CN103204620B - 一种低频石英晶片滚筒加工方法 - Google Patents

一种低频石英晶片滚筒加工方法 Download PDF

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Abstract

一种低频石英晶片滚筒及其使用方法,滚筒包括外筒和内筒,所述内筒位于外筒内部,所述内筒中最小直径为78mm,最大直径为90mm,所述外筒的直径为160mm,加料方式为砂:晶片=10:3000,加水时必须将滚筒中加满水,滚筒的转速控制在:120-180转/秒,装料量为2500-3500片/筒,加工前后频率的变化量控制在400-500KHz。本发明性能优异,效果优良。

Description

一种低频石英晶片滚筒加工方法
技术领域
本发明涉及滚筒设计工艺,具体为一种低频石英晶片滚筒加工方法。
背景技术
生产石英晶片时,需要用到滚筒,而滚筒的性能好坏,直接决定了晶片的质量,目前的滚筒由于设计精度不高,生产出的晶片性能差,达不到应该的要求,所以开发一种新型的滚筒非常有必要。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种低频石英晶片滚筒加工方法,以解决上述背景技术中的缺点。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种低频石英晶片滚筒加工方法,所用滚筒包括外筒和内筒,所述内筒位于外筒内部,所述内筒中最小直径为78mm,最大直径为90mm,所述外筒的直径为160mm。
本发明中,加料方式为砂:晶片=10:3000,加水时必须将滚筒中加满水。
本发明中,滚筒的转速控制在:120-180转/秒。
本发明中,装料量为2500-3500片/筒,加工前后频率的变化量控制在400-500KHz。
有益效果
本发明性能优异,效果优良。
附图说明
图1为本发明中,滚筒的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
参见图1,一种低频石英晶片滚筒加工方法,滚筒包括外筒1和内筒2,所述内筒2位于外筒1内部,所述内筒2中最小直径为78mm,最大直径为90mm,所述外筒1的直径为160mm。
本发明中,加料方式为砂:晶片=10:3000,加水时必须将滚筒中加满水。
本发明中,滚筒的转速控制在:120-180转/秒。
本发明中,装料量为2500-3500片/筒,加工前后频率的变化量控制在400-500KHz。
本发明生产的产品产品收能不大于12M,电阻不大于30欧姆。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点,本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内,本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (1)

1.一种低频石英晶片滚筒加工方法,其特征在于,所用滚筒包括外筒和内筒,所述内筒位于外筒内部,所述内筒中最小直径为78mm,最大直径为90mm,所述外筒的直径为160mm,加料方式为砂:晶片=10:3000,加水时必须将滚筒中加满水,滚筒的转速控制在:120-180转/秒,装料量为2500-3500片/筒,加工前后频率的变化量控制在400-500KHz。
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