CN103237995B - 用于调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法 - Google Patents

Abstract

公开的实施例包括用于调节导电流体的流动的电磁流动调节器、调节导电流体的流动的系统、调节导电流体的流动的方法、核裂变反应堆、调节导电反应堆冷却剂的流动的系统、和调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的方法。

Description

用于调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法

交叉引用相关申请

本申请涉及如下所列申请（“相关申请”）以及要求从如下所列申请中获得最早可用有效申请日的权益（例如，要求非临时专利申请的最早可用优先权日，或要求临时专利申请，以及相关申请的任何和所有父代、祖父代、曾祖父代等申请基于35USC§119（e）的权益）。包括任何优选权利要求的相关申请以及相关申请的任何和所有父代、祖父代、曾祖父代等申请的所有主题以这样的主题不会与本文的主题相抵触的程度通过引用并入本文中。

相关申请

根据美国专利商标局（USPTO）的非法定要求，本申请构成2010年10月6日提交、发明人为RoderickA.Hyde、MurielY.Ishikawa、JonD.McWhirter、AshokOdedra、JoshuaC.Walter、KevanD.Weaver和LowellL.Wood,Jr.、发明名称为“ELECTROMAGNETICFLOWREGULATOR,SYSTEM,ANDMETHODSFORREGULATINGFLOWOFANELECTRICALLYCONDUC-TIVEFLUID（调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法）”的美国专利申请第12/924,914号的部分继续申请，该申请当前同时待审，或者是给予当前同时待审申请以申请日的权益的申请。

根据美国专利商标局（USPTO）的非法定要求，本申请构成2010年12月28日提交、发明人为RoderickA.Hyde、MurielY.Ishikawa、JonD.McWhirter、AshokOdedra、JoshuaC.Walter、KevanD.Weaver和LowellL.Wood,Jr.、发明名称为“ELECTROMAGNETICFLOWREGULATOR,SYSTEM,ANDMETHODSFORREGULATINGFLOWOFANELECTRICALLYCONDUC-TIVEFLUID（调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法）”的美国专利申请第12/930,151号的部分继续申请，该申请当前同时待审，或者是给予当前同时待审申请以申请日的权益的申请。

根据美国专利商标局（USPTO）的非法定要求，本申请构成2010年12月28日提交、发明人为RoderickA.Hyde、MurielY.Ishikawa、JonD.McWhirter、AshokOdedra、JoshuaC.Walter、KevanD.Weaver和LowellL.Wood,Jr.、发明名称为“ELECTROMAGNETICFLOWREGULATOR,SYSTEM,ANDMETHODSFORREGULATINGFLOWOFANELECTRICALLYCONDUC-TIVEFLUID（调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法）”的美国专利申请第12/930,146号的部分继续申请，该申请当前同时待审，或者是给予当前同时待审申请以申请日的权益的申请。

根据美国专利商标局（USPTO）的非法定要求，本申请构成2010年12月28日提交、发明人为RoderickA.Hyde、MurielY.Ishikawa、JonD.McWhirter、AshokOdedra、JoshuaC.Walter、KevanD.Weaver和LowellL.Wood,Jr.、发明名称为“ELECTROMAGNETICFLOWREGULATOR,SYSTEM,ANDMETHODSFORREGULATINGFLOWOFANELECTRICALLYCONDUC-TIVEFLUID（调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法）”的美国专利申请第12/930,152号的部分继续申请，该申请当前同时待审，或者是给予当前同时待审申请以申请日的权益的申请。

根据美国专利商标局（USPTO）的非法定要求，本申请构成2010年12月28日提交、发明人为RoderickA.Hyde、MurielY.Ishikawa、JonD.McWhirter、AshokOdedra、JoshuaC.Walter、KevanD.Weaver和LowellL.Wood,Jr.、发明名称为“ELECTROMAGNETICFLOWREGULATOR,SYSTEM,ANDMETHODSFORREGULATINGFLOWOFANELECTRICALLYCONDUC-TIVEFLUID（调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法）”的美国专利申请第12/930,150号的部分继续申请，该申请当前同时待审，或者是给予当前同时待审申请以申请日的权益的申请。

根据美国专利商标局（USPTO）的非法定要求，本申请构成2010年12月28日提交、发明人为RoderickA.Hyde、MurielY.Ishikawa、JonD.McWhirter、AshokOdedra、JoshuaC.Walter、KevanD.Weaver和LowellL.Wood,Jr.、发明名称为“ELECTROMAGNETICFLOWREGULATOR,SYSTEM,ANDMETHODSFORREGULATINGFLOWOFANELECTRICALLYCONDUC-TIVEFLUID（调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法）”的美国专利申请第12/930,149号的部分继续申请，该申请当前同时待审，或者是给予当前同时待审申请以申请日的权益的申请。

根据美国专利商标局（USPTO）的非法定要求，本申请构成2010年12月28日提交、发明人为RoderickA.Hyde、MurielY.Ishikawa、JonD.McWhirter、AshokOdedra、JoshuaC.Walter、KevanD.Weaver和LowellL.Wood,Jr.、发明名称为“ELECTROMAGNETICFLOWREGULATOR,SYSTEM,ANDMETHODSFORREGULATINGFLOWOFANELECTRICALLYCONDUC-TIVEFLUID（调节导电流体的流动的电磁流动调节器、系统及方法）”的美国专利申请第12/930,147号的部分继续申请，该申请当前同时待审，或者是给予当前同时待审申请以申请日的权益的申请。

美国专利商标局（USPTO）已经发布了内容是USPTO的计算机程序要求专利申请人引用序号和指示申请是父代申请的继续申请，部分继续申请还是分案申请的公告。有关细节请参阅如下文章：StephenG.Kunin，BenefitofPrior-FiledApplication，USPTOOfficialGazetteMarch18，2003。本申请实体（下文称为“申请人”）在上面已经提供了如法规所述要求其优先权的申请的特定引用。本申请人明白，该法规在其特定引用语言上是明确的，不需要序列号或像“继续”或“部分继续”那样的任何表征来要求美国专利申请的优先权。尽管如上文所述，但本申请人明白，USPTO的计算机程序有某些数据输入要求，因此本申请人提供了如上所述本申请与它的父代申请之间的关系的指定，但应明确指出，这样的指定决不能理解成除了其父代申请的主题之外，本申请是否包含某新主题的任何类型注释和/或承认。

技术领域

本申请一般涉及调节导电流体的流动。

发明内容

所公开的实施例包括用于调节导电流体的流动的电磁流动调节器、调节导电流体的流动的系统、调节导电流体的流动的方法、核裂变反应堆、调节导电反应堆冷却剂的流动的系统和调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的方法。

除了上文之外，在像本公开的文本（例如，权利要求书和/或详细描述）和/或附图那样的教导中展示和描述了各种其他方法和/或设备方面。

上文是一个总结，因此可能包含细节的简化、概括、蕴含、和/或省略；因此，本领域的普通技术人员应该懂得，该总结只是示例性的，而决不是打算限制本发明的范围。除了上面所述的示例性方面、实施例和特征之外，进一步的方面、实施例和特征通过参照附图和如下详细描述将变得显而易见。附图说明

虽然本说明书以特别指出和不同地要求本公开的主题的权利要求书为结论，但要相信，当结合附图时，本公开将从如下详细描述中得到更好理解。另外，用在不同附图中的相同符号通常指示相似或相同项目。

图1A是一种示例性电磁流动调节器的局部示意形式的侧视图；

图1B是另一种示例性电磁流动调节器的局部示意形式的侧视图；

图1C是图1B的电磁流动调节器的局部剖面侧视图；

图1D是沿着图1C的截面线1D-1D截取的视图；

图1E是图1B的电磁流动调节器的一个细节的横截面的放大片断图；

图1F是导电流体的速度、磁场和感应电场的关系的曲线图；

图1G是图1B的电磁流动调节器的局部剖面透视图；

图1H是图1B的电磁流动调节器的另一个细节的横截面的放大片断图；

图1I是导电流体中的感应电流、磁场和洛伦兹合力的关系的曲线图；

图1J是图1B的电磁流动调节器的另一个细节的透视截面的放大片断图；

图1K是另一种示例性电磁流动调节器的局部剖面示意形式的侧视图；

图1L是沿着图1K的截面线1L-1L截取的视图；

图1M是沿着图1K的截面线1M-1M截取的视图；

图1N是沿着图1M的截面线1N-1N截取的视图；

图2A是调节导电流体的流动的一种示例性方法的流程图；

图2B-2E是图2A的方法的细节的流程图；

图2F是调节导电流体的流动的另一种示例性方法的流程图；

图2G是图2F的方法的细节的流程图；

图2H是调节导电流体的流动的另一种示例性方法的流程图；

图2I是图2H的方法的细节的流程图；

图3A是制造电磁流动调节器的一种示例性方法的流程图；

图3B-3K是图3A的方法的细节的流程图；

图3L是制造电磁流动调节器的另一种示例性方法的流程图；

图3M-3P是图3L的方法的细节的流程图；

图3Q是制造电磁流动调节器的另一种示例性方法的流程图；

图3R-3T是图3Q的方法的细节的流程图；

图4A是一种示例性核裂变反应堆系统的示意性例示；

图4B是一种示例性核裂变模块的局部示意形式的俯视图；

图4C是图4B的示例性核裂变模块的局部示意形式的俯视图；

图4D是图4B的其他示例性核裂变模块的局部示意形式的俯视图；

图4E是图4B的其他示例性核裂变模块的局部示意形式的俯视图；

图4F是一种示例性行波反应堆堆芯的局部示意形式的俯视图；

图5A是一种示例性核裂变反应堆的组件的示意性例示；

图5B-5C是示例性电磁流动调节器和核裂变模块的局部示意形式的局部剖面侧视图；

图6A-6C是其他示例性电磁流动调节器和核裂变模块的局部示意形式的局部剖面侧视图；

图6D是一种示例性反应堆堆芯的局部示意形式的局部剖面俯视图；

图6E是图6D的反应堆堆芯的局部示意形式的局部剖面侧视图；

图6F是另一种示例性反应堆堆芯的局部示意形式的局部剖面俯视图；

图6G是图6F的反应堆堆芯的局部示意形式的局部剖面侧视图；

图6H-6J是其他示例性反应堆堆芯的局部示意形式的局部剖面俯视图；

图7A是调节一种导电反应堆冷却剂的流动的示例性方法的流程图；

图7B-7S是图7A的方法的细节的流程图；

图7T是调节另一种导电反应堆冷却剂的流动的示例性方法的流程图；

图7U-7AH是图7T的方法的细节的流程图；

图7AI是调节另一种导电反应堆冷却剂的流动的示例性方法的流程图；以及

图7AJ-7AW是图7I的方法的细节的流程图。

具体实施方式

在如下详细描述中，将参考形成其一部分的附图。在这些附图中，相似的符号通常标识相似的部件，除非上下文另有规定。描述在详细描述、附图和权利要求书中的示例性实施例并不意味着限制。可以不偏离本文展示的主题的精神或范围地利用其他实施例，以及可以作出其他改变。

另外，为了清晰地展示起见，本申请使用了形式上的概括性标题。但是，应该明白，这些概括性标题用于展示的目的，可以在整个申请中讨论不同类型的主题（例如，可以在过程/操作标题下描述设备/结构和/或可以在结构/过程标题下讨论过程/操作；和/或单个话题的描述可以跨越两个或更多个话题标题）。因此，形式上的概括性标题的使用决不是打算限制本发明的范围。

此外，本文所述的主题有时例示了包含在其他不同部件内，或与其他不同部件连接的不同部件。应该明白，这样描绘的架构仅仅是示例性的，事实上，可以实现许多实现相同功能的其他架构。从概念上来讲，实现相同功能的部件的任何安排都是有效“联系”的，使得实现所希望功能。因此，本文组合在一起实现特定功能的任何两个部件可以看作相互“联系”，使得与架构或中间部件无关地实现所希望功能。同样，如此联系的任何两个部件也可以视作实现所希望功能的相互“可操作地连接”，或“可操作地耦合”，以及能够如此联系的任何两个部件也可以视作实现所希望功能的相互“可操作地耦合”。可操作地耦合的特例包括但不限于物理上可配对和/或物理上相互作用部件、可无线相互作用和/或无线相互作用部件、和/或逻辑上相互作用和/或逻辑上可相互作用部件。

在一些情况下，一个或多个部件在本文中可能被称为“配置成”，“可配置成”，“可起......作用/起......作用”，“适用于/可适用于”，“能够”，“可依照/依照”等。本领域的普通技术人员应该认识到，“配置成”，“可配置成”，“可起......作用/起......作用”，“适用于/可适用于”，“能够”，“可依照/依照”等一般可以包含活动状态部件、非活动状态部件和/或等待状态部件，除非上下文另有要求。

示例性电磁流动调节器、系统及方法

通过概述给出以及参照图1A，提供了调节导电流体的流动的示例性电磁流动调节器490。磁导体510像通过附在框架491上那样，被安排在固定相对位置上。磁导体510限定通过电磁流动调节器490的导电流体的流体流动路径141沿着它。磁导体510限定与流体流动路径141实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过。能够携载电流的场生成绕组570可与磁导体510电磁耦合，使得场生成绕组570可在流体入口路径上生成至少一个磁场。

在一些实施例中，流体入口路径可以通过限定在磁导体510中的流动孔520来限定。另外，通过电磁流动调节器490的流体流动路径141可以被限定在磁导体510的内侧。

可以经由电路580（和它的电路分段580a，580b和580c）将来自电源590的电力供应给电磁流动调节器490。在一些实施例中，电源590可以由控制单元610控制。下面将进一步给出电源590和控制单元的示例性细节。

应该懂得，可以如所希望的那样，为各种应用提供电磁流动调节器490的各种实施例。作为非限制性例子，首先讨论可以通过限制导电流体的流动调节导电流体的流动的示例性电磁流动调节器490a。然后讨论可以通过限制导电流体的流动和/或迫使导电流体的流动调节导电流体的流动的另一种示例性电磁流动调节器490b。

应该懂得，电磁流动调节器490a和490b可以如所希望地用于特定应用。因此，本文将针对电磁流动调节器490描述系统级应用和主环境。因此，本文针对系统级应用背景下的电磁流动调节器490，以及主环境也包含电磁流动调节器490a和电磁流动调节器490b。也就是说，本文针对系统级应用背景下的任何电磁流动调节器490，以及主环境也针对电磁流动调节器490a或电磁流动调节器490b，或电磁流动调节器490a和电磁流动调节器490b两者。

