CN103280454A - 基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由作为栅极的衬底、位于衬底上的绝缘层，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源漏电极之间的半导体微纳单晶组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源电极和漏电极形成连接结构，在连接结构两端的源电极和漏电极分别与半导体微纳单晶材料的两端相连，形成良好接触，两电极间的半导体微纳单晶的长度为3~30μm。其采用导电纳米带作为微纳器件的电极，一方面克服了微纳单晶场效应晶体管在电极制备过程中所产生的污染、辐射损伤等缺点，减小了器件的漏电流，增加了器件工作的可靠性和稳定性，另一方面也有利于微纳器件在未来向小型化和集成化的方向发展。

Description

基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法

技术领域

本发明涉及一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法，是以掺杂半导体纳米带为电极的微纳单晶场效应晶体管的制备方法。

背景技术

近年来，半导体微纳单晶的电子器件得到了广泛的研究，因为当半导体的尺寸缩小到纳米级时，其物理和化学性质将发生显著变化，表现出高比表面积和量子限制效应所产生的独特性能，而大量应用于太阳能电池、纳米级电子器件、激光技术、光波导、生物和化学传感等领域。微纳单晶场效应晶体管作为微纳电子器件中的一个重要组成部分成为近些年来的研究热点之一。

微纳单晶场效应晶体管通常由半导体微纳单晶，源漏电极，栅极组成。从制备方法来看，如何制备出尺寸与微纳单晶相当的电极，并且在保证两者形成良好接触的前提下，而又不损害微纳单晶的晶体结构成为一个亟待解决的问题。

通常制备电极的方法主要有电子束曝光平板印刷法（Yu Huang; Charles M.Liber; et al. Nano Lett,2002,2(101)）和聚焦离子束沉积电极(Yunze Long；Nanlin Wang; et al. Appl.Phys.Lett.2003,83(1863))两种方法。但是这两种方法除了所需设备昂贵，操作过程繁多外还各自存在很大的缺点。对于聚焦离子束沉积电极来说，电极在沉积的过程中会产生大量的金属离子以及有机物，会污染半导体微纳单晶的表面，从而对器件的性能造成影响。而采用电子束曝光平板印刷法，一方面需要在器件的制备过程中使用各种有机溶剂，同样会污染到半导体微纳单晶的表面，改变材料的表面性质，影响器件性能；另一方面在电极的制备过程中所产生的高能电子束会破坏半导体微纳单晶的晶格，改变其周期性结构，影响到器件的性能。

为了解决以上问题，研究人员进行了很多的尝试。王中林组在2003年报道了将乙醇中分散的ZnO纳米带放置于预先用光刻法制备好的电极阵列上，制备出沟道长在127~1079nm之间的顶接触型场效应晶体管（Michael S.Arnold，Phaedon Avouris, Zheng Wei Pan, and Zhong L. Wang，J. Phys. Chem. B，2003, 107），但是由于接触质量较差，并且纳米带是由有机溶剂分散等原因使得器件的转移曲线中许多点都是离散的，同时器件的性能也不太稳定；为了避免纳米带在转移过程中受到污染和损伤，2006年，胡文平组（Qingxin Tang , Hongxiang Li, Wenping Hu，Adv Mater，2006, 18）采用在SiO₂绝缘层上原位生长的CuPc纳米带制备出迁移率最高可达0.6 cm²/V·s，阈值电压在-0.2~-0.6v的高质量场效应晶体管，这种方法不但避免了器件在制备过程中对纳米带的污染和损伤，而且使半导体与绝缘层之间形成良好的接触界面，从而获得很好的性能；2007年，胡文平组研发了一种制备有机微纳单晶场效应晶体管（专利号200510109071.6）的方法，通过机械转移的方法来移动有机微纳单晶，采用金丝掩膜的方法来蒸镀电极，制得性能良好，规格可控的有机微纳单晶场效应晶体管，这种方法为制备出性能良好以及不同沟道长度和不同金属电极的有机微纳单晶场效应晶体管提供一种新颖有效的方法。但是，后两种方法依然无法制备出尺寸与微纳单晶相当的电极，不利于微纳器件未来向小型化和集成化的发展。

