CN103091534B - 高压偏移检测电路 - Google Patents

高压偏移检测电路 Download PDF

Info

Publication number
CN103091534B
CN103091534B CN201110355205.8A CN201110355205A CN103091534B CN 103091534 B CN103091534 B CN 103091534B CN 201110355205 A CN201110355205 A CN 201110355205A CN 103091534 B CN103091534 B CN 103091534B
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
high voltage
detection circuit
offset detection
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110355205.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103091534A (zh
Inventor
曾培凯
唐健夫
陈曜洲
何峻彻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Richtek Technology Corp
Original Assignee
Richtek Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Richtek Technology Corp filed Critical Richtek Technology Corp
Publication of CN103091534A publication Critical patent/CN103091534A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103091534B publication Critical patent/CN103091534B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/40—Testing power supplies
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/38—Means for preventing simultaneous conduction of switches
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0084—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring voltage only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
    • H03K5/1536—Zero-crossing detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
    • H05B41/14—Circuit arrangements
    • H05B41/26—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc
    • H05B41/28—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters
    • H05B41/295—Circuit arrangements in which the lamp is fed by power derived from dc by means of a converter, e.g. by high-voltage dc using static converters with semiconductor devices and specially adapted for lamps with preheating electrodes, e.g. for fluorescent lamps
    • H05B41/298—Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions
    • H05B41/2981—Arrangements for protecting lamps or circuits against abnormal operating conditions for protecting the circuit against abnormal operating conditions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

一种用于高压桥式驱动器电路的高压偏移检测电路，该高压桥式驱动器电路具有高压端及浮接节点供高位侧开关连接于其间，该高压偏移检测电路在该高位侧开关打开时检测一个与该浮接节点的电压相关的电压，以触发零电压切换信号。

