CN103185853A - 一种霍尔传感器芯片的测试方法 - Google Patents
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Abstract
一种霍尔传感器芯片的测试方法，它包括如下步骤：(1)通过第一测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout输出为高电平时流过Vin端的电流Idd的测试；(2)通过第二测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout处于截止状态，在Vout端加电压28V，流过Vout端的电流Ioff的测试；(3)通过第三测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的Vout端灌电流25mA，Vout端压降Vds的测试；(4)通过第四测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的工作点开启时的磁感应强度Bop、工作点关闭时的磁感应强度Brp和Hys的测试；与现有技术相比，保证测试参数的准确性和适用性，从而使产品的品质得到进一步提升，同时测试的时间更短，通常为500mS，实现本发明的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种芯片的测试方法，特别涉及一种霍尔传感器芯片的测试方法。
背景技术
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器，霍尔效应是磁电效应的一种，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
霍尔传感器分为线性型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成，它输出模拟量；开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成，它输出数字量。
但是，现有的霍尔传感器芯片的测试方法的测试需要的时间约为600-700mS，时间比较长，且测试参数的准确性和适用性不高。
因此，特别需要一种霍尔传感器芯片的测试方法，已解决上述现有存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种霍尔传感器芯片的测试方法，针对现有技术的不足，保证测试参数的准确性和适用性，从而使产品的品质得到进一步提升。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
一种霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，它包括如下步骤：
(1)通过第一测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout输出为高电平时流过Vin端的电流Idd的测试；
(2)通过第二测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout处于截止状态，在Vout端加电压28V，流过Vout端的电流Ioff的测试；
(3)通过第三测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的Vout端灌电流25mA，Vout端压降Vds的测试；
(4)通过第四测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的工作点开启时的磁感应强度Bop、工作点关闭时的磁感应强度Brp和Hys的测试。
在本发明的一个实施例中，所述第一测试电路包括电阻R1、电容C1和电流表A1；电阻R1的一端分别连接Vcc端和电流表A1的一端，电流表A1的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电阻R1的另一端分别连接被测的霍尔传感器芯片的Vout端和电容C1的一端，电容C1的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端后接地。
在本发明的一个实施例中，所述第二测试电路包括电容C2和电流表A2；电容C2的一端分别连接Vcc端和被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电容C2的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端后接地，+28V端通过电流表A2连接被测的霍尔传感器芯片的Vout端。
进一步，被测的霍尔传感器芯片的磁感应强度小于工作点关闭时的磁感应强度Brp。
在本发明的一个实施例中，所述第三测试电路包括电容C3和电流表A3；电容C3的一端分别连接Vcc端和被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电容C3的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端后接地，被测的霍尔传感器芯片的Vout端通过电流表A3接地，被测的霍尔传感器芯片的Vout端与电流表A3之间设置有被测的霍尔传感器芯片Vsat的测试点。
进一步，被测的霍尔传感器芯片的磁感应强度大于工作点开启时的磁感应强度Bop。
在本发明的一个实施例中，所述第四测试电路包括电容C4、C5和电阻R2；电容C4的一端分别连接Vcc端、电阻R2的一端和被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电容C4的另一端分别连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端和电容C5的一端后接地，电阻R2的另一端分别与电容C5的另一端和被测的霍尔传感器芯片的Vout端连接。
在本发明的一个实施例中，在上述步骤(4)中，以递增或递减方式加磁场，步长为1Gs，每步间隔为500us。
本发明的霍尔传感器芯片的测试方法，与现有技术相比，保证测试参数的准确性和适用性，从而使产品的品质得到进一步提升，同时测试的时间更短，通常为500mS，实现本发明的目的。
本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
附图说明
图1为本发明的第一测试电路的电路原理图；
图2为本发明的第二测试电路的电路原理图；
图3为本发明的第三测试电路的电路原理图；
图4为本发明的第四测试电路的电路原理图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
本发明的霍尔传感器芯片的测试方法，它包括如下步骤：
(1)通过第一测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout输出为高电平时流过Vin端的电流Idd的测试；
(2)通过第二测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout处于截止状态，在Vout端加电压28V，流过Vout端的电流Ioff的测试；
此时，被测的霍尔传感器芯片的磁感应强度小于工作点关闭时的磁感应强度Brp；
