CN103219421B - 利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法 - Google Patents

利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法 Download PDF

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Abstract

一种利用激光在半导体材料中制作垂直多结太阳能电池片的方法，将半导体材料放在装有透明窗口的真空室中，真空室安装在三维移动平台上，利用激光对处于杂质氛围中的半导体材料进行区域选择性掺杂形成p型层或n型层掺杂条纹序列，形成的p-n结或p-i-n结序列的耗尽层平面垂直于光照面，在背面刻蚀电极槽从而制作垂直多结太阳能电池片。本发明为垂直多结太阳能电池片提供了廉价、简易的全激光制作工艺。

Description

利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池片，特别是一种利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，特别是关于利用激光选择性掺杂在半导体材料中形成具有交错p型层和n型层的p-n结或p-i-n结序列的太阳能电池片。
背景技术
基于p-n结或p-i-n结的传统太阳能电池片的耗尽层平面平行于光照面，接触电极位于电池上下表面，载流子必须流经电池表面薄层才能被电极收集，这一过程引入了薄层电阻，减低了载流子收集效率。采用这种结构的光电池串联电阻会因此增大，这种情况在较强光强下（约大于50个太阳）更为严重，且入射面的接触电极增加了遮光损耗。
Chilton等公开的多结光电二极管探测器是由p-n结序列构成且光照面和耗尽层平面垂直，该专利（USD3617825）旨在提高探测器的信噪比和输出信号强度，且能保证输出电势不受光照面积影响而只是光强的函数。将这种垂直多结设计用于聚光太阳能电池可使电池寿命提高50%。
目前，多结太阳能电池片需要采用刻蚀或化学气相沉积工艺制作，工序繁多，工艺复杂，加工成本高。
激光由于高方向性和高亮度特点，可以方便实现微小尺度加工。激光激发下达到熔融和等离子体态的半导体材料能够超饱和溶解杂质原子从而实现掺杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，该方法具有简便的特点，可提高太阳能电池的性价比。
为了实现上述目的，本发明的技术解决方案如下：
一种利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，其特点在于该方法采用的激光具有介于100皮秒和100飞秒之间的脉冲宽度，介于1kHz与500kHz之间的脉冲重复率R，介于500-1100nm的波长；该方法采用的加工装置包括定位精度高于5μm的三维移动平台，控制三维平台升降和平面直线运动的计算机；安装在所述的三维移动平台上的真空室；装在该真空室顶部的透明窗口；装在真空室上的进气口和出气口；磷烷（PH3）和二硼烷（B2H6）气体接至进气口并由进气阀门控制；出气口接至真空泵，由出气阀门控制；入射激光通过物镜聚焦后经所述的透明窗口入射到真空室内，该方法包括以下步骤：
①将待加工的半导体材料放置在真空室中央(平台坐标系的原点)，旋转待加工的半导体材料使三维移动平台的X方向和Y方向平行于半导体材料的定向边（晶圆）或直角边（矩形半导体材料）；固定半导体材料，在半导体材料上选取位于平台坐标系第一象限且距离原点最远的点作为第一次掺杂起点；
②关闭真空室的进气阀门，打开出气阀门，将真空室抽真空至1mbar以下后关闭出气阀门，打开进气阀门，将磷烷（PH3）气体通过进气口充入真空室中，充气气压维持在0.1～1bar；
③调整所述的三维移动平台（3），使所述的半导体材料（1）的第一次掺杂起点移动到物镜（4）的焦点，通过物镜（4）导入激光（10），调整物镜（4）后的聚焦激光的光斑直径D为1～25μm，调节激光能量E，使其满足Em<E<Ea，其中Em和Ea分别为材料的熔融和烧蚀的能量阈值；
