CN103266301B - 可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法 - Google Patents
可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103266301B CN103266301B CN201310185033.3A CN201310185033A CN103266301B CN 103266301 B CN103266301 B CN 103266301B CN 201310185033 A CN201310185033 A CN 201310185033A CN 103266301 B CN103266301 B CN 103266301B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- warm table
- lower warm
- described upper
- troffer
- temperature rise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法，该蒸镀炉包括上加热台及下加热台，所述上加热台及下加热台上下相对置于槽型支架内，所述上加热台具有沿槽型支架上下移动的自由度，所述下加热台具有沿槽型支架底部旋转的自由度；所述上加热台底部设有可承载蒸镀基片的载样台，下加热台顶部设有与载样台相对的蒸镀源，所述上加热台及下加热台中插设有短波红外灯管，所述上加热台及下加热台内部开设相通的进出气口、冷却水进出口。本发明利用双温场上下对置模式，采用水冷腔体，上下加热台可以在最短的距离内实现比以往设备都大很多的温差，上下加热台的距离调节增大和减小了蒸镀距离和上下温场的温差，使得固相的蒸镀实现了可调。<!--1-->
Description
技术领域
本发明涉及一种蒸镀炉及其制造方法，具体涉及一种可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法。
背景技术
目前，光伏、半导体等一系列的材料研究领域，镀膜贯穿着整个材料研究行业，气相沉积为最广泛的研究方向，而目前，研究领域有着新的方向，更多的材料研究方向集中在了固态和液态沉积源，而目前气相沉积设备，由于在固态物质气化后凝华温度很高，凝华速度很快，在以往的气相沉积设备中，无法解决高温的气相固体在传输过程中的固相凝华现象以及在短距离内为了固相沉积所需要的大梯度温差场和实现控制沉积厚度和薄膜均匀性的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种可在短距离内实现大温差，并且两个温场距离可调，以实现蒸镀厚度可调和蒸镀高均匀性的可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法。
一种可调短距离快速升降温蒸镀炉，包括加热台；所述加热台分为上加热台及下加热台，所述上加热台及下加热台上下相对置于槽型支架内，所述上加热台具有沿槽型支架上下移动的自由度，所述下加热台具有沿槽型支架底部旋转的自由度；所述上加热台底部设有可承载蒸镀基片的载样台，下加热台顶部设有与载样台相对的蒸镀源，所述上加热台及下加热台中插设有短波红外灯管，所述上加热台及下加热台内部开设相通的进出气口、冷却水进出口。
优选地，所述上、下加热台均包括加热基体，所述短波红外灯管插设在加热基体内，并与加热基体上的灯管导电线排相接，所述灯管导电线排与上或下加热台外的供电电极电连接。
优选的，所述上加热台顶部固定在上加热台底板上，下加热台底部固定在下加热台底板上，移动驱动装置穿过上加热台底板连接在上加热台上，旋转驱动装置穿过下加热台底板连接在下加热台上，所述上加热台底板与移动驱动装置的接触端设有磁流体轴向移动密封，所述下加热台底板下部与旋转驱动装置的触接端设有磁流体径向旋转密封。
优选地，所述载样台包括内部石英、石墨、氧化物或氮化物陶瓷载物台，所述内部石英、石墨、氧化物或氮化物陶瓷载物台可拆卸安装在不锈钢载样台中。
优选地，所述上、下加热台内加装有SiC、MoSi2、Mo、Ta或W加热元件。
一种可调短距离快速升降温蒸镀炉的制造方法，所述可调短距离快速升降温蒸镀炉包括加热台，
其制造步骤为：
1、制造槽型支架，形成可容纳下加热台及上加热台的槽型结构；
2、制造底部可承载蒸镀基片的上加热台以及顶部安装有蒸镀源的下加热台，在所述上加热台及下加热台中插设短波红外灯管或SiC、MoSi2、Mo、Ta、W加热元件，并在上加热台及下加热台内部开设相通的进出气口、冷却水进出口；
3、将下加热台置于槽型支架内，在下加热台底部加装可带动其在槽型支架内水平旋转的旋转驱动装置；
4、将上加热台同轴置于下加热台上方，在上加热台顶部加装可带动其在槽型支架内上下移动的移动驱动装置。