(3)通过第三测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的Vout端灌电流25mA，Vout端压降Vds的测试；
此时，被测的霍尔传感器芯片的磁感应强度大于工作点开启时的磁感应强度Bop；
(4)通过第四测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的工作点开启时的磁感应强度Bop、工作点关闭时的磁感应强度Brp和Hys的测试；以递增或递减方式加磁场，步长为1Gs，每步间隔为500us。
如图1所示，所述第一测试电路包括电阻R1、电容C1和电流表A1；电阻R1的一端分别连接Vcc端和电流表A1的一端，电流表A1的另一端连接被测的霍尔传感器芯片100的Vin端，电阻R1的另一端分别连接被测的霍尔传感器芯片100的Vout端和电容C1的一端，电容C1的另一端连接被测的霍尔传感器芯片100的Gnd端后接地。
如图2所示，所述第二测试电路包括电容C2和电流表A2；电容C2的一端分别连接Vcc端和被测的霍尔传感器芯片100的Vin端，电容C2的另一端连接被测的霍尔传感器芯片100的Gnd端后接地，+28V端通过电流表A2连接被测的霍尔传感器芯片100的Vout端。
如图3所示，所述第三测试电路包括电容C3和电流表A3；电容C3的一端分别连接Vcc端和被测的霍尔传感器芯片100的Vin端，电容C3的另一端连接被测的霍尔传感器芯片100的Gnd端后接地，被测的霍尔传感器芯片100的Vout端通过电流表A3接地，被测的霍尔传感器芯片100的Vout端与电流表A3之间设置有被测的霍尔传感器芯片100的Vsat的测试点。
如图4所示，所述第四测试电路包括电容C4、C5和电阻R2；电容C4的一端分别连接Vcc端、电阻R2的一端和被测的霍尔传感器芯片100的Vin端，电容C4的另一端分别连接被测的霍尔传感器芯片100的Gnd端和电容C5的一端后接地，电阻R2的另一端分别与电容C5的另一端和被测的霍尔传感器芯片100的Vout端连接。
本发明的霍尔传感器芯片的测试方法，保证测试参数的准确性和适用性，从而使产品的品质得到进一步提升，同时测试的时间更短，通常为500mS，实现本发明的目的。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (8)
1.一种霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，它包括如下步骤：
(1)通过第一测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout输出为高电平时流过Vin端的电流Idd的测试；
(2)通过第二测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行芯片的Vout处于截止状态，在Vout端加电压28V，流过Vout端的电流Ioff的测试；
(3)通过第三测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的Vout端灌电流25mA，Vout端压降Vds的测试；
(4)通过第四测试电路对被测的霍尔传感器芯片进行向芯片的工作点开启时的磁感应强度Bop、工作点关闭时的磁感应强度Brp和Hys的测试。
2.如权利要求1所述的霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述第一测试电路包括电阻R1、电容C1和电流表A1；电阻R1的一端分别连接Vcc端和电流表A1的一端，电流表A1的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电阻R1的另一端分别连接被测的霍尔传感器芯片的Vout端和电容C1的一端，电容C1的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端后接地。
3.如权利要求1所述的霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述第二测试电路包括电容C2和电流表A2；电容C2的一端分别连接Vcc端和被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电容C2的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端后接地，+28V端通过电流表A2连接被测的霍尔传感器芯片的Vout端。
4.如权利要求3所述的霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，被测的霍尔传感器芯片的磁感应强度小于工作点关闭时的磁感应强度Brp。
5.如权利要求1所述的霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述第三测试电路包括电容C3和电流表A3；电容C3的一端分别连接Vcc端和被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电容C3的另一端连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端后接地，被测的霍尔传感器芯片的Vout端通过电流表A3接地，被测的霍尔传感器芯片的Vout端与电流表A3之间设置有被测的霍尔传感器芯片Vsat的测试点。
6.如权利要求5所述的霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，被测的霍尔传感器芯片的磁感应强度大于工作点开启时的磁感应强度Bop。
7.如权利要求1所述的霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述第四测试电路包括电容C4、C5和电阻R2；电容C4的一端分别连接Vcc端、电阻R2的一端和被测的霍尔传感器芯片的Vin端，电容C4的另一端分别连接被测的霍尔传感器芯片的Gnd端和电容C5的一端后接地，电阻R2的另一端分别与电容C5的另一端和被测的霍尔传感器芯片的Vout端连接。
8.如权利要求1所述的霍尔传感器芯片的测试方法，其特征在于，在上述步骤(4)中，以递增或递减方式加磁场，步长为1Gs，每步间隔为500us。
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|---|---|---|---|---|
| CN110441667A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-11-12 | 中国科学院微电子研究所 | 芯片测试方法、装置及电子设备 |
| CN111289928A (zh) * | 2020-03-10 | 2020-06-16 | 无锡力芯微电子股份有限公司 | 霍尔器件测试系统和测试方法 |
| CN111397652A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-10 | 珠海格力智能装备有限公司 | 霍尔元件检测电路及方法 |
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