都比较差，本发明的优点在于电路设计的模块化，电路的简洁性，及其在能耗与面积上的优势。

附图说明

图1是本发明的电路结构示意图；

图2是本发明所设计电路的基本框图

图3是本发明温度传感器的电路设计图

图4是本发明自适应模块的电路设计图

图5是本发明减法电路结构的设计图

图6是本发明电压型环形振荡器的电路设计图

具体实施方式

下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。

本发明是一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，通过对基本的环形振荡器电路结构作深入分析，得出环形振荡器电路的温度特性及在不同电源电压下的特性，确定环形振荡器电路系统受温度影响的规律，并在此基础上进一步考虑对温度不敏感的环形振荡器的设计。将温度传感器、自适应模块以及减法电路还有振荡环路链接起来，成功得到受温度不敏感的环形振荡器的电路设计。

本发明研究了如图6所示的汲取电流式环形振荡器的温度特性，给环形振荡器输入端加以恒压，研究发现，其振荡频率随着温度的变化比较大，温度稳定性并不是很好。于是本发明设定了一个恒定的输出频率，研究所需输入电压和温度之间的关系。通过研究发现，所需输入电压与温度的变化基本呈线性的关系。因此需要通过电路设计得到的就是一条特定的随温度成线性变化的电压曲线，此种电压加载于环形振荡器的输入端可使环形振荡器输出稳定的频率。

如图1所示，本发明的一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，包括温度传感器1、自适应模块2、减法电路3、汲取电流式环形振荡器4。

温度传感器1、自适应模块2、减法电路3、汲取电流式环形振荡器4共同组成了对温度不敏感的环形振荡器的电路，如图2所示，图2宏观直接的描述了整个电路的框架，直流稳压输入到温度传感器1，通过温度传感器1输入到自适应模块2再由减法电路3进一步处理得到满足一定电压和温度关系的电压提供给汲取电流式环形振荡器4，使得汲取电流式环形振荡器4的输出频率对温度不再敏感。

如图3所示，温度传感器1包括NMOS晶体管Ma和PMOS晶体管Mb，

Mb的漏极和Ma的漏极相连，Mb的源极接电压Vdd，Mb的栅极连接直流稳定电压V_BG，Ma的栅极和漏极相连，Ma源极接地，Ma/Mb的漏极输出电压V_temp。

电路的基本原理是：温度传感器1由两个CMOS器件共同组成，直流稳定电压V_BG通过温度传感器1中Mb栅极输入，然后由Mb的漏极输出，得到一条随温度线性变化的曲线：V_BG是由任意带隙基准产生的直流稳压输入，V_temp为经过温度传感器1的输出电压。工作在饱和区的NMOS晶体管Ma满足以下函数关系式：

$I_D=\frac{1}{2}\mathrm{\μ}{C}_{\mathrm{ox}}\frac{W}{L}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})}^2---\left(1\right)$

其中：I_D是漏极电流，μ是载流子迁移率，V_TH是阈值电压，C_ox是单位面积的栅氧化层电容，W、L分别为MOS管的宽与长，V_GS是栅源电压。

随着温度的增加，载流子迁移率μ和阈值电压V_TH都会变小，载流子迁移率趋向于减小这个电流，而阈值电压的减小则增大这个电流。这两个温度参数作用的结果是在MOS晶体管的V_GS随温度变化的关系曲线里有一个零温度系数点。MOS管栅源电压满足下面的方程：

$V_{\mathrm{GS}}=V_{\mathrm{GSF}}+{\mathrm{\α}}_{\mathrm{VT}}T(1-\sqrt{I_D/I_{\mathrm{DSF}}})---\left(2\right)$

其中：V_GS是栅源电压，α_VT表示阈值电压温度系数，V_GSF，I_DSF是对应于不同温度下所得的I_D-V_G曲线交点的电压和电流值，I_D为漏极电流，T表示温度。

发现NMOS管Ma的零温度系数点能够用来设计温度传感器1，它具有低能耗和面积小的优点。PMOS管Mb作为稳定的电流源，且温度传感器1的特性很大取决于这个稳定电流源的电流值。通过此温度传感器1，可获得一条线性的NMOS管Ma栅源电压和温度的关系曲线：

V_temp=b+aT   (3）

其中：V_temp为温度传感器1的输出电压，b为截距，a为斜率即温度系数，T为温度。

通过图3所示温度传感器1所获得的电压温度曲线在斜率和截距方面都难以满足汲取电流式环形振荡器对电压的要求，为了精确满足电压的需要，需要在截距和斜率上分别加以处理。通过设计自适应模块2（如图4），得到能够满足电压斜率的曲线；