④计算机驱动所述的三维移动平台沿X正方向移动，使聚焦激光沿X负方向匀速运动扫描半导体材料，杂质元素在激光扫描过程中被掺入激光扫过的区域，形成掺杂条纹，条纹宽度为W，当所述的激光焦点移动到半导体材料的另一端时，计算机驱动所述的三维移动平台沿Y正方向平移距离W+2Wi；然后计算机再驱动所述的三维移动平台沿X负方向匀速运动进行激光扫描，完成2条掺杂条纹；
⑤重复步骤④，制作出2-1000条掺杂条纹；
⑥打开出气阀门，将真空室抽真空至1mbar以下后关闭出气阀门，打开进气阀门（7）将二硼烷（B2H6）气体通过进气口充入真空室中，充气气压维持在0.1-1bar；
⑦将和所述的第一次掺杂起点在Y方向上距离W+Wi点作为第二次掺杂的起始点，计算机驱动所述的三维移动平台使物镜的焦点移至第二次掺杂的起始点，重复步骤④⑤，在已经形成的掺杂条纹的间隙制作另一组掺杂条纹，两组条纹的中间未掺杂区域为i型层掺杂条纹，Wi即为其宽度；
⑧打开出气阀门，抽去二硼烷（B2H6）气体，翻转掺杂后的半导体材料使其背面朝上并固定，向进气口充入惰性气体作为保护气体，调节激光能量E使其大于烧蚀阈值Ea，沿掺杂条纹移动激光使激光在每一条掺杂条纹的背面刻蚀出电极槽（17），从而完成多结太阳能电池片的制作。
所述的i型层掺杂条纹的宽度小于载流子的扩散长度时，形成的是p-n多结结构，否则是p-i-n多结结构。
所述的平台的移动速度v、脉冲重复率R和光斑直径D应满足v<RD。
背电极的深度足以接触掺杂区域。
本发明的技术效果如下：
该方法的优点是掺杂的浓度、宽度及深度灵活可控：可以通过增加激光能量、重复率和杂质气体压强增加掺杂的浓度，其最大可掺杂浓度可以超过热扩散和气相沉积方法获得的结果。
可以通过选择低倍物镜、长激光波长和高聚焦深度来增加掺杂的深度。掺杂条纹的最小可实现宽度是由聚焦光斑直径决定的，可通过增大聚焦倍数减小掺杂条纹最小可实现宽度；若需要增加结区的宽度可以通过采用低倍聚焦系统或是增加扫描的次数实现。该方法为垂直多结太阳能电池片提供了简便廉价的全激光制备方法。
附图说明
图1为使用聚焦激光制作垂直多结太阳能电池片的装置图
图2为聚焦光束在待掺杂样品表面掺杂n型掺杂条纹序列示意图
图3为聚焦光束在待掺杂样品表面掺杂p型掺杂条纹序列示意图
图4为掺杂完成的p-i-n垂直多结太阳能电池片
图5为使用激光在背面刻蚀了电极槽结构的垂直多结太阳能电池片
具体实施方案
下面通过实施例对本发明作进一步说明，以便于对本发明及其优点的进一步理解。
先请参阅图1，由图可见，本发明利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，该方法采用的激光10具有介于100皮秒和100飞秒之间的脉冲宽度，介于1kHz与500kHz之间的脉冲重复率R，介于500-1100nm的波长；该方法采用的加工装置包括定位精度高于5μm的三维移动平台3，控制三维平台升降和平面直线运动的计算机；安装在所述的三维移动平台3上的真空室2；装在该真空室2顶部的透明窗口5；装在真空室2上的进气口6和出气口8；磷烷（PH3）和二硼烷（B2H6）气体接至进气口6并由进气阀门7控制；出气口8接至真空泵，由出气阀门9控制；入射激光10通过物镜4聚焦后经所述的透明窗口5入射到真空室2内，将待加工的半导体材料放置在真空室2中央，旋转半导体材料1使三维移动平台的X方向和Y方向平行于半岛体材料的定向边（晶圆）或直角边（矩形半导体材料），固定半导体材料；如图1所示；该方法包括以下步骤：
①将待加工的半导体材料1放置在真空室2中央(平台坐标系的原点)，旋转待加工的半导体材料1使三维移动平台的X方向和Y方向平行于半导体材料的定向边（晶圆）或直角边（矩形半导体材料）；固定半导体材料，在半导体材料上选取位于平台坐标系第一象限且距离原点最远的点作为第一次掺杂起点；
②关闭真空室的进气阀门7，打开出气阀门9，将真空室2抽真空至1mbar以下后关闭出气阀门9，打开进气阀门7，将磷烷（PH3）气体通过进气口6充入真空室中，充气气压维持在0.1～1bar；
③调整所述的三维移动平台3，使所述的半导体材料1的第一次掺杂起点移动到物镜4的焦点，通过物镜4导入激光10，调整物镜4后的聚焦激光的光斑直径D为1～25μm，调节激光能量E，使其满足Em<E<Ea，其中Em和Ea分别为材料的熔融和烧蚀的能量阈值；
