CN103230342A - 一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜，涉及利用化学法在牙釉质表面制备了具有一定结构和形貌的氟羟基磷灰石生长膜。其步骤为先将牙釉质样品放入30％磷酸中进行预处理，之后将牙釉质样品放入溶解了一定量的硝酸钙、磷酸氢二钠、乙二胺四乙酸二钠、氟化钠的溶液中浸泡，调节溶液的pH值和温度，经过3-7天，在牙釉质表面生长出棒状晶体，棒状晶体组成簇状结构分布在牙釉质表面，形成生长膜。

Description

一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜

技术领域

本发明属于生物医学材料领域，涉及一种生长在牙釉质表面的氟羟基磷灰石生长膜。

背景技术

牙釉质是牙齿牙冠部分最外层的一层结构，覆盖于牙冠，暴露在口腔中，是高度的矿化组织。牙釉质的结构很复杂，基本结构是釉柱。牙的总质量的96％-97％是无机材料，主要是羟基磷灰石，其大部分以晶体结构存在。牙釉质与牙本质结合在一起，每天要承受20MPa的负载3000次左右。龋齿是牙齿硬组织在外界不利因素影响下产生的一种缓慢脱矿的破坏性疾病，给人类的口腔健康带来了很大的危害。龋病是人类发病率极高的疾病，我国2005年第三次口腔健康流调显示：每一百个5岁儿童中就有超过66人嘴里有龋齿，35～44岁中年人群中，这一比例上升到88.1％，而65～74岁老年人的患龋率则高达98.4％。在牙釉质的形成过程中，有机质逐渐减少，成熟的牙釉质只含有少量的釉蛋白和成釉蛋白。成熟的牙釉质一旦患龋，无法自我修复，如果不去除局部存在的致病因素，病变就会缓慢持续地进展，牙齿最终丧失咀嚼功能。

目前预防和治疗龋病的方法主要有以下几个方面：1.口腔健康教育和口腔定期检查，防患于未然，及时发现及时治疗。2.氟化物的防龋，主要分为饮用水的氟化和牙齿局部氟化。近年来国内外学者认为，含氟涂膜较氟水漱口等其它用氟方法防龋效果更好，且实施前是否去除龋坏组织对抑菌效果无明显影响，是目前群体防龋的最佳方法之一。3.窝沟封闭是预防窝沟龋的最有效方法，其操作简便、无毒副作用，因而得到广泛应用。4.预防性充填是将窝沟封闭与窝沟龋充填相结合的预防早期龋新方法，目前主要应用非创伤性充填技术，是一种较好的防治早期龋的方法。5.龋病替代疗法是采用一定技术手段从致龋菌中获得无毒的变性菌株，接种于口腔内龋病好发部位，以占据或替代口腔中自然滋生型致菌株的位置，从而获得预防龋病的效应。6.防龋疫苗，如果能联合基因疫苗免疫，是理想的防龋决策之一。7.药物治疗是在磨除龋坏的基础上，应用药物抑制龋病发展的方法，适用于恒牙尚未成洞的浅龋，乳前牙的浅、中龋洞。常用药物包括氨销酸银和氟化钠等。

目前有多种方法可以用于制备类似牙釉质的羟基磷灰石涂层，如水热法、溶胶凝胶法、仿生法等，但这些方法有的需要高温高压，有的需要强酸环境，有的反应时间很长。申请号为200610135257.3发明名称为《牙釉质表面羟基磷灰石修复涂层电化学制备方法》的中国发明专利，公开了一种利用电化学方法在牙釉质表面制备具有一定形貌的羟基磷灰石修复涂层的方法。申请号为200610123046.8发明名称为《牙釉质表面早期龋损修复涂剂》的中国专利，公开了一种牙釉质表面早起龋损的涂层修复技术。申请号201010562521.8名称为《一种牙本质表面仿生羟基磷灰石涂层制备方法》的中国专利，公开了一种牙本质表面仿生羟基磷灰石涂层制备方法，采用电化学方法在牙本质表面制备具有一定形貌和结构的仿生羟基磷灰石涂层的方法。以上这几种方法能够成功的制备出钙磷涂层，达到修复的目的，但没有证据显示能制备出晶粒成簇状排列的氟羟基磷灰石生长膜。

