CN103207215A - 一种改进型的基于聚酰亚胺的湿度传感器 - Google Patents

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宁文果
罗乐
徐高卫
李珩
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Abstract

本发明涉及一种改进型基于聚酰亚胺的湿度传感器,其特征在于,在电极板之间涂覆聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料,然后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积,具有响应时间快的特点。

Description

一种改进型的基于聚酰亚胺的湿度传感器
技术领域
本发明涉及一种改进型的基于聚酰亚胺的湿度传感器,属于传感器领域
背景技术
湿度传感器主要有电阻式、电容式两大类。
电阻式湿度传感器的特点是在基片上覆盖一层用感湿材料制成的薄膜,当空气中的水蒸气吸附在感湿膜上时,元件的电阻率和电阻值都发生变化,利用这一特性即可测量湿度。
电容式湿度传感器一般是用高分子薄膜电容制成的,常用的高分子材料有聚苯乙烯、聚酰亚胺、酪酸醋酸纤维等。当环境湿度发生改变时,湿敏电容的介电常数发生变化,使其电容量也发生变化,其电容变化量与相对湿度成正比。
湿度传感器的性能指标主要有测试精度响应时间等
电容式湿度传感器的优点是电容变化与湿度呈现高度线性关系,占据了约75%的市场份额。
在电容式传感器中,经常用到聚酰亚胺作为薄膜电容,这种材料与集成电路工艺兼容,化学性能稳定,水渗透性好,
传统的电容式湿度传感器一般由两层电极和一层高分子材料组成,如图所示这种传感器具有与周围环境接触面积有限,响应时间长等缺点。
从电容公式来看,提高湿度传感器的性能的方法主要有两种,一种是提高高分子材料感温性能,当材料确定后只能改变传感器的结构从而提高湿度传感器的性能
传统的湿度传感器,基本结构为在电极之间制作高分子材料作为感湿材料,通常在高分子材料上并不制作图形。本发明改变传统湿度传感器结构,在聚酰亚胺材料中光刻出空腔,提高了薄膜与周围环境的接触面积。以克服现有技术中存在的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改进型的基于聚酰亚胺的湿度传感器,具体是在电极之间制作空腔,从而提高了薄膜与周围环境的接触面积,减小响应时间,提高湿度传感器结构的性能。
本发明的技术方案是,首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层,然后电镀出电容电极,再涂覆聚酰亚胺做为电容的介电材料和传感器的湿度敏感材料,最后在聚酰亚胺中利用光刻技术制作空腔,提高薄膜介电材料与周围环境的接触面积。(详见具体实施方式)
本发明的特征在于:
①所述的湿度传感器在电极板之间的聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔;
②所述的湿度传感器可以是沿电板方向制作单个空腔;
③所述的湿度传感器可以是沿电板方向制作多个空腔;
④所述的湿度传感器可以是垂直电板方向制作多个空腔;
⑤所述的湿度传感器可以是在电极板之间的聚酰亚胺中制作多个独立的空腔;
⑥所述的湿度传感器可以是在电极板之间的聚酰亚胺中保留多个独立的实体。
总之,本发明涉及一种改进型基于聚酰亚胺的湿度传感器,其特征在于,在电极板之间涂覆聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料,然后在聚酰亚胺层中利用光刻技术制作空腔。该传感器提高了传感器与周围环境的接触面积,具有响应时间快的特点。
附图说明
图1是湿度传感器制作流程图。
图2是传感器制作完成后三维图。
图3是在电极板之间的聚酰亚胺中沿电极板方向制作多个空腔(平视图)。
图4是在电极板之间的聚酰亚胺中垂直电极板方向制作多个空腔(传感器上表面俯视图)。
图5是在电极板之间的聚酰亚胺中制作多个独立的空腔(传感器上表面俯视图)。
图6是在电极板之间的聚酰亚胺中保留多个独立的聚酰亚胺块(传感器上表面俯视图)。
具体实施方式
为了能使本发明的优点和积极效果得到充分体现,下面结合附图和实施例对本发明实质性特点和显著的进步作进一步说明。
实施例1,请参阅图1:
(a)为准备制作湿度传感器的硅片1;
(b)为(a)所述的硅片1的正面制作SiO2层2;
(c)为溅射金属种子层并电镀出电容电极板3,典型的电极板材料包括Au等;
(d)为涂覆聚酰亚胺4,制作电容电介质材料;
(e)为在聚酰亚胺中制作空腔5,并固化;
制作后的湿度传感器三维图如图2所示。
实施例2
所述的空腔的形状如图3所示,在电极板之间的聚酰亚胺中沿电极板方向制作单个或多个空腔。多个空腔数量在2个或2个以上,在满足光刻精度要求的条件下,空腔数量越多,空腔的开口越小,传感器的性能应当越好。
除空腔制作方法与具体实施方式1不同外,其余步骤与具体实施方式一的步骤、工艺参数完全相同。
实施例3
所述的空腔如图4所示,在电极板之间的聚酰亚胺中垂直电极板方向制作多个空腔。空腔数量在2个或2个以上,在满足光刻精度要求的条件下,空腔数量越多,空腔的开口越小,传感器的性能应当越好。
除空腔制作方法与具体实施方式一不同外,其余步骤与具体实施方式一的步骤、工艺参数完全相同。
实施例4
所述的空腔如图5所示,在电极板之间的聚酰亚胺中制作多个独立的空腔。空腔数量在2个或2个以上,在满足光刻精度要求的条件下,空腔数量越多,空腔的开口越小,传感器的性能应当越好。
除空腔制作方法与具体实施方式一不同外,其余步骤与具体实施方式一的步骤、工艺参数完全相同。
实施例5
所述的空腔如图6所示,在电极板之间的聚酰亚胺中保留多个独立的聚酰亚胺块实体。空腔数量在2个或2个以上,在满足光刻精度要求的条件下,空腔数量越多,空腔的开口越小,传感器的性能应当越好。