④计算机驱动所述的三维移动平台3沿X正方向移动，使聚焦激光沿X负方向匀速运动扫描半导体材料，杂质元素在激光扫描过程中被掺入激光扫过的区域，形成掺杂条纹，条纹宽度为W，当所述的激光焦点移动到半导体材料1的另一端时，计算机驱动所述的三维移动平台3沿Y正方向平移距离W+2Wi；然后计算机再驱动所述的三维移动平台3沿X负方向匀速运动进行激光扫描，完成2条掺杂条纹；
⑤重复步骤④，制作出2-1000条掺杂条纹，如图2所示；
⑥打开出气阀门9，将真空室2抽真空至1mbar以下后关闭出气阀门9，打开进气阀门7将二硼烷（B2H6）气体通过进气口6充入真空室2中，充气气压维持在0.1-1bar；
⑦将和所述的第一次掺杂起点在Y方向上距离W+Wi点作为第二次掺杂的起始点，计算机驱动所述的三维移动平台3使物镜4的焦点移至第二次掺杂的起始点，重复步骤④⑤，在已经形成的掺杂条纹的间隙制作另一组掺杂条纹，两组条纹的中间未掺杂区域为i型层掺杂条纹14，Wi即为其宽度，如图3、4所示；
⑧打开出气阀门，抽去二硼烷（B2H6）气体，翻转掺杂后的半导体材料使其背面朝上并固定，向进气口充入惰性气体作为保护气体，调节激光能量E使其大于烧蚀阈值Ea，沿掺杂条纹移动激光使激光在每一条掺杂条纹的背面刻蚀出电极槽17，从而完成多结太阳能电池片的制作，如图5所示。
半导体材料的熔融阈值Em和烧蚀阈值Ea随半导体材料的种类、所用的激光重复率、激光波长、聚焦倍数的变化会出现显著差异，可以通过以下方法确定：将待掺杂的半导体材料置于物镜焦点，缓慢增大激光能量，当被激光照射的半导体材料刚刚出现肉眼可见的颜色改变时，所用的激光能量为熔融阈值Em；继续增大激光能量，当刚刚出现激光烧蚀孔洞时，所用的激光能量为烧蚀阈值Ea。下面是实施例。
实施例1
样品：本征单晶硅片。
所用的杂质氛围：磷烷（PH3）气体（n型），二硼烷（B2H6）气体（p型），气压0.1bar。
加工参数：激光波长790nm，重复频率为1kHz，脉冲宽度为150fs，聚焦物镜4倍率为10，平台移动速度100μm/s，掺杂条纹宽度为100μm，掺杂条纹本征区宽度为300μm。
具体步骤为：
1.将厚度为200μm，面积为50×50mm2的本征单晶晶圆（1）放置在真空室（2）中央，旋转半导体材料（1）使三维移动平台的X方向和Y方向平行于半导体材料的定向边；固定半导体材料；如图1所示；
2.关闭进气阀门7，打开出气阀门9，将出气口8接至真空泵（图中未示），将真空室抽真空至0.1mbar后从进气口6向真空室中通入0.1bar磷烷（PH3）气体；
3.调整所述的三维移动平台（3），使所述的半导体材料（1）的第一次掺杂起点移动到物镜（4）的焦点，通过物镜（4）导入激光（10），经过物镜（4）后的聚焦激光的光斑直径D为25μm，调节激光能量E至10μJ；
4.计算机驱动所述的三维移动平台（3）沿X正方向移动，移动速度v为100μm/s，移动长度S为1mm。使聚焦激光沿X负方向匀速运动扫描半导体材料，杂质元素在激光扫描过程中被掺入激光扫过的区域，形成掺杂条纹，条纹宽度为W为100μm，当所述的激光焦点移动到半导体材料（1）的另一端时，通过计算机驱动所述的三维移动平台（3）沿Y正方向平移700μm；然后计算机驱动所述的三维移动平台（3）沿X负方向匀速运动进行激光扫描；
5.重复过程4，制作出由61条掺杂条纹组成的掺杂条纹序列，如图2所示；
6.打开出气阀门9，将真空室2抽真空至1mbar以下后关闭出气阀门9，打开进气阀门7将二硼烷（B2H6）气体通过进气口6充入真空室中，充气气压维持在0.1bar；排除真空室中的磷烷后重新抽真空，然后向真空室中充入压强为0.1bar的二硼烷（B2H6）气体；
7.将和起始点在Y方向上距离400μm的点作为第二次掺杂的起始点，计算机驱动所述的三维移动平台（3）使物镜（4）的焦点移至第二次掺杂的起始点，重复步骤④⑤，在已经形成的掺杂条纹的间隙制作另一组掺杂条纹，两组条纹的中间未掺杂区域为i型层掺杂条纹14，其宽度Wi为300μm，如图3、4所示；
8.打开出气阀门，抽去二硼烷（B2H6）气体，翻转掺杂后的半导体材料使其背面朝上并固定，调节激光能量E使其为20μJ。沿掺杂条纹移动激光使激光在掺杂条纹背面刻蚀出电极槽17，电池槽宽为50μm，深度为100μm，从而完成多结太阳能电池片的制作，如图5所示。