如图4所示，自适应模块2包括NMOS晶体管Mc和PMOS晶体管Md，

Md的漏极和Mc的漏极相连，Md的栅极与漏极相连，Md的源极接电压Vdd；

Mc的源极接地，栅极连接温度传感器1中Ma/Mb的漏极；温度传感器1的输出电压V_temp通过Mc的栅极输入，由Mc/Md的漏极输出，电压记为V_out。

Md在其中主要起微调的作用，Mc对于输出的影响比较大，起着粗调的作用。下面阐述自适应模块的工作原理。假定Mc和Md都工作在饱和区，Mc的电流值为

$I_{\mathrm{Mc}}=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_n{C}_{\mathrm{ox}}\frac{W_n}{L_n}{(V_{\mathrm{temp}}-V_{\mathrm{thn}})}^2---\left(4\right)$

其中：I_Mc为Mc的漏极电流，μ_n为NMOS载流子迁移率，C_ox为单位面积栅氧化层电容，W_n和L_n分别为NMOS宽和长，V_temp为温度传感器1的输出电压，V_thn为NMOS阈值电压。

Md的漏极电流为

$I_{\mathrm{Md}}=\frac{1}{2}{\mathrm{\μ}}_p{C}_{\mathrm{OX}}\frac{W_p}{L_p}{(V_{\mathrm{dd}}-V_{\mathrm{out}}-|V_{\mathrm{thp}}\left|\right)}^2---\left(5\right)$

其中：I_Md为Md的漏极电流，μ_p为PMOS载流子迁移率，C_ox为单位面积栅氧化层电容，W_p和L_p分别为PMOS的宽和长，V_dd为电源电压，V_out为输出电压，|V_thp|为PMOS阈值电压的绝对值。

由于I_Mc和I_Md的值相等，可以得到：

$\sqrt{\frac{\mathrm{\μn}\frac{W_n}{L_n}}{\mathrm{\μp}\frac{W_p}{L_p}}}=\frac{V_{\mathrm{dd}}-V_{\mathrm{out}}-\left|V_{\mathrm{thp}}\right|}{V_{\mathrm{temp}}-V_{\mathrm{thn}}}---\left(6\right)$

而载流子迁移率一般有如下关系

${\mathrm{\μ}}_n={\mathrm{\μ}}_{n0}{\left(\frac{T}{T_0}\right)}^{-2},$ ${\mathrm{\μ}}_p={\mathrm{\μ}}_{p0}{\left(\frac{T}{T_0}\right)}^{-2}---\left(7\right)$

把迁移率公式（7）代人到上述公式（6）中，并假设等式（6）左边所得到的值为x，可以得到

V_out=-xV_temp+xV_thn+V_dd-|V_thp|   （8）

考虑阈值电压的温度效应，有公式

V_thn=V_thn0+α_VTn（T-T₀）   （9）

|V_thp|=|V_thp0|+α_VTp（T-T₀）   （10）

把（3）、(9)和（10）代入到（8）中得到

V_out=(-ax+α_VTnx-α_VTp)T+（V_dd-|V_thp0|+xV_tho-xα_VTnT₀-bx）   （11）

其中，α_VTn、α_VTp分别为NMOS和PMOS晶体管阈值电压的温度系数，T₀为某一零点的温度值，V_tho、|V_thp0|别为零点对应的NMOS和PMOS的阈值电压。这是一个关于温度变量T的线性函数，可通过改变Mc和Md的宽长比来确定x得到线性变化曲线的斜率。

为了能够进一步满足截距要求，设计了减法电路（如图5所示）。

如图5所示，减法电路3包括两个对称的结构，每一个结构内部对称的MOS器件宽长比都相等。

减法电路3具体包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M5、NMOS晶体管M6、PMOS晶体管M7、PMOS晶体管M8、PMOS晶体管M9、PMOS晶体管M10。

M1和M2的栅极相连，源极接地，其中M1栅极和漏极相连，M1和M2构成镜像电流源；M3和M4以及M5和M6的源极分别接M1和M2的漏极，M3和M4的栅极分别接直流稳压输入V_BG1、V_BG2，M5的栅极和漏极相连，M6栅极与自适应模块2的输出V_out相连，M3、M4、M5、M6的漏极分别和M7、M8、M9、M10的漏极相连；M7、M8、M10的栅极和漏极都相连，M8的栅极和M9的栅极相连，M7～M10的源极都接电压Vdd；减法电路3由M5的漏极输出V_sub。