仍然通过概述给出以及仍然参照图1A，提供如下信息作为电磁流动调节器490a的一些方面的高级引言。这样，除了上面针对电磁流动调节器490所展示的信息（无需为了理解而重复）之外，也提供如下信息。为此，在电磁流动调节器490a的各种实施例中，将场生成绕组570布置在磁导体510的外侧。在一些实施例中，场生成绕组570可以包括螺旋线圈，以及在一些其他实施例中，场生成绕组570可以包括实质上圆形线圈。在一些实施例中，可以将磁非导体530附在框架491上，并布置在磁导体510的相邻几个之间。在这样的情况下，沿着磁非导体530进一步限定流体流动路径141。

现在通过非限制性例子展示电磁流动调节器490a的示例性实施例。磁导体510像通过附在框架491上那样，被安排在固定相对位置上。磁导体510限定通过电磁流动调节器490的导电流体的流体流动路径141沿着它。磁导体510限定与流体流动路径141实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过。能够携载电流的场生成绕组570可与磁导体510电磁耦合，使得场生成绕组570可在流体入口路径上生成至少一个磁场。

仍然参照图1B以及仍然通过概述给出，在一些实施例中，通过电磁流动调节器490a的流体流动路径141可以进一步被限定在磁导体510的内侧。在一些实施例中，可以将磁非导体530附在框架491上，并布置在磁导体510的相邻几个之间。在这样的情况下，像通过限定在磁非导体530的内侧那样，可以沿着磁非导体530进一步限定通过电磁流动调节器490a的流体流动路径141。在一些实施例中，场生成绕组570可以包括螺旋线圈，以及在一些其他实施例中，场生成绕组570可以包括实质上圆形线圈。

既然已经作了概述，现在描述可以限制导电流体的流动的电磁流动调节器490a的结构和操作。

仍然参照图1B，相邻磁导体510传递流过场生成绕组570的电流600生成的磁场630。磁导体510可以由铸铁、碳素钢、或像坡莫合金Deltamax和Sendus那样的特殊商用合金制成。在一个实施例中，磁导体510可以是直立的，细长的，隔开的，和安排在将电磁流动调节器490a紧密布置到要通过电磁流动调节器49a调节导电流体的流动的设备、系统、主环境等中的大致圆筒状或管状配置中。每个磁导体510可以具有正方形、长方形、平行六面体、圆形、和任何其他适当横截面。

每个相邻磁导体510限定使导电流体流过磁导体510的一个或多个流动孔520。磁导体510用于使磁势集中在导电流体流动路径的内部或附近。应该懂得，流动孔520处在流动路径140的一些部分145中。还应该懂得，通过导电流体的电磁流动调节器490a的内部的流动路径被限定成沿着磁导体510，即，在磁导体510的内侧。应该进一步懂得，通过流动孔520的导电流体的进入流动路径与通过导电流体的电磁流动调节器490a的内部的流动路径实质上正交。

介于磁导体510的相邻磁导体之间的是磁非导体530的相应磁非导体。磁非导体530起限制磁势在导电流体流动路径140的一些部分145外部的区域中的作用。磁导体和磁非导体的适当使用可以有助于对于施加于电磁流动调节器490a的给定电流，使流动路径140的一些部分145上导电流体的区域中导电流体观察到的磁场强度最大。磁非导体530可以由300号不锈钢等制成。应该懂得，通过导电流体的电磁流动调节器490a的内部的流动路径因此也被限定成沿着磁非导体530，即，在磁非导体530的内侧。

应该懂得，流动孔520的数量的选择牵涉到考虑导电流体的流动摩擦阻力和在流动路径140的长度和流动横截面上提供均匀磁场的能力。在一些实施例中，选择多个流动孔520，使得降低磁场要求和使摩擦损失最小。

另外参照图1C和1D，框架491包括基件540和轭状件550。磁导体510和磁非导体530的上下端附在框架491上。磁导体510和磁非导体530的下端附在基件540上。将磁导体510和磁非导体530的下端附在基件540上固定了磁导体510和磁非导体530的下端，使得磁导体510和磁非导体530的下端不能横向移动。因此，随着导电流体流过电磁流动调节器490a，基件540提高了电磁流动调节器490a的振动和结构硬度。更具体地说，可以通过一对定位接头510a和510b将磁导体510和磁非导体530的下端附在基件540上。但是，应该懂得，磁导体510和磁非导体530的下端可以通过焊接或通过任何适当附着手段附在基件540上。

盘形轭状件550固定磁导体510和磁非导体530的上端，使得磁导体510和磁非导体530的上端不能横向移动。因此，随着相对高速导电流体流过电磁流动调节器490a，轭状件550提高了电磁流动调节器490a的振动和结构硬度。轭状件550包括第一部分550a和第二部分550b。第二部分550b与第一部分550a同心地被安排在内部。磁导体510和磁非导体530的上端像通过一对定位接头550c和550d那样适当附在第二部分550b上。但是，应该懂得，磁导体510和磁非导体530的上端可以通过焊接或通过任何适当附着手段附在第二部分550b上。

在一些实施例中，轭状件550可以具有使电磁流动调节器490a与调节流动的设备、系统、主环境等（用30统指）紧密接合的凹部555。介于第一部分550a与第二部分550b之间的是将电磁回路与调节流动的设备、系统、主环境等30隔离的环状绝缘体部分560。绝缘体部分560是电介质（即，不导电物质），可以由阻止电流流动的任何材料制成。关于这一点，绝缘体部分560可以由陶瓷、玻璃、塑料（例如，酚醛塑料）、橡胶，丙烯酸类、聚氨酯等制成。当由磁性材料制成时，基件540和轭状件550的另一个目的是在电磁流动调节器490a的顶部和底部提供磁性密封。

现在参照图1B和1C，在一些实施例中，场生成绕组570（有时称为感应线圈）可以螺旋形地围绕磁导体510和磁非导体530的管状配置。在这样的情况下，螺旋形感应线圈570沿着磁导体510和磁非导体530限定的管状配置螺旋延伸。在一些其他实施例中，感应线圈570无需螺旋形地围绕磁导体510和磁非导体530限定的管状配置。例如，在一些其他实施例中，感应线圈570可以包括分离、隔开感应线圈570。在这样的情况下，每个感应线圈570环绕磁导体510和磁非导体530限定的管状配置。

与场生成绕组570的形式无关，感应线圈570与磁导体510耦合，并介于流动孔520的相应流动孔之间和在流动孔520的相应流动孔附近。感应线圈570的目的是在流动孔520的相应流动孔上或附近生成磁场。感应线圈570可以由像铜、银、铝等那样的任何适当导电材料制成。

此外，感应线圈570可以包括相邻截流叠片或层。另外参照图1E，叠片包括以交替形式并排安排的导体层575a和相邻绝缘体层575b。截流层中的多圈或多层减小了产生给定强度的磁场所需的电流。

参照图1B，电磁流动调节器490a可以与限定电路分段580a的电路580电耦合，电路分段580a具有其与感应线圈570连接的第一端和其与电路分段580b连接的第二端。另外，电路580含有其第一端与电路分段580b连接和其第二端与基件540连接的电路分段580c。在一个实施例中，电源590与电路580电连接，使得将电流供应给感应线圈570。在这个实施例中，电流沿着指向箭头600的方向流动。电源590可以是输出电压可变的直流输出电源。这样可以适用于这个目的的商用电源可以从位于美国科罗拉多州博尔德市（Boulder,ColoradoU.S.A）的Colutron研究公司获得。

控制单元610可以与电源590电连接，使得控制和调节电源590供应的电流。作用在导电流体上的磁力的幅度与电源590的输出电压成正比，使得改变输出电压可以改变磁力的幅度和导电流体的流速。换句话说，提高输出电压可以增大磁场和作用在导电流体上的磁力，降低输出电压可以减小磁场和作用在导电流体上的磁力。

现在参照图1F，感应电场“E”将影响或阻止导电流体到电磁流动调节器490a的已建立流动。导电流体通过磁场的运动导致按照如下方程的感应电场：

E=v×B，方程（1）

其中，

B是磁场矢量（例如，以特斯拉为单位）；

E是感应电场矢量（例如，以伏每米为单位）；

v是导电流体的速度（例如，以米每秒为单位）；

由于流体的导电性，电场E在流体中引起电流密度J。然后，电流密度J产生如下表达式所示反抗导电流体的流动洛伦兹力密度f和总合力F：

f=J×B（洛伦兹力定律）方程（2）

以及

F=f×volume方程（3）

另外参照图1G，1H，1I和1J，从电源590和电路580供应给感应线圈570的电流一般沿着指定箭头600所例示的方向沿着感应线圈570流动。在这种情况下，磁场B一般沿着指定箭头630所例示的方向起作用。箭头630所指的磁场B与通过流体流动路径140的一部分145的导电流体的流动大致垂直地起作用。生成的洛伦兹力F沿着与箭头630所指的磁场B大致垂直的指向箭头640的方向起作用。术语“大致垂直”在本文中被定义成取向在精确垂直的±45°内的意思。应该懂得，感应矢量在垂直安排时达到最大或最小。还应该明白，实际应用可能不允许垂直取向。但是，这样的取向可能仍然导致足以执行本文所述的功能的矢量幅度。随着导电流体试图流过流动孔520，沿着箭头640的方向起作用的洛伦兹力F将阻止或要不然反抗导电流体的流动。换句话说，力F将制动力施加于导电流体。

通过另一个非限制性例子给出，另一种示例性电磁流动调节器490b可以通过限制导电流体的流动和/或迫使导电流体的流动调节导电流体的流动。

通过概述给出以及回头参照图1A，提供如下信息作为电磁流动调节器490b的一些方面的高级引言。这样，除了上面针对电磁流动调节器490所展示的信息（无需为了理解而重复）之外，也提供如下信息。为此，在电磁流动调节器490b的各种实施例中，场生成绕组570包括能够携载电流并布置在磁导体的内侧的导体910a（为了清楚起见在图1A中未示出）、和能够携载电流并布置在磁导体的外侧的导体910b。电磁流动调节器490b可以包括附在框架上并布置在磁导体的相邻几个之间的磁非导体（为了清楚起见在图1A中未示出）。在这样的情况下，沿着磁非导体进一步限定流体流动路径，以及沿着磁非导体进一步限定流体入口路径。

现在通过非限制性例子展示电磁流动调节器490b的示例性实施例。现在参照图1K，1L，1M和1N以及通过概述给出，磁导体510，890像通过附在框架491上那样，被安排在固定相对位置上。磁导体510，890限定导电流体的流体流动路径141沿着它，以及限定限定与流体流动路径实质上正交的导电流体的流体入口路径的流动孔从中通过。场生成绕组910a，910b包括能够携载电流并布置在磁导体510，890的内侧的导体910a、和能够携载电流并布置在磁导体510，890的外侧的导体910b。场生成绕组910a，910b与磁导体510，890电磁耦合，使得场生成绕组910a，910b可在流体入口路径上生成至少一个磁场。下面将展示示例性细节。

框架491包括其下端附在基件540上和其上端附在轭状件550上的壳体875。该壳体包括如下所述的低磁化率的区域880（即，磁非导体530）和高磁化率的区域890（即，磁导体510）。

流动孔520b可以如下被限定成垂直地和圆周地围绕壳体875。每个流动孔520b通过布置在流动孔520b的相对侧、能够传导电流的低磁化率材料，即，磁非导体530的区域880、和高磁化率材料，即，磁导体510的区域890形成。

介于区域880和890之间的是绝缘分段900的相应几个。因此，区域880和890和绝缘分段900与流动孔520b连通。

场生成绕组由携载电流导线910a和910b组成。携载电流导线910a沿着壳体875的内部纵向延伸。携载电流导线910b与携载电流导线910a连成整体，沿着壳体875的外部纵向延伸。电路580的电路分段580a与携载电流导线910a电连接，电路580的电路分段580c与携载电流导线910b电连接。这种配置导致磁场B是水平的而携载电流导线910a和910b是垂直的。跨过流动孔520b沿着垂直方向建立起电场E。

可以将薄叠片或绝缘层895放置在低磁化率材料880和高磁化率材料890的圆周内外表面上，使得有助于防止电流泄漏到围绕流动调节器490b的材料或区域中。

可以使电流I或电场E反向，以迫使或限制通过流动孔520b的导电流体的移动。截流导线910a（布置在壳体875的内部）产生向下流动电流，截流导线910b（布置在壳体875的外部）产生向上流动电流。截流导线910a和910b的这样安排使得形成不会阻塞流动孔520b的连续磁场B。

虽然方程（2）中的电流密度J在缺乏外部驱动力的情况下沿着与导电流体的流动相反的方向生成（像在流动调节器490a中那样），但在流动调节器490b中施加外部驱动力可以沿着任一个增加或减小J。然后可以将方程（2）中的合力密度f，因此同样地合力F驱向有助于或反抗流动的方向。

应该懂得，电磁流动调节器490a和490b（以及它们的部件）的取向如由具体应用决定，可以是垂直的（如本文所述和所示）或水平的。因此，术语“水平”和“垂直”在上面只用于说明本文给出的非限制示例性例子。在一些应用中，电磁流动调节器490a和490b的取向可以与本文所述和所例示的非限制性取向垂直。因此，应该懂得，如由在具体应用中所需的取向决定，术语“水平”和“垂直”可以相互交换。

回头参照图1A，应该懂得，电磁调节导电流体的流动的一种系统可以包括像电源590那样电力的电源、和电磁流动调节器490。电磁调节导电流体的流动的另一种系统可以包括像电源590那样电力的电源、和电磁流动调节器490a。类似地，电磁调节导电流体的流动的另一种系统可以包括像电源590那样电力的电源、和电磁流动调节器490b。如果需要的话，上述系统的任何一种也可以包括像控制单元610那样的控制器。电源590、控制单元610、和电磁流动调节器490，490a和490b上面都已经讨论过。无需为了理解而重复它们的结构和操作的详细。

既然上面已经针对电磁流动调节器490，490a和490b的结构和操作展示了示例性细节，下面将展示电磁调节导电流体的流动的各种方法。

现在参照图2A，所提供的是调节导电流体的流动的示例性方法2000。该方法2000从方框2002开始。在方框2004中使导电流体流过通过电磁流动调节器的多个磁导体限定的流体入口路径。在方框2006中生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力。在方框2008中使导电流体沿着流体流动路径流动，该流体流动路径流动沿着多个磁导体限定并且与流体入口路径实质上正交。在方框2010中结束该方法2000。

另外参照图2B，在一个实施例中，在方框2006中生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力可以包括在方框2012中生成阻止导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力。例如以及另外参照图2C，在方框2012中生成阻止导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力可以包括在方框2014中通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

现在参照图2A和2D，在另一个实施例中，在方框2006中生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力可以包括在方框2016中生成迫使导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力。例如，以及另外参照图2E，在方框2016中生成迫使导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力可以包括在方框2018中通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体在流体入口路径上生成至少一个磁场。