实施例2
激光波长为532nm，重复频率为500kHz，脉冲宽度为100ps，激光功率为2W，聚焦物镜倍率为4，平台移动速度1mm/s，掺杂条纹宽度W为50μm，掺杂条纹本征区宽度Wi为0μm，硅片是厚度为200μm，面积为50×50mm2的单晶硅片。所用的杂质氛围是气压为1bar的二硼烷（B2H6）气体（p型）。
具体步骤为同实施例1，只是移动长度S为100mm,相邻两次直线移动平移距离为15μm，掺杂条纹序列的周期为150μm。背面电极刻槽的宽度为70μm，深度为100μm。
实施例3
激光波长1064nm，重复频率为500kHz，脉冲宽度为100ps，激光功率为5W，聚焦物镜倍率为20，平台移动速度10mm/s，掺杂条纹宽度为5μm，掺杂条纹本征区宽度为50μm。硅片是厚度为200μm，面积为50×50mm2的n型本征多晶硅片。所用的杂质氛围是气压为0.6bar的磷烷（PH3）气体（n型）和二硼烷（B2H6）气体（p型）。
具体步骤为同实施例1，只是每个掺杂条纹由1次扫描形成，移动长度S为500mm,相邻两次直线移动平移距离为10μm，掺杂条纹序列的周期为120μm。背面电极刻槽的宽度为10μm，深度为50μm。

Claims (4)

1.一种利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，其特征在于该方法采用的激光(10)具有介于100皮秒和100飞秒之间的脉冲宽度，介于1kHz与500kHz之间的脉冲重复率R，介于500-1100nm的波长；该方法采用的加工装置包括定位精度高于5μm的三维移动平台(3)，控制三维平台升降和平面直线运动的计算机；安装在所述的三维移动平台(3)上的真空室(2)；装在该真空室(2)顶部的透明窗口(5)；装在真空室(2)上的进气口(6)和出气口(8)；磷烷(PH3)和二硼烷(B2H6)气体接至进气口(6)并由进气阀门(7)控制；出气口(8)接至真空泵，由出气阀门(9)控制；入射激光(10)通过物镜(4)聚焦后经所述的透明窗口(5)入射到真空室(2)内，该方法包括以下步骤：
①将待加工的半导体材料(1)放置在真空室(2)中央，将所述真空室(2)中央定义为平台坐标系的原点，旋转待加工的半导体材料(1)使三维移动平台的X方向和Y方向平行于晶圆半导体材料的定向边或矩形半导体材料的直角边；固定半导体材料，在半导体材料上选取位于平台坐标系第一象限且距离原点最远的点作为第一次掺杂起点；
②关闭真空室的进气阀门(7)，打开出气阀门(9)，将真空室(2)抽真空至1mbar以下后关闭出气阀门(9)，打开进气阀门(7)，将磷烷(PH3)气体通过进气口(6)充入真空室中，充气气压维持在0.1～1bar；
③调整所述的三维移动平台(3)，使所述的半导体材料(1)的第一次掺杂起点移动到物镜(4)的焦点，通过物镜(4)导入激光(10)，调整物镜(4)后的聚焦激光的光斑直径D为1～25μm，调节激光能量E，使其满足Em<E<Ea，其中Em和Ea分别为材料的熔融和烧蚀的能量阈值；
④计算机驱动所述的三维移动平台(3)沿X正方向移动，使聚焦激光沿X负方向匀速运动扫描半导体材料，杂质元素在激光扫描过程中被掺入激光扫过的区域，形成掺杂条纹，条纹宽度为W，当所述的激光焦点移动到半导体材料(1)的另一端时，计算机驱动所述的三维移动平台(3)沿Y正方向平移距离W+2Wi；然后计算机再驱动所述的三维移动平台(3)沿X负方向匀速运动进行激光扫描，完成2条掺杂条纹；
⑤重复步骤④，制作出2-1000条掺杂条纹；
⑥打开出气阀门(9)，将真空室(2)抽真空至1mbar以下后关闭出气阀门(9)，打开进气阀门(7)将二硼烷(B2H6)气体通过进气口(6)充入真空室(2)中，充气气压维持在0.1-1bar；
⑦将和所述的第一次掺杂起点在Y方向上距离W+Wi点作为第二次掺杂的起始点，计算机驱动所述的三维移动平台(3)使物镜(4)的焦点移至第二次掺杂的起始点，重复步骤④⑤，在已经形成的掺杂条纹的间隙制作另一组掺杂条纹，两组条纹的中间未掺杂区域为i型层掺杂条纹(14)，Wi即为其宽度；