本发明利用双温场上下对置模式，采用水冷腔体，目的在于在短距离内扩大温度差，下加热台放置蒸镀源，上加热台放置镀膜基片，由于水冷加热腔无任何保温措施的作用，上下加热台可以在最短的距离内实现比以往设备都大很多的温差，为控制蒸镀薄膜的厚度，上下加热台的距离在0-200mm内可以调节，上下加热台的距离调节变相的增大和减小了蒸镀距离和上下温场的温差，使得固相的蒸镀实现了可调，并且距离移动采用磁流体轴向移动密封，可以在不破坏真空和内部气氛环境下在蒸镀工作中按照客户意愿直接调动距离和直接旋转，为保证镀膜均匀性能，下加热台采用磁流体径向旋转密封和轴向双重密封，在蒸镀过程中下加热台针对上加热台是旋转的并且可以上下移动距离，保证了蒸镀的均匀性，加热方式采用短波红外线加热，优点在于速度快，可以在60℃/s加温至1000℃，避免温度过慢造成蒸镀源的损耗和在没达到蒸镀温度下的低质量镀膜，并且根据客户的实验条件，可扩展为200℃-1900℃任意温度点，在中低温，中高温，高温范围内的任何工作区间都可以满足。由于是水冷腔体，降温速度可以在最快20℃/s上调节，保证客户的实验效率。整个实验腔体密闭在直径为11寸的石英腔体内，内部结构件均可采用SUS316s不锈钢，内部洁净，抗腐蚀能力高，加热台载物台为石英材料，抗热震性能强，可以承载1英寸至12英寸的任意大小的基片，工作范围基本覆盖蒸镀的任意试验要求。
附图说明
图1为本发明的结构示意图(闭合状态)。
图2为本发明的结构示意图(开启状态)。
图3为本发明中上加热台的结构示意图。
图4为本发明的原理示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例，对本发明做进一步说明。应理解，以下实施例仅用于说明本发明而非用于限制本发明的范围。
实施例1
参见图1及图2，本发明提供的一种可调短距离快速升降温蒸镀炉，包括槽型支架1，所述槽型支架1的底部内腔中安装有下加热台底板2，下加热台底板2上部安装有下加热台3，下部安装有可带动下加热台3水平旋转的旋转驱动装置4，所述槽型支架1两侧设有导轨5，导轨5之间安装有可沿其上下移动的上加热台底板6，所述上加热台底板6底部设有与下加热台3相对设置的上加热台7，上部安装有可带动上加热台7上下移动的移动驱动装置8；
参见图3，所述上加热台7包括加热基体7a，与所述下加热台3中的加热基体结构相同，均采用短波红外加热方式。所述加热基体7a的基体内插设有短波红外加热管7b，用灯管锁紧螺母7c、灯管制动卡7d锁紧，并将短波红外加热管7b接入到加热基体7a上的灯管导电线排7e中，所述灯管导电线排7e与下加热台底板2或上加热台底板6外的供电电极7f电连接，所述上加热台底板6上部、下加热台底板2下部还分别设有与下加热台3、上加热台7相通的进出气口7g、冷却水进出口7h，冷却水进出口接入水管，用于达到对加热台冷却的目的，上进出气口用于将闭合后的上下加热台达到真空和气氛的空间环境；所述上加热台7底部设有用于承载蒸镀基片的载样台7i；
参见图4，所述下加热台3上部设有与载样台7i相对的蒸镀源9，所述上加热台底板6上部与移动驱动装置8的接触端设有磁流体轴向移动密封10，所述下加热台底板2下部与旋转驱动装置4的触接端设有磁流体径向旋转密封11。由于磁流体的动态密封效果，上下加热台可在隔绝环境下，上加热台7上下电动方式移动，移动范围建议为0-50mm，下加热台3电动旋转，保证了蒸镀的均匀性。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处在于：所述载样台7i包括内部石英、石墨、氧化物或氮化物陶瓷载物台7i-1，所述内部石英、石墨、氧化物或氮化物陶瓷载物台7i-1可拆卸安装在不锈钢载样台7i-2中，通过采用锁紧螺栓将不锈钢载样台7i-2安装在上加热台7底部。
实施例3
本实施例与实施例1的不同之处在于：在下加热台3、上加热台7内也可加装SiC、MoSi2、Mo、Ta或W等一系列加热元件，提高加热效果。(短波红外灯管作为加热元件可达1100℃，SiC，MoSi2，Mo，Ta和W等加热元件最高温度可达1900℃。)
实施例4
一种可调短距离快速升降温蒸镀炉的制造方法，其步骤为：
1、制造槽型支架1，形成可容纳下加热台3及上加热台7的槽型结构。
2、制造底部可承载蒸镀基片的上加热台7以及顶部安装有蒸镀源9的下加热台3，在所述上加热台7及下加热台3中插设短波红外灯管7b或SiC、MoSi2、Mo、Ta、W加热元件，并在上加热台7及下加热台3内部开设相通的进出气口7g、冷却水进出口7h。
3、将下加热台3置于槽型支架1内，在下加热台3底部加装可带动其在槽型支架1内水平旋转的旋转驱动装置4。
4、将上加热台7同轴置于下加热台3上方，在上加热台7顶部加装可带动其在槽型支架1内上下移动的移动驱动装置8。
Claims (6)
1.一种可调短距离快速升降温蒸镀炉，包括加热台，所述加热台分为上加热台及下加热台，所述上加热台及下加热台上下相对置于槽型支架内，所述上加热台具有沿槽型支架上下移动的自由度，所述下加热台具有沿槽型支架底部旋转的自由度；所述上加热台底部设有可承载蒸镀基片的载样台，下加热台顶部设有与载样台相对的蒸镀源，所述上加热台及下加热台中插设有短波红外灯管，所述上加热台及下加热台内部开设相通的进出气口，其特征在于：所述上加热台及下加热台内部还开设有相通的冷却水进出口。
