CN103293395A - 一种紧缩场产生装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于天线测试的紧缩场装置，公开了一种紧缩场产生装置，该装置包括馈源、发散元件以及超材料面板，超材料面板包括核心层，核心层包括核心层片层，核心层片层包括圆形区域及分布在圆形区域周围的多个环形区域，圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值。根据本发明的紧缩场产生装置，由片状的超材料面板代替了传统的抛物状反射面，制造加工更加容易，成本更加低廉。

Description

一种紧缩场产生装置

技术领域

本发明涉及天线测试领域，尤其涉及一种基于超材料的紧缩场产生装置。

背景技术

紧缩场是一种在近距离内靠光滑的反射面，包括单反射面和双反射面，将馈源发出的球面波变为平面波的测试设备。它所产生的平面波环境，可以充分满足天线方向图的测试要求，从而达到在近距离内对天线进行测试的目的。紧缩场系统上可以分为紧缩场天线部分和微波暗室部分。在现有技术中，紧缩场天线部分是采用精密的反射面，将点源产生的球面波在近距离内变换为平面波的一套装置，通常按照设计要求，将天线部分的位置准确地安装于微波暗室中，并调节好水平度，通过对紧缩场天线反射面边缘的处理和微波暗室的配合，在空间测试区域创造出一个静区，在静区里可以模拟被测物在无反射的自由空间中的辐射特性。

与室外远场和室内近场比较，紧缩场主要具有以下特点：

1、安装在微波暗室的紧缩场具有较好的保密性；

2、安装在室内的紧缩场受气候环境影响小，改善了测试条件，进而提高了RCS(Radar Cross-Section，雷达散射截面)的测量效率；

3、可以将室外远场测试问题转换为暗室内近距离测试问题。

这些特点决定了紧缩场是研究电磁散射的重要测试设备，也是高性能雷达天线测试、卫星整星测试、飞机反射特性测试等系统性能测试的重要基础设施。同时，紧缩场技术在军事领域越来越发挥着不可替代的作用。无论是卫星、飞机，还是导弹、坦克、大炮等大型武器装备的隐身性能测试、调整等，都依赖于发挥紧缩场的技术作用。可以说，紧缩场的技术水平如何，不仅制约着军队武器装备的性能与质量，也关系到一个国家的国防安全问题。因此，当今各大军事强国都把紧缩场系统作为国防战略技术之一，重点加以研究和发展。

目前，国内外从事电磁产品研发和技术研究的公司及科研院所，一般都建立了自己的紧缩场系统，使用起来非常方便和快捷。紧缩场系统作为现代天线测试的先进设备，无疑具有越来越重要的技术进步意义和极其广泛的运用前景。

但现有设计仍存在一定的问题：采用的光滑反射面是抛物面状，且反射面必须很大，大约比测试静区大三倍，制造抛物面状反射面的机械平台十分复杂，要达到较好的反射面工艺也比较困难，表面处理依赖度高，造价昂贵，且馈源位置必须置于反射面的焦点上，否则没法达到球面波与平面波的转换，而反射面的焦点与光滑反射面的距离给制造工艺精度造成了很大困难。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术制造光滑反射面必须很大，且工艺困难、复杂，造价昂贵的缺陷，提供一种基于超材料的紧缩场产生装置，该装置采用超材料制造紧缩场的天线部分，将球面电磁波转换为平面电磁波，制造简单，价格便宜。

为了达到上述目的，本发明采用的如下技术方案：

一种紧缩场产生装置，所述装置包括馈源，所述装置还包括设置在所述馈源前方的具有电磁波发散功能的发散元件以及设置在发散元件前方的超材料面板，所述超材料面板包括核心层，所述核心层包括至少一个核心层片层，所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在所述第一基材上的多个人造微结构，所述核心层片层按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值。