另一方面，通常采用的热蒸发或者电子束蒸发金属的方法虽然可以制备出接触质量较好的器件，但是也增加了器件绝缘层漏电的可能性，降低器件的可靠性和稳定性；并且当金属电极沉积的温度较高时，一些有机微纳单晶的晶体结构将会被破坏使器件失去性能。2011年，Martin Moskovits 组(Syed Mubeen, Martin Moskovits, Adv.Mater.2011,23)使用轻压法将SnO₂纳米带转移到沉积有Al₂O₃绝缘层的Si片上，通过掩膜蒸镀的方法沉积Ti/Au电极，制备出可用栅极调控气敏性能的场效应晶体管，但是器件的漏电流达到10^-11-10^-10量级。对于场效应晶体管而言，较高的漏电流不但会增加器件的功率消耗，而且在长期工作条件下，会增加绝缘层被击穿的概率，降低器件的可靠性和稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法，采用导电纳米带作为微纳器件的电极，一方面克服了微纳单晶场效应晶体管在电极制备过程中所产生的污染、辐射损伤等缺点，另一方面也有利于减小了器件的漏电流，增加了器件工作的可靠性和稳定性，同时有利于微纳器件在未来向小型化和集成化的方向发展。

本发明的技术方案是这样实现的：基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由作为栅极的衬底、位于衬底上的绝缘层，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源漏电极之间的半导体微纳单晶组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源电极和漏电极形成连接结构，在连接结构两端的源电极和漏电极分别与半导体微纳单晶材料的两端相连，形成良好接触，两电极间的半导体微纳单晶的长度为3~30 μm。

所述的半导体微纳单晶的宽度为300~500 nm、长度在8~40 μm的一维带状结构；或者是具有厚度在10 nm~50 μm，长度在10~20 μm 的块状或片状结构。

所述的半导体微纳单晶有金属氧化物，可以是氧化锌，氧化锡，氧化铟、有机半导体化合物可以是酞菁铜、十六氟代酞菁铜、并五苯、红荧烯，这些化合物的单晶材料都可以按照实施例中所介绍的方法来制备器件。

所述的源电极和漏电极均由电阻率为1.49×10^-3~4.9×10^-4 Ω·cm的导电纳米带构成，可以是掺锑的氧化锡纳米带或掺铟的氧化锌纳米带，宽度控制在300~500 nm，长度控制在15~30 μm。

所述的微纳单晶场效应晶体管的制备方法，其特征在于：对于金属氧化物半导体而言，选用功函数与其电子亲和能匹配较好的导电纳米带作为源电极和漏电极，以减少接触势垒；（例如SnO₂的电子亲和能为4.5eV（S. W. Y. Liu, Z. Y. Zhang, a. L.-M. Peng, L. Shi, a. Q. Li, Appl Phys Lett 2008, 92, 033102.），SnO₂：Sb的功函数4.7~4.9 eV (M. Batzill, U. Diebold, Prog. Surf. Sci. 2005, 79, 47；F. Yang, S. R. Forrest, Adv. Mater. 2006, 18, 2018)。对于有机半导体而言，选用功函数与其分子轨道能级相匹配的导电纳米带作为源电极和漏电极，以减少接触势垒。例如CuPc的最高占据的分子轨道HOMO以及最低未占据分子轨道LUMO分别为4.8~5.1eV 和4.8~4.9 eV (S. T. Lee, Y. M. Wang, X . Y . Hou, C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 1999, 74,670; C. She n, A . K ahn, J. Appl. Phys. 2001, 90, 4549 ),ZnO：In的功函数为4.5~4.7eV （Z. L. Wang, a. J. Song, Science. 2006, 312, 242~246）； 

具体步骤如下：

1.采用物理气相输运的方法制备微纳单晶材料和用做源电极和漏电极的导电纳米带，具体方法参考实施例1和实施例2

2.在茴香醚中加热搅拌溶解聚甲基丙烯酸甲酯PMMA（质量比为100：6）,配置出浓度为6%的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将其滴注在Si片上后，控制匀胶机转速为3500转每分钟进行旋涂，然后在温度为150度的热台上烘烤30分钟，使有机溶剂快速挥发并固化聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；将旋涂并固化好聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的衬底与生长微纳单晶材料的衬底轻微接触并沿着一个方向轻擦，以此转移微纳单晶；

3.选择Si/SiO₂为衬底，用Si片专用切刀将衬底切割为1cm×1cm大小的尺寸；为确保表面的清洁，采用电阻率达到18.2 MΩ·cm 的去离子水超声清洗4次，然后用氮气吹干；

4.在显微镜下观察已转移好微纳单晶的衬底，选择表面整洁，单一取向单晶材料，采用机械转移的方法，使用探针将单晶材料转移到清洗完毕的Si/SiO₂衬底上；

5.选用功函数与半导体单晶纳米带的电子亲和能匹配较好的导电纳米带作为源电极和漏电极，以减少接触势垒。在显微镜下观察已转移导电单晶纳米带的衬底，选择表面整洁，单一取向的宽度为300~500 nm、长度在8~40 μm的导电单晶纳米带，采用机械转移的方法，使用探针分别将导电单晶纳米带放置在之前已转移好的半导体单晶纳米带的两端，作为源电极、漏电极； 

6.在Si衬底上沉积厚度为100 nm左右的金膜，用机械探针将其切割成尺寸为30μm×200μm的金膜电极。在机械探针上粘附厚度为20 nm左右的一层微量粘性物质（如丙烯酸类压敏胶，树脂型压敏胶，镓铟合金等），通过其粘性转移并放置金膜电极，使金膜电极覆盖在导电纳米带表面，形成良好接触作为外接电极。

所述源电极和漏电极的导电纳米带的电导率要比半导体单晶纳米带至少高3个数量级。

所述绝缘层为二氧化硅层，其基板为高掺杂的n型硅；用作外接电极的金属材料选自金、银、铝、镉、铟中的一种或几种。

所述机械转移半导体微纳单晶材料、导电纳米带、金膜采用机械探针台和高倍光学显微镜。

本发明的积极效果如下： 

1. 所需设备相对简单，避免了器件在电极制备过程中所受到的污染和高能粒子辐射所造成的损伤，保证了半导体材料的本征性能；

2.采用导电纳米带作为电极，在选用时考虑到纳米带电极的功函数与半导体电子亲和能之间的匹配程度，减少了接触时产生的接触势垒，提升制备器件的成功率和性能；

3.器件所放置的位置和器件沟道长度和沟道宽度是可以选择的，能够制备出规格可控的器件；

4.所制备器件的半导体材料和电极同为纳米尺度，减少了器件漏电的可能，增加器件的可靠性和稳定性，有利于微纳器件未来向小型化和集成化发展的趋势。

附图说明

图1是本发明专利的俯视示意图。

图2是本发明专利的侧视示意图。

图3为实施例1的扫描电镜图片，其中标尺为3μm。

图4为实施例1所制备的以掺锑的氧化锡纳米带为源漏电极，以氧化锡单晶纳米带为半导体的场效应晶体管的输出特性曲线。

图5为实施例1所制备的以掺锑的氧化锡纳米带为源漏电极，以氧化锡单晶纳米带为半导体的场效应晶体管的转移特性曲线。

图6为实施例1所制备的以掺锑的氧化锡纳米带为源漏电极，以氧化锡单晶纳米带为半导体的场效应晶体管的在空气放置1~20天时的转移曲线和第50次测试时漏电流绝对值。

图中，1为金膜电极，2为Si/SiO₂衬底（栅极），3为氧化锡单晶纳米带，4为掺锑的氧化锡单晶纳米带（源漏电极）。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做进一步描述，以下所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改，等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

实施例1

制备以掺锑氧化锡单晶纳米带为电极，氧化锡纳米带为半导体的场效应晶体管。

1.        制备微纳单晶材料，材料制备过程参考文献（Qing Wan, Eric Dattoli, and Wei Lu. Small. 2008, 4, 451~ 454）；选择Si（100面）作为生长衬底，用Si片专用切刀将衬底切割为1cm×1cm大小的尺寸；为确保表面的清洁，采用电阻率达到18.2 MΩ·cm 的去离子水进行超声清洗4次，然后用氮气吹干。在已清洗干净的衬底上沉积10 nm厚的金纳米颗粒作为纳米带生长的催化剂。

2.        氧化锡单晶纳米带3的制备。在尺寸为8.7cm×1.2cm×1cm的刚玉舟中放入北京汇研瑞科科技有限公司生产的纯度为99.99%的锡粒，将预先已沉积过10 nm厚的金纳米颗粒的尺寸为1 cm×1 cm 的Si（100面）片放在刚玉舟上锡粉的上方，然后将刚玉舟放入天津中环实验电炉有限公司生产的SK-1400型高温真空管式炉中44 cm长的石英管的中间位置；将炉内石英管密封后，使用真空泵将管内压强抽至25 Pa左右，以20℃/min的升温速率将炉内温度从室温升900℃后，通入纯度为99.999%的高纯氮气为载气，控制并稳定其流速为250 sccm，通入纯度为99.999%的高纯氧气为反应气体，控制并稳定其流速为10 sccm；控制炉内温度稳定在900℃保持1个小时，然后以5℃/min的降温速率，将炉体从900℃冷却至室温，取出刚玉舟及生长衬底。掺锑氧化锡单晶纳米带4的生长原料0.3g纯度为99.999%的锡粒和纯度为99.999%的0.015g 锑粉,其他生长过程完全相同。

3. 在茴香醚中加热搅拌溶解聚PMMA（甲基丙烯酸甲酯）,配置出质量比浓度为6%的溶液，将其滴注在Si片上后，控制匀胶机转速为3500转每分钟进行旋涂，然后在温度为150度的热台上烘烤30分钟，使有机溶剂快速挥发并固化PMMA。将旋涂并固化好PMMA的衬底与生长氧化锡和掺锑氧化锡的衬底轻微接触并沿着一个方向轻擦，以此转移氧化锡和掺锑氧化锡的微纳单晶，防止其在转移过程中所受到的污染。

3.    选择Si/SiO₂（300nm）为衬底2，用Si片专用切刀将衬底切割为1cm×1cm大小的尺寸；为确保表面的清洁，采用电阻率达到18.2 MΩ·cm 的去离子水超声清洗4次，然后用氮气吹干。

4.    在显微镜下观察已转移好的氧化锡微纳单晶的衬底，选择表面整洁，单一取向的宽度为300~500 nm、长度为8~40 μm的SnO₂ 单晶纳米带，采用机械转移的方法，使用探针将SnO₂ 单晶纳米带转移到清洗完毕的Si/SiO₂衬底2上；

5.    在显微镜下观察已转移好的氧化锡掺锑微纳单晶的衬底，选择表面整洁，单一取向的宽度为300~500 nm、长度在8~40 μm的掺锑氧化锡单晶纳米带4，采用机械转移的方法，使用探针分别将导电的SnO₂：Sb纳米带放置在SnO₂纳米带的两端，做为源电极、漏电极；选用功函数与其电子亲和能匹配较好的导电纳米带作为源电极和漏电极，以减少接触势垒。（例如SnO₂的电子亲和能为4.5eV（S. W. Y. Liu, Z. Y. Zhang, a. L.-M. Peng, L. Shi, a. Q. Li, Appl Phys Lett 2008, 92, 033102.），SnO₂：Sb的功函数4.7~4.9 eV (M. Batzill, U. Diebold, Prog. Surf. Sci. 2005, 79, 47；F. Yang, S. R. Forrest, Adv. Mater. 2006, 18, 2018)。（前边已有，建议删去）

6.    在Si衬底上沉积厚度为100 nm左右的金膜，用机械探针将其切割成尺寸为30μm×200μm的金膜电极1。在机械探针上粘附厚度为20 nm左右的一层微量粘性物质（如丙烯酸类压敏胶，树脂型压敏胶，镓铟合金等），通过其粘性来转移并放置金膜电极1，使金膜电极1覆盖在SnO₂：Sb纳米带表面，形成良好接触作为外接电极。