Description

高压偏移检测电路
技术领域
本发明是关于一种高压桥式驱动器电路，特别是关于一种用于高压桥式驱动器电路的高压偏移检测电路。
背景技术
高压半桥和全桥驱动器电路使用于多种应用，例如电机、安定器、双电感单电容转换器及冷阴极管等，其需要将某些逻辑信号从低压转为高压，以控制高压元件。例如在图1的半桥驱动器电路中，控制信号Hin及Lin分别用来切换串联在高压端VIN及低压端GND之间的高位侧开关M1及低位侧开关M2，但直流供应电压VIN是很高的电压，可能高达600伏特(V)以上，而产生控制信号Hin及Lin的是使用低压电源VCC(例如5V或12V)的逻辑电路，所以需要将控制信号Hin从低压准位平移到高压准位。更具体而言，通过低位侧电路10、位准平移电路12及高位侧电路14的运作，从控制信号Hin产生控制信号S4给高压驱动器20，以产生控制信号UG控制开关M1。控制信号Lin则直接给低压驱动器22，以产生控制信号LG控制开关M2。在高位侧开关M1打开(on)而低位侧开关M2关闭(off)期间，浮接节点24的电压VS等于直流供应电压VIN，相反的，在高位侧开关M1关闭而低位侧开关M2打开期间，浮接节点24的电压VS等于接地电压GND。假设电压VS＝600V而电压GND＝0V，则在开关M1及M2切换时，其上的跨压可能高达600V，而开关M1及M2的导通阻值通常为mΩ等级，因此在开关M1及M2切换时可能产生kA等级的大电流，因而损毁开关M1或M2。这种开关M1及M2出现高跨压的情况称为硬切换(hard switching)。
为了避免硬切换，使用高压偏移检测电路16检测浮接节点24的电压VS，产生零电压切换(Zero Voltage Switching；ZVS)信号S5，供控制信号产生器18判断是否发生硬切换，若发生硬切换，则触发信号S6给低位侧电路10以调整开关M1及M2的失效时间(dead time)。此外，信号S6也可以用来调整电感L1及电容C1的共振频率或关闭驱动器电路。然而，在现有技术中，例如美国专利号7,049,767，高压偏移检测电路只能在高位侧开关关闭期间检测电压VS。
发明内容
本发明的目的之一，在于提出一种高压偏移检测电路，以检测高压桥式驱动器电路的浮接节点的电压。
本发明的目的之一，在于提出一种高压偏移检测电路，在高位侧开关打开期间检测高压桥式驱动器电路的浮接节点的电压。
根据本发明，一种用于高压桥式驱动器电路的高压偏移检测电路包括高压元件及零电压切换产生器。该高压桥式驱动器电路包含浮接节点、高压端及低压端供连接高位侧开关在该高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在该低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制该高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制该低位侧开关。该高压元件具有输入端、输出端、控制端以及寄生电容在该输入端及输出端之间。该输入端接收一个与该浮接节点的电压相关的电压，该控制端接收电压以使该高压元件在关闭状态。该零电压切换产生器在该高位侧开关打开或该低位侧开关关闭时检测该输出端的电压以触发零电压切换信号。
根据本发明，一种用于高压桥式驱动器电路的高压偏移检测电路包括电容及零电压切换产生器。该高压桥式驱动器电路包含浮接节点、高压端及低压端供连接高位侧开关在该高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在该低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制该高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制该低位侧开关。该电容的第一端接收一个与该浮接节点的电压相关的电压，该零电压切换产生器在该高位侧开关打开或该低位侧开关关闭时检测该电容的第二端的电压以触发零电压切换信号。
根据本发明，一种用于高压桥式驱动器电路的高压偏移检测电路包括高压元件及零电压切换产生器。该高压桥式驱动器电路包含浮接节点、高压端及低压端供连接高位侧开关在该高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在该低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制该高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制该低位侧开关。该高压元件具有输入端、输出端及控制端。该控制端接收电压以使该高压元件在打开状态，该输入端接收一个与该浮接节点的电压相关的电压，该零电压切换产生器在该高位侧开关打开或该低位侧开关关闭时检测该输出端的电压以触发零电压切换信号。
