CN103119440A - 基于微处理器的多结检测器系统及使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种包含多结检测器的光电检测器系统，所述多结检测器具有经配置以在用在第一光谱范围内的第一光学辐射分量辐照时产生第一电流的第一结及经配置以在用在不同于所述第一光谱范围的第二光谱范围内的第二光学辐射分量辐照时产生第二电流的至少第二结。所述光电检测器系统还包括适于基于所述第一电流而产生与所述第一光学辐射分量的第一特性相关的第一指示且基于所述第二电流而产生与所述第二光学辐射分量的第二特性相关的第二指示的微处理器。
Description
相关申请案的交叉参考
本申请案主张在2010年9月5日提出申请的序列号为61/380,249的美国临时专利申请案的申请日期的权益，所述临时专利申请案以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明一般来说涉及光电或光学检测，且明确地说涉及一种基于微处理器的多结检测器系统及使用方法。
背景技术
光电二极管是当今使用的最常用光电检测器。目前，光电二极管用于各种各样的应用中且正并入到众多额外应用中。一般来说，光电二极管提供光电倍增器的致密、坚固、低成本替代物。
当前，光电二极管由若干种不同材料制造而成，每一材料提供在电磁光谱的经定义范围内的灵敏度。举例来说，基于硅的光电二极管通常在用具有从约180nm到约1100nm的波长的信号辐照时产生显著光电流。相比来说，基于锗的光电二极管在用具有从约400nm到约1700nm的波长的信号辐照时产生显著光电流。类似地，基于砷化铟镓的光电二极管通常用以检测具有从约800nm到约2600nm的波长的信号，而基于硫化铅的光电二极管用以检测具有约1000nm到约3500nm的波长的信号。
此外，这些装置的响应率取决于入射信号的波长而变化。举例来说，尽管基于硅的光电检测器能够检测具有从约180nm到1100nm的波长的信号，但最高响应率为从约850nm到约1000nm。因此，宽广光谱范围的测量通常需要多个光电检测器，每一光电检测器使用由不同材料制造而成的光电二极管。因此，并入由各种材料制造而成的多个光电检测器的系统可为相当大的且具有不必要复杂性。
因此，一直需要能够在多种波长下以高响应率检测入射信号的基于微处理器的多结检测器系统。
发明内容
本发明的一方面涉及一种包括多结光电检测器装置的光电检测器系统，所述多结光电检测器装置包括经配置以在用在第一光谱范围内的第一光学辐射分量辐照时产生第一电流的第一结及经配置以在用在不同于所述第一光谱范围的第二光谱范围内的第二光学辐射分量辐照时产生第二电流的至少第二结。所述光电检测器系统还包括适于基于所述第一电流而产生与所述第一光学辐射分量的第一特性相关的第一指示且基于所述第二电流而产生与所述第二光学辐射分量的第二特性相关的第二指示的微处理器。
在本发明的另一方面中，所述第一光学辐射分量的所述第一特性包括所述第一光学辐射分量的第一功率电平，且所述第二光学辐射分量的所述第二特性包括所述第二光学辐射分量的第二功率电平。在又一方面中，所述光电检测器系统包括适于基于所述第一电流而产生第一模拟电压的第一装置(例如，跨阻抗放大器、电荷放大器等)，及适于基于所述第二电流而产生第二模拟电压的至少第二装置(例如，跨阻抗放大器、电荷放大器等)。
