CN103308217A - 一种高温压力传感器的封装结构 - Google Patents

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一种高温压力传感器的封装结构,属于封装结构设计技术领域。该封装结构包括上盖、下盖、金属引脚、外连接部件和压紧部件。将处理过的金属引脚穿入上盖通孔中,在上盖槽中放置芯片,安装时保证金属引脚与芯片焊盘对齐,在芯片和下盖之间放置小气密垫片保证气密性,安装时保证气孔对齐,利用上下盖凹凸结构对芯片等进行定位。将上盖(及金属引脚)、芯片、小气密垫片和下盖共同组成的三明治结构置于外连接件,上方用压紧部件紧固,高温导线从上方引出。本发明不需要进行引线键合以及高温胶连接,利用机械紧固方式保证气密性。

Description

一种高温压力传感器的封装结构
技术领域
本发明设计涉及MEMS传感器的封装结构,尤其涉及一种高温压力传感器的封装结构,属于封装结构设计技术领域。
背景技术
SiC是非常有希望应用于高温恶劣条件下的半导体材料,国外的一些研究成果证明SiC电子器件不需要冷却就能够直接工作在600℃环境中。但是,缺乏适合的封装限制了SiC器件的应用,如果没有耐用可靠的封装,SiC器件设计得再好,在高温下也不会起到应有的作用。
在高温条件下,SiC器件封装要在满足以下条件:一、封装系统导热性要好,不要出现系统中局部过热的问题;二、各部分的热膨胀系数要匹配;三、各部分抗热冲击性能要好;四、各部分间要化学稳定,不发生或尽可能少发生反应;五、封装密封,保护芯片敏感部分不与外界直接接触。其中主要考虑两个问题:一、封装材料与SiC器件的热膨胀系数不同带来的热应力问题,这个问题一方面会导致压力传感器信号受到干扰,另一方面严重的热应力可能会使封装失效;二、高温电子器件封装中的引线互联失效问题,普通MEMS封装中,一般采用引线键合形成引线连出信号,但在400℃以上高温条件下,键合点处很可能蠕变而失效,也可能会发生反应出现不想要的金属化合物而导致失效。
国外研究成果选用芯片直接粘合技术(DCA)。封装基体材料选择AlN,引线选择Pt线,粘接材料选择高温熔封玻璃。在这种形式的封装中,不再使用引线键合引出信号,而是将Pt丝固定直接与芯片上的金属层相接触,避免了引线键合中触点失效的问题。另外,传感器C型敏感膜的背面与高温介质接触,保护敏感压阻、欧姆接触等不直接承受高温介质的冲击,能有效提高传感器寿命。
但由于上述封装方案工艺难度较大,因此要实现上述封装结构遇到较大困难,主要难点如下:1)高温钎料选取,一般所采用的焊膏最高耐温280℃左右;2)封装采用的玻璃胶无法保证密封性,尺寸较小增加熔封玻璃注入难度;3)陶瓷AlN外壳难加工,且价格昂贵;4)插针固定,设计夹具;5)上盖筑坝,防止熔封玻璃破坏结构;6)气密性要求确保外壳尺寸精度;7)高温操作,工艺难度大
考虑到本封装结构主要用于实验人员测定高温压力传感器特性,因此在保证其测试要求的前提下对封装结构进行了简化的设计。
发明内容
本发明的目的是克服现有DCA封装技术工艺难度大、成本高等的不足,提供一种高温压力传感器的封装结构,在满足测试要求的前提下,简化封装结构,降低封装结构的加工难度和成本。
本发明的技术方案如下:
一种用于高温压力传感器的封装结构,该封装结构包括外连接部件、压紧部件、下盖、传感器芯片、金属引脚和上盖,其特征在于:所述的金属引脚下端设有凸台,该凸台与传感器芯片的焊盘对齐并紧密接触;所述的上盖的底端设有定位内凹槽,凹槽的形状与传感器芯片形状相符;上盖的中间通孔用于穿入金属引脚,并与传感器焊盘对齐;在所述的下盖的内侧面设有与凹槽形状对应的凸台;在下盖与传感器芯片之间设有一级气密垫片;
所述的上盖、金属引脚、传感器芯片、一级气密垫片和下盖共同构成一级封装结构,将一级封装结构置入外连接部件深槽中,使外连接部件气孔、二级气密垫片气孔和下盖气孔正对传感器芯片的可动薄膜结构;传感器芯片的信号线和电源线通过金属引脚导出,与高温导线连接后,穿过压紧部件导线孔;将压紧部件压入外连接部件深槽中,进行紧固连接,实现气密密封。
采用如权利要求1所述用于高温压力传感器的封装结构,其特征在于:所述的压紧部件与外连接部件进行紧固连接采用螺纹连接形式,或将压紧部件顶端和外连接部件顶端做成相配合的法兰盘,通过压紧螺栓连接。