根据本发明，一种用于高压桥式驱动器电路的高压偏移检测电路包括高压元件、控制器及零电压切换产生器。该高压桥式驱动器电路包含浮接节点、高压端及低压端供连接高位侧开关在该高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在该低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制该高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制该低位侧开关。该高压元件具有输入端、输出端及控制端。该输入端接收一个与该浮接节点的电压相关的电压，该零电压切换产生器在该高位侧开关打开或该低位侧开关关闭时检测该输出端的电压以触发零电压切换信号。该控制器连接该控制端，在该零电压切换产生器检测该输出端的电压时，选择性关闭该高压元件。
根据本发明，一种用于高压桥式驱动器电路的高压偏移检测电路包括高压元件及零电压切换产生器。该高压桥式驱动器电路包含浮接节点、高压端及低压端供连接高位侧开关在该高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在该低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制该高位侧开关，低压驱动器提供第二控制信号控制该低位侧开关，以及位准平移电路平移低压逻辑信号的位准以产生该第一控制信号。该高压元件具有输入端、输出端及控制端，该输入端及控制端连接该位准平移电路。该输入端接收一个与该浮接节点的电压相关的电压，该零电压切换产生器在该高位侧开关打开或该低位侧开关关闭时检测该输出端的电压以触发零电压切换信号。
附图说明
图1是半桥驱动器电路；
图2是本发明的第一实施例；
图3是图1的半桥驱动器电路使用图2的高压偏移检测电路的时序图；
图4是图2中的ZVS产生器的第一实施例；
图5是图2中的ZVS产生器的第二实施例；
图6是图2中的ZVS产生器的第三实施例；
图7是本发明的第二实施例；
图8是本发明的第三实施例；
图9是本发明的第四实施例；
图10是本发明的第五实施例；
图11A及图11B显示图10中电压Vdet的波形；
图12是本发明的第六实施例；以及
图13是本发明的第七实施例。
附图说明：
10  低位侧电路
12  位准平移电路
14  高位侧电路
16  高压偏移检测电路
18  控制信号产生器
20  高压驱动器
22  低压驱动器
24  浮接节点
30  可程序化负载元件
32  ZVS产生器
34  电流源
36  比较器
38  逻辑电路
40  及闸
42  D型正反器
44  偏压电路
46  电容Cr的第一端
48  电容Cr的第二端
50  控制器
具体实施方式
图2是本发明的第一实施例，高压偏移检测电路16包括NMOS晶体管M3、可程序化负载元件30及ZVS产生器32。NMOS晶体管M3为高压元件，其控制端G接地，故NMOS晶体管M3一直维持在关闭(off)状态。NMOS晶体管M3的输入端D连接浮接节点24以检测电压VS。当输入端D的电压VS变化时，在NMOS晶体管M3的输入端D及输出端S之间的寄生电容C2会导致输出端S的电压Vdet跟着变化，因此电压Vdet可以用来判断浮接节点24的电压VS的状态，不论高压侧开关M1为打开或关闭，NMOS晶体管M3皆可检测电压VS。从图1可知，靴带电容CB连接在高位侧电源VB及浮接节点24之间，因此当浮接节点24的电压VS瞬间变化时，电压VB将跟着变化，因此NMOS晶体管M3也可以藉检测高位侧电源VB来判断电压VS，在此半桥驱动器电路中，靴带电容CB所连接的高位侧电源VB提供高位侧电压，当VS＝0时，电源VCC透过二极体D1对靴带电容CB充电，使电容CB二端的跨压达到VCC-VD1。在其他实施例中，除了电压VS及VB之外，也可以藉检测其他端点的电压来产生电压Vdet，只要该端点的电压与电压VS相关即可。ZVS产生器32检测电压Vdet以产生ZVS信号S5，半桥驱动器电路根据ZVS信号S5判断是否发生硬切换。可程序化负载元件30连接NMOS晶体管M3的输出端S，其包括电流源34连接在NMOS晶体管M3的输出端S及接地端GND之间，以及开关SW与电流源34并联，藉控制开关SW可以改变可程序化负载元件30的负载值。当开关SW被信号S2打开时，输出端S的电荷将被释放到接地端GND。
参照图1及图2，在高位侧开关M1关闭而低位侧开关M2打开期间，电感L1的电感电流IL经浮接节点24及低位侧开关M2流向接地端GND，接着当低位侧开关M2关闭时，如图3的时间t1所示，电感电流IL仍持续流向浮接节点24，因而推升电压VS，同时寄生电容C2将电压VS的变化量耦合到NMOS晶体管M3的输出端S，因此电压Vdet也跟着上升，当电压Vdet达到预设的临界值Vref1时，ZVS产生器32触发ZVS信号S5。如图3的时间t2所示，若在高位侧开关M1打开前触发ZVS信号S5，代表非硬切换状态。相反的，若在高位侧开关M1打开后触发ZVS信号S5，如图3的时间t3所示，表示半桥驱动器电路发生硬切换。同理，在高位侧开关M1由打开状态变为关闭状态时，电压VS及Vdet开始下降，在电压Vdet低于另一预设的临界值Vref2时，触发ZVS信号S5。若在低位侧开关M2打开前触发ZVS信号S5，代表非硬切换状态。相反的，若在低位侧开关M2打开后触发ZVS信号S5，表示半桥驱动器电路发生硬切换。