在本发明的另一方面中，所述微处理器适于控制第一跨阻抗放大器的第一增益且控制第二跨阻抗放大器的第二增益。在再一方面中，所述微处理器适于控制所述第一跨阻抗放大器的所述第一增益以便最小化所述第一跨阻抗放大器在所述第一光学辐射分量的第一经定义高功率电平下的压缩，且控制所述第二跨阻抗放大器的所述第二增益以便最小化所述第二跨阻抗放大器在所述第二光学辐射分量的第二经定义高功率电平下的压缩。在又一方面中，所述微处理器适于控制所述第一跨阻抗放大器的所述第一增益以便实现所述第一跨阻抗放大器在所述第一光学辐射分量的第一经定义低功率电平下的第一经定义灵敏度，且控制所述第二跨阻抗放大器的所述第二增益以便实现所述第二跨阻抗放大器在所述第二光学辐射分量的第二经定义低功率电平下的第二经定义灵敏度。
在本发明的另一方面中，所述光电检测器系统进一步包括适于将所述第一模拟电压转换成第一数字电压且将所述第二模拟电压转换成第二数字电压的模/数转换器。在又一方面中，所述光电检测器系统进一步包括适于将所述第一及第二数字电压多路复用到一输出上的多路复用器，其中所述微处理器适于从所述多路复用器的所述输出接收所述第一及第二数字电压。
在本发明的另一方面中，所述光电检测器系统进一步包括适于促进所述微处理器与一个或一个以上外部装置之间的信息通信的通信装置。在再一方面中，所述微处理器适于借助于所述通信装置而将与所述第一及第二功率电平指示相关的数据提供到所述一个或一个以上外部装置。在又一方面中，所述通信装置包括通用串行总线(USB)端口。在再一方面中，所述通信装置包括无线通信装置。
在本发明的另一方面中，所述光电检测器系统包括适于输出所述第一及第二模拟电压以供传输到一个或一个以上外部装置的模拟接口连接器。在又一方面中，所述微处理器适于经由所述模拟接口连接器而启用或停用所述第一及第二模拟电压的所述输出。在再一方面中，所述光电检测器系统包括适于输出所述第一及第二数字电压以供传输到一个或一个以上外部装置的数字接口连接器。在一额外方面中，所述微处理器适于经由所述数字接口连接器而启用或停用所述第一及第二数字电压的所述输出。
在本发明的另一方面中，所述光电检测器系统包括包含可由所述微处理器读取及执行的一个或一个以上软件模块的存储器以执行其如本文中所描述的各种操作。在再一方面中，所述存储器进一步包括与分别对所述第一及第二光学辐射分量的所述第一及第二功率电平的所述第一及第二指示相关的数据。在又一方面中，所述光电检测器系统包括用以包封所述系统的各种组件中的任一者或一者以上的外壳，所述组件包含所述多结光电检测器装置、所述跨阻抗放大器、所述模/数转换器、所述多路复用器、所述微处理器、所述存储器及所述外部装置接口。在一额外方面中，所述外壳包含所述光电检测器系统经由其接收光学辐射的孔隙。
本发明的其它方面、优点及新颖特征将在与所附图式一起考虑时依据对本发明的以下详细说明变得显而易见。
附图说明
图1图解说明根据本发明的一方面的示范性基于微处理器的多结光电检测器单元的前透视图。
图2图解说明根据本发明的另一方面的示范性基于微处理器的多结光电检测器单元的后透视图。
图3图解说明根据本发明的另一方面的示范性基于微处理器的多结光电检测器系统的框图。
图4图解说明根据本发明的另一方面的另一示范性基于微处理器的多结光电检测器系统的框图。
图5图解说明根据本发明的另一方面的校准与示范性基于微处理器的多结光电检测器系统相关联的跨阻抗放大器的相应增益的示范性方法的流程图。
图6图解说明根据本发明的另一方面的确定或校准与示范性基于微处理器的多结光电检测器系统相关联的功率/电压响应的示范性方法的流程图。
图7以图形方式展示在用石英卤素灯照明时如本文中所描述的示范性Si结及Ge结光电检测器系统的性能的测试结果。
图8以图形方式展示在用石英卤素灯照明时如本文中所描述的示范性Si结及InGaAs结光电检测器系统的性能的测试结果。
具体实施方式