本发明具有以下优点及突出性效果:①、本发明能够耐受高温高压等恶劣环境,并保证传感器的性能测试;②、本发明加工工艺简单,整体封装结构成本较低;③、本发明避免了高温胶的使用和引线键合工艺,从结构上保证了高温高压环境的性能要求。
附图说明
图1是封装结构剖视图。
图2是一级封装结构爆炸图。
图3是二级封装结构爆炸图。
图4(a)是上盖零件主视图。
图4(b)是上盖零件左剖视图。
图4(c)是上盖零件俯剖视图。
图5(a)是下盖零件主视图。
图5(b)是下盖零件左剖视图。
图6是外连接部件零件机构图。
图7是压紧部件零件机构图。
图中:1-高温导线;2-压紧部件;3-外连接部件;4-金属引脚;5-上盖;6-传感器芯片;7-一级气密垫片;8-下盖;9-二级气密垫片;10-外连接部件气孔;11-二级气密垫片气孔;12-下盖气孔;13-下盖定位外凸台;14-上盖定位内凹槽;15-金属引脚底端凸台;16-压紧部件导线孔;17-外连接部件深槽。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明的结构、原理和工作过程做进一步说明。
图1是本发明提供的一种高温压力传感器的封装结构示意图,该封装结构当中,上盖5、金属引脚4、传感器芯片6、一级气密垫片7和下盖8共同构成一级封装结构,外连接部件3、二级气密垫片9、一级封装结构和压紧部件2共同组成二级封装结构。
图2是本发明提供的一级封装结构示意图,在一级封装结构当中,金属引脚4下端设有凸台15,该凸台与传感器芯片的焊盘对齐并紧密接触;上盖5的底端设有定位内凹槽14,凹槽的形状与传感器芯片形状相符;上盖5的中间通孔用于穿入金属引脚4,并与传感器焊盘对齐;在所述的下盖的内侧面设有与凹槽形状对应的凸台13;在下盖8与传感器芯片6之间设有一级气密垫片7。
图3为本发明提供的二级封装结构示意图,如图所示,将一级封装结构置入外连接部件深槽17中,使外连接部件气孔10、二级气密垫片气孔11和下盖气孔12正对传感器芯片的可动薄膜结构;传感器芯片6的信号线和电源线通过金属引脚4导出,与高温导线1连接后,穿过压紧部件导线孔16;将压紧部件2压入外连接部件深槽17中,进行紧固连接,实现气密密封。
图5为本发明提供的下盖零件示意图,下盖8加工当中,采用激光加工形成外形和中心气孔12,采用超声加工形成中间凸台13,对芯片及垫片进行压紧,从而实现气密性。图4为本发明提供的上盖零件示意图,上盖5加工采用机加工方式,包括车外圆,下方加工凹槽14对芯片进行定位,通孔利用激光加工方式,同时保证金属引脚与芯片焊盘的对齐。金属引脚底端凸台15先在高温下形成熔融小球,并在砂纸磨平,形成与芯片焊盘接触的平面。
图6和图7分别为本发明提供的外连接部件和压紧部件的零件示意图,外连接部件3和压紧部件2加工包括钻孔及车内螺纹。压紧部件2与外连接部件3进行紧固连接可以采用螺纹连接形式,即通过压紧部件2的外螺纹与外连接部件3的内内螺纹进行螺纹连接压紧;或将压紧部件2顶端和外连接部件3顶端做成相配合的法兰盘,通过压紧螺栓连接。
在装配过程中,将处理过的金属引脚4插入上盖通孔处,再将传感器芯片6放入上盖定位内凹槽14,保证芯片焊盘与金属引脚4对齐。将一级气密垫片7放入上盖型槽14中,导气孔与芯片可动薄膜共轴,利用下盖凸台13压紧固定密封。金属引脚4另一端突出上盖,与高温导线1相连。将一级封装结构放入外连接部件深槽17中,其中利用二级气密垫片9实现气密密封。高温导线束1通过压紧部件2的通孔16引出。压紧部件旋入外连接部件的内螺纹当中,压紧一级封装结构,完成封装。此时封装可以通过外连接部件的外螺纹与测试设备连接,进行测试。
在材料选择方面,下盖选择与传感器材料热机械特性相似的材料,例如,如果传感器芯片为SiC,下盖材料可以选择AlN,是因为其材料性能与SiC材料匹配。它的热导率较高,热膨胀系数与SiC相当,具有很好的抗热冲击性能和热稳定性,机械强度也很好,是用来封装SiC器件非常理想的材料。而对于上盖,由于其与传感器本身并没有直接接触,因此可以选择加工性能更好的可加工陶瓷。引线材料可以选择Pt,一方面是因为Pt跟Au一样,化学稳定型好,且熔点更高,另一方面是传感器芯片上金属层材料选用了Pt作为最外层,所以用Pt线保持一致。