减法电路3对输出电压温度曲线的斜率没有影响，只是调节其截距。采用了对称的结构，这样的结构可以消除一些由于环境等带来的共模影响，是共模抑制效果比较优良的电路结构。减法电路结构图一共有三端输入，一端输出，记三个输入端分别为V_BG1，V_BG2，V_out（温度自适应模块2的输出电压）；输出记为V_sub。V_BG1，V_BG2是由带隙基准电路产生的稳定恒压输入，这里的V_BG2可以与由带隙基准产生的温度传感器的输入电压V_BG相等，而V_BG1可以由任意带隙基准电路产生；另一个输入端接自适应模块2的输出电压V_out，输出为图中PMOS/NMOS的漏端。减法电路的基本原理如下：M1和M2组成镜像电流源，I1=I2,M3和M4连接2个输入终端，这两个NMOS的宽长比相等，两个终端的电压差Δ=V_BG1-V_BG2，M6连接电压输入端也就是自适应模块的输出电压V_out，M5的漏极电压为输出电压。M5，M6的宽长比也相等，M7～M9均为PMOS且宽长比也一样,并且源极都接电压V_dd。M3、M4与M5、M6相互对应匹配，干路电流I₁=I₂。漏极电流和栅源电压之间的关系可以由以下公式给出：

ID=β（V_GS-V_TH）²（V_GS≥V_TH）   （12）

I_D=0(V_GS＜V_TH)   （13）

其中：

V_GS是栅源电压，V_TH是MOS管的阈值电压。μ是载流子迁移率，C_ox是单位面积氧化层的电容。

定义M3、M4、M5、M6四路上的漏极电流分别为I_D1、I_D2、I_D3、I_D4。根据M8、M9的镜像关系，可以得出I_D2=I_D3，进一步可以得到V_sub=V_out-Δ。如上所述，便可以得到只对输入电压的截距进行修正的电路，且它不会影响曲线的斜率。这样通过减法电路后，可得到环形振荡器所要求的电压曲线。

如图6所示，汲取电流式环形振荡器4包括三个反相器来产生振荡频率。具体的，汲取电流式环形振荡器4包括PMOS晶体管M11、PMOS晶体管M13、PMOS晶体管M14、PMOS晶体管M17、PMOS晶体管M18、PMOS晶体管M111、PMOS晶体管M112、NMOS晶体管M12、NMOS晶体管M15、NMOS晶体管M16、NMOS晶体管M19、NMOS晶体管M110、NMOS晶体管M113、NMOS晶体管M114。

M11的栅极和漏极相连，源极接电压Vdd，漏极和M12的漏极相连；M12栅极接减法电路3的输出V_sub，源极接地，漏极与M11的漏极相连；M13～M16作为振荡环路的一路，M13源极接电压Vdd，栅极和M11的栅极相连，漏极与M14的源极相连；M14栅极与M15栅极相连，漏极与M15漏极相连，源极接M13的漏极，M14和M15构成一级反相器；M15源极和M16漏极相连；M16栅极接减法电路3的输出V_sub，源极接地；

其他两路的连接方式与M13～M16的连接相似。M17、M111的连接方式与M13相似，M17、M111的栅极都与M11的栅极相连，漏极分别与M18和M112的源极相连，源极都接Vdd；M18和M19、M112和M113的连接方式与M14和M15相似，M18和M19栅极相连，漏极相连，M112和M113也是栅极相连，漏极相连，振荡环路M14和M15的栅极与M112和M113漏极相连，M18和M19的栅极与M14和M15的漏极相连，M112和M113的栅极与M18和M19的漏极相连；M110、M114的连接方式与M16的相似，M110、M114的栅极都接减法电路3的输出V_sub，源极都接地，漏极分别与M19和M113的漏极相连。

通过电路图6，最后由振荡环路输出的电压记为V_osci。

汲取电流式环形振荡器4包括3个反相器组成的振荡环路，其振荡频率由M12的输入电压即减法电路3的输出V_sub来控制。M11和M12的漏极电流镜像到各个反相器支路，M13与M16、M17与M110、M111与M114都是作为电流源来工作，为该级反相器提供电流。M14与M15、M18与M19、M112与M113构成了由3个反相器构成的振荡环路。

振荡频率受温度变化以及工艺的不确定因素的影响很大，例如当温度变化50％时，频率可变化50％以上，而随着工艺参数从标准情况向最坏情况改变时，输出频率的变化可达到100％以上。为了得到受温度不敏感的频率输出特性，如上所述，为其设计了温度传感器1，自适应模块2以及减法电路3三大模块用来满足补偿温度带来的影响。

