CN103167845B - 制造具有中空支撑件的支架的方法 - Google Patents

Abstract

包括中空支撑件的支架形成于圆筒形基质上。支架的支撑件通过将支撑件的金属层电铸到在经样式设置的光致抗蚀剂材料内形成的开口内来形成。形成内支撑件材料的第一金属层（106）在第一光致抗蚀剂材料内的开口内形成。用于形成空腔（126）以使支撑件中空的牺牲材料在第二光致抗蚀剂材料内的开口内形成。形成支撑件的侧壁和外壁的第二金属层（122）在第三光致抗蚀剂材料的开口内并围绕牺牲材料形成。去除光致抗蚀剂材料。去除基质和空腔牺牲材料，从而形成为支架图案的中空支撑件。中空支撑件可填充有用于洗脱的治疗物质。可在形成过程中形成通过支撑件到空腔的开口（124）。

Description

制造具有中空支撑件的支架的方法

技术领域

本发明涉及释放治疗物质的可植入医疗装置和形成此种医疗装置的方法。

发明背景

药物洗脱可植入医疗装置近来变得普及，这是由于它们能够执行其主要功能（例如结构支承）以及能够对它们所植入的区域进行医疗处理。例如，WO02/060506A1涉及一种用于在活体内输送生物活性剂的装置以及制造该装置的方法。

例如，药物洗脱支架已用于防止冠状动脉中发生再狭窄。药物洗脱支架可配给诸如阻碍单核细胞侵入/活化的抗发炎化合物之类的治疗剂，由此防止分泌会触发VSMC增生和迁移的生长因子。其它潜在的抗再狭窄化合物包括诸如化疗药物的抗生剂，该抗生剂包括雷帕霉素和紫杉醇。还建议将诸如抗血栓剂、抗氧化剂、抗血小板聚集剂以及细胞生长抑制剂之类的其它种类药物来用于抗再狭窄。

药物洗脱医疗支架可涂有聚合材料，该聚合材料又浸渍有药物或药物的组合。一旦将支架植入到目标位置处，从用于治疗局部组织的聚合物来释放药物。对于生物稳定的聚合物来说，药物由通过聚合物层的扩散过程来释放，和/或对于可生物降解的聚合物来说，药物在聚合材料降解时释放。

通常根据聚合材料的特性对来自浸渍有药物的聚合材料的药物洗脱率进行控制。然而，在洗脱过程结束时，剩余的聚合材料在一些情形中对于脉管具有副作用，可能会造成小但危险的凝血块的形成。此外，在输送过程中，医疗装置的露出表面上浸渍有药物的聚合物涂层会剥落或以其它方式受损，由此阻碍药物到达目标位点。更甚者，在待输送的药物量方面，浸渍有药物的聚合物涂层受到该聚合物涂层可承载药物量和医疗装置尺寸的限制。还会难于对使用聚合物涂层的洗脱率进行控制。

建议了由填充有治疗剂的中空管状线材构成的支架。然而，通过使中空线材弯曲成支架形式来形成中空线材支架会在所完成的支架中产生扭结、开裂或其它不希望的特性。由此，期望制造一种药物洗脱支架，该药物洗脱支架具有中空支撑件，而无须将线材弯成支架形状。

发明内容

制造包括中空支撑件的支架的方法的实施例包括将第一光致抗蚀剂层沉积于大致圆筒形基质上。基质至少部分地由牺牲材料制成。对第一光致抗蚀剂层进行样式设置（patterned），以提供第一光致抗蚀剂层内的开口。然后，第一金属层沉积于经样式设置的第一光致抗蚀剂层的开口内的基质上。去除第一光致抗蚀剂层，而第二光致抗蚀剂层沉积于第一金属层上。对第二光致抗蚀剂层进行样式设置，以提供第二光致抗蚀剂层内的开口，其中，第二光致抗蚀剂层内的开口设置在第一金属层之上。牺牲材料沉积于经样式设置的第二光致抗蚀剂层的开口内的第一金属层上。去除第二光致抗蚀剂层，而第三光致抗蚀剂层沉积于牺牲材料和第一金属层上。对第三光致抗蚀剂层进行样式设置，以提供第三光致抗蚀剂层内的开口。第二金属层沉积于经样式设置的第三光致抗蚀剂层的开口内。去除第三光致抗蚀剂层。去除基质和牺牲材料，从而留下其内形成有空腔的金属层。金属层沉积于图案内，以形成支架的支撑件。