Claims (2)

1.一种用于高温压力传感器的封装结构,该封装结构包括外连接部件(3)、压紧部件(2)、下盖(8)、传感器芯片(6)、金属引脚(4)和上盖(5),其特征在于:所述的金属引脚下端设有凸台(15),该凸台与传感器芯片的焊盘对齐并紧密接触;所述的上盖(5)的底端设有定位内凹槽(14),凹槽的形状与传感器芯片形状相符;上盖(5)的中间通孔用于穿入金属引脚(4),并与传感器焊盘对齐;在所述的下盖的内侧面设有与凹槽形状对应的凸台(13);在下盖(8)与传感器芯片(6)之间设有一级气密垫片(7);
所述的上盖(5)、金属引脚(4)、传感器芯片(6)、一级气密垫片(7)和下盖(8)共同构成一级封装结构,将一级封装结构置入外连接部件深槽(17)中,使外连接部件气孔(10)、二级气密垫片气孔(11)和下盖气孔(12)正对传感器芯片的可动薄膜结构;传感器芯片(6)的信号线和电源线通过金属引脚(4)导出,与高温导线(1)连接后,穿过压紧部件导线孔(16);将压紧部件(2)压入外连接部件深槽(17)中,进行紧固连接,实现气密密封。
2.采用如权利要求1所述用于高温压力传感器的封装结构,其特征在于:所述的压紧部件(2)与外连接部件(3)进行紧固连接采用螺纹连接形式,或将压紧部件顶端和外连接部件顶端做成相配合的法兰盘,通过压紧螺栓连接。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107631835A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种应用于无引线封装mems绝压型芯片的压力测试装置
CN109239164A (zh) * 2018-08-01 2019-01-18 南京艾伊科技有限公司 一种用于电化学氧气传感器封装的制具及封装防护方法
CN109264663A (zh) * 2018-09-27 2019-01-25 中北大学 高温压力传感器后端封装结构及其封装方法
CN113049178A (zh) * 2021-03-29 2021-06-29 中国空气动力研究与发展中心设备设计与测试技术研究所 一种用于微型压力传感器的封装机构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3850133A (en) * 1972-11-29 1974-11-26 Modulus Corp Strain indicator and method
US7591186B1 (en) * 2008-05-15 2009-09-22 Honeywell International Inc. Conductive seals and method for fabricating the same
CN101571438A (zh) * 2008-09-08 2009-11-04 天津索思仪表测控系统技术有限公司 传感器隔爆装置
CN102023066A (zh) * 2010-05-31 2011-04-20 昆山双桥传感器测控技术有限公司 汽车通用压力传感器
CN102749167A (zh) * 2012-06-20 2012-10-24 北京大学 一种含有硅通孔的压力传感器封装结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3850133A (en) * 1972-11-29 1974-11-26 Modulus Corp Strain indicator and method
US7591186B1 (en) * 2008-05-15 2009-09-22 Honeywell International Inc. Conductive seals and method for fabricating the same
CN101571438A (zh) * 2008-09-08 2009-11-04 天津索思仪表测控系统技术有限公司 传感器隔爆装置
CN102023066A (zh) * 2010-05-31 2011-04-20 昆山双桥传感器测控技术有限公司 汽车通用压力传感器
CN102749167A (zh) * 2012-06-20 2012-10-24 北京大学 一种含有硅通孔的压力传感器封装结构

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107631835A (zh) * 2017-09-13 2018-01-26 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种应用于无引线封装mems绝压型芯片的压力测试装置
CN109239164A (zh) * 2018-08-01 2019-01-18 南京艾伊科技有限公司 一种用于电化学氧气传感器封装的制具及封装防护方法
CN109239164B (zh) * 2018-08-01 2021-07-27 南京艾伊科技有限公司 一种用于电化学氧气传感器封装的制具及封装防护方法
CN109264663A (zh) * 2018-09-27 2019-01-25 中北大学 高温压力传感器后端封装结构及其封装方法
CN109264663B (zh) * 2018-09-27 2020-04-24 中北大学 高温压力传感器后端封装结构及其封装方法
CN113049178A (zh) * 2021-03-29 2021-06-29 中国空气动力研究与发展中心设备设计与测试技术研究所 一种用于微型压力传感器的封装机构

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