现在参照图2F，所提供的是调节导电流体的流动的示例性方法2100。应该懂得，方法2100通过限制导电流体的流动调节导电流体的流动。

该方法2100从方框2102开始。在方框2104中使导电流体流过通过电磁流动调节器中的多个磁导体限定的多个流动孔。在方框2106中生成阻止导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力。在方框2108中使导电流体沿着流体流动路径流动，该流体流动路径沿着多个磁导体限定并且与多个流动孔实质上正交。在方框2110中结束该方法2100。

另外参照图2G，在方框2106中生成阻止导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力可以包括在方框2112中通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场。

现在参照图2H，所提供的是调节导电流体的流动的示例性方法2200。应该懂得，方法2200通过迫使导电流体的流动调节导电流体的流动。

该方法2200从方框2202开始。在方框2204中使导电流体流过通过多个磁导体限定的多个流动孔。在方框2206中生成迫使导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力。在方框2208中使导电流体沿着流体流动路径流动，该流体流动路径沿着多个磁导体限定并且与多个流动孔实质上正交。在方框2210中结束该方法2200。

另外参照图2I，在方框2206中生成迫使导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力可以包括在方框2212中通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在多个流动孔上生成至少一个磁场。

现在参照图3A，所提供的是制造调节导电流体的流动的电磁流动调节器的示例性方法。该方法3000从方框3002开始。在方框3004中通过多个磁导体限定导电流体的流体入口路径。在方框3006中将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径。在方框3008中布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

另外参照图3B，在方框3006中将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径可以包括在方框3012中将多个磁导体附在框架上，使得在多个磁导体的内侧和沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径。

现在参照图3A和3C，在一些实施例中，在方框3008中布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场可以包括在方框3014中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。应该懂得，执行方框3014是为了制造可以通过限制导电流体的流动调节导电流体的流动的电磁流动调节器的实施例。

例如以及参照图3D，在一些实施例中，在方框3014中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场可以包括在方框3016中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的螺旋线圈，该螺旋线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得该螺旋线圈可在流体入口路径上生成至少一个磁场。

作为另一个例子以及现在参照图3E，在方框3014中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场可以包括在方框3018中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的多个实质上圆形线圈，该多个实质上圆形线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得该多个实质上圆形线圈可在流体入口路径上生成至少一个磁场。

现在参照图3A和3F，在一些实施例中，在方框3020中可以将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。另外参照图3G，在一些实施例中，在方框3020中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间可以包括在方框3022中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间并且使得进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

现在参照图3A和3H，在一些实施例中，在方框3008中布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场可以包括在方框3024中在多个磁导体的内侧布置第一多个导体和在多个磁导体的外侧布置第二多个导体，该第一和第二多个导体可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该第一和第二多个导体在流体入口路径上生成至少一个磁场。应该懂得，执行方框3024是为了制造可以通过限制导电流体的流动调节导电流体的流动的电磁流动调节器的实施例。

另外参照图3I，在一些实施例中，在方框3026中可以将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。例如，另外参照图3J，在一些实施例中，在方框3026中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间可以包括在方框3028中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间并且使得进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。另外参照图3K，在方框3030中可以进一步限定流体入口路径通过多个磁非导体。

现在参照图3L，所提供的是制造调节导电流体的流动的电磁流动调节器的方法3100。应该懂得，执行方法3100是为了制造可以通过限制导电流体的流动调节导电流体的流动的电磁流动调节器的实施例。

该方法3100从方框3102开始。在方框3104中通过多个磁导体限定多个流动孔，多个流动孔限定导电流体的流体入口路径。在方框3106中将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径。在方框3108中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场。在方框3110中结束该方法3100。

另外参照图3M，在方框3106中将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径可以包括在方框3112中将多个磁导体附在框架上，使得在多个磁导体的内侧和沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径。

参照图3L和3N，在方框3114中可以将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。

参照图3L和3O，在一些实施例中，在方框3108中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场可以包括在方框3116中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的螺旋线圈，该螺旋线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该螺旋线圈在多个流动孔上生成至少一个磁场。

参照图3L和3P，在一些其他实施例中，在方框3108中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场可以包括在方框3118中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的多个实质上圆形线圈，该多个实质上圆形线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得该多个实质上圆形线圈可在多个流动孔上生成至少一个磁场。

现在参照图3Q，所提供的是制造调节导电流体的流动的电磁流动调节器的方法3200。应该懂得，执行方法3200是为了制造可以通过迫使导电流体的流动调节导电流体的流动的电磁流动调节器的实施例。

该方法3200从方框3202开始。在方框3204中通过多个磁导体限定多个流动孔，多个流动孔限定导电流体的流体入口路径。在方框3206中将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径。在方框3208中在多个磁导体的内侧布置第一多个导体和在多个磁导体的外侧布置第二多个导体，该第一和第二多个导体可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该第一和第二多个导体在多个流动孔上生成至少一个磁场。在方框3210中结束该方法3200。

另外参照图3R，在一些实施例中，在方框3212中可以将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。例如以及另外参照图3S，在方框3212中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间可以包括在方框3214中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间并且使得进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

另外参照图3T，在方框3216中可以进一步限定多个流动孔通过多个磁非导体。

示例性主环境

应该懂得，电磁流动调节器490的实施例可以用在希望电磁调节导电流体的流动的任何主环境中。只通过例子给出而非限制地，磁流动调节器490的实施例可以用于：调节初级金属产业中的熔融金属（例如，锌、铅、铝、铁和镁）的流动；迅速开始和停止将熔融金属注入壳体的模具中；调节液态金属冷却剂到计算机芯片的流动；以及调整电弧焊接期间熔融填充焊丝的释放速率等。

通过另一个非限制性例子给出，电磁流动调节器490的实施例可以用在核裂变反应堆中调节导电反应堆冷却剂的流动。下面将讨论与电磁调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动有关的示例性例子。

应该懂得，如上面所讨论，电磁流动调节器490的实施例可以用在希望电磁调节导电流体的流动的任何主环境中。为了简洁起见，对主环境的讨论将局限于核裂变反应堆。但是，既无意也不应该推断可应用主环境只局限于核裂变反应堆。

在如下讨论中针对电磁流动调节器490，以及附图例示了电磁流动调节器490。应该懂得，这样针对和例示电磁流动调节器490有意包括电磁流动调节器490a和490b。但是，为了简洁起见，只针对和例示电磁流动调节器490。

示例性核裂变反应堆、系统和方法

下面通过非限制性例子讨论示例性核裂变反应堆、调节导电反应堆冷却剂的流动的系统、和调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的方法。下面将只通过例示而非限制地讨论这些例子。

可能希望利用一个或多个电磁流动调节器490调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动。众所周知，当可裂变核素释放中子时，在核裂变反应堆中产生热量。这种现象被用在商业核裂变反应堆中产生又用于发电的连续热量。

但是，由于又由于反应堆堆芯中的不均匀中子通量分布而出现的“峰值”温度（即，热通道峰值因子），可能会增加对一些反应堆结构材料造成热损伤的可能性。这种峰值温度又由不均匀控制棒/燃料棒分布引起。如果峰值温度超过材料极限，就可能发生热损伤。

另外，工作在快中子谱中的反应堆可以被设计成含有存在于堆芯外围上的可转换燃料“再生毯”材料。这样的反应堆往往通过中子吸收使燃料再生成再生毯材料。随着反应堆接近燃料循环结束，这导致了在反应堆外围中输出的功率增大。

可以在反应堆燃料循环开始时形成冷却剂通过外围组件的流动，以保持安全的工作温度和补偿在燃料循环期间随着燃耗增加出现的功率增大。通常，这要求在燃料循环开始时比所需多地使用过量冷却剂抽运功率。

另外，在行波核裂变反应堆的情况下，核裂变模块（或组件）的产热速率可能与核裂变模块与与运行行波核裂变反应堆的核裂变爆燃波的接近度有关地变化。

由于燃料燃耗，可能产生反应性变化（即，反应堆的响应性的变化）。燃耗通常被定义成单位质量燃料生成的能量，通常以兆瓦天每公吨重金属（MWd/MTHM）或吉瓦天每公吨重金属（GWd/MTHM）为单位表达。更具体地说，反应性变化与反应堆产生比维持临界链式反应所需的准确量多或少的中子的相对能力有关。反应堆的响应性通常被表征成使反应堆以指数形式增加或减小功率的反应性变化的时间导数，其中时间常数被称为反应堆周期。

关于这一点，由中子吸收材料制成的控制棒通常用于调整和控制变化的反应性。使这样的控制棒进入反应堆堆芯中和从反应堆堆芯出来地作往复运动，可变地控制中子吸收，因此反应堆堆芯中的中子通量水平和反应性。中子通量水平在反射棒附近被压低，在远离控制棒的区域中可能较高。因此，中子通量跨过反应堆堆芯不是均匀的。这导致在中子通量较高的那些区域中燃料燃耗较高。

应该懂得，中子通量和功率密度变化由许多因素引起。与控制棒的接近度可能是也可能不是首要因素。例如，当附近没有控制棒时，中子通量通常在堆芯边界上显著下降。这种效应又可能使中子通量较高的那些区域过热或具有峰值温度。这样的峰值温度可能通过改变结构的机械性质非所希望地缩短经受这样峰值温度的结构的工作寿命。此外，与中子通量和裂变宏观横截面的乘积成正比的反应堆功率密度可能受堆芯结构材料没有损坏地承受这样峰值温度的能力限制。

调节进入单个核裂变燃料组件（本文有时也称为核裂变模块）的反应堆冷却剂的流动可以有助于如希望地调适反应堆冷却剂的流动，以有助于实现跨过反应堆堆芯的更均匀温度分布和/或功率密度分布。跨过反应堆堆芯的更均匀温度分布和/或功率密度分布可以有助于降低对一些反应堆结构材料造成热损伤的可能性。在反应堆冷却剂是导电流体的情况下，电磁流动调节器490可以用于帮助调节导电反应堆冷却剂的流动。下面将只通过例示而非限制地讨论一些示例性细节。

现在参照图4A，只举例来说而非限制地，核裂变反应堆系统10包括导电反应堆冷却剂。核裂变反应堆系统10包括至少一个电磁流动调节器490（为了清楚起见在图4A中未示出）以帮助调节导电反应堆冷却剂的流动。如下文更详细所述，核裂变反应堆系统10可以是“行波”核裂变反应堆系统。

通过简要概述给出，在一些实施例中，反应堆系统10发出在传输线（未示出）上传输给电力用户的电力。在一些其他实施例中，反应堆系统10可以用于进行像确定温度对反应堆材料的影响的测试那样的测试。

参照图4A和4B，反应堆系统10包括核裂变反应堆堆芯20，核裂变反应堆堆芯20包括核裂变燃料组件，或也如本文所称，核裂变模块30。核裂变反应堆堆芯20被密封地存放在反应堆堆芯外壳40内。只举例来说而非限制地，每个核裂变模块30可以如图所示，在横截面中形成六边形结构，使得可以将更多的核裂变模块30一起紧密填充在反应堆堆芯20内（与像圆柱形或球形那样，核裂变模块30的其他形状相比）。每个核裂变模块30包括由于核裂变链式反应过程产生热量的燃料棒50。

如果需要的话，可以用燃料棒筒60包围燃料棒50，以增加核裂变模块30的结构硬度，以及当将核裂变模块30布置在核裂变反应堆堆芯20中时，将核裂变模块30相互隔离。将核裂变模块30相互隔离避免了相邻核裂变模块30之间的冷却剂横向交叉流动。避免冷却剂横向交叉流动防止了核裂变模块30的横向振动。这样的横向振动要不然可能增加损害燃料棒50的风险。

另外，将核裂变模块30相互隔离使得如下文更全面所述，可以逐个模块地控制冷却剂流动。控制到各个核裂变反应堆30的冷却剂流动像通过按照反应堆堆芯20中的非均匀温度分布大致上引导冷却剂流动那样，有效地管理反应堆堆芯20内的冷却剂流动。换句话说，可以将更多冷却剂引向具有较高温度的那些核裂变模块30。

在一些示例性实施例中，以及通过例示给出而非限制地，在正常运行期间，在示例性钠冷却反应堆的情况下，冷却剂可以具有近似5.5m³/s（即，近似194ft³/s）的平均体流速和近似2.3m/s（即，近似7.55ft/s）的平均标称速度。燃料棒50彼此相邻，在其间限定使冷却剂沿着燃料棒50的外部流动的冷却剂流动通道80（参见图4C）。筒体60可以包括支持燃料棒50和将燃料棒50绑在一起的器件。因此，将燃料棒50捆绑在筒体60内，使得形成六边形核裂变模块30。尽管燃料棒50彼此相邻，但通过以蛇形方式沿着每根燃料棒50的长度螺旋形地围绕和延伸的绕接件90（参见图5B）以隔开关系保持燃料棒50。

燃料棒50包括核燃料材料。一些燃料棒50包括非限制性地像铀-233、铀-235或钚-239那样的可裂变核素。一些燃料棒50可以包括在变成可裂变核素的裂变过程中可以经由中子俘获嬗变、非限制性地像钍-232和/或铀-238的可转换核素。在一些实施例中，一些燃料棒50可以包括可裂变核素和可变换核素的预定混合物。

回送参照图4A，将反应堆堆芯20布置在反应器压力容器120内，以防止放射性材料、气体或液体从反应堆堆芯20泄漏到周围生物圈中。压力容器120可以由适当尺寸和厚度的钢材或其他材料制成，以降低这样放射性泄漏的风险和支持所需压力负载。另外，在一些实施例中，安全壳（未示出）可以密封地包围反应堆系统10的一些部分，使得进一步降低放射性颗粒、气体或液体从反应堆堆芯20泄漏到周围生物圈的可能性。

将一次回路冷却剂管130与反应堆堆芯20耦合，使适当冷却剂流过反应堆堆芯20，使得冷却反应堆堆芯20。一次回路冷却剂管130可以由像不锈钢那样的任何适当材料制成。应该懂得，如果需要的话，一次回路冷却剂管130不仅可以由铁基合金制成，而且可以有色合金、锆基合金或其他适当结构材料或复合材料制成。

如上面所讨论，一次回路冷却剂管130携载的冷却剂是在本文中被定义成具有有助于电流通过的任何流体的含义的导电流体，例如，在一些实施例中，导电流体可以是非限制性地像钠、钾、锂、铅以及它们的混合物那样的液态金属。例如，在一个示例性实施例中，冷却剂适当地可以是液态钠（Na）金属或像钠-钾（Na-K）那样的钠金属混合物。在一些其他实施例中，冷却剂可以是像铅-铋（Pb-Bi）那样的金属合金。在一些其他实施例中，导电流体可以是通过像矿物油等那样的分散剂分散在载体液中的导电金属颗粒。

