CN103227106B - 在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:步骤一:将氯铂酸与异丙醇按照1g:10-100ml比例进行混合,混合后在常温下静置大于24小时;步骤二:将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上,硅片涂覆后在常温下放置大于2小时;步骤三:将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900-1000℃高温处理大于15分钟。本发明改变了传统的物理方式淀积Pt工艺,将化学方式淀积Pt工艺应用到Pt掺杂工艺当中,不仅降低了生产成本,也减小了生产投入资金,利于大规模生产制造。
Description
技术领域
本发明涉及一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法。属于集成电路或分立器件制造技术领域。
背景技术
在生产分立器件开关二极管、快恢复二极管芯片中有一道非常关键的工序就是重金属掺杂;在半导体硅中掺入重金属后,重金属原子会以替位或填隙方式占据在硅中,形成深能级复合中心,这缩短了少子复合路程,大大提高少子复合几率,减小少子寿命,从而达到减小反向恢复时间的目的。如果没有该工序,所生产出来的二极管芯片反向恢复时间很长,不能用于高频电路中,Pt就是掺杂金属之一。
目前国内半导体生产厂家在半导体中掺入Pt原子的方法是将纯度为99.999%的金属Pt通过受控的高能电子束轰击,将电子轰击的动能转化为热能,瞬间使金属Pt融化并转化为气态,均匀地蒸发到半导体硅片上,然后对硅片进行高温处理,以达到将Pt原子掺入到半导体硅中的目的。由于金属Pt在淀积到硅片的过程中是无方向性的,很多都淀积在生产设备中,故会造成很大浪费,这是该技术的缺点之一;另外,该技术所用生产材料成本高,生产设备昂贵是另一弊端。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足,提供一种无需贵重金属材料和昂贵的生产设备即可实现的低成本Pt掺杂工艺。
本发明的目的是这样实现的:一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法,所述方法包括以下步骤:
步骤一:将氯铂酸与异丙醇按照1g:10—100ml比例进行混合,混合后在常温下静置大于24小时;
步骤二:将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上,硅片涂覆后在常温下放置,时间大于2小时;
步骤三:将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900-1000℃高温处理,处理大于15分钟。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明改变了传统的物理方式淀积Pt工艺,将化学方式淀积Pt工艺应用到Pt掺杂工艺当中,不仅降低了生产成本,也减小了生产投入资金,利于大规模生产制造。
具体实施方式
本发明涉及一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法,所述方法包括以下步骤:
步骤一:利用氯铂酸易溶于异丙醇且异丙醇易挥发特性,先将氯铂酸与异丙醇按照1g:10—100ml比例进行混合,混合后在常温下静置大于24小时;
步骤二:将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上,硅片涂覆后在常温下放置,放置时间大于2小时,在放置期间异丙醇将进行挥发,并同时将携带走氯铂酸中部分结晶水,这时硅片上将附着去除了部分结晶水的氯铂酸物质((H3O)2PtCl6.nH2O);
步骤三:将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900-1000℃高温处理,处理时间大于15分钟,此时去除了部分结晶水的氯铂酸物质((H3O)2PtCl6.nH2O)将进行分解,分解出金属Pt、HCl气体与Cl2,其中HCl气体与Cl2将随从N2一起从设备中排出;此时分解出来的金属Pt将淀积在硅片上并在高温作用下扩散到硅片中,达到掺杂Pt目的。
Claims (1)
1.一种在半导体硅片上淀积与掺杂Pt的工艺方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
步骤一:将氯铂酸与异丙醇按照1g:10—100ml比例进行混合,混合后在常温下静置大于24小时;
步骤二:将静置后的混合溶液用毛笔涂覆在硅片表面上,硅片涂覆后在常温下放置,放置时间大于2小时;
步骤三:将上述硅片放入通有N2的高温扩散炉内进行900-1000℃高温处理,处理时间大于15分钟。
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