Claims (7)

1.一种改进型基于聚酰亚胺的湿度传感器,其特征在于在电极板之间涂覆聚酰亚胺薄膜作为湿度敏感材料,然后在聚酰亚胺薄膜上利用光刻技术制作空腔。
2.按权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于所述的空腔是沿电板方向制作单个空腔。
3.按权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于所述的空腔是沿电板方向制作多个空腔。
4.按权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于所述的空腔是垂直电板方向制作多个空腔。
5.按权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于所述的空腔是在电极板之间的聚酰亚胺中制作多个独立的空腔。
6.按权利要求1所述的湿度传感器,其特征在于所述的空腔是在电极板之间的聚酰亚胺中保留多个独立的聚酰亚胺块实体。
7.按权利要求3-6中任一项所述的湿度传感器,其特征在于:
①多个空腔的数量为2个或2个以上;
②空腔的数量越多,空腔的开口越小,则湿度传感器性能越好。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104634832A (zh) * 2015-02-28 2015-05-20 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 Cmos mems电容式湿度传感器及其制备方法
CN105067682A (zh) * 2015-08-19 2015-11-18 东南大学 一种柔性电容式湿度传感器及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3047137B2 (ja) * 1991-09-06 2000-05-29 グローリー工業株式会社 湿度センサの製造方法
CN101437467A (zh) * 2004-08-13 2009-05-20 斯特根有限公司 具有纳米多孔层的医疗装置及其制造方法
WO2009066992A2 (en) * 2007-11-23 2009-05-28 Mimos Berhad Capacitive sensor
TW200933144A (en) * 2008-01-16 2009-08-01 Univ Nat Sun Yat Sen Manufacturing method of humidity sensor having porous sensing layer
CN102150038A (zh) * 2008-09-11 2011-08-10 Nxp股份有限公司 具有组合的面内和平行平面结构的传感器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3047137B2 (ja) * 1991-09-06 2000-05-29 グローリー工業株式会社 湿度センサの製造方法
CN101437467A (zh) * 2004-08-13 2009-05-20 斯特根有限公司 具有纳米多孔层的医疗装置及其制造方法
WO2009066992A2 (en) * 2007-11-23 2009-05-28 Mimos Berhad Capacitive sensor
TW200933144A (en) * 2008-01-16 2009-08-01 Univ Nat Sun Yat Sen Manufacturing method of humidity sensor having porous sensing layer
CN102150038A (zh) * 2008-09-11 2011-08-10 Nxp股份有限公司 具有组合的面内和平行平面结构的传感器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
T.SUZUKI ETC.: ""O2 plasma treated polyimide-based humidity sensor"", 《ANALYST》 *
顾磊等: ""一种新型的CMOS 集成湿度传感器"", 《微纳电子技术》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104634832A (zh) * 2015-02-28 2015-05-20 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 Cmos mems电容式湿度传感器及其制备方法
CN105067682A (zh) * 2015-08-19 2015-11-18 东南大学 一种柔性电容式湿度传感器及其制备方法

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