⑧打开出气阀门，抽去二硼烷(B2H6)气体，翻转掺杂后的半导体材料使其背面朝上并固定，向进气口充入惰性气体作为保护气体，调节激光能量E使其大于烧蚀阈值Ea，沿掺杂条纹移动激光使激光在每一条掺杂条纹的背面刻蚀出电极槽(17)，从而完成多结太阳能电池片的制作。
2.根据权利要求1所述的利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，其特征在于所述的i型层掺杂条纹(14)的宽度小于载流子的扩散长度时，形成的是p-n多结结构，否则是p-i-n多结结构。
3.根据权利要求1所述的利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，其特征在于所述的平台的移动速度v、脉冲重复率R和光斑直径D应满足v<RD。
4.根据权利要求1所述的利用激光制作垂直多结太阳能电池片的方法，其特征在于背电极的深度足以接触掺杂区域。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108296629B (zh) * 2017-01-13 2020-01-03 中国科学院金属研究所 一种高通量扩散偶的激光成形方法
CN108400176B (zh) * 2018-02-28 2020-01-17 张治国 垂直多结硅光伏器件的电极引线及集成方法
CN112117334A (zh) * 2020-09-11 2020-12-22 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 选择性发射极的制备方法及太阳能电池的制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3617825A (en) * 1968-12-23 1971-11-02 George E Chilton Multijunction photodiode detector
US4147563A (en) * 1978-08-09 1979-04-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing
CN1648715A (zh) * 2005-01-10 2005-08-03 中国科学院上海光学精密机械研究所 在导电玻璃表面诱导周期性微结构的方法
CN102113137A (zh) * 2008-10-05 2011-06-29 常州雷射激光设备有限公司 制造光伏器件的方法和系统
CN202127036U (zh) * 2011-07-11 2012-01-25 刘莹 一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备
CN102763194A (zh) * 2009-12-17 2012-10-31 伊诺拉斯系统股份有限公司 掺杂半导体材料的系统和方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3617825A (en) * 1968-12-23 1971-11-02 George E Chilton Multijunction photodiode detector
US4147563A (en) * 1978-08-09 1979-04-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing
CN1648715A (zh) * 2005-01-10 2005-08-03 中国科学院上海光学精密机械研究所 在导电玻璃表面诱导周期性微结构的方法
CN102113137A (zh) * 2008-10-05 2011-06-29 常州雷射激光设备有限公司 制造光伏器件的方法和系统
CN102763194A (zh) * 2009-12-17 2012-10-31 伊诺拉斯系统股份有限公司 掺杂半导体材料的系统和方法
CN202127036U (zh) * 2011-07-11 2012-01-25 刘莹 一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备

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