2.根据权利要求1所述的可调短距离快速升降温蒸镀炉，其特征在于：所述上、下加热台均包括加热基体，所述短波红外灯管插设在加热基体内，并与加热基体上的灯管导电线排相接，所述灯管导电线排与上或下加热台外的供电电极电连接。
3.根据权利要求1所述的可调短距离快速升降温蒸镀炉，其特征在于：所述上加热台顶部固定在上加热台底板上，下加热台底部固定在下加热台底板上，移动驱动装置穿过上加热台底板连接在上加热台上，旋转驱动装置穿过下加热台底板连接在下加热台上，所述上加热台底板与移动驱动装置的接触端设有磁流体轴向移动密封，所述下加热台底板下部与旋转驱动装置的触接端设有磁流体径向旋转密封。
4.根据权利要求1、2或3所述的可调短距离快速升降温蒸镀炉，其特征在于：所述载样台包括内部石英、石墨、氧化物或氮化物陶瓷载物台，所述内部石英、石墨、氧化物或氮化物陶瓷载物台可拆卸安装在不锈钢载样台中。
5.根据权利要求1、2或3所述的可调短距离快速升降温蒸镀炉，其特征在于：所述上、下加热台内加装有SiC、MoSi2、Mo、Ta或W加热元件。
6.一种可调短距离快速升降温蒸镀炉的制造方法，所述可调短距离快速升降温蒸镀炉包括加热台，其特征在于：
其制造步骤为：
(1)、制造槽型支架，形成可容纳下加热台及上加热台的槽型结构；
(2)、制造底部可承载蒸镀基片的上加热台以及顶部安装有蒸镀源的下加热台，在所述上加热台及下加热台中插设短波红外灯管或SiC、MoSi2、Mo、Ta、W加热元件，并在上加热台及下加热台内部开设相通的进出气口、冷却水进出口；
(3)、将下加热台置于槽型支架内，在下加热台底部加装可带动其在槽型支架内水平旋转的旋转驱动装置；
(4)、将上加热台同轴置于下加热台上方，在上加热台顶部加装可带动其在槽型支架内上下移动的移动驱动装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310185033.3A CN103266301B (zh) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | 可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310185033.3A CN103266301B (zh) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | 可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103266301A CN103266301A (zh) | 2013-08-28 |
| CN103266301B true CN103266301B (zh) | 2016-02-24 |
Family
ID=49009962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310185033.3A Expired - Fee Related CN103266301B (zh) | 2013-05-17 | 2013-05-17 | 可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103266301B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105068235A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-11-18 | 苏州欧可罗电子科技有限公司 | 一种加热式显微镜 |
| CN106637392A (zh) * | 2016-11-10 | 2017-05-10 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 均匀性可调的硅外延反应设备加热装置及其调节方法 |
| CN206706191U (zh) * | 2017-05-22 | 2017-12-05 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 蒸镀装置 |
| CN108106472A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-06-01 | 大连通亚重工有限公司 | 一种可控起升式辅热管排 |
| KR102442377B1 (ko) * | 2019-09-27 | 2022-09-13 | 주식회사 뷰웍스 | 신틸레이터 증착을 위한 기판 고정 장치, 이를 포함하는 기판 증착 장치 및 이를 이용한 신틸레이터의 증착 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1841663A (zh) * | 2005-03-28 | 2006-10-04 | 三星电子株式会社 | 半导体制造装置 |