实施例2

制备以掺锑氧化锡单晶纳米带为电极，酞菁铜单晶纳米带为半导体的场效应晶体管

1.    制备微纳单晶材料，掺锑氧化锡单晶纳米带制备过程和生长衬底的清洗参考实施例1。

酞菁铜单晶纳米带的生长。在带有真空系统的两段控温管式炉的两段分别放入用于生长的源材料和生长衬底，控制炉内真空度为0.1 pa ；沿着源材料到生长衬底的方向通入纯度为99.999%的高纯氮气，载气流速控制在50 sccm；放入原料后，以10℃/min的升温速率用50 min的时间将炉内温度提升至430℃，保持此温度稳定60min，之后在保证稳定的载气流速和真空的条件下，自然降温，然后取出样品。其中所用的源材料为Alfa公司生产的经过四次升华提纯后的酞菁铜

2.    选择Si/SiO₂（300nm）为衬底，参考实施例1中的清洗方法进行处理；

3.    在显微镜下观察生长衬底上已制备好的酞菁铜纳米带，选择表面整洁，单一取向的宽度为600~700 nm、长度在8~20 μm的酞菁铜纳米带，采用机械转移的方法，使用探针将酞菁铜纳米带转移到清洗完毕的Si/SiO₂衬底上；

4.    在显微镜下观察已转移好的氧化锡掺锑微纳单晶的衬底，选择表面整洁，单一取向的宽度为300~500 nm、长度在8~40 μm的氧化锡掺锑纳米带，采用机械转移的方法，使用探针分别将导电的SnO₂：Sb纳米带放置在酞菁铜纳米带的两端，做为源电极、漏电极； 

5.    在Si衬底上沉积厚度为100 nm 左右的金膜，用机械探针将其切割成尺寸为30 μm×200 μm 左右的金膜电极。在机械探针上粘附厚度为20 nm左右一层微量粘性物质（如丙烯酸类压敏胶，树脂型压敏胶，镓铟合金等），通过其粘性来转移并放置金膜电极，使金膜电极覆盖在SnO₂：Sb纳米带表面，形成良好接触作为外接电极。

 实施例3

制备以掺锑氧化锡单晶纳米带为电极，十六氟代酞菁铜单晶纳米带为半导体的场效应晶体管

十六氟代酞菁铜可以按照实施例2的方法来制备，掺锑氧化锡单晶纳米带按照实施例1的方法制备，其中半导体微纳单晶的尺寸是，40~100 nm 厚, 300~500nm 宽、8~10μm 长的一维带状结构，源电极和漏电极均为电阻率为1.49×10^-3~4.9×10^-4 Ω·cm，尺寸为300~500 nm宽、8~40 μm 长的一维带状结构。具体制备方法参考实施例2。

实施例4

制备以掺锑氧化锡单晶纳米带为电极，并五苯单晶纳米带为半导体的场效应晶体管

并五苯单晶纳米带可以按照实施例2中有机微纳单晶的生长方法来制备，掺锑氧化锡单晶纳米带按照实施例1的方法制备，其中并五苯单晶纳米带的尺寸为，40~100 nm厚、300~500 nm 宽、10~20 μm 长的一维带状结构，源电极和漏电极均为电阻率为1.49×10^-3~4.9×10^-4 Ω·cm，尺寸为300~500 nm宽、8~40 μm 长的一维带状结构。按照实施例2的方法来制备器件。

实施例5

制备以掺铟氧化锌单晶纳米带为电极，红荧烯单晶纳米片为半导体的场效应晶体管

红荧烯微纳单晶可以按照实施例2中有机微纳单晶的生长方法来制备，掺铟氧化锡单晶纳米带按照实施例1的方法制备，其中红荧烯微纳单晶的尺寸为，10nm~50μm厚、10~20μm 长的片状结构，源电极和漏电极均为电阻率为1.49×10^-3~4.9×10^-4 Ω·cm，尺寸为300~500 nm宽、8~40 μm 长的一维带状结构。按照实施例2的方法来制备器件。

