CN103227261A - Led倒装芯片 - Google Patents

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Abstract

LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。第二N欧姆接触层与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接。不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。

Description

LED倒装芯片
技术领域
本发明创造涉及LED倒装芯片。
背景技术
LED倒装芯片上，P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间。N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有沉坑让N欧姆接触层与N半导体层触通。按常理，P焊接电极覆盖区域不能设置N欧姆接触层和沉坑，故N欧姆接触层电流集中到P焊接电极覆盖区域之外，导致芯片上N欧姆接触层的电流分布不均匀。
发明内容
本发明创造要解决的技术问题是如何让LED倒装芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。
为此给出LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。
有益效果：第二N欧姆接触层虽然位于P焊接电极覆盖区域，但与P焊接电极相互绝缘以避免短路，且局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外以供焊接，凭借此结构，LED倒装芯片不仅在N焊接电极覆盖区域分布有N欧姆接触层，而且在P焊接电极覆盖区域也能够分布N欧姆接触层，故在芯片上N欧姆接触层的电流分布均匀。
其中，有位于P焊接电极覆盖区域之外的P外N欧姆接触层在芯片底面连通第二N欧姆接触层，芯片上开有P外沉坑让P外N欧姆接触层与N半导体层触通。
其中，所述的P外N欧姆接触层包括所述的第一N欧姆接触层。
其中，第二沉坑中设有绝缘层在侧面围住第二N欧姆接触层。
其中，P外沉坑中设有绝缘层在侧面围住P外N欧姆接触层。
其中，第二沉坑中设有绝缘层在侧面围住第二N欧姆接触层。
其中，其中的全部或部分绝缘层延伸至第二N欧姆接触层与P焊接电极之间，从而兼实现第二N欧姆接触层与P焊接电极之间的相互绝缘。
其中，芯片的P欧姆接触层与N欧姆接触层相邻，全部或部分绝缘层延伸至所对应的N欧姆接触层与相邻的P欧姆接触层之间，从而兼实现所对应的N欧姆接触层与相邻的P欧姆接触层之间的相互绝缘。
其中，第二N欧姆接触层有多个，多个第二N欧姆接触层在芯片底面互相连通。
附图说明
图1是LED倒装芯片的底面在焊接电极覆盖之前的示意图。
图2是在图1的基础上让焊接电极覆盖之后的示意图。
图3是LED倒装芯片局部的层状结构图。
图中的附图标记有： P焊接电极9，N焊接电极8，固晶基板89，固晶焊盘90； P欧姆接触层5，P金属电极层50，P半导体层52， N半导体层6，N欧姆接触层1， 第一N欧姆接触层11，第一沉坑12， 第二N欧姆接触层21，第二沉坑22，第二沉坑中的绝缘层23， 无覆盖N欧姆接触层41， P外N欧姆接触层31，P外沉坑32； 有源发光层7，衬底70。
具体实施方式
LED倒装芯片在焊接电极覆盖之前如图1，让焊接电极8、9覆盖之后如图2，P焊接电极9和N焊接电极8分别覆盖芯片底面的不同区域。N欧姆接触层1包括位于N焊接电极8覆盖区域的第一N欧姆接触层11、位于P焊接电极9覆盖区域的第二N欧姆接触层21和位于未覆盖区域的无覆盖N欧姆接触层41。第一N欧姆接触层11和无覆盖N欧姆接触层41均位于P焊接电极9覆盖区域之外，合称为P外N欧姆接触层31。第二N欧姆接触层21有三个，其中两个第二N欧姆接触层21在芯片底面互相连通。P外N欧姆接触层31在芯片底面连通第二N欧姆接触层21，让第二N欧姆接触层21局部延伸至P焊接电极9覆盖区域之外以供焊接，尤其地，因为P外N欧姆接触层31包括位于N焊接电极8覆盖区域的第一N欧姆接触层11，所以只需一次焊接就让第二N欧姆接触层21和P外N欧姆接触层31一并接通了。
以下见图2、3，P欧姆接触层5、P半导体层52和有源发光层7位于P焊接电极9与芯片的N半导体层6之间，芯片在P焊接电极9和N半导体层6之间开有第二沉坑22让第二N欧姆接触层21与N半导体层6触通。在图3显示范围之外，芯片开有P外沉坑32让P外N欧姆接触层31与N半导体层6触通，其中，芯片在N焊接电极8和N半导体层6之间开有第一沉坑12让第一N欧姆接触层11与N半导体层6触通。
如图3，第二沉坑22中设有绝缘层23在侧面围住第二N欧姆接触层21。在图3显示范围之外，P外沉坑32中设有绝缘层在侧面围住P外N欧姆接触层31，其中，第一沉坑12中设有绝缘层在侧面围住第一N欧姆接触层11。绝缘层在侧面围住N欧姆接触层有利于减小沉坑的横截面积，从而减小有源发光层7面积的损失，让有源发光层7具有较大的发光面积。如果不设置该绝缘层，直接把N欧姆接触层放在沉坑中，N欧姆接触层与沉坑侧边缘之间就需要预留足够的距离以避免短路，沉坑就不得不占用较大的横截面积，有源发光层7因而会有较大面积的损失，并且对上述距离的预留将使得与各沉孔分别对应的不同的N欧姆接触层之间的连通实现起来比较困难。
第二沉坑22中的绝缘层23延伸至第二N欧姆接触层21与P焊接电极9之间(图3的A处)，从而兼实现第二N欧姆接触层21与P焊接电极9之间的相互绝缘。同理，P外沉坑32中的绝缘层也可以延伸至第二N欧姆接触层21与P焊接电极9之间，从而兼实现第二N欧姆接触层21与P焊接电极9之间的相互绝缘，但需延伸的距离相对较长。
P欧姆接触层5与N欧姆接触层1相邻(见图1)，为此第二沉坑22中的绝缘层23延伸至所对应的第二N欧姆接触层21与相邻的P欧姆接触层5之间(图3的B处)，从而兼实现所对应的第二N欧姆接触层21与相邻的P欧姆接触层5之间的相互绝缘。在图3显示范围之外，P外沉坑32中的绝缘层也可以延伸至所对应的P外N欧姆接触层31与相邻的P欧姆接触层5之间，从而兼实现所对应的P外N欧姆接触层31与相邻的P欧姆接触层5之间的相互绝缘。
如图3，固晶焊盘90装在固晶基板89上，与P焊接电极9进行焊接。在图3显示范围之外，另一个固晶焊盘与N焊接电极8进行焊接。