进一步地，所述第一基材包括片状的第一前基板及第一后基板，所述多个第一人造微结构夹设在第一前基板与第一后基板之间。

进一步地，所述核心层包括多个厚度相同且折射率分布相同的核心层片层。

进一步地，所述圆心为核心层片层的中心，所述圆形区域以及多个环形区域的折射率变化范围相同，所述核心层片层的折射率n(r)分布满足如下公式：

$n_i\left(r\right)=n_{\min }+\frac{1}{d}(\sqrt{a_i^2+s^2}-\sqrt{r^2+s^2});$

$\sqrt{a_{i+1}^2+s^2}-\sqrt{a_i^2+s^2}=\mathrm{\λ};$

其中，i表示核心层片层分段数，i＝1表示核心层片层第一段、i＝2表示核心层片层第二段、......、i＝p表示核心层片层的第p段，所述核心层片层第一段最靠近核心层片层的中心；

n_i(r)表示核心层片层第i段上半径为r处的折射率值；

n_min表示核心片层的折射率的最小值；

λ表示电磁波波长；

r表示核心层片层上任意一点距离核心层片层中心的距离；

s为馈源等效点到超材料面板的垂直距离；

a_i表示核心层片层第i段距离核心层片层中心的最大值；

d表示所述核心层的厚度。

进一步地，所述超材料面板还包括对称分布在核心层两侧表面的阻抗匹配层，所述阻抗匹配层包括厚度相同的多个阻抗匹配层片层，所述阻抗匹配层片层包括片状的第二基材以及设置在第二基材上的多个第二人造微结构，所述阻抗匹配层片层的折射率分布满足如下公式：

$n_j\left(r\right)={n_{\min }}^{\frac{j}{m}}*n{\left(r\right)}^{\frac{m-j}{m}};$

λ＝(n_max-n_min)*(d+2*d1)；

其中，j表示阻抗匹配层片层的编号，靠近馈源的阻抗匹配层片层的编号为m，由馈源向核心层方向，编号依次减小，靠近核心层的阻抗匹配层片层的编号为1；

上述的n_max与n_min与核心层片层的折射率的最大值与最小值相同；

r表示阻抗匹配层片层上任意一点到其中心的距离；

λ表示电磁波波长；

d1为阻抗匹配层的厚度；

d为核心层的厚度。

进一步地，所述第二基材包括片状的第二前基板及第二后基板，所述多个第二人造微结构夹设在第二前基板与第二后基板之间。

进一步地，所述第一人造微结构及第二人造微结构均为由铜线或银线构成的金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法分别附着在第一基材及第二基材上。

进一步地，所述金属微结构呈平面雪花状，所述金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线及第二金属线，所述第一金属线与第二金属线的长度相同，所述第一金属线两端连接有相同长度的两个第一金属分支，所述第一金属线两端连接在两个第一金属分支的中点上，所述第二金属线两端连接有相同长度的两个第二金属分支，所述第二金属线两端连接在两个第二金属分支的中点上，所述第一金属分支与第二金属分支的长度相等。

进一步地，所述平面雪花状的金属微结构的每个第一金属分支及每个第二金属分支的两端还连接有完全相同的第三金属分支，相应的第三金属分支的中点分别与第一金属分支及第二金属分支的端点相连。

进一步地，所述平面雪花状的金属微结构的第一金属线与第二金属线均设置有两个弯折部，所述平面雪花状的金属微结构绕垂直于第一金属线与第二金属线交点的轴线向任意方向旋转90度的图形都与原图重合。

本发明相对于现有技术，具有以下有益效果：本发明一种紧缩场产生装置采用超材料面板将从馈源出射的球面电磁波调制为平面电磁波，制造超材料面板工艺简单，且加工材料为价格便宜的介质基板，成本降低；采用超薄的超材料面板使得馈源与超材料面板之间的距离减小，测试静区与超材料面板的面积比例是1∶1的关系，比采用光滑抛物状反射面大大的减少了面积，节约了成本；同时本发明在馈源前方设置一发散元件，使得馈源发出的电磁波大面积的照射在超材料面板，进一步降低了馈源与超材料面板之间的距离，节约了空间。

