CN103103481A - 多弧磁控离子镀膜机 - Google Patents
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Abstract
多弧磁控离子镀膜机,一种能够在真空条件下,采用阴极电弧离子放电蒸发靶材和磁控溅射靶材的双靶方式,使其在工件表面沉积成膜层的斜卧式复合离子镀膜机械装置。它是采用半斜式真空室倾斜固定在支架上,滚筒外底中心安装滚轴穿过并固定于真空室下端外连接传动马达,真空室上端左侧外挂装一扇门盖,门盖上部装置圆柱磁控靶,门盖中部装置观察窗口,门盖下部装置多弧靶和引弧针,真空室体外上方安装两路进气系统,真空室体外上方尾部安装传动马达,真空室体外右侧安装连接真空机系统构成。其特点是机体尺寸小,镀膜沉积速率高、靶材利用率高、机动性能好可同时沉积多层复合膜,具有膜层均匀致密附着力良好的优点。主要用于颗粒状的零部件滚镀功能膜和装饰膜,在国防、电子工业、科研、机械、工具和装饰等领域具有广泛的用途。
Description
所属技术领域
本发明是一种能够在真空条件下,采用阴极电弧离子放电蒸发靶材和磁控溅射靶材的双靶方式,使其在工件表面沉积成膜层的斜卧式复合离子镀膜机械装置。
背景技术
目前,不仅立式多弧磁控复合离子镀膜机无法对颗粒状零部件进行大量滚动镀膜,卧式的多弧离子镀膜机和磁控溅射离子镀膜机又存在无法同时运用多弧和磁控溅射双靶复合离子镀膜方式的局限,而且此类型的镀膜机体积庞大,造价昂贵。
发明内容
为了解决目前立式多弧磁控复合离子镀膜机无法对颗粒状零部件进行大量滚动镀膜,卧式的多弧离子镀膜机和磁控溅射离子镀膜机又存在无法同时运用多弧和磁控溅射双靶复合离子镀膜方式的局限,以及此类型的镀膜机体积庞大,成本昂贵的缺点,本发明提供一种装置简巧、低本高效、适合颗粒状零部件产品大量镀膜的斜卧式多弧磁控溅射双靶复合离子镀膜机械装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是
它是采用半斜式真空室,整体由滚筒外底中心安装滚轴穿过并固定于真空室下端外连接传动马达,真空室上端左侧外挂装一扇门盖,门盖上部装置圆柱磁控靶,门盖中部装置观察窗口,门盖下部装置多弧靶和引弧针,真空室体外上方安装两路进气系统,真空室体外上方尾部安装传动马达,真空室体外右侧安装连接真空机系统,真空室倾斜45度底部固定在真空室固定支架上构成。
本发明的有益效果是
机体尺寸精简,镀膜沉积速率高、靶材利用率高、机动性能好可同时沉积多层复合膜,具有膜层均匀致密、附着力良好的优点,方便颗粒状零部件大批量滚镀功能膜和装饰膜。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
多弧磁控离子镀膜机电路原理与实施例的剖面图中1.氩气进气口 2.其它气体进气口 3.真空机系统 4.传动马达 5.滚筒传动轴 6.真空室固定支架 7.观察窗口 8.多弧源 9.磁控溅射源 10.引弧针 11.多弧靶 12.磁控溅射靶 13.颗粒状工件 14.工件搅动片 15.装载滚筒 16.真空室 17.门盖 K1.偏压电源 K2.磁控靶电源 K3.多弧靶电源
具体实施方式
在图中,采用半斜式真空室(16),滚筒(15)做镀膜室装载颗粒状工件(13),整体由滚筒外底中心安装滚筒传动轴(5)穿过并固定于真空室下端外连接传动马达(4),滚筒底部安装三片等腰三角形搅动片(14),真空室上端左侧外挂装一扇门盖(17),门盖上部装置磁控溅射源(9)和圆柱磁控靶(12),门盖中部装置观察窗口(7),门盖下部装置多弧源(8)、多弧靶(11)和引弧针(10),真空室外上方安装两路进气系统氩气进气口(1)和其它气体进气口(2),真空室外上方尾部安装传动马达(4),真空室体外右侧安装连接真空机系统(3),真空室倾斜45度底部固定在真空室固定支架(6)上。
Claims (1)
1.多弧磁控离子镀膜机
一种多弧磁控离子镀膜机,在立式圆柱状真空室四周安装多弧源,顶部安装柱状磁控溅射源,底部安装工件转动架,其特征是:采用半斜式真空室,滚筒外底中心安装滚轴穿过并固定于真空室下端外连接传动马达,真空室上端左侧外挂装一扇门盖,门盖上部装置圆柱磁控靶,门盖下部装置多弧靶,真空室体外上方尾部安装传动马达,真空室倾斜45度底部固定在真空室固定支架上。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2011
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130515 |