Claims (9)

1.LED倒装芯片，其P焊接电极和N焊接电极分别覆盖芯片底面的不同区域，芯片的P欧姆接触层、P半导体层和有源发光层位于P焊接电极与芯片的N半导体层之间，有第一N欧姆接触层位于N焊接电极覆盖区域，芯片在N焊接电极和N半导体层之间开有第一沉坑让第一N欧姆接触层与N半导体层触通，其特征是，有第二N欧姆接触层位于P焊接电极覆盖区域但局部延伸至P焊接电极覆盖区域之外并且与P焊接电极相互绝缘，芯片在P焊接电极和N半导体层之间开有第二沉坑让第二N欧姆接触层与N半导体层触通。
2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征是，有位于P焊接电极覆盖区域之外的P外N欧姆接触层在芯片底面连通第二N欧姆接触层，芯片上开有P外沉坑让P外N欧姆接触层与N半导体层触通。
3.根据权利要求2所述的LED倒装芯片，其特征是，所述的P外N欧姆接触层包括所述的第一N欧姆接触层。
4.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征是，第二沉坑中设有绝缘层在侧面围住第二N欧姆接触层。
5.根据权利要求2所述的LED倒装芯片，其特征是，P外沉坑中设有绝缘层在侧面围住P外N欧姆接触层。
6.根据权利要求5所述的LED倒装芯片，其特征是，第二沉坑中设有绝缘层在侧面围住第二N欧姆接触层。
7.根据权利要求4、5或6所述的LED倒装芯片，其特征是，其中的全部或部分绝缘层延伸至第二N欧姆接触层与P焊接电极之间，从而兼实现第二N欧姆接触层与P焊接电极之间的相互绝缘。
8.根据权利要求4、5或6所述的LED倒装芯片，其特征是，芯片的P欧姆接触层与N欧姆接触层相邻，全部或部分绝缘层延伸至所对应的N欧姆接触层与相邻的P欧姆接触层之间，从而兼实现所对应的N欧姆接触层与相邻的P欧姆接触层之间的相互绝缘。
9.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征是，第二N欧姆接触层有多个，多个第二N欧姆接触层在芯片底面互相连通。
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