取决于特定反应堆堆芯设计和运行历史，钠冷却反应堆堆芯的正常工作温度可以相对较高。例如，在500到1,500MWe钠冷却反应堆以及混合铀-钚氧化物燃料的情况下，在正常运行期间反应堆堆芯出口温度可能从近似摄氏510°（即，华氏950°）到近似摄氏550°（即，华氏1,020°）的范围。另一方面，在LOCA（冷却剂丧失事故）或LOFTA（流动瞬时丧失事故）期间，取决于特定反应堆堆芯设计和运行历史，燃料包壳峰值温度可能达到大约摄氏600°（即，华氏1,110°）或更高。此外，在LOCA后或LOFTA后情形期间以及在反应堆运行中止期间堆积的衰变热也可能产生不可接受的热量积累。因此，在一些情况下，在正常运行和事故后两种情形期间控制到反应堆堆芯20的流动是合适的。

如上简述，反应堆堆芯20中的温度分布作为位置的函数而变化。关于这一点，反应堆堆芯20中的温度分布可能紧跟反应堆堆芯20中的功率密度空间分布。应该懂得，反应堆堆芯20的中心附近的功率密度一般高于反应堆堆芯20的外围附近的功率密度—尤其，在存在围绕反应堆堆芯20的外围的适当中子反射层或中子再生“毯”的情况下。因此，可以预料，在反应堆堆芯20的外围附近的核裂变模块30的冷却剂流动参数将小于反应堆堆芯20的中心附近的核裂变模块30的冷却剂流动参数，尤其在堆芯寿命的开头。

因此，在这种情况下，不必要对每个核裂变模块30提供相同或均匀冷却剂质量流速。如下文详述，提供电磁流动调节器490是为了取决于核裂变模块30在反应堆堆芯20中的位置和/或取决于所希望的反应堆运行参数改变到各个核裂变模块30的冷却剂流动。

仍然参照图4A以及作为简要概述，带热冷却剂沿着冷却剂流线或流动路径140流动到中间热交换器150和进入与中间热交换器150相关联的腔体160中。在流入腔体160之后，冷却剂继续通过一次回路管130。离开腔体160的冷却剂由于发生在中间热交换器150中的热转移而冷却。将泵170与一次回路管130耦合并与反应堆冷却剂流体连通。泵170抽运反应堆冷却剂使其通过一次回路管130，通过反应堆堆芯20，沿着冷却剂流动路径140，进入中间热交换器150中，以及进入腔体160中。

有关电磁流动调节器490的耦合的细节将在后面讨论。一般说来，在电磁流动调节器490被配置成电磁流动调节器490a的实施例中，电磁流动调节器490a能够限制来自泵170的导电反应堆冷却剂的流动。电磁流动调节器40a可以形成传统上使用节流形成的全部或部分压降。电磁流动调节器490a的使用可以有助于降低，或在一些情况下，可以有助于消除压降对节流的依赖性。

在电磁流动调节器490被配置成电磁流动调节器490b的其他实施例中，电磁流动调节器490b可以有助于建立，加速，或维持导电反应堆冷却剂的流速，或可以用于限制导电反应堆冷却剂的流动。

因此，应该懂得，电磁流动调节器490可以配置成电磁流动调节器490a使得限制导电反应堆冷却剂从泵170到各个核裂变模块30的流动，或可以配置成电磁流动调节器490b使得可控制地补充或限制导电反应堆冷却剂从泵170到各个核裂变模块30的流动。

在一些实施例中，电磁流动调节器490b可以被配置成提供泵170建立的全部或部分流动。关于这一点，泵170和电磁流动调节器490b可以同时或分别工作，以提供和调节冷却剂到反应堆堆芯20和各自核裂变模块30的流动。

仍然参照图4A，配备二次回路管180使得从中间热交换器150中除去热量。二次回路管180包括二次“热”支管分段190和二次“冷”支管分段200。二次冷支管分段200与二次热支管分段190形成整体，使得形成闭合回路。二次回路管180包含适当地可以是液态钠或液态钠混合物的流体。二次热支管分段190从中间热交换器150延伸到蒸汽发生器210。在一些实施例中，蒸汽发生器210可以配置成蒸汽发生器和过热器组合。

在通过蒸汽发生器210之后，流过二次回路管180和从蒸汽发生器210出来的冷却剂由于发生在蒸汽发生器210中的热转移而处在比进入蒸汽发生器210之前低的温度和热焓上。在通过蒸汽发生器210之后，冷却剂被泵220抽运，沿着延伸到中间热交换器150的“冷”支管分段200。将热量从冷却剂流动路径140转移到二次回路管180。

布置在蒸汽发生器210中的水体230具有预定温度和压强。流过二次热支管分段190的流体将它的热量转移给处在比流过二次热支管分段190的流体低的温度上的水体230。随着流过二次热支管分段190的流体将它的热量转移给水体230，水体230的一部分将在蒸汽发生器210内按照预定温度和压强蒸发成蒸汽240。然后，蒸汽240穿过其一端与蒸汽240蒸气连通和另一端与水体230液体连通的蒸汽管线250。将可旋转涡轮机260与蒸汽管线250耦合，使得涡轮机260随着蒸汽240从中通过而旋转。像通过可旋转涡轮机主轴280那样与涡轮机260耦合的发电机270随着涡轮机260旋转而发电。另外，冷凝器290与蒸汽管线250耦合，接收通过涡轮机260的蒸汽。冷凝器290将蒸汽240冷凝成液态水，并将任何废热传递给与冷凝器290相关联、像冷却塔等那样的散热器300。冷凝器290冷凝的液态水被介于冷凝器290与蒸汽发生器210之间的泵310沿着蒸汽管线256从冷凝器290抽运到蒸汽发生器210。

应该懂得，上面讨论的反应堆系统通过非限制性例子给出。反应堆系统10及其细节是通过例示而非限制地加以说明的。

应该懂得，如果需要的话，可以以任何配置将核裂变模块30安排在反应堆堆芯20内。例如，在各种实施例中，可以将核裂变模块30安排成限定六边形状配置、圆柱形状配置、平行六面体状配置等。

参照图4C，与为反应堆堆芯20选择的配置无关，将隔离、纵向延伸和可纵向移动控制棒360的每一根布置在控制棒导管或包壳（未示出）内。控制棒360被对称地布置在所选核裂变模块30内，沿着预定个核裂变模块30的长度延伸。被显示成布置在预定个核裂变模块30中的控制棒360控制发生在核裂变模块30内的中子裂变反应。换句话说，控制棒360包括具有可接受大中子俘获或吸收截面的适当中子吸收材料。关于这一点，吸收材料可以是非限制性地像锂、银、铟、镉、硼、钴、铪、镝、钆、钐、铒、铕和它们的混合物那样的金属或准金属，或非限制性地像银-铟-镉、碳化硼、二硼化锆、二硼化钛、二硼化铪、钛酸钆、钛酸镝和它们的混合物那样的化合物或合金。

控制棒360可控制地向反应堆堆芯20提供负反应性。控制棒360向反应堆堆芯20提供反应性管理能力。换句话说，控制棒360能够控制跨过反应堆堆芯20的中子通量分布，因此影响跨过反应堆堆芯20的温度分布。

参照图4D和4E，在一些实施例中，核裂变模块30无需是中子活性的。换句话说，核裂变模块30无需包含任何可裂变材料。在这种情况下，核裂变模块30可以是纯可变换组件或纯反射组件或两者的组合体。关于这一点，核裂变模块30可以是包括包含核再生材料的再生棒370（图4D）的再生核裂变模块或包括包含核反射材料的反射棒380（图4E）的反射核裂变模块。

在一些其他实施例中，核裂变模块30可以与再生棒370（图4D）或反射棒380（图4E）组合地包含燃料棒50。

因此，应该懂得，核裂变模块30可以包括核燃料棒50、控制棒360、再生棒370、和反射棒380的任何适当组合。

与在核裂变模块30中是否包括燃料棒50无关，再生棒370中的可转换核再生材料可以非限制性地包括钍-232和/或铀-238。此外，与在核裂变模块30中是否包括燃料棒50无关，反射材料可以包括非限制性地像铍（Be）、钨（W）、钒（V）、贫化铀或天然铀（U）、钍（Th）、铅合金以及它们的混合物那样的材料。

现在参照图4F，与为核裂变反应堆堆芯20选择的配置无关，核裂变反应堆堆芯20可以配置成行波核裂变反应堆堆芯。关于这一点，使可以包括非限制性地像U-233、U-235或Pu-239那样的核裂变材料的同位素富集的核裂变点火器400适当地处在反应堆堆芯20内的任何所希望位置中。只举例来说而非限制地，在如图所示的平行六面体配置中，点火器400可以处在与反应堆堆芯20的第二端355相对的第一端350附近。点火器400释放出中子。点火器400释放的中子被核裂变模块30内的可裂变和/或可转换材料俘获，引发裂变链式反应。如果需要的话，一旦裂变链式反应变成自持的，就可以除去点火器400。

点火器400引发具有宽度“x”的三维行波410（有时称为传播波或燃烧波）。当点火器400释放它的中子引起“点火”时，燃烧波410从点火器400向反应堆堆芯20的第二端355向外行进，使得形成行进或传播燃烧波40。因此，每个核裂变模块30随着燃烧波410通过反应堆堆芯20传播至少接受行进燃烧波410的一部分。

行进燃烧波410的速度可以是恒定的或不恒定的。因此，可以控制燃烧波410传播的速度。例如，以预定或编程方式纵向移动控制棒360（为了清楚起见在图4F中未示出）可以向下驱动或降低布置在核裂变模块30中的燃料棒50（为了清楚起见在图4F中未示出）的中子反应性。这样，可以相对于在燃烧波410前头的“未燃烧”燃料棒50的中子反应性向下驱动或降低当前正在燃烧波410的位置上燃烧的燃料棒50的中子反应性。

这个结果给出了箭头420所指的燃烧波传播方向。以这种方式控制反应性提高了受反应堆堆芯20的运行约束支配的燃烧波410的传播速率。例如，提高燃烧波410的传播速率可以有助于将燃耗控制在传播所需的最小值以上和部分通过反应堆堆芯结构材料的中子注量限制设置的最大值以下。对行波传播的这种控制描述在如下专利文献中：2009年4月6日提交、发明人为CHARLESE.AHLFELD、JOHNROGERSGILLELAND、RODERICKA.HYDE、MURIELY.ISHIKAWA、DAVIDG.MCALEES、NATHANP.MYHRVOLD、CHARLESWHITMER、LOWELLL.WOOD,JR.和GEORGEB.ZIMMERMAN、和发明名称为“TRAVELINGWAVENUCLEARFISSIONREACTOR,FUELASSEMBLY,ANDMETHODOFCONTROLLINGBURNUPTHEREIN（行波核裂变反应堆、燃烧组件以及控制其中的燃耗的方法）”的美国专利申请第12/384,669号，特此通过引用并入其全部内容。

在如下专利文献中更详细地公开了行波核裂变反应堆的基本原理：2006年11月28日提交、发明人为RODERICKA.HYDE、MURIELY.ISHIKAWA、NATHANP.MYHRVOLD和LOWELLL.WOOD,JR.、和发明名称为“NUCLEARPOWERREACTORFORLONG-TERMOPERATION（长期运行的核电反应堆）”的美国专利申请第11/605,943号，特此通过引用并入其全部内容。

现在参照图5A和5B，将每个核裂变模块30安装在水平延伸反应堆堆芯下支撑板430上。只示出三个相邻核裂变模块30，但应该懂得，在反应堆堆芯20中可以存在更多或更少个核裂变模块30。反应堆堆芯下支撑板430适当地跨过所有核裂变模块30的底部延伸。

反应堆堆芯下支撑板430具有从中通过的埋头孔440。埋头孔440具有使冷却剂流入的开端450。可以跨过所有核裂变模块30的顶部或出口部分水平延伸和可移动地与所有核裂变模块30连接的是盖住所有核裂变模块30的反应堆堆芯上支撑板460。反应堆堆芯上支撑板460也可以限定使冷却剂从中流过的流动槽470。

如上面所讨论，最好是与为反应堆堆芯20选择的配置无关地控制反应堆堆芯20和核裂变模块30的温度。例如，如果峰值温度超过材料极限，对反应堆堆芯结构材料选成热损伤的可能性就可能增大。这样的峰值温度可能通过改变结构的机械性质，尤其与热蠕变有关的那些性质非所希望地缩短经受这样峰值温度的结构的工作寿命。此外，反应堆功率密度部分受堆芯结构材料没有损坏地承受高峰值温度的能力限制。此外，控制反应堆堆芯温度对于成功进行像确定温度对反应堆材料的影响的测试那样的测试可能是重要的。

另外，布置在反应堆堆芯20的中心上或附近的核裂变模块30可能产生比布置在反应堆堆芯20的外围上或附近的核裂变模块30多的热量。因此，跨过反应堆堆芯20不足以供应均匀冷却剂质量流速，因为在反应堆堆芯20的中心附近的较高热通量核裂变模块30将牵涉到比在反应堆堆芯20的外围附近的核裂变模块30高的冷却剂质量流速，尤其在堆芯寿命的开头。

现在参照图4A，5A和5B，一次回路管130沿着指向流动箭头140所指的冷却剂流动路径或流线将反应堆冷却剂输送到核裂变模块30。然后，一次冷却剂继续沿着冷却剂流动路径140和通过在堆芯下支撑板430中形成的开端450。堆芯下支撑板430也可以形成堆芯入口流动腔室的一部分。如下文更详细所述，反应堆冷却剂可以用于从像在行波核裂变模块堆芯内的行进燃烧波410（在图4A，5A或5B中未示出）的位置上或附近布置在行波核裂变反应堆堆芯中的核裂变模块30那样，核裂变模块30的所选几个中除去热量或冷却它们。换句话说，在一些情况下，如下面更详细所述，可以至少部分根据是否在核裂变模块30内，在核裂变模块30附近或在相对于核裂变模块30的位置上找到，检测到或要不然布置了燃烧波410选择核裂变模块30。

另外参照图4F，为了调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块30的所选一个的流动，将电磁流动调节器490和相关控制系统与至少一个核裂变模块30耦合。再次强调一下，尽管该讨论和例示是针对电磁流动调节器490的，但除非另外特别指出，该讨论和例示有意包含电磁流动调节器490a和490b。在一些实施例中，电磁流动调节器490可以与核裂变模块30连成整体。在一些其他实施例中，电磁流动调节器490可以与下支撑板430连接。

在一些实施例中，电磁流动调节器490适用于当在核裂变模块30内或在相对于核裂变模块30的位置上存在较少量燃烧波410（即，较低强度的燃烧波410）时，将相应较少量冷却剂供应给核裂变模块30。另一方面，在一些实施例中，电磁流动调节器490适用于当在核裂变模块30内或至少在相对于核裂变模块30的位置上存在较大量燃烧波410（即，较高强度的燃烧波410）时，将相应较大量冷却剂供应给核裂变模块30。燃烧波410的存在和强度可以通过非限制性地像如下那样的一个或多个适当参数来识别：核裂变模块30内或与核裂变模块30有关的温度；核裂变模块30内或与核裂变模块30有关的中子通量；核裂变模块30内或与核裂变模块30有关的中子注量；核裂变模块30内的功率水平；核裂变模块30内的特征同位素；核裂变模块30内的压强；核裂变模块30内的导电流体的流速；核裂变模块30内的产热速率；燃烧波410的宽度“x”；和/或与核裂变模块30相关联的其他适当运行参数。

另外参照图5C，在一些实施例中，电磁流动调节器490可以适用于响应于核裂变模块30相关联的运行参数地工作。在这样的实施例中，电磁流动调节器490不仅响应燃烧波410相对于核裂变模块30的位置地控制冷却剂的流动，电磁流动调节器490而且响应于反应堆堆芯20和核裂变模块30相关联的某些运行参数地控制冷却剂的流动。关于这一点，可以将至少一个传感器500布置在核裂变模块30内或附近以感测运行参数的状态。

例如，传感器500感测的运行参数可以是与核裂变模块30相关联的当前温度。为了感测温度，传感器500可以是可从位于美国乔治亚州阿法乐特市（Alpharetta,GeorgiaU.S.A）的Thermocoax公司获得的热电偶器件或温度传感器。

作为另一个例子，传感器500感测的运行参数可以是核裂变模块30中的中子通量。为了感测中子通量，传感器500可以是像可以从英国萨里Centronic大厦（CentronicHouse,Surrey,England）获得那样的“PN9EB20/25”中子通量正比计数探测器等。

作为另一个例子，传感器500感测的运行参数可以是核裂变模块30中的特征同位素。该特征同位素可以是裂变产物、活化同位素、通过再生产生的嬗变产物或其他特征同位素。

作为另一个例子，传感器500感测的运行参数可以是核裂变模块30中的中子注量。众所周知，中子注量被定义成在某个时段上积分的中子通量，代表在那个时段内通过的单个面积的中子数。

作为另一个例子，传感器500感测的运行参数可以是裂变模块压强。在一些实施例中，感测的裂变模块压强可以是动态流体压强。通过例示而非限制地通过限制性例子给出，裂变模块压强可以是在正常工作期间对于示例性钠冷却反应堆近似10巴（即，近似145psi），或对于示例性加压“轻”水冷却反应堆近似138巴（即，近似2000psi）的动态流体压强。

在一些其他实施例中，传感器500感测的裂变模块压强可以是静态流体压强或裂变产物压强。为了感测动态或静态流体压强，传感器500可以是可以从位于美国科罗拉多州科罗拉多斯普林斯市（ColoradoSprings,ColoradoU.S.A）的卡曼测量系统公司获得的定制设计压强传感器。

作为另一个例子，传感器500感测的运行参数可以是核裂变模块30内的导电流体的流速。在这样的实施例中，传感器500可以是可从位于美国佛蒙特州威利斯顿市（Williston,VermontU.S.A）的仪器公司获得、像“BLANCETT1100涡轮流速计”那样的适当流速计。

应该懂得，压强或质量流传感器除了处在核裂变模块30内或附近之外，还像在一次回路冷却剂管130或二次回路冷却剂管180中那样，处在整个运行核反应堆系统中。这样的传感器用于检测整个冷却剂系统内的流动状况。

另外，传感器500要感测的运行参数可以通过适当基于计算机算法（未示出）来确定。

在一些实施例中，运行参数可以通过操作员发起的动作来选择。在这样的实施例中，电磁流动调节器490能够响应操作人员确定的任何适当运行参数地得到修改。

在一些其他实施例中，电磁流动调节器490能够响应通过适当反馈控制系统选择的运行参数地得到修改。例如，在这样的实施例中，这样的反馈控制系统可以感测温度的变化，以及响应温度变化敏感功率分布地修改冷却剂流动。这样的控制可以借助于在感测仪器与电磁流动调节器控制系统之间建立的适当反馈控制自主进行。

在一些其他实施例中，电磁流动调节器490能够响应自动控制系统确定的运行参数地得到修改。作为一个例子，在这样的实施例中，可以将电磁流动调节修改成在像厂外电力丧失等那样的事故情形引起的堆芯关闭事件期间向核裂变模块30提供无阻碍流动。这样，可以以无源方式经由自动控制系统建立自然循环流动的条件，尤其在到电磁流动调节器490的电力丧失期间。另外，在一些实施例中，自动控制系统可以包括可以响应像厂外电力丧失那样的事故提供给电磁流动调节器490b以保持迫使流动后备电力的电源。

此外，在一些实施例中，电磁流动调节器490能够响应衰变热的变化地得到修改。关于这一点，衰变热在燃烧波410的“尾部”减少。对燃烧波410的尾部的存在的检测用于随时间减小冷却剂流速以顾及在燃烧波410的“尾部”发现的衰变热的减少。当核裂变模块30驻留在燃烧波410的后面时，情况尤其如此。在这种情况下，可以随着核裂变模块30相对于燃烧波410的距离变化，响应核裂变模块30的衰变热输出的变化修改电磁流动调节器490。感测这样运行参数的状态可以有助于适当控制和修改电磁流动调节器490，因此适当控制和修改反应堆堆芯20中的温度。

在一些实施例中，电磁流动调节器490能够按照行进燃烧波410到达和/或离开核裂变模块30的时间控制或调节冷却剂的流动。此外，在一些实施例中，电磁流动调节器490能够按照行进燃烧波410接近核裂变模块30，在核裂变模块30附近，或一般在相对于核裂变模块30的位置上的时间控制或调节冷却剂的流动。在一些实施例中，电磁流动调节器490还能够按照燃烧波410的宽度x控制或调节冷却剂的流动。

在这样的实施例中，随着燃烧波410穿过核裂变模块30，燃烧波410的到达和离开可以通过感测上面讨论过的任何一个或多个运行参数来检测。例如，电磁流动调节器490可能能够按照在核裂变模块30中感测的温度控制或调节冷却剂的流动，在该情况下温度可以指示附近传播或行进燃烧波410的存在。作为另一个例子，电磁流动调节器490可能能够按照在核裂变模块30中感测的温度控制或调节冷却剂的流动，在该情况下温度可以指示定态燃烧波410。

要接收可变流的核裂变模块30根据与在核裂变模块30中实际感测的运行参数的数值相当的核裂变模块30中的运行参数的希望值来选择。如当前更详细所述，将到核裂变模块30的流体流动调整成使运行参数的实际值与运行参数的希望值基本相符（例如，就运行参数而言正负5%的相符）。

在这样的实施例中，电磁流动调节器490能够按照与运行参数的预定希望值相当的传感器500感测的运行参数的实际值控制或调节冷却剂的流动。运行参数的实际值与希望值之间的可观失配可能是调整电磁流动调节器490使得使实际值与希望值基本相符的原因。

因此，电磁流动调节器490的使用可以安排成逐个模块地（以及在一些情况下，逐个燃料组件地）实现可变冷却剂流动。这使冷却剂流动跨过反应堆堆芯20可以按照燃烧波410的位置或与反应堆堆芯20中的运行参数的希望值相当的运行参数的实际值来改变。

应该懂得，电磁流动调节器490可以以特定应用所希望的任何方式与核裂变模块30耦合。为此，下面只通过例示而非限制地展示几个示例性例子。

参照图6A，在一些实施例中，各个电磁流动调节器490沿着从各个电磁流动调节器490延伸到核裂变模块30的各自几个的至少一条转移流动路径700转移至少一部分导电流体。来自各个电磁流动调节器490的导电流体的流动将分叉和沿着导管710a和710b流动，以及直接流入与电磁流动调节器490垂直对准和处在电磁流动调节器490上面的核裂变模块30中。

如果需要的话，可以将像防回流阀门那样的阀门720布置在导管710a和710b的每一根中，以控制导电流体在导管710a和710b中的流动。每个阀门720可以由控制单元610有选择地控制。

只有三个核裂变模块30和只有一对导管710a和710b被显示成与各个电磁流动调节器490耦合。但是，应该懂得，如果需要的话，可以存在任何数量与各个电磁流动调节器490耦合的核裂变模块30和导管710a和710b。因此，应该懂得，单个电磁流动调节器490可以用于将导电流体供应给不止一个核裂变模块30。

参照图6B，在一些其他实施例中，电磁流动调节器490使导电流体的流动绕过所选核裂变模块30。在这样的实施例中，电磁流动调节器490转移至少一部分导电流体，使得绕过所选核裂变模块30。电磁流动调节器490沿着转移流动路径740转移至少一部分导电流体。也就是说，导电流体的流动将从每个电磁流动调节器490开始分叉，沿着一对导管750a和750b流动，使得绕过所选核裂变模块30。

如果需要的话，可以将像防回流阀门那样的阀门760布置在导管750a和750b的每一根中，以控制导电流体在导管750a和750b中的流动。每个阀门760可以由控制单元610有选择地控制。导管750a和750b的每一根终止在上腔室770上。上腔室770组合来自导管750a和750b的导电流体的流动，使得将单条流线140供应给中间热交换器150（图4A）。

在图6B中，只有三个核裂变模块30，只有三个电磁流动调节器490，只有一对阀门760和只有一对导管750a和750b被显示出来。但是，应该懂得，如果需要的话，可以存在任何数量和组合的核裂变模块30、电磁流动调节器490、阀门760和导管750a和750b。因此，应该懂得，导电流体可以绕过任何所希望数量的核裂变模块30。

参照图6C，在一些实施例中，电磁流动调节器490有选择地控制导电流体到各个核裂变模块30的流动。在这样的实施例中，电磁流动调节器490转移至少一部分导电流体，使得将冷却剂流引向各个核裂变模块30。

电磁流动调节器490沿着转移流动路径790a以及沿着转移流动路径790b转移至少一部分导电流体。转移流动路径790b可以取向成引导流体沿着与转移流动路径790a中的流动流动的方向相反的方向流动。关于这一点，导电流体沿着流动路径140进入下腔室800中。

与下腔室800中的导电流体流动连通的导管810a接收来自下腔室800的导电流体，沿着转移流动路径790a引导导电流体。导管810b也与下腔室800中的导电流体流动连通，并且被配置成使导电流体沿着转移流动路径790b返回到下腔室800。导管810a终止在将导电流体供应给电磁流动调节器490的中间腔室830上。

可以将像防回流阀门那样的阀门840a布置在导管810a中，以控制冷却剂在导管810a中的流动。可以将像防回流阀门那样的另一个阀门840b布置在导管810b中，以控制导电流体在导管810b中的流动。可以将像防回流阀门那样的另一个阀门840c置于电磁流动调节器490与核裂变模块30之间，以控制电磁流体从电磁流动调节器490到核裂变模块30的流动。

阀门840a，840b和840c的每一个可以通过控制单元610有选择地控制。关于这一点，当阀门840a和840c被控制单元610打开而阀门840b关闭时，导电流体自由地流过导管810a，进入中间腔室830中，然后到达核裂变模块30。当阀门840c被控制单元601关闭而阀门840a和840b打开时，导电流体将流不到核裂变模块30。在这后一种情况下，导电流体返回到下腔室800。

在一些实施例中，可以与下腔室800中的导电流体流体连通地提供可以含有布置在其中的防回流阀门844的导管842。导管842终止在中间腔室830上。当阀门844打开时，将导电流体供应给中间腔室830和电磁流动调节器490，电磁流动调节器490又将导电流体供应给核裂变模块30。当阀门844关闭时，不将导电流体供应给中间腔室830和电磁流动调节器490，因此不将导电流体供应给核裂变模块30。

只有三个核裂变模块30，只有三个电磁流动调节器490，只有导管810a，810b和842b，和只有阀门840a，840b，840c和844被显示出来。但是，应该懂得，如果需要的话，可以存在任何数量和组合的核裂变模块30、电磁流动调节器490、导管810a，810b和842b，和阀门840a，840b，840c和844。因此，应该懂得，导电流体可以从下腔室800流到任何数量的所选核裂变模块30，或从任何数量的所选核裂变模块30返回到下腔室800。

参照图6D和6E，在一些实施例中，反应堆堆芯20限定指定给整个反应堆堆芯20的单个冷却剂流动区930。将进入腔室940与反应堆堆芯20耦合。电磁流动调节器490与反应堆堆芯20耦合，以及具有与进入腔室940流体连通的冷却剂流动开口950。因此，电磁流动调节器490将导电流体供应给进入腔室940。导电流体将填充进入腔室940，然后流到处在冷却剂流动区930中的核裂变模块30。在这样的实施例中，单个电磁流动调节器490可以调节导电冷却剂到反应堆堆芯20中的所有核裂变模块30的流动。

参照图6F和6G，在一些实施例中，反应堆堆芯20包括冷却剂流动区960a，960b，960c，960d，960e，960f和960g。如果需要的话，可以通过分隔件970分开相邻冷却剂流动区。分隔件970可以由对于中子来说具有小吸收截面的材料制成，使得减小对裂变链式反应过程的干扰。

关于这一点，分隔件970可能由如下材料制成：纯铝；以及像1050号铝合金那样的适当铝合金，该1050号铝合金包含约0.4%（重量）的铁；约0.25%（重量）的硅；约0.05%（重量）的钛；约0.05%（重量）的镁；约0.05%（重量）的锰；约0.05%（重量）的铜；以及其余的铝。分隔件970也可以由不锈钢制成，该不锈钢包含约0.55%（重量）的碳；约0.90%（重量）的锰；约0.05%（重量）的硫；约0.40%（重量）的磷；以及约98.46%的铁。

由分隔件970限定的冷却剂流动区使反应堆系统的操作员可以逐个反应堆堆芯区地而不是让各个电磁流动调节器490与各个核裂变模块30耦合地调适冷却剂流动。

仍然参照图6F和6G，进入腔室980像通过导管1000a，1000b，1000c，1000d，1000e，1000f和1000g那样与冷却剂流动区960a，960b，960c，960d，960e，960f和960g的各自几个耦合。导管1000a，1000b，1000c，1000d，1000e，1000f和1000g又与各自电磁流动调节器490耦合。因此，电磁流动调节器490与各自冷却剂流动区960a，960b，960c，960d，960e，960f和960g耦合。