图1到3展示基于微处理器的多结检测器系统10的实施例的各种视图。如所展示，检测器系统10包含经配置以保护性地将检测器的各种组件含纳于其中的外壳12。在一个实施例中，外壳12由铝构造而成。任选地，可使用各种各样的材料来形成外壳12，包含但不限于铝、钢、合金、聚合物、复合材料等等。另外，可以各种各样的形状、大小及配置形成外壳12。
再次参考图1到3，外壳12可在其中含纳各种各样的电子系统或装置。在所图解说明的实施例中，外壳12在其中包含至少一个多结光电检测器14。更具体地说，光电检测器14包含经配置以在用在第一光谱范围内的光学辐射辐照时产生第一光电流的第一结及经配置以在用在至少第二光谱范围内的光学辐射辐照时产生第二光电流的至少第二结。在一个实施例中，光电检测器14包括基于硅的结及基于锗的结。在另一实施例中，众多多结光电检测器14定位于外壳12内。任选地，光电检测器14可包含任何数目个及/或任何类型的材料以形成多结半导体。因此，不同于现有技术单个结装置的狭窄操作范围，本文中所揭示的多结光电检测器14准许使用单个装置实现扩大的操作范围。光电检测器14可接近于形成于外壳12中的至少一个窗口或孔隙32而定位。
如图1到3中所展示，至少一个跨阻抗放大器可耦合到光电检测器14或以其它方式与光电检测器14电通信。在所图解说明的实施例中，第一放大器15经配置以接收由多结光电检测器14的一结产生的第一光电流且由所述第一光电流产生第一经放大电压J1。类似地，至少第二放大器18经配置以接收由多结光电检测器14的另一结产生的至少第二光电流且由所述至少第二光电流产生至少第二经放大电压JN。举例来说，第一放大器15可经配置以从光电检测器14的基于硅的部分接收光电流，而第二放大器18经配置以从光电检测器14的基于锗的部分接收光电流。
再次参考图1到3，至少一个模/数转换器20(下文中A/D转换器)与第一放大器15及第二放大器18通信。A/D转换器20经配置以从放大器15、18接收模拟输出且响应于所述模拟输出而产生数字输出。任何数目个及/或任何类型的A/D转换器20均可与本发明系统一起使用。A/D转换器20的数字输出由位于外壳12内的至少一个微处理器22处理。微处理器22可经配置以将各种各样的信息、装置特性、装置历史、算法、公式、数据库等等存储于耦合到其的至少一个存储器装置24内。举例来说，微处理器22可经配置以控制第一放大器15及第二放大器18的增益、准许校准光电检测器14、计算由光电检测器14测量的光学功率、存储所测量数据及/或装置特性且调节多结光电检测器系统10与例如电脑等等的外部装置(未展示)之间的通信。
如图1到3中所展示，检测器系统10可进一步包含任何数目个装置接口26，借此使得检测器系统10能够耦合到一个或一个以上外部装置(未展示)或以其它方式与一个或一个以上外部装置通信。举例来说，如图2及3中所展示，至少一个数字接口连接器28可定位于外壳12上或接近于外壳12而定位，借此准许检测器装置10经由至少一个数据电缆耦合到外部装置(例如，电脑)。示范性数字接口连接器28包含USB端口、电缆端口等等。或者，或另外，装置接口26可包含适于从对应跨阻抗放大器15及18输出模拟电压J1到JN的模拟接口连接器29。任选地，装置接口26可包含无线通信装置30(例如WiFi天线或类似装置)，借此准许光电检测器系统10与外部装置(未展示)无线通信。
图4图解说明根据本发明的另一方面的另一示范性基于微处理器的多结光电检测器系统400的框图。光电检测器系统400包括多结光电检测器402，多结光电检测器402可配置为具有分别适于在不同波长或频带下检测信号的两个或两个以上结的单个装置(例如，半导体芯片或裸片、有机聚合物等)。例如，在此实例中，所述多结光电检测器包含N个不同结，其中N为两个或两个以上。举例来说，多结光电检测器402的不同结可在用不同波长或光谱范围λ1、λ2、λ3到λN的电磁能信号辐照时分别产生电流I1、I2、I3到IN。因此，所产生电流I1、I2、I3到IN分别随辐照光电检测器402的信号的波长λ1、λ2、λ3到λN而变。