本发明电路设计大大减小了环形振荡器的温度敏感性，且简单而实用。

本电路的工作过程如下：电路的输入部分是一个直流稳压（可以是带隙基准），经温度传感器得到一条电压随温度变化的线性曲线（有一定的斜率和截距），再通过自适应模块得到满足斜率要求的电压温度曲线，继而由对称的减法电路得到满足截距要求的电压温度曲线。将满足一定的斜率和截距要求的电压随温度变化的曲线所给出的电压加载于汲取电流式环形振荡器模块4，最后可使得振荡环路的振荡频率对温度不敏感。

Claims (3)

1.一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，电路包括温度传感器（1）、自适应模块（2）、减法电路（3）、汲取电流式环形振荡器（4）；

温度传感器（1）包括NMOS晶体管Ma和PMOS晶体管Mb，Mb的漏极和Ma的漏极相连，Mb的源极接电压Vdd，Mb的栅极连接直流稳定电压V_BG，Ma的栅极和漏极相连，Ma源极接地，Ma/Mb的漏极输出电压V_temp；

自适应模块（2）包括NMOS晶体管Mc和PMOS晶体管Md，Md的漏极和Mc的漏极相连，Md的栅极与漏极相连，Md的源极接电压Vdd；Mc的源极接地，栅极连接温度传感器（1）中Ma/Mb的漏极；温度传感器（1）的输出电压V_temp通过Mc的栅极输入，由Mc/Md的漏极输出，电压记为V_out；

减法电路（3）具体包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M5、NMOS晶体管M6、PMOS晶体管M7、PMOS晶体管M8、PMOS晶体管M9、PMOS晶体管M10；

M1和M2的栅极相连，源极接地，其中M1栅极和漏极相连，M1和M2构成镜像电流源；M3和M4以及M5和M6的源极分别接M1和M2的漏极，M3和M4的栅极分别接直流稳压输入V_BG1、V_BG2，M5的栅极和漏极相连，M6栅极与自适应模块2的输出V_out相连，M3、M4、M5、M6的漏极分别和M7、M8、M9、M10的漏极相连；M7、M8、M10的栅极和漏极都相连，M8的栅极和M9的栅极相连，M7～M10的源极都接电压Vdd；减法电路（3）由M5的漏极输出V_sub；

汲取电流式环形振荡器（4）包括PMOS晶体管M11、PMOS晶体管M13、PMOS晶体管M14、PMOS晶体管M17、PMOS晶体管M18、PMOS晶体管M111、PMOS晶体管M112、NMOS晶体管M12、NMOS晶体管M15、NMOS晶体管M16、NMOS晶体管M19、NMOS晶体管M110、NMOS晶体管M113、NMOS晶体管M114；

M11的栅极和漏极相连，源极接电压Vdd，漏极和M12的漏极相连；M12栅极接减法电路（3）的输出V_sub，源极接地，漏极与M11的漏极相连；M13～M16作为振荡环路的一路，M13源极接电压Vdd，栅极和M11的栅极相连，漏极与M14的源极相连；M14栅极与M15栅极相连，漏极与M15漏极相连，源极接M13的漏极，M14和M15构成一级反相器；M15源极和M16漏极相连；M16栅极接减法电路（3）的输出V_sub，源极接地；

其他两路的连接方式与M13～M16的连接相似；M17、M111的连接方式与M13相似，M17、M111的栅极都与M11的栅极相连，漏极分别与M18和M112的源极相连，源极都接Vdd；M18和M19、M112和M113的连接方式与M14和M15相似，M18和M19栅极相连，漏极相连，M112和M113也是栅极相连，漏极相连，振荡环路M14和M15的栅极与M112和M113漏极相连，输出电压V_osci，M18和M19的栅极与M14和M15的漏极相连，M112和M113的栅极与M18和M19的漏极相连；M110、M114的连接方式与M16的相似，M110、M114的栅极都接减法电路（3）的输出V_sub，源极都接地，漏极分别与M19和M113的漏极相连。

2.根据权利要求1所述的一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，减法电路（3）中包括两个对称的结构，每一个结构内部对称的MOS器件宽长比都相等。

3.根据权利要求1所述的一种对温度不敏感的环形振荡器的电路的设计，直流稳定电压V_BG通过温度传感器（1），输出电压V_temp与温度为线性变化，得到输出电压V_temp与温度的线性变化曲线，自适应模块（2）对线性变化曲线的曲线斜率进行调节，达到环形振荡环路所需要的斜率要求，减法电路（3）对线性变化曲线的截距进行调节，达到环形振荡环路所需要的截距要求。

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