每个电磁流动调节器490具有与进入腔室980流体连通的冷却剂流动开口1005。因此，电磁流动调节器490将导电流体供应给进入腔室980。导电流体将填充进入腔室980，然后流到处在冷却剂流动区960a，960b，960c，960d，960e，960f和960g中的核裂变模块30。导电流体可以经由从电磁流动调节器490延伸到它们的各自进入腔室980的相关导管1000a，1000b，和1000c从电磁流动调节器490的至少一些开始流动。

参照图6H，在一些实施例中，反应堆堆芯20包括冷却剂流动区1020a，1020b，和1020c。如果需要的话，可以如上所述通过具有低中子吸收性的分隔件1030分开相邻冷却剂流动区。电磁流动调节器490像通过各自进入腔室那样与各自冷却剂流动区1020a，1020b，和1020c耦合，这些进入腔室可以具有与显示在图6G中的那种基本相似的配置。每个电磁流动调节器490具有与各自进入腔室流体连通的导管1040a，1040b，和1040c。因此，电磁流动调节器490将导电流体供应给进入腔室。导电流体将填充进入腔室，然后流到处在冷却剂流动区1020a，1020b，和1020c中的核裂变模块30。

参照图6I，在一些实施例中，反应堆堆芯20限定冷却剂流动区1060a，1060b，1060c，1060d，1060e，和1060f。如果需要的话，可以如上所述通过具有低中子吸收性的分隔件1070分开相邻冷却剂流动区。

电磁流动调节器490像通过各自进入腔室那样与各自冷却剂流动区1060a，1060b，1060c，1060d，1060e，和1060f耦合。电磁流动调节器490具有与各自进入腔室流体连通的各自冷却剂流动导管1080a，1080b，1080c，1080d，1080e，和1080f。因此，电磁流动调节器490将导电流体供应给进入腔室。导电流体将填充进入腔室，然后流到处在冷却剂流动区1060a，1060b，1060c，1060d，1060e中的核裂变模块30。

参照图6J，在一些实施例中，核裂变反应堆堆芯20限定与流动区1100a和1100b隔开的未隔开流动区1100c和1100d。电磁流动调节器490像通过各自进入腔室那样与各自冷却剂流动区1100a，1100b，1100c，和1100d耦合。电磁流动调节器490具有与它们的各自冷却剂流动区1100a，1100b，1100c，和1100d流体连通的各自冷却剂流动开口1120a，1120b，1120c，1120d，1120e，1120f，1120g，1120h和1120i。因此，电磁流动调节器490将导电流体供应给冷却剂流动区1100a，1100b，1100c，和1100d。导电流体将填充进入腔室，然后流到处在冷却剂流动区11100a，1100b，1100c，和1100d中的核裂变模块30。

应该懂得，电磁调节导电反应堆冷却剂的流动的一种系统可以包括像电源590那样电力的电源、和电磁流动调节器490。电磁调节导电流体的流动的另一种系统可以包括像电源590那样电力的电源、和电磁流动调节器490a。类似地，电磁调节导电流体的流动的另一种系统可以包括像电源590那样电力的电源、和电磁流动调节器490b。如果需要的话，上述系统的任何一种也可以包括像控制单元610那样的控制器、和/或像传感器500那样的传感器。电源590、控制单元610、传感器500、和电磁流动调节器490，490a和490b上面都已经讨论过。无需为了理解而重复它们的结构和操作的详细。

既然上面已经针对电磁流动调节器490，490a和490b的结构和操作，以及针对包括电磁流动调节器490，490a和490b的各种核裂变反应堆展示了示例性细节，下面将展示电磁调节导电反应堆冷却剂的流动的各种方法。

现在参照图7A，所提供的是调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的示例性方法7000。该方法7000从方框7002开始。在方框7004中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块。在方框7006中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。在方框7008中结束该方法7000。

另外参照图7B，在方框7006中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7010中使导电反应堆冷却剂流过通过多个磁导体限定的反应堆冷却剂入口路径。在方框7006中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动还可以包括在方框7012中生成调节导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力。在方框7006中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动还可以包括在方框7014中使导电反应堆冷却剂沿着反应堆冷却剂流动路径流动，反应堆冷却剂流动路径沿着多个磁导体限定并且与反应堆冷却剂入口路径实质上正交。

另外参照图7C，在一些实施例中，在方框7012中生成调节导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力可以包括在方框7016中生成阻止导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力。例如以及另外参照图7D，在方框7016中生成阻止导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力可以包括在方框7018中通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场。

在一些其他实施例中以及现在参照图7A，7B和7E，在方框7012中生成调节导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力可以包括在方框7020中生成迫使导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力。例如，以及另外参照图7F，在方框7020中生成迫使导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力可以包括在方框7022中通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场。

现在参照图7A和7G，在一些其他实施例中，可以在方框7024中转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

例如以及另外参照图7H，在一些其他实施例中，在方框7024中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7026中沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

作为另一个例子以及现在参照图7A，7G和7I，在一些其他实施例中，在方框7024中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7028中沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

作为另一个例子以及现在参照图7A，7G和7J，在一些其他实施例中，在方框7024中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7030中沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

现在参照图7A和7K，在一些实施例中，可以在方框7032中感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

在一些这样的情况下以及另外参照图7L，在方框7006中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7034中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器并且响应与核裂变模块相关联的运行参数，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

与核裂变模块相关联的运行参数可以包括如所希望的任何参数。在各种实施例中，运行参数可以非限制性地包括温度、中子通量、中子注量、特征同位素、压强、和/或导电反应堆冷却剂的流速。

在一些其他实施例中以及参照图7A和7M，在方框7004中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7036中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块，该核裂变模块与存在于相对于该核裂变模块的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

另外参照图7N，在一些这样的情况下，在方框7006中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7038中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。例如以及另外参照图7O，在方框7038中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7040中响应燃烧波的宽度，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

现在参照图7A和7P，在一些实施例中，在方框7004中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7042中使导电反应堆冷却剂流到限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7A和7Q，在一些实施例中，在方框7004中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7044中使导电反应堆冷却剂流到限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7A和7R，在一些实施例中，在方框7004中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7046中使导电反应堆冷却剂流到限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7A和7S，在一些实施例中，在方框7004中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7048中使导电反应堆冷却剂流到限定反应堆堆芯的多个核裂变模块，反应堆堆芯具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区。

现在参照图7T，所提供的是调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的示例性方法7100。该方法7100从方框7102开始。在方框7104中，使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块。在方框7106中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。在方框7106中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括使导电反应堆冷却剂流过通过多个磁导体限定的多个流动孔。在方框7106中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动还包括生成阻止导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力。在方框7106中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动还包括使导电反应堆冷却剂沿着反应堆冷却剂流动路径流动，反应堆冷却剂流动路径沿着多个磁导体限定并且与导电反应堆冷却剂通过多个流动孔的流动实质上正交。在方框7108中结束该方法7100。

另外参照图7U，在一些实施例中，在方框7106中生成阻止导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力可以包括在方框7110中通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场。

现在参照图7T和7V，在一些其他实施例中，可以在方框7112中转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

例如以及另外参照图7W，在一些实施例中，在方框7112中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7114中沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

作为另一个例子以及现在参照图7T，7V和7X，在一些其他实施例中，在方框7112中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7116中沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

作为另一个例子以及现在参照图7T，7V和7Y，在一些其他实施例中，在方框7112中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7118中沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

现在参照图7T和7Z，在一些实施例中，可以在方框7120中感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

另外参照图7AA，在这样的情况下，在方框7106中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7122中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器并且响应与核裂变模块相关联的运行参数，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

与核裂变模块相关联的运行参数可以包括如所希望的任何参数。在各种实施例中，运行参数可以非限制性地包括温度、中子通量、中子注量、特征同位素、压强、和/或导电反应堆冷却剂的流速。

在一些其他实施例中以及参照图7T和7AB，在方框7104中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7124中，使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块，该核裂变模块与存在于相对于该核裂变模块的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

另外参照图7AC，在一些这样的情况下，在方框7124中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7126中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。例如以及另外参照图7AD，在方框7126中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7128中响应燃烧波的宽度，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

现在参照图7T和7AE，在一些实施例中，在方框7104中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7130中使导电反应堆冷却剂流到限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7T和7AF，在一些实施例中，在方框7104中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7132中使导电反应堆冷却剂流到限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7T和7AG，在一些实施例中，在方框7104中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7134中使导电反应堆冷却剂流到限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7T和7AH，在一些实施例中，在方框7104中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7136中使导电反应堆冷却剂流到限定反应堆堆芯的多个核裂变模块，反应堆堆芯具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区。

现在参照图7I，所提供的是调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的示例性方法7200。该方法7200从方框7202开始。在方框7204中，使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块。在方框7206中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。在方框7206中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括使导电反应堆冷却剂流过通过多个磁导体限定的多个流动孔。在方框7206中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动还包括生成迫使导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力。在方框7206中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动还包括使导电反应堆冷却剂沿着反应堆冷却剂流动路径流动，反应堆冷却剂流动路径沿着多个磁导体限定并且与导电反应堆冷却剂通过多个流动孔的流动实质上正交。在方框7208中结束该方法7200。

另外参照图7AJ，在一些实施例中，在方框7206中生成迫使导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力可以包括在方框7210中通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在多个流动孔上生成至少一个磁场。

现在参照图7AI和7AK，在一些其他实施例中，可以在方框7212中转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

例如以及另外参照图7AL，在一些实施例中，在方框7212中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7214中沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

作为另一个例子以及现在参照图7AI，7AK和7AM，在一些其他实施例中，在方框7212中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7216中沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

作为另一个例子以及现在参照图7AI，7AK和7AN，在一些其他实施例中，在方框7212中转移至少一部分导电反应堆冷却剂可以包括在方框7218中沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

现在参照图7AI和7AO，在一些实施例中，可以在方框7220中感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

另外参照图7AP，在这样的情况下，在方框7206中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7222中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器并且响应与核裂变模块相关联的运行参数，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

与核裂变模块相关联的运行参数可以包括如所希望的任何参数。在各种实施例中，运行参数可以非限制性地包括温度、中子通量、中子注量、特征同位素、压强、和/或导电反应堆冷却剂的流速。

在一些其他实施例中以及参照图7AI和7AQ，在方框7204中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7224中，使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块，该核裂变模块与存在于相对于该核裂变模块的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

另外参照图7AR，在一些这样的情况下，在方框7224中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7226中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。例如以及另外参照图7AS，在方框7226中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动可以包括在方框7228中响应燃烧波的宽度，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

现在参照图7AI和7AT，在一些实施例中，在方框7204中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7230中使导电反应堆冷却剂流到限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7AI和7AU，在一些实施例中，在方框7204中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7232中使导电反应堆冷却剂流到限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7AI和7AV，在一些实施例中，在方框7204中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7234中使导电反应堆冷却剂流到限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

现在参照图7AI和7AW，在一些实施例中，在方框7204中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块可以包括在方框7236中使导电反应堆冷却剂流到限定反应堆堆芯的多个核裂变模块，反应堆堆芯具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区。

本领域的普通技术人员应该认识到，本文所述的部件（例如，操作）、设备、对象和伴随它们的讨论用作澄清概念的例子，以及可以设想出各种配置变型。因此，如本文所使用，展示的特定例子以及伴随的讨论旨在代表它们的更一般类别。一般说来，任何特定例子的使用都旨在代表它的类别，以及特定部件（例如，操作）、设备、和对象的未包括不应该看作是限制性的。

此外，本领域的普通技术人员应该懂得，前述的特定示例性过程、设备和/或技术代表像在随本文提交的权利要求书中和/或本申请中的其它地方那样，在本文其他地方讲述的更一般过程、设备和/或技术。

虽然已经显示和描述了本文所述的当前主题的特定方面，但对于本领域的普通技术人员来说，显而易见，可以根据本文的教导，不偏离本文所述的主题及其更宽广方面地作出改变和修改，因此，所附权利要求书将像在本文所述的主题的真正精神和范围之内那样的所有这样改变和修改包括在它们的范围之内。本领域的普通技术人员应该明白，一般说来，用在本文中，尤其用在所附权利要求书（例如，所附权利要求书的主要部分）中的术语一般旨在作为“开放”术语（例如，动名词术语“包括”应该理解为动名词“包括但不限于”，动名词术语“含有”应该理解为动名词“至少含有”，动词术语“包括”应该理解为动词“包括但不限于”等）。本领域的普通技术人员还应该明白，如果有意表示特定数目的所介绍权利要求列举项，则在权利要求中将明确列举这样的意图，而在缺乏这样的列举的情况下，则不存在这样的意图。例如，为了帮助人们理解，如下所附权利要求书可能包含使用介绍性短语“至少一个”和“一个或多个”来介绍权利要求列举项。但是，即使同一个权利要求包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”以及像“一个”或“一种”（例如，“一个”和/或“一种”通常应该理解成“至少一个”或“一个或多个”的意思）那样的不定冠词，这样短语的使用也不应该理解为暗示着通过不定冠词“一个”或“一种”介绍权利要求列举项将包含这样所介绍权利要求列举项的任何特定权利要求限制在只包含一个这样列举项的权利要求上；对于用于介绍权利要求列举项的定冠词的使用，这同样成立。另外，即使明确列举了特定数目的所介绍权利要求列举项，本领域的普通技术人员也应该认识到，这样的列举通常应该理解成至少具有所列举数目的意思（例如，在没有其他修饰词的情况下，仅列举“两个列举项”通常意味着至少两个列举项，或两个或更多个列举项）。而且，在使用类似于“A、B、和C等的至少一个”的习惯用法的那些情况下，一般说来，这样的结构旨在本领域的普通技术人员理解该习惯用法的意义上使用（例如，“含有A、B、和C的至少一个的系统”将包括但不限于只含有A，只含有B，只含有C，一起含有A和B，一起含有A和C，一起含有B和C，和/或一起含有A、B和C等的系统）。在使用类似于“A、B、或C等的至少一个”的习惯用法的那些情况下，一般说来，这样的结构旨在本领域的普通技术人员理解该习惯用法的意义上使用（例如，“含有A、B、或C的至少一个的系统”将包括但不限于只含有A，只含有B，只含有C，一起含有A和B，一起含有A和C，一起含有B和C，和/或一起含有A、B和C等的系统）。本领域的普通技术人员还应该明白，无论在描述、权利要求书还是附图中，通常出现两个或更多个可替代项目的分隔词和/或短语应该理解成具有包括这些项目之一，这些项目的任一个，或两个项目的可能性，除非上下文另有所指。例如，短语“A或B”通常应该理解成包括“A”，“B”或“A和B”的可能性。