附图说明

图1是本发明的紧缩场产生装置的结构示意图；

图2是本发明的核心层片层其中一个超材料单元的透视示意图；

图3是本发明的核心层片层的结构示意图；

图4是本发明的阻抗匹配层片层的结构示意图；

图5是本发明的平面雪花状的金属微结构的示意图；

图6是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种衍生结构；

图7是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种变形结构。

图8是平面雪花状的金属微结构的拓扑形状的演变的第一阶段；

图9是平面雪花状的金属微结构的拓扑形状的演变的第二阶段。

具体实施方式

下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。

如图1至图3所示，根据本发明一种紧缩场产生装置包括馈源1、设置在所述馈源1前方的具有电磁波发散功能的发散元件200以及设置在发散元件200前方的超材料面板100，所述超材料面板100包括核心层10，所述核心层10包括至少一个核心层片层11，所述核心层片层包括片状的基材13以及设置在基材13上的多个人造微结构12，所述核心层片层11按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值。核心层片层11按照折射率划分为圆形区域与多个环形区域是为了更好的描述本发明，并不意味着本发明的核心层片层11具有此种实际结构。本发明中，馈源1设置在超材料面板100的中轴线上，即馈源1与核心层片层11的中心的连线与超材料面板100的中轴线重合。馈源1与超材料面板100均有支架支撑，图中并未出支架，其不是本发明的核心，采用传统的支撑方式即可。

在本发明中，所述发散元件200可以是凹透镜也可是发散超材料面板，所述发散超材料面板包括至少一个发散片层，所述发散片层的折射率以其中心为圆心呈圆形分布，且相同半径处的折射率相同，随着半径的增大折射率逐渐减小。超材料面板100与馈源1之间设置的具有电磁波发散功能的发散元件200，具有如下效果：即，在馈源接收电磁波的范围一定的情况下(即超材料面板100的接收电磁波辐射的范围一定的情况下)，相较于不加发散元件，馈源1与超材料面板100之间的距离减小，从而可以大大缩小紧缩场产生装置的体积。

本发明中，所述核心层片层11的折射率分布满足如下公式：

$n_i\left(r\right)=n_{\min }+\frac{1}{d}(\sqrt{a_i^2+s^2}-\sqrt{r^2+s^2})---\left(1\right);$

$\sqrt{a_{i+1}^2+s^2}-\sqrt{a_i^2+s^2}=\mathrm{\λ}---\left(2\right);$

其中，i表示核心层片层分段数，i＝1表示核心层片层第一段、i＝2表示核心层片层第二段、......、i＝p表示核心层片层的第p段，所述核心层片层第一段最靠近核心层片层的中心；

n_i(r)表示核心层片层第i段上半径为r处的折射率值；

n_min表示核心片层的折射率的最小值；

λ表示电磁波波长；

r表示核心层片层上任意一点距离核心层片层中心的距离；

s为馈源等效点到超材料面板的垂直距离；

a_i表示核心层片层第i段距离核心层片层中心的最大值；

d表示核心层的厚度。

由公式(1)和公式(2)所确定的超材料面板，能够使得馈源1发出的电磁波经超材料面板后能够以平面波的形式出射。

本发明中，如图3所示，所述第一基材13包括片状的第一前基板131及第一后基板132，所述多个第一人造微结构12夹设在第一前基板131与第一后基板132之间。优选地，所述核心层片层的厚度为0.818mm，其中，第一前基板及第一后基板的厚度均为0.4mm，多个第一人造微结构的厚度为0.018mm。

本发明中，所述超材料面板还包括设置在核心层10两侧表面的阻抗匹配层20，所述阻抗匹配层20包括厚度相同的多个阻抗匹配层片层21，所述阻抗匹配层片层21包括片状的第二基材23以及设置在第二基材23上的多个第二人造微结构(图中未标示)，所述阻抗匹配层片层21的折射率分布满足如下公式：

$n_j\left(r\right)={n_{\min }}^{\frac{j}{m}}*n{\left(r\right)}^{\frac{m-j}{m}}---\left(3\right);$

λ＝(n_max-n_min)*(d+2*d1)(4)；

其中，j表示阻抗匹配层片层的编号，靠近馈源的阻抗匹配层片层的编号为m，由馈源向核心层方向，编号依次减小，靠近核心层的阻抗匹配层片层的编号为1；

上述的n_max与n_min与核心层片层的折射率的最大值与最小值相同；

r表示阻抗匹配层片层上任意一点到其中心的距离；

λ表示电磁波波长；

d1为阻抗匹配层的厚度，即阻抗匹配层片层的厚度与层数的乘积。

d为核心层的厚度，即核心层片层的厚度与层数的乘积。

本发明中，所述第二基材23包括片状的第二前基板231及第二后基板232，所述多个第二人造微结构夹设在第二前基板231与第二后基板232之间，如图4所示。优选地，所述阻抗匹配层片层的厚度为0.818mm，其中，第二前基板及第二后基板的厚度均为0.4mm，多个第二人造微结构的厚度为0.018mm。

公式(4)用于确定核心层与阻抗匹配层的厚度，当核心层的厚度确定后，利用公式(4)即可得到匹配层的厚度，用此厚度除以每层的厚度即得到阻抗匹配层的层数j。

本发明中，所述超材料面板任一纵截面具有相同的形状与面积，即核心层与匹配层具有相同的形状与面积的纵截面，此处的纵截面是指超材料面板中与超材料面板的中轴线垂直的剖面。所述超材料面板的纵截面为方形、圆形或椭圆形，优选地，所述超材料平板透镜的纵截面为方形，这样得到的超材料面板容易加工。优选地，本发明的超材料面板的纵截面为边长为272mm的正方形。

在本发明的一个实施例中，核心层片层的层数为4层，核心层的厚度d为3.272mm；

阻抗匹配层片层分布在核心层两侧，每侧2层，阻抗匹配层的厚度d1为1.636mm；

本发明中，所述第一人造微结构、第二人造微结构均为由铜线或银线构成的金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法分别附着在第一基材、第二基材。优选地，所述第一人造微结构、第二人造微结构均为图5所示的平面雪花状的金属微结构通过拓扑形状演变得到的多个不同的拓扑形状的金属微结构。

本发明中，核心层片层可以通过如下方法得到，即在第一前基板与第一后基板的任意一个的表面上覆铜，再通过蚀刻的方法得到多个第一金属微结构(多个第一金属微结构的形状与排布事先通过计算机仿真获得)，最后将第一前基板与第一后基板分别压合在一起，即得到本发明的核心层片层，压合的方法可以是直接热压，也可以是利用热熔胶连接，当然也可是其它机械式的连接，例如螺栓连接。

同理，阻抗匹配层片层也可以利用相同的方法得到。然后分别将多个核心层片层压合一体，即形成了本发明的核心层；同样，将多个阻抗匹配层片层压合一体，即形成了本发明的阻抗匹配层；将核心层、阻抗匹配层压合一体即得到本发明的超材料面板。

本发明中，所述第一基材、第二基材由陶瓷材料、高分子材料、铁电材料、铁氧材料或铁磁材料等制得。高分子材料可选用的有F4B复合材料、FR-4复合材料等。优选地，本发明中，所述第一基材的第一前基板与第一后基板采用相同的FR-4复合材料；同样，本发明中，所述第二基材的第二前基板与第二后基板也采用相同的FR-4复合材料。

图5所示为平面雪花状的金属微结构的示意图，所述的雪花状的金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线J1及第二金属线J2，所述第一金属线J1与第二金属线J2的长度相同，所述第一金属线J1两端连接有相同长度的两个第一金属分支F1，所述第一金属线J1两端连接在两个第一金属分支F1的中点上，所述第二金属线J2两端连接有相同长度的两个第二金属分支F2，所述第二金属线J2两端连接在两个第二金属分支F2的中点上，所述第一金属分支F1与第二金属分支F2的长度相等。

图6是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种衍生结构。其在每个第一金属分支F1及每个第二金属分支F2的两端均连接有完全相同的第三金属分支F3，并且相应的第三金属分支F3的中点分别与第一金属分支F1及第二金属分支F2的端点相连。依此类推，本发明还可以衍生出其它形式的金属微结构。

图7是图5所示的平面雪花状的金属微结构的一种变形结构，此种结构的金属微结构，第一金属线J1与第二金属线J2不是直线，而是弯折线，第一金属线J1与第二金属线J2均设置有两个弯折部WZ，但是第一金属线J1与第二金属线J2仍然是垂直平分，通过设置弯折部的朝向与弯折部在第一金属线与第二金属线上的相对位置，使得图7所示的金属微结构绕垂直于第一金属线与第二金属线交点的轴线向任意方向旋转90度的图形都与原图重合。另外，还可以有其它变形，例如，第一金属线J1与第二金属线J2均设置多个弯折部WZ。

本发明中，所述核心层片层11可以划分为阵列排布的多个如图2所示的超材料单元D，每个超材料单元D包括前基板单元U、后基板单元V及设置在基板单元U、后基板单元V之间的第一人造微结构12，通常超材料单元D的长宽高均不大于五分之一波长，优选为十分之一波长，因此，根据天线的工作频率可以确定超材料单元D的尺寸。图2为透视的画法，以表示第一人造微结构的超材料单元D中的位置，如图2所示，所述第一人造微结构夹于基板单元U、后基板单元V之间，其所在表面用SR表示。

已知折射率

其中μ为相对磁导率，ε为相对介电常数，μ与ε合称为电磁参数。实验证明，电磁波通过折射率非均匀的介质材料时，会向折射率大的方向偏折。在相对磁导率一定的情况下(通常接近1)，折射率只与介电常数有关，在第一基材选定的情况下，利用只对电场响应的第一人造微结构可以实现超材料单元折射率的任意值(在一定范围内)，在该天线中心频率(12.5GHZ)下，利用仿真软件，如CST、MATLAB等，通过仿真获得某一特定形状的人造微结构(如图5所示的平面雪花状的金属微结构)的介电常数随着拓扑形状的变化折射率变化的情况，即可列出一一对应的数据，即可设计出我们需要的特定折射率分布的核心层片层11，同理可以得到阻抗匹配层片层的折射率分布，从而得到整个超材料面板的折射率分布。

本发明中，核心层片层的结构设计可通过计算机仿真(CST仿真)得到，具体如下：(1)确定第一金属微结构的附着基材(第一基材)。本明中，所述第一基材的第一前基板与第一后基板采用相同的FR-4复合材料制成，所述的FR-4复合材料制成具有一个预定的介电常数，例如介电常数为3.3的FR-4复合材料。

(2)确定超材料单元的尺寸。超材料单元的尺寸的尺寸由天线的中心频率得到，利用频率得到其波长，再取小于波长的五分之一的一个数值做为超材料单元D的长度CD与宽度KD。本发明中，所述超材料单元D为如图2所示的长CD与宽KD均为2.5mm、厚度HD为0.818mm的方形小板。

(3)确定金属微结构的材料及拓扑结构。本发明中，金属微结构的材料为铜，金属微结构的拓扑结构为图5所示的平面雪花状的金属微结构，其线宽W各处一致；此处的拓扑结构，是指拓扑形状演变的基本形状。

(4)确定金属微结构的拓扑形状参数。如图5所示，本发明中，平面雪花状的金属微结构的拓扑形状参数包括金属微结构的线宽W，第一金属线J1的长度a，第一金属分支F1的长度b。