光电检测器系统400进一步包括多个跨阻抗放大器404-1到404-N，其中N为两个或两个以上。在此实例中，多个跨阻抗放大器402-1、402-2、402-3到404-N适于将由光电检测器402的不同结产生的电流I1(λ1)、I2(λ2)、I3(λ3)到IN(λN)分别转换成模拟电压VA1、VA2、VA3到VAN。多个跨阻抗放大器402-1、402-2、402-3到404-N可具有相关联增益Z1、Z2、Z3到ZN以用于将电流I1(λ1)、I2(λ2)、I3(λ3)到IN(λN)分别转换成模拟电压VA1、VA2、VA3到VAN。
光电检测器系统400进一步包括适于将来自模跨阻抗放大器404-1、404-2、404-3到404-N的输出的模拟电压VA1、VA2、VA3到VAN分别转换成数字电压VD1、VD2、VD3到VDN的模数(A/D)转换器408。另外，光电检测器系统400包含用于将数字电压VD1、VD2、VD3到VDN多路复用到单个输出上的多路复用器408。多路复用器408的输出耦合到微处理器410的输入。
类似于先前实施例，微处理器410可经配置以将各种各样的信息、装置特性、装置历史、算法、公式、数据库等等存储于耦合到其的至少一个存储器装置412内。举例来说，微处理器400可经配置以控制跨阻抗放大器404-1到404-N的相应增益Z1到ZN、准许校准光电检测器402、计算由光电检测器402测量的光学功率、存储所测量数据及/或装置特性且调节光电检测器系统400与外部装置之间的通信。光电检测器系统400还包含与微处理器410相关联且适于根据本文中所描述的光电检测器系统的功能性存储一个或一个以上软件模块、数据及其它参数的存储器412。
此外，类似于先前实施例，光电检测器系统400包含外部装置接口414。外部装置接口414可包括数字接口连接器416、模拟接口连接器418及通信装置420，这些物项中的一者或一者以上可耦合到微处理器410。数字接口连接器416可经配置以输出来自A/D转换器406的输出的数字电压VD1到VDN。模拟接口连接器418可经配置以输出分别来自跨阻抗放大器404-1到404-N的输出的模拟电压VA1到VAN。微处理器410可适于通过数字接口连接器416及模拟接口连接器418启用及停用对应信号的输出。
通信装置420提供微处理器410与一个或一个以上外部装置之间的数据接口。举例来说，经由通信装置420，微处理器410可输出与辐照光电检测器402的电磁信号的功率电平相关的信息、由光电检测器402产生的对应电流I1(λ1)到IN(λN)、数字电压VD1到VDN及其它相关信息。注意，微处理器410可通过分别按增益Z1到ZN划分电压VD1到VDN而确定由光电检测器402产生的电流I1(λ1)到IN(λN)。类似地，经由通信装置420，微处理器410可从一个或一个以上外部装置接收软件更新、命令、测量参数及其它信息。
光电检测器系统400还包括用于将偏置电压供应到所述系统的各种组件的电力供应器422。在此实例中，例如，电力供应器422产生：(1)多结光电检测器402的偏置电压VB1；(2)跨阻抗放大器404-1到404-N的偏置电压VB2；(3)A/D转换器406的偏置电压VB3；(4)多路复用器408的偏置电压VB4；(4)存储器412的偏置电压VB5；(5)微处理器410的偏置电压VB6；及(6)外部装置接口414的偏置电压VB7。虽然用不同变量表示这些电压，但应理解，这些电压中的一者或一者以上可为相同电压。