关于所附权利要求书，本领域的普通技术人员应该懂得，本文所列举的操作一般可以按任何次序执行。此外，尽管各种操作流程按顺序给出，但应该明白，各种操作可以按除了例示的那些之外的其他次序执行，或可以同时执行。这样可替代排序的例子可以包括重叠、交错、截断、重排、递增、预备、补充、同时、反向、或其他衍生排序，除非上下文另有所指。而且，像“对...敏感”、“与...有关”或其他过去式形容词那样的术语一般无意排斥这样的衍生，除非上下文另有所指。

此外，本文所公开的各种方面和实施例是为了例示的目的而无意限制本发明，本发明的真正范围和精神由权利要求书指出。

本文所述的主题的一些方面用如下编号的条文展示出来:

1.一种调节导电流体的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器包含：

安排在固定相对位置上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电流体的流体流动路径以沿着它，并且限定与流体流动路径实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过；以及

能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

2.如条文1所述的电磁流动调节器，其中通过限定在多个磁导体中的多个流动孔进一步限定流体入口路径。

3.如条文1所述的电磁流动调节器，其中将流体流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

4.如条文1所述的电磁流动调节器，其中将场生成绕组布置在多个磁导体的外侧。

5.如条文4所述的电磁流动调节器，其中场生成绕组包括螺旋线圈。

6.如条文4所述的电磁流动调节器，其中场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

7.如条文4所述的电磁流动调节器，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

8.如条文7所述的电磁流动调节器，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

9.如条文1所述的电磁流动调节器，其中场生成绕组包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体。

10.如条文9所述的电磁流动调节器，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

11.如条文10所述的电磁流动调节器，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

12.如条文10所述的电磁流动调节器，其中进一步限定流体入口路径通过多个磁非导体。

13.一种调节导电流体的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器包含：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电流体的流体流动路径以沿着它，并且限定与流体流动路径实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过；以及

能够携载电流并布置在多个磁导体的外侧的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

14.如条文13所述的电磁流动调节器，其中将流体流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

15.如条文13所述的电磁流动调节器，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

16.如条文15所述的电磁流动调节器，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

17.如条文16所述的电磁流动调节器，其中将流体流动路径进一步限定在多个磁非导体的内侧。

18.如条文13所述的电磁流动调节器，其中场生成绕组包括螺旋线圈。

19.如条文13所述的电磁流动调节器，其中场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

20.一种调节导电流体的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器包含：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电流体的流体流动路径以沿着它，并且限定与流体流动路径实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过；以及

包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

21.如条文20所述的电磁流动调节器，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

22.如条文21所述的电磁流动调节器，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

23.如条文22所述的电磁流动调节器，其中进一步限定流体入口路径通过多个磁非导体。

24.如条文23所述的电磁流动调节器，其中进一步限定多个流动孔通过多个磁非导体。

25.一种调节导电流体的流动的系统，该系统包含：

电力的电源；以及

调节导电流体的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器可与该电力的电源电连接，该电磁流动调节器包括：

安排在固定相对位置上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电流体的流体流动路径以沿着它，并且限定与流体流动路径实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过；以及

能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与该电力的电源电连接，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

26.如条文25所述的系统，其中通过限定在多个磁导体中的多个流动孔进一步限定流体入口路径。

27.如条文25所述的系统，其中将流体流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

28.如条文25所述的系统，其中将场生成绕组布置在多个磁导体的外侧。

29.如条文28所述的系统，其中场生成绕组包括螺旋线圈。

30.如条文28所述的系统，其中场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

31.如条文28所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

32.如条文31所述的系统，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

33.如条文25所述的系统，其中场生成绕组包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体。

34.如条文33所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

35.如条文34所述的系统，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

36.如条文34所述的系统，其中进一步限定流体入口路径通过多个磁非导体。

37.一种调节导电流体的流动的系统，该系统包含：

电力的电源；以及

调节导电流体的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器可与该电力的电源电连接，该电磁流动调节器包括：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电流体的流体流动路径以沿着它，并且限定与流体流动路径实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过；以及

能够携载电流并布置在多个磁导体的外侧的场生成绕组，该场生成绕组可与该电力的电源电连接，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

38.如条文37所述的系统，其中将流体流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

39.如条文37所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

40.如条文39所述的系统，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

41.如条文40所述的系统，其中将流体流动路径进一步限定在多个磁非导体的内侧。

42.如条文37所述的系统，其中场生成绕组包括螺旋线圈。

43.如条文37所述的系统，其中场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

44.一种调节导电流体的流动的系统，该系统包含：

电力的电源；以及

调节导电流体的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器包括：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电流体的流体流动路径以沿着它，并且限定与流体流动路径实质上正交的导电流体的流体入口路径以从中通过；以及

包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体的场生成绕组，该场生成绕组可与该电力的电源电连接，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

45.如条文44所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

46.如条文45所述的系统，其中进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

47.如条文45所述的系统，其中进一步限定流体入口路径通过多个磁非导体。

48.如条文47所述的系统，其中进一步限定多个流动孔通过多个磁非导体。

49.一种调节导电流体的流动的方法，该方法包含：

使导电流体流过限定通过多个磁导体的流体入口路径；

生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力；以及

使导电流体沿着流体流动路径流动，该流体流动路径流动沿着多个磁导体限定并且与流体入口路径实质上正交。

50.如条文49所述的方法，其中生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力包括生成阻止导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力。

51.如条文50所述的方法，其中生成阻止导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

52.如条文49所述的方法，其中生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力包括生成迫使导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力。

53.如条文52所述的方法，其中生成迫使导电流体通过流体入口路径的流动的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体在流体入口路径上生成至少一个磁场。

54.一种调节导电流体的流动的方法，该方法包含：

使导电流体流过通过多个磁导体限定的多个流动孔；

生成阻止导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力；以及

使导电流体沿着流体流动路径流动，该流体流动路径沿着多个磁导体限定并且与多个流动孔实质上正交。

55.如条文54所述的方法，其中生成阻止导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场。

56.一种调节导电流体的流动的方法，该方法包含：

使导电流体流过通过多个磁导体限定的多个流动孔；

生成迫使导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力；以及

使导电流体沿着流体流动路径流动，该流体流动路径沿着多个磁导体限定并且与多个流动孔实质上正交。

57.如条文56所述的方法，其中生成迫使导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在多个流动孔上生成至少一个磁场。

58.一种制造调节导电流体的流动的电磁流动调节器的方法，该方法包含：

通过多个磁导体限定导电流体的流体入口路径；

将多个磁导体安装在固定相对位置上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径；以及

布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

59.如条文58所述的方法，其中通过多个磁导体限定导电流体的流体入口路径包括通过多个磁导体限定导电流体的多个流动孔。

60.如条文58所述的方法，其中将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径包括将多个磁导体附在框架上，使得在多个磁导体的内侧和沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径。

61.如条文58所述的方法，其中布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场包括在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场。

62.如条文61所述的方法，其中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场包括在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的螺旋线圈，该螺旋线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该螺旋线圈在流体入口路径上生成至少一个磁场。

63.如条文61所述的方法，其中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场包括在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的多个实质上圆形线圈，该多个实质上圆形线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该多个实质上圆形线圈在流体入口路径上生成至少一个磁场。

64.如条文58所述的方法，进一步包含：

将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。

65.如条文64所述的方法，其中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间包括将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间并且使得进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

66.如条文58所述的方法，其中布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在流体入口路径上生成至少一个磁场包括在多个磁导体的内侧布置第一多个导体和在多个磁导体的外侧布置第二多个导体，该第一和第二多个导体可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该第一和第二多个导体在流体入口路径上生成至少一个磁场。

67.如条文66所述的方法，进一步包含：

将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。

68.如条文67所述的方法，其中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间包括将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间并且使得进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

69.如条文67所述的方法，进一步包含：

进一步限定流体入口路径通过多个磁非导体。

70.一种制造调节导电流体的流动的电磁流动调节器的方法，该方法包含：

通过多个磁导体限定多个流动孔，多个流动孔限定导电流体的流体入口路径；

将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径；以及

在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场。

71.如条文70所述的方法，其中将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径包括将多个磁导体附在框架上，使得在多个磁导体的内侧和沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径。

72.如条文70所述的方法，进一步包含：

将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。

73.如条文70所述的方法，其中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场包括在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的螺旋线圈，该螺旋线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该螺旋线圈在多个流动孔上生成至少一个磁场。

74.如条文70所述的方法，其中在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场包括在多个磁导体的外侧布置能够携载电流的多个实质上圆形线圈，该多个实质上圆形线圈可与多个磁导体电磁耦合，使得该多个实质上圆形线圈可在多个流动孔上生成至少一个磁场。

75.一种制造调节导电流体的流动的电磁流动调节器的方法，该方法包含：

通过多个磁导体限定多个流动孔，多个流动孔限定导电流体的流体入口路径；

将多个磁导体附在框架上，使得沿着与流体入口路径实质上正交的多个磁导体限定导电流体的流体流动路径；以及

在多个磁导体的内侧布置第一多个导体和在多个磁导体的外侧布置第二多个导体，该第一和第二多个导体可与多个磁导体电磁耦合，使得可由该第一和第二多个导体在多个流动孔上生成至少一个磁场。

76.如条文75所述的方法，进一步包含：

将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间。

77.如条文76所述的方法，其中将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间包括将多个磁非导体附在框架上，使得将多个磁非导体的几个布置在多个磁导体的相邻几个之间并且使得进一步限定流体流动路径沿着多个磁非导体。

78.如条文70所述的方法，进一步包含：

进一步限定多个流动孔通过多个磁非导体

79.一种核裂变反应堆，其包含：

核裂变模块；

可操作地与该核裂变模块耦合的电磁流动调节器；以及

可操作地与该电磁流动调节器耦合的控制单元，该电磁流动调节器可响应该控制单元。

80.如条文79所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器包括：

安排在固定相对位置上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂流动路径沿着它，并且限定与反应堆冷却剂流动路径实质上正交的导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂入口路径从中通过；以及

能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得该场生成绕组可在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场。

81.如条文80所述的核裂变反应堆，其中通过限定在多个磁导体中的多个流动孔进一步限定反应堆冷却剂入口路径。

82.如条文80所述的核裂变反应堆，其中将反应堆冷却剂流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

83.如条文80所述的核裂变反应堆，其中将场生成绕组布置在多个磁导体的外侧。

84.如条文83所述的核裂变反应堆，其中场生成绕组包括螺旋线圈。

85.如条文83所述的核裂变反应堆，其中场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

86.如条文83所述的核裂变反应堆，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

87.如条文86所述的核裂变反应堆，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

88.如条文80所述的核裂变反应堆，其中场生成绕组包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体。

89.如条文88所述的核裂变反应堆，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

90.如条文89所述的核裂变反应堆，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

91.如条文89所述的核裂变反应堆，其中通过多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂入口路径。

92.如条文79所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

93.如条文92所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

94.如条文92所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

95.如条文92所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

96.如条文79所述的核裂变反应堆，进一步包含：

配置成感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数的至少一个传感器。

97.如条文96所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器可响应与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

98.如条文97所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

99.如条文97所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

100.如条文97所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

101.如条文97所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

102.如条文97所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

103.如条文97所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

104.如条文97所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

105.如条文79所述的核裂变反应堆，其中核裂变模块与存在于相对于该核裂变反应堆的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

106.如条文105所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波调节导电反应堆冷却剂的流动。

107.如条文105所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于响应燃烧波的宽度调节导电反应堆冷却剂的流动。

108.如条文79所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

109.如条文108所述的核裂变反应堆，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

110.如条文79所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

111.如条文110所述的核裂变反应堆，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

112.如条文79所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

113.如条文112所述的核裂变反应堆，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

114.如条文112所述的核裂变反应堆，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

115.如条文79所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

116.一种核裂变反应堆，其包含：

核裂变模块；

可操作地与该核裂变模块耦合的电磁流动调节器，该电磁流动调节器包括：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂流动路径沿着它，并且限定与反应堆冷却剂流动路径实质上正交的导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂入口路径从中通过；以及

能够携载电流并布置在多个磁导体的外侧的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得该场生成绕组可在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场；以及

可操作地与该电磁流动调节器耦合的控制单元，该电磁流动调节器可响应该控制单元。

117.如条文116所述的核裂变反应堆，其中将反应堆冷却剂流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

118.如条文116所述的核裂变反应堆，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

119.如条文118所述的核裂变反应堆，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

120.如条文119所述的核裂变反应堆，其中将反应堆冷却剂流动路径进一步限定在多个磁非导体的内侧。

121.如条文116所述的核裂变反应堆，其中该场生成绕组包括螺旋线圈。

122.如条文116所述的核裂变反应堆，其中该场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

123.如条文116所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

124.如条文123所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

125.如条文123所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

126.如条文123所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

127.如条文116所述的核裂变反应堆，进一步包含：

配置成感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数的至少一个传感器。

128.如条文127所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器可响应与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

129.如条文128所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

130.如条文128所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

131.如条文128所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

132.如条文128所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

133.如条文128所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

134.如条文128所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

135.如条文128所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

136.如条文116所述的核裂变反应堆，其中核裂变模块与存在于相对于该核裂变反应堆的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

137.如条文136所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

138.如条文136所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器适用于响应燃烧波的宽度，在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

139.如条文116所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

140.如条文139所述的核裂变反应堆，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

141.如条文116所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

142.如条文142所述的核裂变反应堆，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

143.如条文116所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

144.如条文143所述的核裂变反应堆，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

145.如条文143所述的核裂变反应堆，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

146.如条文116所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

147.一种核裂变反应堆，其包含：

核裂变模块；

可操作地与该核裂变模块耦合的电磁流动调节器，该电磁流动调节器包括：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂流动路径沿着它，并且限定与反应堆冷却剂流动路径实质上正交的导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂入口路径从中通过；以及

包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得该场生成绕组可在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场；以及

可操作地与该电磁流动调节器耦合的控制单元，该电磁流动调节器可响应该控制单元。

148.如条文147所述的核裂变反应堆，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

149.如条文148所述的核裂变反应堆，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

150.如条文149所述的核裂变反应堆，其中通过多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂入口路径。

151.如条文150所述的核裂变反应堆，其中进一步限定多个流动孔通过多个磁非导体。

152.如条文147所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

153.如条文152所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

154.如条文152所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

155.如条文152所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

156.如条文147所述的核裂变反应堆，进一步包含：

配置成感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数的至少一个传感器。

157.如条文156所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器可响应与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

158.如条文157所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

159.如条文157所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

160.如条文157所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

161.如条文157所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

162.如条文157所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

163.如条文157所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

164.如条文157所述的核裂变反应堆，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

165.如条文147所述的核裂变反应堆，其中核裂变模块与存在于相对于该核裂变反应堆的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

166.如条文165所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，在多个流动孔上调节导电反应堆冷却剂的流动。

167.如条文165所述的核裂变反应堆，其中该电磁流动调节器响应燃烧波的宽度，在多个流动孔上调节导电反应堆冷却剂的流动。

168.如条文147所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

169.如条文168所述的核裂变反应堆，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

170.如条文147所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

171.如条文170所述的核裂变反应堆，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

172.如条文147所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

173.如条文172所述的核裂变反应堆，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

174.如条文172所述的核裂变反应堆，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

175.如条文147所述的核裂变反应堆，进一步包含限定具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

176.一种调节导电反应堆冷却剂的流动的系统，该系统包含：

调节导电反应堆冷却剂的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器被配置成可操作地与核裂变模块耦合；以及

可操作地与该电磁流动调节器耦合的控制单元，该电磁流动调节器可响应该控制单元。

177.如条文176所述的系统，其中该电磁流动调节器包括：

安排在固定相对位置上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂流动路径沿着它，并且限定与反应堆冷却剂流动路径实质上正交的导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂入口路径从中通过；以及

能够携载电流的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得该场生成绕组可在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场。

178.如条文177所述的系统，其中通过限定在多个磁导体中的多个流动孔进一步限定反应堆冷却剂入口路径。

179.如条文177所述的系统，其中将反应堆冷却剂流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

180.如条文177所述的系统，其中将场生成绕组布置在多个磁导体的外侧。

181.如条文180所述的系统，其中场生成绕组包括螺旋线圈。

182.如条文180所述的系统，其中场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

183.如条文180所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

184.如条文183所述的系统，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

185.如条文177所述的系统，其中场生成绕组包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体。

186.如条文185所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

187.如条文186所述的系统，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

188.如条文186所述的系统，其中通过多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂入口路径。

189.如条文176所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

190.如条文189所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

191.如条文189所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

192.如条文189所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

193.如条文176所述的系统，进一步包含：

配置成感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数的至少一个传感器。

194.如条文193所述的系统，其中该电磁流动调节器可响应与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

195.如条文194所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

196.如条文194所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

197.如条文194所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

198.如条文194所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

199.如条文194所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

200.如条文194所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

201.如条文194所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

202.如条文176所述的系统，其中核裂变模块与存在于相对于该核裂变反应堆的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

203.如条文202所述的系统，其中该电磁流动调节器响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

204.如条文202所述的系统，其中该电磁流动调节器响应燃烧波的宽度在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

205.如条文176所述的系统，进一步包含限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

206.如条文205所述的系统，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

207.如条文176所述的系统，进一步包含限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

208.如条文207所述的系统，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

209.如条文176所述的系统，进一步包含限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

210.如条文209所述的系统，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

211.如条文209所述的系统，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

212.如条文176所述的系统，进一步包含限定具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

213.一种调节导电反应堆冷却剂的流动的系统，该系统包含：

调节导电反应堆冷却剂的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器被配置成可操作地与核裂变模块耦合，该电磁流动调节器包括：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂流动路径沿着它，并且限定与反应堆冷却剂流动路径实质上正交的导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂入口路径从中通过；以及

能够携载电流并布置在多个磁导体的外侧的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得该场生成绕组可在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场；以及

可操作地与该电磁流动调节器耦合的控制单元，该电磁流动调节器可响应该控制单元。

214.如条文213所述的系统，其中将反应堆冷却剂流动路径进一步限定在多个磁导体的内侧。

215.如条文214所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

216.如条文215所述的系统，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

217.如条文216所述的系统，其中将反应堆冷却剂流动路径进一步限定在多个磁非导体的内侧。

218.如条文213所述的系统，其中该场生成绕组包括螺旋线圈。

219.如条文213所述的系统，其中该场生成绕组包括多个实质上圆形线圈。

220.如条文213所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

221.如条文220所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

222.如条文220所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

223.如条文222所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

224.如条文213所述的系统，进一步包含：

配置成感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数的至少一个传感器。

225.如条文224所述的系统，其中该电磁流动调节器可响应与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

226.如条文225所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

227.如条文225所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

228.如条文225所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

229.如条文225所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

230.如条文225所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

231.如条文225所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

232.如条文225所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

233.如条文213所述的系统，其中核裂变模块与存在于相对于该核裂变反应堆的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

234.如条文233所述的系统，其中该电磁流动调节器应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

235.如条文233所述的系统，其中该电磁流动调节器响应燃烧波的宽度，在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

236.如条文213所述的系统，进一步包含限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

237.如条文236所述的系统，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

238.如条文213所述的系统，进一步包含限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

239.如条文238所述的系统，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

240.如条文213所述的系统，进一步包含限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

241.如条文240所述的系统，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

242.如条文240所述的系统，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

243.如条文213所述的系统，进一步包含限定具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

244.一种调节导电反应堆冷却剂的流动的系统，该系统包含：

调节导电反应堆冷却剂的流动的电磁流动调节器，该电磁流动调节器被配置成可操作地与核裂变模块耦合，该电磁流动调节器包括：

框架；

附在框架上的多个磁导体，该多个磁导体限定导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂流动路径沿着它，并且限定与反应堆冷却剂流动路径实质上正交的导电反应堆冷却剂的反应堆冷却剂入口路径从中通过；以及

包括布置在多个磁导体的内侧的第一多个导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个导体的场生成绕组，该场生成绕组可与多个磁导体电磁耦合，使得该场生成绕组可在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场；以及

可操作地与该电磁流动调节器耦合的控制单元，该电磁流动调节器可响应该控制单元。

245.如条文244所述的系统，进一步包含：

附在框架上并布置在多个磁导体的相邻几个之间的多个磁非导体。

246.如条文245所述的系统，其中沿着多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂流动路径。

247.如条文246所述的系统，其中通过多个磁非导体进一步限定反应堆冷却剂入口路径。

248.如条文247所述的系统，其中进一步限定多个流动孔通过多个磁非导体。

249.如条文244所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

250.如条文249所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

251.如条文249所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

252.如条文249所述的系统，其中该电磁流动调节器适用于沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

253.如条文244所述的系统，进一步包含：

配置成感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数的至少一个传感器。

254.如条文253所述的系统，其中该电磁流动调节器可响应与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

255.如条文254所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

256.如条文254所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

257.如条文254所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

258.如条文254所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

259.如条文254所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

260.如条文254所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

261.如条文254所述的系统，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

262.如条文244所述的系统，其中核裂变模块与存在于相对于该核裂变反应堆的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

263.如条文262所述的系统，其中该电磁流动调节器响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

264.如条文262所述的系统，其中该电磁流动调节器响应燃烧波的宽度，在至少一部分流动路径上调节导电反应堆冷却剂的流动。

265.如条文244所述的系统，进一步包含限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

266.如条文265所述的系统，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

267.如条文244所述的系统，进一步包含限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

268.如条文267所述的系统，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

269.如条文244所述的系统，进一步包含限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

270.如条文269所述的系统，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

271.如条文269所述的系统，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

272.如条文244所述的系统，进一步包含限定具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

273.一种调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的方法，该方法包含：

使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块；以及

利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

274.如条文273所述的方法，其中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括：

使导电反应堆冷却剂流过通过多个磁导体限定的反应堆冷却剂入口路径；

生成调节导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力；以及

使导电反应堆冷却剂沿着反应堆冷却剂流动路径流动，反应堆冷却剂流动路径沿着多个磁导体限定并且与反应堆冷却剂入口路径实质上正交。

275.如条文274所述的方法，其中生成调节导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力包括生成阻止导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力。

276.如条文275所述的方法，其中生成阻止导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场。

277.如条文274所述的方法，其中生成调节导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力包括生成迫使导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力。

278.如条文277所述的方法，其中生成迫使导电反应堆冷却剂流过反应堆冷却剂入口路径的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在反应堆冷却剂入口路径上生成至少一个磁场。

279.如条文273所述的方法，进一步包含：

转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

280.如条文279所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

281.如条文279所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

282.如条文279所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

283.如条文273所述的方法，进一步包含：

感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

284.如条文283所述的方法，其中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器并且响应与核裂变模块相关联的运行参数，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

285.如条文284所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

286.如条文284所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

287.如条文284所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

288.如条文284所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

289.如条文284所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

290.如条文284所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

291.如条文284所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

292.如条文273所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块，该核裂变模块与存在于相对于该核裂变模块的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

293.如条文292所述的方法，其中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

294.如条文293所述的方法，其中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括响应燃烧波的宽度，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

295.如条文273所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

296.如条文295所述的方法，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

297.如条文273所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

298.如条文297所述的方法，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

299.如条文273所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

300.如条文299所述的方法，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

301.如条文299所述的方法，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

302.如条文273所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定反应堆堆芯的多个核裂变模块，反应堆堆芯具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区。

303.一种调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的方法，该方法包含：

使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块；以及

利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动，其包括：

使导电反应堆冷却剂流过通过多个磁导体限定的多个流动孔；

生成阻止导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力；以及

使导电反应堆冷却剂沿着反应堆冷却剂流动路径流动，反应堆冷却剂流动路径沿着多个磁导体限定并且与导电反应堆冷却剂通过多个流动孔的流动实质上正交。

304.如条文303所述的方法，其中生成阻止导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组在多个流动孔上生成至少一个磁场。

305.如条文303所述的方法，进一步包含：

转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

306.如条文305所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

307.如条文305所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

308.如条文305所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

309.如条文303所述的方法，进一步包含：

感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

310.如条文309所述的方法，其中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器并且响应与核裂变模块相关联的运行参数，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

311.如条文310所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

312.如条文310所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

313.如条文310所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

314.如条文310所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

315.如条文310所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

316.如条文310所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

317.如条文310所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

318.如条文303所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块，该核裂变模块与存在于相对于该核裂变模块的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

319.如条文318所述的方法，其中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

320.如条文318所述的方法，其中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括响应燃烧波的宽度，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

321.如条文303所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

322.如条文321所述的方法，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

323.如条文303所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

324.如条文323所述的方法，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

325.如条文303所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

326.如条文325所述的方法，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

327.如条文325所述的方法，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

328.如条文303所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定反应堆堆芯的多个核裂变模块，反应堆堆芯具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区。

329.一种调节核裂变反应堆中的导电反应堆冷却剂的流动的方法，该方法包含：

使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块；以及

利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动，其包括：

使导电反应堆冷却剂流过通过多个磁导体限定的多个流动孔；

生成迫使导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力；以及

使导电反应堆冷却剂沿着反应堆冷却剂流动路径流动，反应堆冷却剂流动路径沿着多个磁导体限定并且与导电反应堆冷却剂通过多个流动孔的流动实质上正交。

330.如条文329所述的方法，其中生成迫使导电反应堆冷却剂流过多个流动孔的洛伦兹力包括通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在多个流动孔上生成至少一个磁场。

331.如条文329所述的方法，进一步包含：

转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

332.如条文331所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着从电磁流动调节器到多个核裂变模块的各自几个延伸的多条转移流动路径的至少一条，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

333.如条文331所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着绕过核裂变模块的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

334.如条文331所述的方法，其中转移至少一部分导电反应堆冷却剂包括沿着具有第一方向和第二方向的转移流动路径，转移至少一部分导电反应堆冷却剂。

335.如条文329所述的方法，进一步包含：

感测与核裂变模块相关联的至少一个运行参数。

336.如条文335所述的方法，其中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器并且响应与核裂变模块相关联的运行参数，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

337.如条文336所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括温度。

338.如条文336所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子通量。

339.如条文336所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括中子注量。

340.如条文336所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括功率。

341.如条文336所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括特征同位素。

342.如条文336所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括压强。

343.如条文336所述的方法，其中与核裂变模块相关联的运行参数包括导电反应堆冷却剂的流速。

344.如条文329所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块，该核裂变模块与存在于相对于该核裂变模块的位置上的燃烧波相关联，该燃烧波具有宽度。

345.如条文344所述的方法，其中利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

346.如条文345所述的方法，其中响应存在于相对于核裂变模块的位置上的燃烧波，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动包括响应燃烧波的宽度，利用与核裂变模块耦合的电磁流动调节器，电磁调节导电反应堆冷却剂到核裂变模块的流动。

347.如条文329所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

348.如条文347所述的方法，其中对该冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

349.如条文329所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有单个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

350.如条文349所述的方法，其中对该单个冷却剂流动区指定电磁流动调节器。

351.如条文329所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定具有多个冷却剂流动区的反应堆堆芯的多个核裂变模块。

352.如条文351所述的方法，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定单个电磁流动调节器。

353.如条文351所述的方法，其中对该多个冷却剂流动区的每一个指定多个电磁流动调节器。

354.如条文329所述的方法，其中使导电反应堆冷却剂流到核裂变反应堆中的核裂变模块包括使导电反应堆冷却剂流到限定反应堆堆芯的多个核裂变模块，反应堆堆芯具有被多个分隔件的各自几个隔开的多个冷却剂流动区。

Claims (9)

1.一种调节导电流体的流动的方法，该方法包含：

使导电流体流过通过多个磁导体限定的流体入口路径；

生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力；以及

使导电流体沿着流体流动路径流动，限定该流体流动路径流动沿着多个磁导体，该流体流动路径与流体入口路径实质上正交，生成的洛伦兹力与该流体流动路径实质上正交。

2.如权利要求1所述的方法，其中生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力包括：生成阻止导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力。

3.如权利要求2所述的方法，其中生成阻止导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力包括：通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组，在流体入口路径上生成至少一个磁场。

4.如权利要求1所述的方法，其中生成调节导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力包括：生成迫使导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力。

5.如权利要求4所述的方法，其中生成迫使导电流体流过流体入口路径的洛伦兹力包括：通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在流体入口路径上生成至少一个磁场。

6.一种调节导电流体的流动的方法，该方法包含：

使导电流体流过通过多个磁导体限定的多个流动孔；

生成阻止导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力；以及

使导电流体沿着流体流动路径流动，限定该流体流动路径沿着多个磁导体，该流体流动路径与导电流体通过多个流动孔的流动实质上正交，生成的洛伦兹力与该流体流动路径实质上正交。

7.如权利要求6所述的方法，其中生成阻止导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力包括：通过布置在多个磁导体的外侧的携载电流场生成绕组，在多个流动孔上生成至少一个磁场。

8.一种调节导电流体的流动的方法，该方法包含：

使导电流体流过通过多个磁导体限定的多个流动孔；

生成迫使导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力；以及

使导电流体沿着流体流动路径流动，限定该流体流动路径沿着多个磁导体，该流体流动路径与导电流体通过多个流动孔的流动实质上正交，生成的洛伦兹力与该流体流动路径实质上正交。

9.如权利要求8所述的方法，其中生成迫使导电流体流过多个流动孔的洛伦兹力包括：通过布置在多个磁导体的内侧的第一多个携载电流导体和布置在多个磁导体的外侧的第二多个携载电流导体，在多个流动孔上生成至少一个磁场。