Claims (8)

1.基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由外接电极，栅极衬底，半导体纳米带（片）和与其形成良好接触的导电纳米带即源电板和漏电极组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源电极和漏电极形成连接结构，在连接结构两端的源电极和漏电极分别与半导体微纳单晶材料的两端相连，形成良好接触，两电极间的半导体微纳单晶材料的长度为3~30μm。

2.根据权利要求1所述的基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，其特征在于所述的半导体微纳单晶材料的宽度为300~500 nm、长度在8~40 μm的一维带状结构；或者是具有厚度在10 nm~50 μm，长度在10~20 μm 的块状或片状结构。

3.根据权利要求1所述的基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，其特征在于所述的半导体微纳单晶材料有金属氧化物，可以是氧化锌，氧化锡，氧化铟；有机半导体化合物可以是酞菁铜、十六氟代酞菁铜、并五苯、红荧烯。

4.根据权利要求1所述的基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，其特征在于所述的源电极和漏电极均由电阻率为1.49×10^-3~4.9×10^-4 Ω·cm的导电纳米带构成，可以是掺锑的氧化锡纳米带或者是掺铟的氧化锌纳米带，宽度控制在300~500 nm，长度控制在15~30 μm。

5.基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管的制备方法，其特征在于：选用功函数与半导体微纳单晶材料电子亲和能匹配较好的导电纳米带作为源电极和漏电极，减少接触势垒；

器件具体制备步骤如下：1）采用物理气相输运的方法制备微纳单晶材料和用做源电极和漏电极的导电纳米带； 

2）在茴香醚中加热搅拌溶解聚甲基丙烯酸甲酯PMMA（质量比为100：6）,配置出浓度为6%的(聚甲基丙烯酸甲酯PMMA溶液，将其滴注在Si片上后，控制匀胶机转速为3500转每分钟进行旋涂，然后在温度为150℃的热台上烘烤30分钟，使有机溶剂快速挥发并固化PMMA；

3）将旋涂并固化好PMMA的衬底与生长微纳单晶材料的衬底轻微接触并沿着单一方向轻擦，以此转移微纳单晶材料；

4）选择Si/SiO₂（300nm）为衬底，用Si片专用切刀将衬底切割为1cm×1cm大小的尺寸；为确保表面的清洁，采用电阻率达到18.2 MΩ·cm 的去离子水超声清洗4次，然后用氮气吹干；

5）在显微镜下观察已转移好微纳单晶的衬底，选择表面整洁，单一取向单晶材料，采用机械转移的方法，使用探针将单晶材料转移到清洗完毕的Si/SiO₂衬底2上；

6）采用机械转移的方法，将制备好的半导体单晶纳米带转移到Si/SiO₂衬底上；在显微镜下观察已转移导电单晶纳米带的衬底，选择表面整洁，单一取向的宽度为300~500 nm、长度在8~40 μm的导电单晶纳米带，采用机械转移的方法，使用探针分别将导电单晶纳米带放置在之前已转移好的半导体单晶纳米带的两端，作为源电极、漏电极；在Si衬底上沉积厚度为100 nm左右的金膜，用机械探针将其切割成尺寸为30μm×200μm的金膜电极；在机械探针上粘附厚度为20 nm左右的一层微量粘性物质可以为丙烯酸类压敏胶，树脂型压敏胶，镓铟合金，通过其粘性来转移并放置金膜电极，使金膜电极覆盖在导电纳米带表面，形成良好接触作为外接电极。

6.根据权利要求4所述的基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管的制备方法，其特征在于所述源电极和漏电极的导电纳米带导电性至少要比半导体单晶纳米带高3个数量级。

7.根据权利要求1所述的基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，其特征在于所述绝缘层为二氧化硅层，基板为高掺杂的n型硅；用作外接电极的金属材料选自金、银、铝、镉、铟中的一种或几种。

8.根据权利要求5所述的基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管的制备方法，其特征在于所述机械转移半导体微纳单晶材料、导电纳米带、金膜采用机械探针台和高倍光学显微镜。

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