(5)确定金属微结构的拓扑形状的演变限制条件。本发明中，金属微结构的拓扑形状的演变限制条件有，金属微结构之间的最小间距WL(即如图8所示，金属微结构与超材料单元的长边或宽边的距离为WL/2)，金属微结构的线宽W，超材料单元的尺寸；由于加工工艺限制，WL大于等于0.1mm，同样，线宽W也是要大于等于0.1mm。本发明中，WL取0.1mm，W取0.3mm，超材料单元的尺寸为长与宽为2.5mm，厚度为0.818mm，此时金属微结构的拓扑形状参数只有a和b两个变量。金属微结构的拓扑形状的通过如图8至图9所示的演变方式，对应于某一特定频率(例如12.5GHZ)，可以得到一个连续的折射率变化范围。

具体地，所述金属微结构的拓扑形状的演变包括两个阶段(拓扑形状演变的基本形状为图5所示的金属微结构)：

第一阶段：根据演变限制条件，在b值保持不变的情况下，将a值从最小值变化到最大值，此演变过程中的金属微结构均为“十”字形(a取最小值时除外)。本实施例中，a的最小值即为0.3mm(线宽W)，a的最大值为(CD-WL)，即2.5-0.1mm，则a的最大值为2.4mm。因此，在第一阶段中，金属微结构的拓扑形状的演变如图8所示，即从边长为W的正方形JX1，逐渐演变成最大的“十”字形拓扑形状JD1，在最大的“十”字形拓扑形状JD1中，第一金属线J1与第二金属线J2长度均为2.4mm，宽度W均为0.3mm。在第一阶段中，随着金属微结构的拓扑形状的演变，与其对应的超材料单元的折射率连续增大((对应天线一特定频率)，当频率为12.5GHZ时，超材料单元对应的折射率的最小值n_min为1.91。

第二阶段：根据演变限制条件，当a增加到最大值时，a保持不变；此时，将b从最小值连续增加到最大值，此演变过程中的金属微结构均为平面雪花状。本实施例中，b的最小值即为0.3mm(线宽W)，b的最大值为(CD-WL-2W)，即2.5-0.1-2*0.3mm，则b的最大值为1.8mm。因此，在第二阶段中，金属微结构的拓扑形状的演变如图9所示，即从最大的“十”字形拓扑形状JD1，逐渐演变成最大的平面雪花状的拓扑形状JD2，此处的最大的平面雪花状的拓扑形状JD2是指，第一金属分支J1与第二金属分支J2的长度b已经不能再伸长，否则第一金属分支与第二金属分支将发生相交，b的最大值为1.8mm。此时，第一金属线与第二金属线长度均为2.4mm，宽度均为0.3mm，第一金属分支及第二金属分支的长度均为1.8mm，宽度为0.3mm。在第二阶段中，随着金属微结构的拓扑形状的演变，与其对应的超材料单元的折射率连续增大(对应天线一特定频率)，当频率为12.5GHZ时，超材料单元对应的折射率的最大值n_max为5.6。

通过上述演变得到超材料单元的折射率变化范围满足设计需要。如果上述演变得到超材料单元的折射率变化范围不满足设计需要，例如最大值太小，则变动WL与W，重新仿真，直到得到我们需要的折射率变化范围。

根据公式(1)，将仿真得到的一系列的超材料单元按照其对应的折射率排布以后(实际上就是不同拓扑形状的多个第一人造微结构在第一基材上的排布)，即能得到本发明的核心层片层。

同理，可以得到本发明的阻抗匹配层片层。

上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未违背本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种紧缩场产生装置，所述装置包括馈源，其特征在于，所述装置还包括设置在所述馈源前方的具有电磁波发散功能的发散元件以及设置在发散元件前方的超材料面板，所述超材料面板包括核心层，所述核心层包括至少一个核心层片层，所述核心层片层包括片状的第一基材以及设置在所述第一基材上的多个人造微结构，所述核心层片层按照折射率分布可划分为位于中间位置的圆形区域以及分布在圆形区域周围且与所述圆形区域共圆心的多个环形区域，所述圆形区域及环形区域内相同半径处的折射率相同，且在圆形区域及环形区域各自的区域内随着半径的增大折射率逐渐减小，所述圆形区域的折射率的最小值小于与其相邻的环形区域的折射率的最大值，相邻两个环形区域，处于内侧的环形区域的折射率的最小值小于处于外侧的环形区域的折射率的最大值。