附图说明

在本发明结合附图的以下详细描述中，本发明的前述和其它特征以及优点将变得显而易见。包含在本文中并形成说明书一部分的附图还用于解释本发明的原理，并使本领域普通技术人员能利用本发明。附图并未按比例绘制。

图1是圆筒形基质的剖视图。

图2是示出设置在图1的圆筒形基质上的光致抗蚀剂层的剖视图。

图3是示出去除了图2的光致抗蚀剂层的一部分的剖视图。图3A是图3的示意侧视图。

图4是示出沉积于图3的光致抗蚀剂层之间的开口内的第一支撑件层的剖视图。

图5是示出去除了图4的剩余光致抗蚀剂层的剖视图。

图6是示出沉积于基质和第一支撑件层上的第二光致抗蚀剂层的剖视图。

图7是示出图6的第二光致抗蚀剂层的样式的剖视图。

图8是示出沉积于图7的经样式设置的第二光致抗蚀剂层的开口内的牺牲材料的剖视图。

图9是示出去除了图8的剩余第二光致抗蚀剂层的剖视图。

图10是示出沉积于图9的基质、第一支撑件层和牺牲材料上的第三光致抗蚀剂层的剖视图。

图11是示出图10的第三光致抗蚀剂层的样式的剖视图。

图12是示出沉积于图11的经样式设置的第三光致抗蚀剂层的开口内的第二支撑件层的剖视图。

图13是示出去除了图12的剩余第三光致抗蚀剂层的剖视图。

图14是示出去除了图13的基质和牺牲材料的剖视图。图14A是支架的示意侧视图。

图15是沿图14A的线15-15剖取的剖视图。

图16是图15的支撑件的、示出沉积于空腔内的治疗物质的部分。

具体实施方式

现在参见附图来描述本发明的特定实施例，其中类似的附图标记指代相同的或功能类似的构件。

在图1-16中示出制造支架130的方法的实施例。在图14A中示出支架130的示例。然而，支架能够以适于用作支架的任何图案来形成。例如，且不作限制，可采用Globerman的美国专利第6,090,127号、Palmaz的美国专利第4,739,762号以及Lau的美国专利第5,421,955号中所示的支架图案。

图1是基质100的剖视图。在此实施例中的基质100是圆筒形管。基质100可以是圆筒形杆，或者它可以是与支架的最终总体形状匹配的另一形状。例如，且不作限制，基质100可以是椭圆形管或杆。如下面将更详细解释的那样，基质100由牺牲材料构成或涂敷有牺牲材料，当支架形成过程完成时，可去除该牺牲材料。用于基质100的合适的牺牲材料的示例包括但不限于铜、钨、铁、锌、银、铝、镁、钽、钼、碳（石墨）或本领域普通技术人员已知的其它合适材料。基质100的牺牲材料与最终支架结构的材料不同，下面将更详细解释的那样。

基质100如图2中所示地涂敷有第一光致抗蚀剂涂层102（下文被称为“光致抗蚀剂层”）。第一光致抗蚀剂层102是用于在表面上形成经样式设置涂层的光敏感材料，如将由本领域普通技术人员所理解的那样。第一光致抗蚀剂层102可以是正性抗蚀或负性抗蚀。光致抗蚀剂层102可以例如但不限于是AZ电子材料（诸如它们的4000和9000系列光致抗蚀剂树脂）或可由信越化学有限公司（Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd）购得的7110M-18的正作用厚膜光致抗蚀剂，或者，为厚膜应用，也良好地开发了诸如Micro-Chem的SU-8系列树脂的负作用光致抗蚀剂厚膜。光致抗蚀剂层102可喷涂到基质100上，或者通过本领域普通技术人员已知的其它方法来涂敷。第一光致抗蚀剂层102的厚度可以在10到100微米（通常为25-50微米）的范围内。