| CN102899619A (zh) * | 2011-07-26 | 2013-01-30 | 御林汽配(昆山)有限公司 | 真空镀膜装置的改良结构 |
| CN203270022U (zh) * | 2013-05-17 | 2013-11-06 | 合肥科晶材料技术有限公司 | 可调短距离快速升降温蒸镀炉 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012158835A (ja) * | 2012-05-15 | 2012-08-23 | Ulvac Japan Ltd | スパッタ成膜装置 |
-
2013
- 2013-05-17 CN CN201310185033.3A patent/CN103266301B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1841663A (zh) * | 2005-03-28 | 2006-10-04 | 三星电子株式会社 | 半导体制造装置 |
| CN102899619A (zh) * | 2011-07-26 | 2013-01-30 | 御林汽配(昆山)有限公司 | 真空镀膜装置的改良结构 |
| CN203270022U (zh) * | 2013-05-17 | 2013-11-06 | 合肥科晶材料技术有限公司 | 可调短距离快速升降温蒸镀炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103266301A (zh) | 2013-08-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103266301B (zh) | 可调短距离快速升降温蒸镀炉及其制造方法 | |
| CN203270022U (zh) | 可调短距离快速升降温蒸镀炉 | |
| US8354623B2 (en) | Treatment apparatus, treatment method, and storage medium | |
| CN107217236B (zh) | 一种低温真空蒸发源 | |
| TWI662143B (zh) | 冷卻構件及真空鍍膜設備 | |
| TWI600787B (zh) | 用於遞送製程氣體至基板的方法及設備 | |
| JP2008525999A5 (zh) | ||
| TW201534382A (zh) | 真空純化方法 | |
| EP2803397B1 (en) | Apparatus for purifying organicelectroluminescent material and method for purifying organic compound | |
| CN201740384U (zh) | 一种高温真空烘烤炉 | |
| TW201027665A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| KR20200001978U (ko) | 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치 | |
| TW200932965A (en) | Apparatus for growing single crystal and process for growing single crystal | |
| CN109652762A (zh) | 一种锑硫硒合金薄膜的制备方法 | |
| WO2012029260A1 (ja) | 蒸着セル及びこれを備えた真空蒸着装置 | |
| TWI540233B (zh) | 基座處理方法及基座處理用板 | |
| JP2006299378A (ja) | 熱処理装置と蒸着処理装置の複合装置 | |
| CN105648405A (zh) | 一种有机材料蒸发装置 | |
| JP5674645B2 (ja) | 温度勾配型化学気相成長（ｔｇｅ−ｃｖｄ） | |
| US20200011598A1 (en) | Vacuum Extraction Oven | |
| CN107144130A (zh) | 一种阴极用可视化微波烧结设备 | |
| CN102517562A (zh) | 一种垂直梯度冷凝制造薄膜电池的装置 | |
| CN204417641U (zh) | 可调控SiC晶体生长梯度的水冷装置及晶体生长炉 | |
| CN106517163B (zh) | 一种用于cvd法制备石墨烯的冷壁炉及连续生产方法 | |
| CN104138668A (zh) | 电磁式熔盐蒸发方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160224 Termination date: 20180517 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |