CN103308277A - 激光二极管的测试装置、测试方法及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种激光二极管的测试装置，其包括一个卡盘、一个电流源、一个悬架及一个光功率计。该卡盘用于承载一个激光二极管晶粒。该电流源用于向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流的，该电流具有多个电流值，该电流源包括一个用于测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值的电压计。该悬架设置在该卡盘上的，该悬架包括有一个第一悬臂。该光功率计包括一个设置在该第一悬臂上且与该激光二极管晶粒正对的光侦测器及一个与该光侦测器连接且用于测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值的功率计。本发明还提供一种激光二级管的测试方法及制造方法。采用该测试装置、测试方法及制造方法可以降低激光二极管的成本。
Description
技术领域
本发明涉及激光二极管，特别设计一种激光二极管的测试装置、测试方法及制造方法。
背景技术
激光二极管(laser diode, LD)由激光二极管晶粒(LD die)封装而成，其质量是否合格主要取决于激光二极管晶粒，封装对激光二极管的质量影响较小。然而，目前激光二极管往往需在封装完后利用光纤等装置辅助才能测量光电特性以判断质量是否合格，常常在激光二极管晶粒不合格的情况下还进行封装，造成浪费，提高激光二极管的成本。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可降低成本的测试装置。
一种测试装置，其包括：
一个用于承载一个激光二极管晶粒的卡盘；
一个用于向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流的电流源，该电流具有多个电流值，该电流源包括一个用于测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值的电压计；
一个设置在该卡盘上的悬架，该悬架包括有一个第一悬臂；及
一个光功率计，其包括：
一个设置在该第一悬臂上且与该激光二极管晶粒正对的光侦测器；及
一个与该光侦测器连接且用于测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值的功率计。
一种测试方法，其包括：
承载一个激光二极管晶粒；
向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流，该电流具有多个电流值并测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值；
根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性；
根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格。
一种激光二极管制造方法，其包括：
提供一个测试装置，其包括：
一个卡盘；
一个用于提供一个步进增长的电流的电流源，该电流包括多个电流值，该电流源包括一个电压计；
一设置在该卡盘上的悬架，该悬架包括有一个第一悬臂；及
一个光功率计，其包括：
一个设置在该第一悬臂上且与该卡盘正对的光侦测器；及
一个与该光侦测器连接的功率计；
将一个激光二极管晶粒正对该光侦测器承载于该卡盘上；
利用该电流源向该激光二极管晶粒提供该电流并利用该电流源测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及利用该光功率计测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值；
根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性；
根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格；及
若该激光二极管晶粒合格，则封装该激光二极管晶粒成一个激光二极管，否则，不封装该激光二极管晶粒。
采用该测试装置、测试方法及制造方法可以在激光二极管制造过程中直接对激光二极管晶粒进行测试，并仅封装测试合格的激光二极管晶粒，避免封装不合格的激光二极管晶粒，造成浪费，从而降低激光二极管的成本。
附图说明
图1为本发明较佳实施方式的激光二极管制造方法的流程图。
图2为本发明较佳实施方式的测试装置的示意图。
主要元件符号说明
| 步骤 | 100, 200, 300, 400, 500, 600, 23a, 23b |
| 测试装置 | 10 |
| 卡盘 | 12 |
| 电流源 | 14 |
| 电压计 | 142 |
| 探针 | 144 |
| 悬架 | 16 |
| 第一悬臂 | 162 |
| 转盘 | 164 |
| 第二悬臂 | 166 |
| 相机模组 | 168 |
| 光功率计 | 18 |
| 光侦测器 | 182 |
| 功率计 | 184 |
| 激光二极管晶粒 | 20 |
| 处理器 | 10a |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1-2，本发明较佳实施方式的激光二极管制造方法包括以下步骤：
100：提供一个测试装置10，该测试装置10包括一个卡盘12、一个电流源14、一个悬架16及一个光功率计18。该电流源14用于提供一个步进增长的电流。该电流包括多个电流值。该电流源14包括一个电压计142。该悬架16设置在该卡盘12上。该悬架16包括有一个第一悬臂162。该光功率计18包括一个光侦测器182及一个功率计184。该光侦测器182设置在该第一悬臂162上且与该卡盘12正对。该功率计184与该光侦测器182连接。
200：将一个激光二极管晶粒20正对该光侦测器182承载于该卡盘12上；
300：利用该电流源14向该激光二极管晶粒20提供该电流并利用该电流源14测量加载在该激光二极管晶粒20上对应每个电流值的电压值及利用该光功率计18测量该激光二极管晶粒20发出的对应每个电流值的光功率值；
400：根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒20的光电特性；
500：根据该光电特性判断该激光二极管晶粒20是否合格；
600：若该光电特性合格，则封装该激光二极管晶粒20成一个激光二极管(图未示)。否则，不封装该激光二极管晶粒20，提供一个新的激光二极管晶粒20并返回步骤200对该新的激光二极管晶粒20进行测试。
采用该测试装置10及该激光二极管制造方法可以在激光二极管制造过程中直接对激光二极管晶粒进行测试，并仅封装测试合格的激光二极管晶粒，避免封装不合格的激光二极管晶粒，造成浪费，从而降低激光二极管的成本。
具体的，该电流源14通过两个探针144与该激光二极管晶粒20的正极及负极连接，并提供该电流。该多个电流值可以是1mA, 2mA, 3mA…20mA。该电压计142内置于该电流源14内，通过测量该两个探针144之间的电压得到该多个电压值。