图5图解说明根据本发明的另一方面的校准与示范性基于微处理器的多结光电检测器系统400相关联的跨阻抗放大器404-1到404-N的相应增益Z1到ZN的示范性方法500的流程图。增益Z1到ZN可经校准(举例来说)以改进在输入信号的低功率电平下的灵敏度，且防止或最小化跨阻抗放大器404-1到404-N在输入信号的高功率电平下的压缩。虽然本文中描述用于校准增益Z1到ZN的特定方法500，但应理解，可以其它方式校准所述增益。在此实例中，可由微处理器410及/或在一个或一个以上外部装置的辅助下执行所描述的操作的至少一部分。
根据方法500，微处理器410将初始变量m及n设定为一(1)(框502)。在此实例中，变量n表示正校准其增益的特定跨阻抗放大器404-n，且m表示在施加到光电检测器402的测试输入信号的波长n(λn)下的不同功率电平的数目。接着，微处理器410设定正校准的当前跨阻抗放大器404-n的初始增益Zn(框504)。接着，将具有功率电平Pmn及波长λn的测试输入信号施加到光电检测器402(框506)。微处理器410接着测量并存储对应于功率电平Pmn的数字电压Vmn(框508)。微处理器410接着递增变量m(框510)。
在框512中，微处理器410确定变量m是否等于M(将用于校准当前跨阻抗放大器404-n的增益Zn的在波长n下的测试输入信号的不同功率电平的数目)。如果m不等于M(其意味着仍存在剩余用于校准当前跨阻抗放大器404-n的增益Zn的一个或一个以上功率电平)，那么以下一功率电平重复框506到512的操作。另一方面，如果m等于M(其意味着已使用用于校准当前跨阻抗放大器404-n的所有输入信号功率电平)，那么微处理器410基于m＝1到M的所测量电压Vmn中的一者或一者以上设定当前跨阻抗放大器404-n的最终或经校准增益Zn(框514)。
在框516中，微处理器410接着递增变量n以便对下一跨阻抗放大器404-n运行相同校准。在框518中，微处理器410确定变量n是否等于N(将校准的跨阻抗放大器404-1到404-N的数目)。如果n不等于N(其意味着仍存在将校准的一个或一个以上跨阻抗放大器)，那么针对下一跨阻抗放大器重复框504到518的操作。另一方面，如果n等于N(其意味着已经校准所有跨阻抗放大器)，那么微处理器410可结束跨阻抗放大器的增益校准(框520)。
图6图解说明根据本发明的另一方面的用于确定或校准与示范性基于微处理器的多结光电检测器系统400相关联的功率/电压响应的示范性方法600的流程图。此方法600本质上校准光电检测器系统400以使其能够在经定义公差内产生对输入信号的功率电平的测量。虽然本文中描述用于校准光电检测器系统400的特定方法600，但应理解，可以其它方式进行所述校准。在此实例中，可由微处理器410及/或在一个或一个以上外部装置的辅助下执行所描述的操作的至少一部分。
根据方法600，微处理器410将初始变量m及n设定为一(1)(框602)。类似于先前方法，变量n表示正校准光电检测器系统400所针对的频带或波长λn。变量m表示正校准光电检测器系统400所针对的在测试输入信号的波长n(λn)下的不同功率电平的数目。接着，微处理器410设定与正校准光电检测器系统400所针对的波长n相关联的跨阻抗放大器404-n的最终或经校准增益Zn(框604)。接着，将具有功率电平Pmn及波长λn的测试输入信号施加到光电检测器402(框606)。微处理器410接着测量并存储对应于功率电平Pmn的数字电压Vmn(框608)。微处理器410接着递增变量m(框610)。