然后，如图3和3A中所示，对第一光致抗蚀剂层102进行样式设置。通过将掩模涂敷到第一光致抗蚀剂层102来对光致抗蚀剂层进行样式设置。此实施例中的掩模可以是管状掩模，或者掩模可通过激光扫描仪涂敷。掩模包括覆盖第一光致抗蚀剂层102的一部分并使第一光致抗蚀剂层102的一部分露出的图案。然后，第一光致抗蚀剂层102暴露于紫外线。如果采用正性抗蚀剂，则第一光致抗蚀剂层102的露出部分在期望的支架图案内。光致抗蚀剂暴露于光的部分变得可溶解于光致抗蚀剂显影剂。在暴露之后，涂敷有抗蚀剂的基质100浸没于显影溶液中，该显影溶液溶解露出区域。如果采用负性抗蚀剂，光致抗蚀剂层的掩模部分在期望的支架图案内。在掩模在位的情况下，光致抗蚀剂层暴露于紫外线光源，且位于掩模的透明区域下方的光致抗蚀剂经历使其不溶于显影溶液中的物理和化学变化。在露出之后，涂敷有抗蚀剂的基质100浸没于显影溶液中，这允许去除未露出区域，而不对硬化或露出区域造成过多影响。如图3和3A中所示，支架图案由第一光致抗蚀剂层102内的开口104限定，即，由光致抗蚀剂的被去除从而露出基质100的区域限定。

在光致抗蚀剂层102经样式设置之后，将内支撑件层106电镀到基质100上。内支撑件层106可由不锈钢、钴铬合金、镍、镍钴合金、镍铁合金、铁钴镍合金、铬铁镍合金以及本领域普通技术人员已知的其它金属或合金制成。内支撑件层106可通过电铸内支撑件层106的金属或合金的化学组分来形成。基质100放置于金属或合金的金属电镀槽内，并且电流流经基质100的露出区域104，由此造成在开口104内积聚金属或合金。内支撑件层106的厚度可以在约25到50微米的范围内。

在下一步骤中，如图5中所示，去除光致抗蚀剂层102，从而留下基质100和内支撑件层106。如图5和5A中所示，开口108设置在内支撑件层106的除去了第一光致抗蚀剂层102而由此露出基质100的部分之间。第一光致抗蚀剂层102可通过对本领域普通技术人员已知的方法来去除。例如，且不作限制，第一光致抗蚀剂层可通过如下来去除：1)抗蚀剂的溶液溶解；2)等离子氧去胶和水漂洗；或者3)经样式设置的抗蚀剂的全面曝光和显影（对于正性抗蚀剂和非硬化抗蚀剂图案）。

如图6中所示，在将第一光致抗蚀剂层102去除之后，涂敷第二光致抗蚀剂层110，由此涂敷内支撑件层106和设置在它们之间的开口108。第二光致抗蚀剂层110可以与光致抗蚀剂层102是相同材料或可以是不同材料。第二光致抗蚀剂层110可以参照以上关于第一光致抗蚀剂层102所述相同的方式进行涂敷。第二光致抗蚀剂层110的厚度可以在10到100微米（通常为10-25微米）的范围内。此外，可以在不首先去除第一光致抗蚀剂层102的情况下涂敷第二光致抗蚀剂层110。在这种情况下，将在后续步骤中去除第一光致抗蚀剂层102和第二光致抗蚀剂层110。然而，在此情况下，由于对每一层的干燥过程而在后续步骤中更难以清洁第一光致抗蚀剂层102。

然后，对第二光致抗蚀剂层110进行样式设置。如图7中所示，对第二光致抗蚀剂层110进行的样式设置在内支撑件层106的一部分上产生开口112。第二光致抗蚀剂层110可如上参照第一光致抗蚀剂层102所述地、或者通过对本领域普通技术人员来说已知的其它方法进行样式设置。开口112的尺寸设计成支架的支撑件内的空腔的期望尺寸。

在对第二光致抗蚀剂层110进行样式设置之后，牺牲层114沉积于第二光致抗蚀剂层110的开口112内。如下面更详细所述，牺牲层114可由与基质100（或基质100的涂层）相同的材料制成，诸如是铜，或者由可以在支撑件顶层沉积之后去除的其它材料制成。牺牲层114的尺寸设计成支架的支撑件内的腔体或空腔的期望尺寸。

然后，如图9中所示，去除第二光致抗蚀剂层110，从而留下基质100、设置在基质100上的内支撑件层106和设置在内支撑件层106的部分上的牺牲层114。第二光致抗蚀剂层110可参照如上去除第一光致抗蚀剂层102所述的相同方法、或者通过对本领域普通技术人员来说已知的其它方法来去除。

