CN103190820A - 电子香 - Google Patents

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陈柏洲
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Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
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Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
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Abstract

一种电子香，包括：中空管体，具有相对的一端和第二端，所述第一端具有透明部分，所述透明部分的内表面具有散光结构，以散射入射到所述透明部分的光；以及激光二极管，位于所述第二端，所述激光二极管发出的激光光在所述中空管体内传播并经所述透明部分散发出去。

Description

电子香
技术领域
本发明涉及一种电子香。
背景技术
目前电子香的本体是使用一透明导光管外面包覆一层途有与传统香颜色相同的不透明材料。在香炉底部则有一颗发光二极管，发出的光藉由透明导光管传到香的顶端，顶端部分一有一半球状的透明零件，使香发出的光场能够类似于传统香的燃烧形状。
使用发光二极管的电子香需要一透明导光管做为光的传导体，因为发光二极管发出的光为发散光，因此需要将光收集并传到电子香另一端，而导光管为常见的方式。当光耦合到导光管内部时，因全反射定律使得光在导光管内全反射，直到电子香的另一端而散出，从而使光利用率较低。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种光利用率高的电子香。
一种电子香，包括：中空管体，具有相对的一端和第二端，所述第一端具有透明部分，所述透明部分的内表面具有散光结构，以散射入射到所述透明部分的光；以及激光二极管，位于所述第二端，所述激光二极管发出的激光光在所述中空管体内传播并经所述透明部分散发出去。
相较于现有技术，本发明实施例的电子香使用激光二极管为光源，发出的激光光为准直光，准直光可直接入射到透明部分，被散光结构散射，从而降低了光线在中空管体内反射、折射的几率，提高了光利用率。
附图说明
图1是本发明实施例电子香的示意图。
主要元件符号说明
电子香 10
中空管体 11
第一端 11a
第二端 11b
透明部分 110
第一涂层 111
第二涂层 112
散光结构 113
激光二极管 12
香炉 13
激光光 20
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，本发明实施例提供的电子香10包括中空管体11和激光二极管（laser）12，将电子香10插设在香炉13中并将激光二极管12与电源连通使其发光以具有传统线香的形态。
中空管体11具有相对的第一端11a和第二端11b，其中，第一端11a的端部具有半球形透明部分110。
由于激光二极管12发出的激光光20为准直光，因此，透明部分110内表面设置有散光结构113，散光结构113使入射到透明部分110上的光被散射，以使激光光20在透明部分110呈散射状发出。
散光结构113是将透明部分110的内表面进行雾化处理而得到，例如通过喷砂处理使内表面粗糙化。
第一端11a的表面上具有不透光的第一涂层111，应注意的是，第一涂层111系对应一般线香的颜色，而多以黑色或黄褐色为的，但不应以此为限。
第二端11b系对应线香的手持部且表面具有不透光的第二涂层112，应注意的是，第二涂层112系对应一般线香手持部的颜色，而以红色或与第一涂层111相同的颜色为的，但不应以此为限。
在中空管体11的制作上，为达到量产的目的，可采用射出成型方式，首先模具主体为中空管体11的外型，顶部为半球形，且可使用喷砂等方式使其雾化或者说粗糙化。采用该模具可将中空管体11与具有散光结构113的透明部分110一体成型。
电子香10使用激光二极管12为光源，发出的激光光20为准直光，准直光可直接入射到透明部分110进行散射，从而降低了光线在中空管体11内反射、折射的几率，提高了光利用率。
可以理解的是，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化等用在本发明的设计，只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (4)

1.一种电子香，包括：
中空管体，具有相对的一端和第二端，所述第一端具有透明部分，所述透明部分的内表面具有散光结构，以散射入射到所述透明部分的光；以及
激光二极管，位于所述第二端，所述激光二极管发出的激光光在所述中空管体内传播并经所述透明部分散发出去。
2.如权利要求1的所述的电子香，其特征在于，所述中空管体的第一端的表面具有不透光的第一涂层。
3.如权利要求1的所述的电子香，其特征在于，所述中空管体的第二端的表面具有不透光的第二涂层。
4.如权利要求1的所述的电子香，其特征在于，所述散光结构为雾化处理的表面。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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