在框612中，微处理器410确定变量m是否等于M(将用于校准光电检测器系统400的在波长n下的测试输入信号的不同功率电平的数目)。如果m不等于M(这意味着在当前波长n下仍存在剩余用于校准光电检测器系统400的一个或一个以上功率电平)，那么以下一功率电平重复框606到612的操作。另一方面，如果m等于M(这意味着已使用在当前波长n下用于校准光电检测器系统400的所有输入信号功率电平)，那么微处理器410将对应功率电平Pmn、数字电压Vmn及光电检测器电流Imn列成表(框614)。当针对所有波长n及功率电平M完成所述表时，微处理器410能够在光电检测器系统400的常规操作期间提供输入信号的功率电平的指示。
装置的直接应用为在恒定输出电压下测量输入电流。在此情形中，微处理器将调整每一放大器的增益以获得恒定电压输出。通过知晓与不同增益级相关联的电阻，可极精确地确定输入电流。
在框616中，微处理器410接着递增变量n以便针对下一波长n对光电检测器系统400运行相同校准。在框618中，微处理器410确定变量n是否等于N(将校准光电检测器系统400所针对的波长的数目)。如果n不等于N(其意味着仍存在用于校准光电检测器系统400的一个或一个以上剩余波长)，那么针对下一波长重复框604到618的操作。另一方面，如果n等于N(其意味着已针对所有波长校准光电检测器系统400)，那么微处理器410可结束光电检测器系统400的校准(框620)。
图7及8以图形方式展示在用石英卤素灯照明时如本文中所描述的光电检测器系统的性能的测试结果。明确地说，图7图解说明硅及锗多结光电检测器的波长或频率响应。如上所述，光电检测器的硅结部分提供在相对较低的波长(例如，大约980纳米(nm))下的改进的响应率，而光电检测器的锗结部分提供在相对较高的波长(例如，大约1200nm)下的改进的响应率。
类似地，图8图解说明硅及砷化铟镓多结光电检测器的波长或频率响应。如先前所论述，光电检测器的硅结部分提供在相对较低的波长(例如，大约980nm)下的改进的响应率，而光电检测器的砷化铟镓结部分提供在相对较高的波长(例如，大约1180nm)下的改进的响应率。基于用于多结光电检测器的不同材料，可实现光电检测器的所要宽带响应。
尽管已连同各种实施例一起描述了本发明，但应理解，本发明能够进行进一步修改。本申请案打算涵盖本发明的任何变化形式、使用或更改，所述变化形式、使用或更改一般遵循本发明的原理且包含与本发明背离但归属于与本发明相关的技术内的已知及习惯实践范围内的此些变化形式、使用或更改。
Claims (21)
1.一种光电检测器系统，其包括：
外壳，其具有形成于其中的至少一个孔隙；
至少一个多结光电检测器装置，其定位于所述外壳内，所述光电检测器具有经配置以在用在第一光谱范围内的光学辐射辐照时产生第一光电流的第一结且具有经配置以在用在至少第二光谱范围内的光学辐射辐照时产生第二光电流的至少第二结；
第一跨阻抗放大器及至少第二跨阻抗放大器，所述第一及第二跨阻抗放大器定位于所述外壳内且与所述光电检测器通信；
至少一个模/数转换器，其定位于所述外壳内且与所述第一及第二跨阻抗放大器通信；
至少一个微处理器，其定位于所述外壳内且与所述模/数转换器通信；
至少一个存储器装置，其与所述微处理器通信；及
至少一个装置接口，其定位于所述外壳内且与所述微处理器通信。
2.根据权利要求1所述的光电检测器系统，其中所述装置接口包括通信装置。
3.根据权利要求1所述的光电检测器系统，其中所述装置接口包括无线通信装置。
4.一种光电检测器系统，其包括：
多结光电检测器装置，其包括：
第一结，其经配置以在用在第一光谱范围内的第一光学辐射分量辐照时产生第一电流；及
至少第二结，其经配置以在用在不同于所述第一光谱范围的第二光谱范围内的第二光学辐射分量辐照时产生第二电流；及
微处理器，其适于：
基于所述第一电流而产生与所述第一光学辐射分量的第一特性相关的第一指示；及