该悬架16可以包括一个转盘164，该第一悬臂162设置固定于该转盘164上，可以通过转动该转盘164调整该光侦测器182的位置至该光侦测器182与该激光二极管晶粒20正对。
优选地，该悬架16还可以包括一个第二悬臂166及一个相机模组168。该第二悬臂166固定于该转盘164上。该相机模组168设置在该第二悬臂166上，并可通过转动该转盘164调整该相机模组168的位置至该相机模组168与该激光二极管晶粒20正对。该激光二极管制造方法在该步骤200后还包括步骤：
23a：利用该相机模组168拍摄该激光二极管晶粒20的图像；及
23b：根据该图像分析该激光二极管晶粒20是否存在外观不良，若该激光二极管晶粒20是存在外观不良(即该激光二极管晶粒20不合格)，则不封装该激光二极管晶粒20。
优选地，该测试装置10还包括一个与该电流源14及该光功率计连接的处理器10a。该处理器10a用于控制该电流源14提供该电流，读取该电流源14测量到的该多个电压值及该光功率计18测量到的该多个光功率值，并根据该多个根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒20的光电特性(例如光电特性曲线)。当然，在其他实施方式中，也可以通过人工方式实现该处理器10a的功能。
总之，本技术领域的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围之内，对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种测试装置，其包括：
一个用于承载一个激光二极管晶粒的卡盘；
一个用于向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流的电流源，该电流具有多个电流值，该电流源包括一个用于测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值的电压计；
一个设置在该卡盘上的悬架，该悬架包括有一个第一悬臂；及
一个光功率计，其包括：
一个设置在该第一悬臂上且与该激光二极管晶粒正对的光侦测器；及
一个与该光侦测器连接且用于测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值的功率计。
2.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于，该悬架包括一个转盘，该第一悬臂设置固定于该转盘上，该转盘用于通过转动调整该光侦测器的位置至该光侦测器与该激光二极管晶粒正对。
3.如权利要求2所述的测试装置，其特征在于，该悬架还包括一个第二悬臂及一个相机模组；该第二悬臂固定于该转盘上；该相机模组设置在该第二悬臂上；该转盘还用于通过转动调整该相机模组的位置至该相机模组与该激光二极管晶粒正对，该相机模组用于拍摄该激光二极管晶粒的图像以根据该图像分析该激光二极管晶粒是否存在外观不良。
4.如权利要求1所述的测试装置，其特征在于，该测试装置还包括一个与该电流源及该光功率计连接的处理器；该处理器用于控制该电流源提供该电流，读取该电流源测量到的该多个电压值及该光功率计测量到的该多个光功率值，并根据该多个根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性。
5.一种测试方法，其包括：
承载一个激光二极管晶粒；
向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流，该电流具有多个电流值并测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及测该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值；
根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性；
根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格。
6.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，该测试方法还包括：
拍摄该激光二极管晶粒的图像；及
根据该图像分析该激光二极管晶粒是否存在外观不良，若该该激光二极管晶粒是存在外观不良，则不封装该激光二极管晶粒。
7.一种激光二极管制造方法，其包括：
提供一个测试装置，其包括：
一个卡盘；
一个用于提供一个步进增长的电流的电流源，该电流包括多个电流值，该电流源包括一个电压计；
一设置在该卡盘上的悬架，该悬架包括有一个第一悬臂；及
一个光功率计，其包括：
一个设置在该第一悬臂上且与该卡盘正对的光侦测器；及
一个与该光侦测器连接的功率计；
将一个激光二极管晶粒正对该光侦测器承载于该卡盘上；
利用该电流源向该激光二极管晶粒提供该电流并利用该电流源测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及利用该光功率计测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值；
根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性；
根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格；及
若该激光二极管晶粒合格，则封装该激光二极管晶粒成一个激光二极管，否则，不封装该激光二极管晶粒。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该悬架包括一个转盘，该第一悬臂设置固定于该转盘上，该转盘用于通过转动调整该光侦测器的位置至该光侦测器与该激光二极管晶粒正对。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，该悬架还包括一个第二悬臂及一个相机模组；该第二悬臂固定于该转盘上；该相机模组设置在该第二悬臂上；该转盘还用于通过转动调整该相机模组的位置至该相机模组与该激光二极管晶粒正对；该制造方法还包括：
利用该相机模组拍摄该激光二极管晶粒的图像；及
根据该图像分析该激光二极管晶粒是否存在外观不良，若该激光二极管晶粒是存在外观不良，则不封装该激光二极管晶粒。
10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，该测试装置还包括一个与该电流源及该光功率计连接的处理器；该处理器用于控制该电流源提供该电流，读取该电流源测量到的该多个电压值及该光功率计测量到的该多个光功率值，并根据该多个根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性。
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| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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