在将第二光致抗蚀剂层110去除之后，如图10中所示，第三光致抗蚀剂层116沉积于牺牲层114、第一支撑件层116和基质100上。类似于涂敷在第一光致抗蚀剂层102上的第二光致抗蚀剂层110，第三光致抗蚀剂层116可涂敷在第二光致抗蚀剂层110上，无须事先去除第二光致抗蚀剂层110。然而，还如上所示，用于去除累积的光致抗蚀剂层的后续过程会更难。第三光致抗蚀剂层116可通过如上参照第一光致抗蚀剂层102所述的方法、或者通过对本领域普通技术人员来说已知的其它方法来沉积。

在沉积第三光致抗蚀剂层116之后，对第三光致抗蚀剂层116进行样式设置。第三光致抗蚀剂层116可通过用于对第一光致抗蚀剂层102进行样式设置的上述任一方法、或者通过对本领域普通技术人员来说已知的其它方法来进行样式设置。如图11中所示，用于第三光致抗蚀剂层116的图案提供用于下述支撑件材料的第二层的开口118。还如图11中所示，第三光致抗蚀剂层116的部分120留在牺牲材料114上。如下更详细所述，部分120提供通过支撑件材料的开口，以提供到支撑件空腔的通路。

在对第三光致抗蚀剂层116进行样式设置之后，第二支撑件层122沉积于第三光致抗蚀剂层116的开口118内。第二支撑件层122较佳地由与内支撑件层106相同的材料制成。第二支撑件层122如图12中所示形成于第三光致抗蚀剂层116的开口118内。如可在图12中看到的，第二支撑件层122在内支撑件层106上、并在牺牲材料114顶部的部分上沿其侧部形成。第二支撑件层122可通过如上参照内支撑件层106所述的相同方法来形成。第二支撑件层106提供支架的支撑件的侧壁和外壁。

在第二支撑件层122形成之后，去除第三光致抗蚀剂层116的其余部分。第三光致抗蚀剂层116可采用上述用于去除第一光致抗蚀剂层102的相同方法、或者通过对本领域普通技术人员来说已知的其它方法来去除。在去除第三光致抗蚀剂层116之后，内支撑件层106和第二支撑件层122保持设置在基质100上，而牺牲材料114如图13中所示留在支撑件层106、122之间的空腔内。

然后，可例如通过化学蚀刻或对于本领域普通技术人员来说已知的其它方法来去除牺牲材料114和基质100。在不破坏支撑件层122、106的情况下完成牺牲材料114和基质100的去除。例如，并且不作限制，如果基质100和牺牲材料114是铜或银，可采用硝酸来去除它们。如果铁、锌或镁用于基质100和/或牺牲材料114，则用盐酸可来去除。磷酸混合物可用于去除由铝制成的牺牲层。气体或等离子体蚀刻可用于去除由钨、钼、钽或碳制成的牺牲层。如将由本领域普通技术人员所理解的，各种材料可用于牺牲材料114和基质100，且各种材料可用于支撑件层122、106。材料和蚀刻剂选择成使蚀刻剂溶解或以其它方式去除基质和空腔牺牲材料114、100，而不破坏支撑件层材料122、106。在此全部内容以参见的方式纳入本文的、2009年7月9日提交的美国专利申请第12/500359号公开了各种蚀刻剂，这些蚀刻剂去除一种金属或合金，而不破坏另一种金属或合金。此外，本领域普通技术人员将认识到，基质100可仅包括牺牲材料的表面涂层。在这种实施例中，对表面涂层的去除充分地减小基质100的外直径，以使支架130可从其中移除。

如图14和14A中所示，当去除牺牲材料114和基质100时，支撑物层106、122保留作为支架130的支撑件125。如图15中所示，支撑件125包括空腔126和从空腔126到支撑件125的外表面的开口124。

然后，空腔126可如图16中所示填充有治疗物质128。空腔126可通过开口124和/或为了填充空腔126的目的所形成的其它开口来填充。如果使用，则这种附加的开口可在空腔126填充有治疗物质128之后闭合。空腔126可通过对本领域普通技术人员已知的方法来填充有治疗物质128。空腔126例如可通过使液态或半液态的治疗剂流经开口124或所设的其它开口来填充。