基于所述第二电流而产生与所述第二光学辐射分量的第二特性相关的第二指示。
5.根据权利要求4所述的光电检测器系统，其中所述第一光学辐射分量的所述第一特性包括所述第一光学辐射分量的第一功率电平。
6.根据权利要求5所述的光电检测器系统，其中所述第二光学辐射分量的所述第二特性包括所述第二光学辐射分量的第二功率电平。
7.根据权利要求4所述的光电检测器系统，其进一步包括：
第一装置，其适于基于所述第一电流而产生第一模拟电压；及
至少第二装置，其适于基于所述第二电流而产生第二模拟电压。
8.根据权利要求7所述的光电检测器系统，其中所述微处理器适于控制所述第一装置的第一增益且控制所述第二装置的第二增益。
9.根据权利要求8所述的光电检测器系统，其中所述微处理器适于控制所述第一装置的所述第一增益以便最小化所述第一装置在所述第一光学辐射分量的第一经定义高功率电平下的压缩，且控制所述第二装置的所述第二增益以便最小化所述第二装置在所述第二光学辐射分量的第二经定义高功率电平下的压缩。
10.根据权利要求8所述的光电检测器系统，其中所述微处理器适于控制所述第一装置的所述第一增益以便实现所述第一装置在所述第一光学辐射分量的第一经定义低功率电平下的第一经定义灵敏度，且控制所述第二装置的所述第二增益以便实现所述第二装置在所述第二光学辐射分量的第二经定义低功率电平下的第二经定义灵敏度。
11.根据权利要求7所述的光电检测器系统，其进一步包括适于将所述第一模拟电压转换成第一数字电压且将所述第二模拟电压转换成第二数字电压的模/数转换器。
12.根据权利要求11所述的光电检测器系统，其进一步包括适于将所述第一及第二数字电压多路复用到一输出上的多路复用器，其中所述微处理器适于从所述多路复用器的所述输出接收所述第一及第二数字电压。
13.根据权利要求1所述的光电检测器系统，其进一步包括适于促进所述微处理器与一个或一个以上外部装置之间的信息通信的通信装置。
14.根据权利要求13所述的光电检测器系统，其中所述微处理器适于借助于所述通信装置而将与所述第一及第二指示相关的数据提供到所述一个或一个以上外部装置。
15.根据权利要求7所述的光电检测器系统，其进一步包括适于输出所述第一及第二模拟电压以供传输到一个或一个以上外部装置的模拟接口连接器。
16.根据权利要求15所述的光电检测器系统，其中所述微处理器适于经由所述模拟接口连接器而启用或停用所述第一及第二模拟电压的所述输出。
17.根据权利要求11所述的光电检测器系统，其进一步包括适于输出所述第一及第二数字电压以供传输到一个或一个以上外部装置的数字接口连接器。
18.根据权利要求17所述的光电检测器系统，其中所述微处理器适于经由所述数字接口连接器而启用或停用所述第一及第二数字电压的所述输出。
19.根据权利要求4所述的光电检测器系统，其进一步包括包含可由所述微处理器读取及执行的一个或一个以上软件模块的存储器，其中所述存储器进一步包括与所述第一及第二指示相关的数据。
20.根据权利要求4所述的光电检测器系统，其进一步包括适于将第一偏置电压供应到所述多结光电检测器装置且将第二偏置电压供应到所述微处理器的电力供应器。
21.一种光电检测器系统，其包括：
多结光电检测器装置，其包括：
第一结，其经配置以在用在第一光谱范围内的第一光学辐射分量辐照时产生第一电流；及
第二结，其经配置以在用在不同于所述第一光谱范围的第二光谱范围内的第二光学辐射分量辐照时产生第二电流；及
电路，其适于：
基于所述第一电流而产生与所述第一光学辐射分量的第一特性相关的第一指示；及
基于所述第二电流而产生与所述第二光学辐射分量的第二特性相关的第二指示。
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