CN103308841B - 一种标定四主栅标片的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种标定四主栅标片的方法，包括以下步骤：1）、通过QE测试得到电池片的四主栅标片的绝对光谱响应，将绝对光谱响应与AM1.5光谱进行积分，得到电池片的短路电流Isc；2）、利用三主栅母片对三主栅标片检测机台进行校准；3）、改动探针，使三主栅标片检测机台变为四主栅标片检测机台；4）、利用四主栅标片检测机台对四主栅标片进行测试，通过改动光强的大小，使得测试得到的电流与步骤1）得到的短路电流Isc相同，此时测试得到的四主栅标片的ETA、Uoc和FF即为四主栅标片的标定值。本发明的标定四主栅标片的方法，利用现有的设备和方法就可以实现，简单方便，时间短，能够对四主栅标片进行标定，并且效率精度与Fraunhofer基本相同。

Description

一种标定四主栅标片的方法
技术领域
本发明属于太阳能电池生产中HALM测试领域，涉及一种标定四主栅标片的方法。
背景技术
当前太阳能光伏行业所使用标准片均为Fraunhofer提供，其效率精度为±0.5%，但目前Fraunhofer仅提供两主栅/三主栅标片，对于四主栅标片其无法提供。
因此，需要一种标定四主栅标片的方法以解决上述问题。
发明内容
发明目的：本发明的目的是针对现有技术中对于四主栅标片无法标定的缺陷，提供一种精度较高的标定四主栅标片的方法。
技术方案：为实现上述发明目的，本发明的标定四主栅标片的方法可采用如下技术方案：
一种标定四主栅标片的方法，包括以下步骤：
1）、通过QE测试得到电池片的四主栅标片的绝对光谱响应，将所述绝对光谱响应与AM1.5光谱进行积分，得到所述电池片的短路电流Isc；
2）、利用三主栅母片对三主栅标片检测机台进行校准，所述三主栅标片检测机台包括探针，通过调节温度补偿和室温，使得三主栅母片的温度Tcell为25±1℃，测试的电压与标定电压的差值为-1~1mV；
3）、改动所述探针，使所述三主栅标片检测机台变为四主栅测试条件，得到四主栅标片检测机台；
4）、利用步骤3）得到的所述四主栅标片检测机台对所述四主栅标片进行检测，通过改动光强的大小，使得利用所述四主栅标片检测机台测得的电流与步骤1）得到的所述短路电流Isc相同，此时测试得到的四主栅标片的ETA、Uoc和FF即为所述四主栅标片的标定值。
更进一步的，步骤1）中所述QE测试中测量的光斑等于或大于电池片的面积。
更进一步的，步骤4）中利用步骤3）得到的所述四主栅标片检测机台对所述四主栅标片进行检测之前，对所述四主栅标片检测机台做GRR稳定性测试。
有益效果：本发明的标定四主栅标片的方法，利用现有的设备和方法就可以实现，简单方便，时间短，能够对四主栅标片进行标定，并且效率精度与Fraunhofer基本相同。
附图说明
图1为本发明的标定四主栅标片的方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
请参阅图1所示，本发明的标定四主栅标片的方法，包括以下步骤：
1）、通过QE测试得到电池片的四主栅标片的绝对光谱响应，将绝对光谱响应与AM1.5光谱进行积分，得到电池片的短路电流Isc；QE测试中测量的光斑等于或大于电池片的面积。其中，QE测试即为量子效率QE（Quantum Efficiency）测试，或称太阳能电池光谱响应测试，或光电转化效率IPCE (Monochromatic Incident Photon-to-Electron Conversion Efficiency) 测试等，广义来说，就是测量光电材料的光电特性在不相同波长光照条件下的数值，所谓光电特性包括：光生电流、光导等。
2）、利用三主栅母片对三主栅标片检测机台进行校准，三主栅标片检测机台包括探针，通过调节温度补偿和室温，使得三主栅母片的温度Tcell为25±1℃，测试的电压与标定电压的差值为-1~1mV；
3）、改动探针，使三主栅标片检测机台变为四主栅测试条件，得到四主栅标片检测机台；
4）、利用步骤3）得到的四主栅标片检测机台对四主栅标片进行检测，通过改动光强的大小，使得利用四主栅标片检测机台测得的电流与步骤1）得到的短路电流Isc相同，此时测试得到的四主栅标片的ETA、Uoc和FF即为四主栅标片的标定值。其中，利用四主栅标片检测机台对四主栅标片进行检测之前，需要对四主栅标片检测机台做GRR稳定性测试。
本发明的标定四主栅标片的方法，利用现有的设备和方法就可以实现，简单方便，时间短，能够对四主栅标片进行标定，并且效率精度与Fraunhofer基本相同。

Claims (3)

1.一种标定四主栅标片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)、通过QE测试得到电池片的四主栅标片的绝对光谱响应，将所述绝对光谱响应与AM1.5光谱进行积分，得到所述电池片的短路电流Isc；
2)、利用三主栅母片对三主栅标片检测机台进行校准，所述三主栅标片检测机台包括探针，通过调节温度补偿和室温，使得三主栅母片的温度Tcell为25±1℃，测试的电压与标定电压的差值为-1mV～1mV；
3)、改动所述探针，使所述三主栅标片检测机台变为四主栅测试条件，得到四主栅标片检测机台；
4)、利用步骤3)得到的所述四主栅标片检测机台对所述四主栅标片进行检测，通过改动光强的大小，使得利用所述四主栅标片检测机台测得的电流与步骤1)得到的所述短路电流Isc相同，此时测量得到的四主栅标片的ETA、Uoc和FF即为所述四主栅标片的标定值。
2.如权利要求1所述的标定四主栅标片的方法，其特征在于，步骤1)中所述QE测试中测量的光斑等于或大于电池片的面积。
3.如权利要求1所述的标定四主栅标片的方法，其特征在于，步骤4)中利用步骤3)得到的所述四主栅标片检测机台对所述四主栅标片进行检测之前，对所述四主栅标片检测机台做GRR稳定性测试。
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