KR100822431B1 - 자외선 검출용 수광센서 제조방법 및 그 제품 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 claims 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 102000034287 fluorescent proteins Human genes 0.000 description 1
- 108091006047 fluorescent proteins Proteins 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0238—Details making use of sensor-related data, e.g. for identification of sensor or optical parts
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4209—Photoelectric exposure meters for determining the exposure time in recording or reproducing
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
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Abstract
Description
Claims (7)
- 자외선을 검출 및 판단하기 위한 수광센서를 제조하는 방법에 있어서,상기 자외선을 수광하여 전기에너지로 변환하는 포토다이오드와, 상기 포토다이오드의 출력신호인 전류를 전압으로 증폭 변환하는 증폭회로부를 반도체 칩(10)에 각각 내장하는 반도체 칩 구성단계(S10)와;상기 반도체 칩(10)을 스템(20) 상부에 고정한 후, 골드와이어(25)에 의해 상기 반도체 칩(10)과 스템(20)을 전기적으로 연결하는 반도체 칩 고정단계(S20)와;자외선만을 통과시킬 수 있게 캡(30) 상면 중앙에 유리(31)를 구비하고 상기 유리(31) 상면에 광학 다층막 증착필터(32)를 증착 형성하는 필터 형성단계(S30)와;상기 캡(30)을 상기 스템(20) 상부에 결합하는 캡 고정단계(S40)를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출용 수광센서 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 필터 형성단계(S30)는,캡(30) 상면 중앙에 유리(31)를 장착하고, 증착용 판(40)에 형성된 캡홀(41)에 상기 캡(30)을 삽입하며, 코팅물질의 증발을 통해 상기 유리(31) 표면에 광학 다층막 증착필터(32)를 증착 형성하고, 상기 캡홀(41)에서 캡(30)을 분리하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출용 수광센서 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광학 다층막 증착필터(32)는 SiO2와 HfO2 중 적어도 어느 하나 이상을 사용하여 90층 이상의 다층막을 증착하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출용 수광센서 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 캡 고정단계(S40)에서 스템(20)과 캡(30)은 용접을 통해 서로 접합하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출용 수광센서 제조방법.
- 자외선을 검출 및 판단하기 위한 수광센서에 있어서,상기 자외선을 수광하여 전기에너지로 변환하는 포토다이오드를 내장하고, 상기 포토다이오드의 출력신호인 전류를 전압으로 증폭 변환하는 증폭회로부를 내장한 반도체 칩(10)과;상기 반도체 칩(10)을 상부에 고정시키되, 골드와이어(25)에 의해 상기 반도체 칩(10)과 전기적으로 연결하는 스템(20)과;상기 스템(20) 상부에 결합하되, 자외선만을 통과시킬 수 있게 상면 중앙에 유리(31)를 구비하고, 상기 유리(31) 상면에 광학 다층막 증착필터(32)를 증착 형성한 캡(30)을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출용 수광센서.
- 제 5항에 있어서, 상기 광학 다층막 증착필터(32)는 SiO2와 HfO2 중 적어도 어느 하나 이상을 사용하여 90층 이상의 광학 다층막을 증착하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출용 수광센서.
- 제 5항에 있어서, 상기 스템(20)과 캡(30)은 용접을 통해 서로 접합하는 것을 특징으로 하는 자외선 검출용 수광센서.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070010170A KR100822431B1 (ko) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 자외선 검출용 수광센서 제조방법 및 그 제품 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070010170A KR100822431B1 (ko) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 자외선 검출용 수광센서 제조방법 및 그 제품 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100822431B1 true KR100822431B1 (ko) | 2008-04-16 |
Family
ID=39571586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070010170A KR100822431B1 (ko) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 자외선 검출용 수광센서 제조방법 및 그 제품 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100822431B1 (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050032150A (ko) * | 2003-10-01 | 2005-04-07 | 오학서 | 반사특성이 유사한 반사체의 인식을 위한 적외선 센서의구성 |
-
2007
- 2007-01-31 KR KR1020070010170A patent/KR100822431B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20050032150A (ko) * | 2003-10-01 | 2005-04-07 | 오학서 | 반사특성이 유사한 반사체의 인식을 위한 적외선 센서의구성 |
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