本领域普通技术人员应理解到，支撑件125内的空腔126可以是连续的，因而，实质上存在一个在支撑件125内延伸的空腔126，而开口124定位在沿支撑件的不同位置。然而，通过改变光致抗蚀剂层、特别是第二和第三光致抗蚀剂层110/116的图案，空腔126无需是连续的。例如，并且不作限制，在某些位置，可以不包括第二光致抗蚀剂层110内的一些开口，以使第二光致抗蚀剂层110留在这些位置处。因此，将不在这些位置添加牺牲材料114，且第三光致抗蚀剂层116在这些位置的部分120将被去除。由此，在这些位置，第二支撑件层122将完全覆盖第一支撑件层106，因而，在这些位置没有空腔124。例如，并且不作限制，实心支撑件可设置在支架的每个端部附近。因此，第一治疗物质可用在支架的端部处，而第二治疗物质可用于支架的中间部内。替代地，在输送或扩张期间受到较高负载的支架部分可包括实心支撑件，以提供更好的承载。本领域普通技术人员将理解到，借助文中所述的方法，存在用于对光致抗蚀剂层进行样式设置以根据需要将空腔126分成许多分离的空腔或者具有沿整个支撑件的长度的单个连续空腔的许多可能性。

还将理解到，开口124较佳地不是连续的。替代地，如图14A中所示，开口124定位在沿支撑件125的不同位置。然而，本领域普通技术人员将认识到，开口124可以是连续的。此外，通过改变光致抗蚀剂层的样式，开口124的尺寸、形状和/或密度（每单位长度或面积的数目）可沿支架变化。这种变化可改变治疗物质沿支架的洗脱率。例如，并且不作限制，更多或更大的开口可设置在支架的中间部内，并且更少或更小的开口可设置在支架的端部附近。

治疗物质128可包括但不限于是抗肿瘤药、抗有丝分裂剂、消炎药、抗血小板剂、抗凝血剂、抗纤维剂、抗凝血酶、抗增殖剂、抗生素、抗氧化剂、抗过敏物质及其组合。这种抗肿瘤药和/或抗有丝分裂剂的例子包括紫杉醇(例如美国康涅狄格州斯坦福德的百时美施贵宝施贵宝公司（Bristol-Myers Squibb Co.）的)、多西它赛(例如德国法兰克福的万安特公司（Aventis S.A.）的)、甲氨蝶呤、硫唑嘌呤、长春新碱、长春碱、氟尿嘧啶、盐酸多柔比星(例如美国新泽西州皮帕克的法玛西亚－普强公司（Pharmacia&Upjohn）的)和丝裂霉素(例如美国康涅狄格州斯坦福德的百时美施贵宝施贵宝公司（Bristol-Myers SquibbCo.）的)。这些抗血小板剂、抗凝血剂、抗纤维剂以及抗凝血酶剂的例子包括肝素钠、低分子量肝素、类肝素、水蛭素、阿加曲班、福斯高林、伐哌前列素（vapiprost）、前列环素和前列环素类似物、葡聚糖、D-苯丙氨酸-脯氨酸-精氨酸-氯甲基酮（合成抗凝血酶）、潘生丁（dipyridamole）、糖蛋白IIb/IIIa血小板膜受体拮抗剂抗体、重组水蛭素以及例如Angiomax（TM）（美国麻萨诸塞州剑桥市的生物基因公司（Biogen,Inc.））的凝血酶抑制剂。这种细胞生长抑制剂或抗增殖剂的示例包括雷帕霉素（西罗莫司）、佐他莫司、依维莫司、血管肽素、例如卡托普利（例如由美国康涅狄格州斯坦福德的百时美施贵宝公司生产的和）的血管紧张素转化酶抑制剂、西拉普利（cilazapril）或赖诺普利（Lisinopril）（例如由美国新泽西州白宫站市的默克公司生产的和）、钙通道阻断剂（例如硝苯地平）、秋水仙素、纤维细胞生长因子（FGF）拮抗剂、鱼油（Ω-3-脂肪酸）、组胺拮抗剂、洛伐他汀（美国新泽西州白宫站市的默克公司（Merck&Co.,Inc.）生产的商标名的HMG-CoA还原酶抑制剂、降低胆固醇药物）、单克隆抗体（例如专用于血小板衍生生长因子（PDGF）受体的那些药物）、硝普盐、磷酸二酯酶抑制剂、前列腺素抑制剂、苏拉明、羟色胺阻断剂、类固醇、硫基蛋白酶抑制剂（thioprotease inhibitors）、三唑并嘧啶（triazolopyrimidine）（PDGF拮抗剂）以及一氧化氮。抗过敏试剂的一种示例是吡嘧司特钾（permirolast potassium）。可使用的其它治疗物质或制剂包括一氧化氮、α-干扰素、基因工程改造的表皮细胞和地塞米松。在其它例子中，治疗物质是用于放疗过程中使用的可植入器械的放射性同位素。放射性同位素的例子包括但不限于磷(P³²)、钯(Pd¹⁰³)、铯(Cs¹³¹)、铱(I¹⁹²)和碘(I¹²⁵)。虽然上述治疗物质或药物的预防和治疗性质是本领域普通技术人员熟知的，这些物质或药物仅用于举例而不是为了限定。其它治疗物质也可相等地用于本文公开的方法和组合物。