发明内容

本发明旨在提供一种在牙釉质表面形成的晶粒成簇状排列的氟羟基磷灰石生长膜，能与基底牙釉质紧密结合，从而达到预防和修复龋损的目的。

本发明采用的技术方案是这样的：一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜，制备步骤为：

A、将牙釉质样品放入30％磷酸中进行预处理，处理温度为20℃-40℃，时间为20s-60s；

B、配制含有Ca、P、F的溶液，制备步骤为：在去离子水中加入一定量的硝酸钙、乙二胺四乙酸二钠、磷酸二氢钠、氟化钠，并调节溶液pH值为5.0-6.0，温度调节到37℃-60℃；

C、将经过A步骤处理的牙釉质样品放入B步骤配制的溶液中，处理时间为3天-7天。

作为优选：A步骤中所述牙釉质样品为正常拔除的无龋齿的牙齿冠状部位；

上述方法制备出的氟羟基磷灰石生长膜晶粒为棱柱状晶体，生长膜排列紧密，没有裂纹。

本发明使用酸性溶液对牙釉质表面进行腐蚀，不仅可以除去表面的一些有机杂质，并溶解牙釉质最外层的结石层，露出里面的牙釉质结构，还可以增加牙釉质表面的粗糙度和表面能，提高涂层的结合能力。

附图说明

图1为经30％磷酸处理40s后的牙釉质表面扫描电镜图。

图2、3、4为制备的涂层及相应的能谱。

图5为氟羟基磷灰石膜。

图6为图5的局部放大。

具体实施方式

下面对本发明作详细的说明。

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实际例子，对本发明进行进一步详细说明。此处所描述的具体实施仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

选取无龋病的由正龋拔下的成人自然牙为牙体样品，去除牙体软组织和牙根，将带有牙釉质的牙冠分成几颗大小接近的碎块，取其中一块放入30％的磷酸溶液中，磷酸溶液温度为25℃，浸泡60s，用去离子水多次冲洗去除表面的磷酸溶液，并自然晾干。配制矿化溶液，在800ml去离子水中加入16.5克硝酸钙、14.9克乙二胺四乙酸二钠、10.9克磷酸二氢钠、0.67克氟化钠，将溶液放入水浴锅中调节温度为37℃。将晾干的牙釉质样品放入配制好的37℃的溶液中浸泡6d，得到牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜。

实施例2

选取无龋病的由正龋拔下的成人自然牙为牙齿样品，在内院切割机上加工成厚度为1毫米的牙齿切片，取其中一个具有牙釉质的牙齿切片放入30％的磷酸溶液中浸泡50s，磷酸溶液温度为30℃，用去离子水多次冲洗表面的磷酸溶液，并自然晾干。配制矿化溶液，在400ml去离子水中加入8克硝酸钙、7克乙二胺四乙酸二钠、10.9克磷酸二氢钠、0.67克氟化钠，将溶液放入水浴锅中调节温度为45℃。将晾干的牙切片放入配制好的45℃溶液中浸泡5天，得到牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜。

实施例3

选取无龋病的由正龋拔下的成人自然牙为牙齿样品，去除牙体软组织和牙根，将带有牙釉质的牙冠放入30％的磷酸溶液中浸泡30s，磷酸溶液温度为40℃。配制溶液，在400ml去离子水中加入4克硝酸钙、3克乙二胺四乙酸二钠、5克磷酸二氢钠、0.4克氟化钠，将溶液放入水浴锅中调节温度为55℃。将晾干的牙切片放入配制好的55℃溶液中浸泡7天，得到牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜。

Claims (1)

1.一种在牙釉质表面生长的氟羟基磷灰石膜，其特征在于：棒状氟羟基磷灰石晶粒形成簇结构，均匀分布在牙釉质表面形成一层生长膜。生长膜的制备步骤为：

A、将牙釉质样品放入30％磷酸进行预处理，处理温度为20℃-40℃，时间为20s-60s；

B、在去离子水中加入一定量的硝酸钙、磷酸氢二钠、乙二胺四乙酸二钠、氟化钠，并调整溶液pH值为5.0-6.0，温度37℃-60℃；

C、将A步骤处理的牙釉质样品放入B步骤制备的溶液中，浸泡3-7天，在牙釉质样品的表面就生长出形成簇结构的棒状晶体，簇结构在牙釉质表面形成生长膜。

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