CN103310904B - Ito电极的制备方法及采用该方法所制备的ito电极 - Google Patents
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Abstract
一种ITO电极的制备方法，首先在基材上形成ITO导电层，并将ITO导电层蚀刻成预定的图案，然后在ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，并烘烤。最后在基材与ITO导电层相对的表面上形成光学胶层。由于光学胶具有柔软性，光学胶层可贴合在基材表面，从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极表面形变可视性的目的。因此，采用上述方法制备的ITO电极可有效减轻表面形变可视性。此外，本发明还提供一种ITO电极。
Description
【技术领域】
本发明涉及电子材料技术，特别是涉及一种ITO电极的制备方法及采用该方法所制备的ITO电极。
【背景技术】
掺锡氧化铟(即IndiumTinOxide，简称ITO)，是一种n型半导体材料，由于具有高导电率、高可见光透过率、高机械硬度和化学稳定性，因此，它是一种常用的透明导电材料，运用于各类产品透明电极。在实际的运用中，ITO先是采用物理真空方法蒸镀于一定的基材，制备成ITO导电层，然后根据需要，将薄膜蚀刻成预定的图案作为透明电极。
PET基材的ITO导电层作为电极的运用中，是被蚀刻成预定的图案。由于ITO的膨胀系数与基材的膨胀系数差异巨大，导致ITO导电层蚀刻区域与ITO导电层非蚀刻区域的应力差异显著，在经过一次完整的银浆烘烤热历程(升温---恒温---降温)后，在ITO非蚀刻区域产生明显的应力差弯曲形变，类似具有温度记忆功能双金属贴片之形变。在贴合成电容式触摸屏后，应力差弯曲形变仍然存留在ITO膜表面不会消失。在一般光线及视角下就可以发现此ITO的形变，这种现象不能被高品质的显示触摸产品所接受。
【发明内容】
鉴于上述状况，有必要提供一种可有效减轻ITO电极表面形变可视性的ITO电极的制备方法。
一种ITO电极的制备方法，包括以下步骤：
在基材上形成一层ITO导电层，并对所述ITO导电层进行蚀刻，以形成预定的图案；
在所述ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，并烘干；
在所述基材与所述ITO导电层相对的表面上形成光学胶层，得到ITO电极。
进一步地，在ITO导电层形成所述光学胶层之后，还包括：
在所述光学胶层与所述基材相对的一侧形成透明薄膜。
进一步地，还包括：
对所述透明薄膜的非光学胶接触面进行硬化、防眩或/和增透处理。
进一步地，所述光学胶层的材质为亚历克系光学胶。
进一步地，所述光学胶层的厚度为25微米到200微米。
此外，本发明还提供一种ITO电极。
一种ITO电极，包括：
基材，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
ITO导电层，附着于所述第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案；及
光学胶层，贴合于所述基材与所述ITO导电层相对的表面上。
进一步地，还包括透明薄膜，所述透明薄膜设于所述光学胶层与所述基材相对的表面上。
进一步地，所述透明薄膜与所述光学胶层相对的一侧具有硬化层、防眩条纹或/和增透膜。
进一步地，所述光学胶层的材质为亚历克系光学胶。
进一步地，所述光学胶层的厚度为25微米到200微米。
上述ITO电极的制备方法，首先在基材上形成ITO导电层，并将ITO导电层蚀刻成预定的图案，然后在ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，并烘烤。最后在基材与ITO导电层相对的表面上形成光学胶层。由于光学胶具有柔软性，光学胶层可贴合在基材表面，从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极表面形变可视性的目的。因此，采用上述方法制备的ITO电极可有效减轻表面形变可视性。
【附图说明】
图1为一实施例中的ITO电极的制备方法的流程图；
图2为一实施例中的ITO电极的结构示意图。
【具体实施方式】
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，在一个实施例中的ITO电极的制备方法包括步骤S110～S130。
步骤S110，在基材上形成一层ITO导电层，并对ITO导电层进行蚀刻，得到预定的图案。
其中，基材可为玻璃或对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。在本实施例中，采用蒸镀的方式形成ITO导电层，蒸镀形成ITO导电层的纯度高、易于检测和控制厚度，且无需进行加热烘干。要将ITO导电层做成电极需先将ITO导电层蚀刻成预定的图案。本实施例中，采取激光干刻的方式得到预定的图案。在其他实施例中，还可以通过其他方式如化学蚀刻得到预定的图案。
步骤S120，在ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，并烘干。
具体地，当对ITO导电层进行蚀刻，得到特定的电极图案后，需要用电路将各个电极引出。此时，在经过蚀刻的ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，然后烘干，可起到引出电极的作用。