另外，载体也可与治疗物质或药物一起使用。合适的载体的例子包括但不限于乙醇、丙酮、四氢呋喃、二甲亚砜及其组合，或其它本领域普通技术人员已知的载体。另外，可将表面活性剂配入药物和溶剂，以帮助药物洗脱。

虽然上面描述了本发明的各种实施方式，但应理解它们只是说明和举例，不是为了限制。相关领域技术人员应理解可进行各种形式和细节的改变，而不违背本发明的精神和范围。因此，本发明的宽度和范围不应局限于任何上述示例性实施方式，而仅由所附权利要求书和其等价物来限定。还应理解的是，本文所描述每个实施例以及本文所引用每个文件的每个特征可结合任何其它实施例的特征来使用。此外，并没有意图要受限于在上述技术领域、背景、发明内容或下文详细描述中所具有的任何表述出的或隐含的理论。本文讨论的所有专利和公开文献全部以参见的方式纳入本文。

Claims (12)

1.一种制造包括中空支撑件的支架的方法，所述方法包括如下步骤：

利用大致圆筒形基质，所述基质至少部分地由牺牲材料制成；

将第一光致抗蚀剂层沉积于所述基质上；

对所述第一光致抗蚀剂层进行样式设置，以提供所述第一光致抗蚀剂层内的开口；

将第一金属层沉积于经样式设置的第一光致抗蚀剂层的所述开口内；

将第二光致抗蚀剂层沉积于所述第一金属层上；

对所述第二光致抗蚀剂层进行样式设置，以提供所述第二光致抗蚀剂层内的开口，其中，所述第二光致抗蚀剂层内的所述开口设置在所述第一金属层之上；

将牺牲材料沉积于经样式设置的第二光致抗蚀剂层的所述开口内的所述第一金属层上；

将第三光致抗蚀剂层沉积于所述牺牲材料和所述第一金属层上；

对所述第三光致抗蚀剂层进行样式设置，以提供所述第三光致抗蚀剂层内的开口；

将第二金属层沉积于经样式设置的第三光致抗蚀剂层的开口内；

去除所述第一、第二和第三光致抗蚀剂层；以及

去除所述基质和所述牺牲材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积所述第二光致抗蚀剂层的步骤之前完成去除所述第一光致抗蚀剂层的步骤。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积所述第三光致抗蚀剂层的步骤之前完成去除所述第二光致抗蚀剂层的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层是相同的材料。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层选自由不锈钢、钴铬合金、镍、镍钴合金、镍铁合金、铁钴镍合金和铬铁镍合金构成的组。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述第一金属层的步骤包括将金属的化学组分电铸到所述基质上。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，电铸的步骤包括将所述基质放置于金属的金属电镀槽内，并使电流流经所述基质，以致使在经样式设置的第一光致抗蚀剂层的开口内积聚金属。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述第一、第二和第三光致抗蚀剂层的步骤包括以下之中的一种：抗蚀剂的溶液溶解；等离子氧去胶和水漂洗；以及，经样式设置的抗蚀剂的全面曝光和显影。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二金属层形成所述支架的支撑件。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，被去除的牺牲材料形成具有所述支架的所述支撑件的空腔。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，对所述第三光致抗蚀剂层进行样式设置的步骤包括将所述第三光致抗蚀剂层的一部分留在所述牺牲材料的部分上，以形成从所述空腔而通过所述第二金属层的开口。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括使所述空腔填充有治疗物质的步骤。