2.根据权利要求1所述的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述第一基材包括片状的第一前基板及第一后基板，所述多个第一人造微结构夹设在第一前基板与第一后基板之间。

3.根据权利要求1所示的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述核心层包括多个厚度相同且折射率分布相同的核心层片层。

4.根据权利要求1所示的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述圆心为核心层片层的中心，所述圆形区域以及多个环形区域的折射率变化范围相同，所述核心层片层的折射率n(r)分布满足如下公式：

$n_i\left(r\right)=n_{\min }+\frac{1}{d}(\sqrt{a_i^2+s^2}-\sqrt{r^2+s^2});$

$\sqrt{a_{i+1}^2+s^2}-\sqrt{a_i^2+s^2}=\mathrm{\λ};$

其中，i表示核心层片层分段数，i＝1表示核心层片层第一段、i＝2表示核心层片层第二段、......、i＝p表示核心层片层的第p段，所述核心层片层第一段最靠近核心层片层的中心；

n_i(r)表示核心层片层第i段上半径为r处的折射率值；

n_min表示核心片层的折射率的最小值；

λ表示电磁波波长；

r表示核心层片层上任意一点距离核心层片层中心的距离；

s为馈源等效点到超材料面板的垂直距离；

a_i表示核心层片层第i段距离核心层片层中心的最大值；

d表示所述核心层的厚度。

5.根据权利要求1所述的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述超材料面板还包括对称分布在核心层两侧表面的阻抗匹配层，所述阻抗匹配层包括厚度相同的多个阻抗匹配层片层，所述阻抗匹配层片层包括片状的第二基材以及设置在第二基材上的多个第二人造微结构，所述阻抗匹配层片层的折射率分布满足如下公式：

$n_j\left(r\right)={n_{\min }}^{\frac{j}{m}}*n{\left(r\right)}^{\frac{m-j}{m}};$

λ＝(n_max-n_min)*(d+2*d1)；

其中，j表示阻抗匹配层片层的编号，靠近馈源的阻抗匹配层片层的编号为m，由馈源向核心层方向，编号依次减小，靠近核心层的阻抗匹配层片层的编号为1；

上述的n_max与n_min与核心层片层的折射率的最大值与最小值相同；

r表示阻抗匹配层片层上任意一点到其中心的距离；

λ表示电磁波波长；

d1为阻抗匹配层的厚度；

d为核心层的厚度。

6.根据权利要求5所述的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述第二基材包括片状的第二前基板及第二后基板，所述多个第二人造微结构夹设在第二前基板与第二后基板之间。

7.根据权利要求6所述的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述第一人造微结构及第二人造微结构均为由铜线或银线构成的金属微结构，所述金属微结构通过蚀刻、电镀、钻刻、光刻、电子刻或离子刻的方法分别附着在第一基材及第二基材上。

8.根据权利要求7所述的紧缩场产生装置，其特征在于，所述金属微结构呈平面雪花状，所述金属微结构具有相互垂直平分的第一金属线及第二金属线，所述第一金属线与第二金属线的长度相同，所述第一金属线两端连接有相同长度的两个第一金属分支，所述第一金属线两端连接在两个第一金属分支的中点上，所述第二金属线两端连接有相同长度的两个第二金属分支，所述第二金属线两端连接在两个第二金属分支的中点上，所述第一金属分支与第二金属分支的长度相等。

9.根据权利要求8所述的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述平面雪花状的金属微结构的每个第一金属分支及每个第二金属分支的两端还连接有完全相同的第三金属分支，相应的第三金属分支的中点分别与第一金属分支及第二金属分支的端点相连。

10.根据权利要求9所述的一种紧缩场产生装置，其特征在于，所述平面雪花状的金属微结构的第一金属线与第二金属线均设置有两个弯折部，所述平面雪花状的金属微结构绕垂直于第一金属线与第二金属线交点的轴线向任意方向旋转90度的图形都与原图重合。

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