步骤S130，在基材与ITO导电层相对的表面上形成光学胶层，得到ITO电极。
在本实施例中，光学胶层的材质为亚历克系光学胶。需要指出的是，光学胶层的材质还可以为硅胶系或者其他复合系列光学透明胶体。此外，光学胶层的厚度为25微米到200微米。由于光学胶具有柔软性，可贴合在基材表面，从而光学胶层可填补ITO导电层蚀刻区与非蚀刻区的应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极表面形变可视性的目的。
在其他实施例中，ITO电极的制备方法还包括在光学胶层与基材相对的一侧形成透明薄膜。
在本实施例中，透明薄膜的厚度为25微米～200微米。透明薄膜的材质可为PET、PC或者其他塑料及树脂类光学透明薄膜。透明薄膜可将光学胶层固定在基材上，且能够为ITO导电层提供保护，防止刮花。此外，还可对透明薄膜的非光学胶接触面进行硬化、防眩或/和增透处理，以增加其机械强度和透光效果。
此外，本发明还提供一种采用上述方法制备的ITO电极。
请参阅图2，本发明较佳实施例的ITO电极100包括基材110、ITO导电层120、光学胶层130及透明薄膜140。
基材110包括第一表面及第二表面。第一表面与第二表面相对设置。基材110的材质可为玻璃或对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
ITO导电层120附着于基材110的第一表面和第二表面的任一个上。ITO导电层120被蚀刻形成预定的图案，便于作电极使用。
光学胶层130贴合于基材110与ITO导电层120相对的表面上。在本实施例中，光学胶层130的材质为亚历克系光学胶。需要指出的是，光学胶层130的材质还可以为硅胶系或者其他复合系列光学透明胶体。此外，光学胶层130的厚度为25微米到200微米。
透明薄膜140设于光学胶层130与基材110相对的表面上。透明薄膜140与光学胶层130紧密粘接。透明薄膜140可将光学胶层130固定在基材110上，并能够为ITO导电层120提供保护，防止刮花。在本实施例中，透明薄膜140的厚度为25微米～200微米。透明薄膜140的材质可为PET、PC或者其他塑料及树脂类光学透明薄膜。此外，透明薄膜140与所述光学胶层130相对的一侧还设有硬化层(图未示)、防眩条纹(图未示)或/和增透膜(图未示)，增加了其机械强度和透光效果。需要指出的是，在其他实施例中，透明薄膜140可以省略，不影响ITO电极100的功能。
上述ITO电极的制备方法，首先在基材110上形成ITO导电层120，并将ITO导电层120蚀刻成预定的图案，然后在ITO导电层120的蚀刻区域上上印刷导电银浆，并烘烤。最后在基材110与ITO导电层相对的表面上形成光学胶层130。由于光学胶具有柔软性，光学胶层130可贴合在基材表面，从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材110相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极100表面形变可视性的目的。因此，采用上述方法制备的ITO电极100可有效减轻表面形变可视性。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种ITO电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基材上采用蒸镀的方式形成一层ITO导电层，并对所述ITO导电层进行蚀刻，以形成预定的图案；
在所述ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，并烘干；
在所述基材与所述ITO导电层相对的表面上形成光学胶层，得到ITO电极。
2.如权利要求1所述的ITO电极的制备方法，其特征在于，在ITO导电层形成所述光学胶层之后，还包括：
在所述光学胶层与所述基材相对的一侧形成透明薄膜。
3.如权利要求2所述的ITO电极的制备方法，其特征在于，还包括：
对所述透明薄膜的非光学胶接触面进行硬化、防眩或/和增透处理。
4.如权利要求1所述的ITO电极的制备方法，其特征在于，所述光学胶层的材质为亚历克系光学胶。
5.如权利要求1所述的ITO电极的制备方法，其特征在于，所述光学胶层的厚度为25微米到200微米。
6.一种ITO电极，其特征在于，包括：
基材，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
ITO导电层，附着于所述第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案；及
光学胶层，贴合于所述基材与所述ITO导电层相对的表面上。
7.如权利要求6所述的ITO电极，其特征在于，还包括透明薄膜，所述透明薄膜设于所述光学胶层与所述基材相对的表面上。
8.如权利要求7所述的ITO电极，其特征在于，所述透明薄膜与所述光学胶层相对的一侧具有硬化层、防眩条纹或/和增透膜。
9.如权利要求6所述的ITO电极，其特征在于，所述光学胶层的材质为亚历克系光学胶。
10.如权利要求6所述的ITO电极，其特征在于，所述光学胶层的厚度为25微米到200微米。
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