图4是图2中的ZVS产生器32的第一实施例，其包括比较器36比较电压Vdet及临界值Vref1，其中临界值Vref1等于提供给低压驱动器22的电源电压VCC减去预设电压VP1，Vref1＝VCC-VP1，因此此实施例中的临界值Vref1与电源电压VCC有关。在电压Vdet上升到大于临界值Vref1时，比较器36触发ZVS信号S5。图5是ZVS产生器32的第二实施例，其包括比较器36及逻辑电路38。比较器36比较电压Vdet及临界值Vref2，其中临界值Vref2等于电源电压VCC减去预设电压VP2，Vref2＝VCC-VP2，因此临界值Vref2与电源电压VCC有关。在电压Vdet下降到低于临界值Vref2时，比较器36触发比较信号Sc，逻辑电路38包括及闸40根据比较信号Sc及控制信号UG的反相信号UG’产生ZVS信号S5。在其他实施例中，也可以用控制信号LG来取代反相信号UG’。图6是ZVS产生器32的第三实施例，其与图5的电路同样包括比较器36及逻辑电路38，但是逻辑电路38包括D型正反器根据比较信号Sc及反相信号UG’产生ZVS信号S5。
将图2中的可程序化负载元件30以偏压电路44取代，成为图7的实施例。偏压电路44包括电压源V1、V2及V3以及电流源I1串联在电源输入端VCC及接地端GND之间，除了对输出端S提供偏压以外，还可以提供与电源电压VCC相关的临界值Vref1或Vref2给ZVS产生器32。
将图7中的偏压电路44改为多个串联的电阻R1、R2及R3，成为图8的实施例。电阻R1、R2及R3分压电源电压VCC产生偏压给输出端S以及产生与电源电压VCC相关的临界值Vref1或Vref2给ZVS产生器32。
图9是本发明的第四实施例，高压偏移检测电路16包括电容Cr具有第一端46检测电压VS或VB，可程序化负载元件30或偏压电路44连接电容Cr的第二端48，以及ZVS产生器32检测电容Cr的第二端的电压Vdet以触发ZVS信号S5。当电压VS或VB瞬间变化时，电容Cr的第二端的电压Vdet将随着变化，因此可从电压Vdet判断浮接节点24的电压VS。
将图9中的电容Cr以NMOS晶体管M3取代，成为图10的实施例。NMOS晶体管M3的输入端D接收电压VS或VB，可程序化负载元件30或偏压电路44连接NMOS晶体管M3的输出端S，ZVS产生器32检测NMOS晶体管的输出端S的电压Vdet以触发ZVS信号S5。图11A及图11B显示图10中电压Vdet的波形，NMOS晶体管M3的栅极G接受电源电压VCC，因而使NMOS晶体管M3一直维持打开状态，因此在图1中的高位侧开关M1关闭而低位侧开关M2打开时，NMOS晶体管M3的输出端S的电压Vdet为VCC-VTHNM3，其中VTHNM3是NMOS晶体管M3的临界电压，在低位侧开关M2关闭而高位侧开关M1未打开期间，电压VS或VB上升，因而使电压Vdet跟着上升，若在电压Vdet达到临界值Vref1时，高位侧开关M1未打开，表示非硬切换状态，如图11A所示。若在电压Vdet在高位侧开关M1打开后才到临界值Vref1，表示发生硬切换，如图11B所示。
图12是本发明的第六实施例，在高压偏移检测电路16中，NMOS晶体管M3的输入端D接收电压VS或VB，可程序化负载元件30或偏压电路44连接NMOS晶体管M3的输出端S，ZVS产生器32在NMOS晶体管M3关闭时检测NMOS晶体管的输出端S的电压Vdet以决定ZVS信号S5，控制器50提供控制信号Soff给NMOS晶体管M3的控制端G以选择性的关闭NMOS晶体管M3。如前所述，当NMOS晶体管M3关闭时，寄生电容C2将使电压Vdet随输入端D的电压VS或VB变化，因此可从电压Vdet判断浮接节点24的电压VS。
图13是本发明的第七实施例，高压偏移检测电路16中的NMOS晶体管M3的输入端D连接位准平移电路12中的NMOS晶体管M4的漏极VB1，NMOS晶体管M3的控制端G连接NMOS晶体管M4的栅极，可程序化负载元件30或偏压电路44连接NMOS晶体管M3的输出端S，ZVS产生器32在NMOS晶体管M3关闭时检测NMOS晶体管的输出端S的电压Vdet以决定ZVS信号S5。在NMOS晶体管M3及M4被低位侧电路10的信号S1reset关闭的期间，NMOS晶体管M4的漏极电压VB1与电压VB相关，因此电压VS的瞬间变化会导致电压VB1也跟着变化，而NMOS晶体管M3的寄生电容C2使电压Vdet随输入端D的电压VB1变化，从电压Vdet可判断浮接节点24的电压VS。NMOS晶体管M3可以利用NMOS晶体管M4的结构中的一部分来实现，以减少积体电路的面积。位准平移电路12的操作及原理是现有技术，不再赘述。在其他实施例中，NMOS晶体管M3的输入端D及控制端G也可以改为分别连接位准平移电路12中NMOS晶体管M5的漏极及栅极，且在此情况下，NMOS晶体管M3也可以利用NMOS晶体管M5的结构中的一部分来实现。
上述实施例是以半桥驱动器电路来解说本发明，但本领域的技术人员当知全桥驱动器电路也可以用相同的方式来实施本发明。

Claims (42)

1.一种高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路用以检测高压桥式驱动器电路的浮接节点的电压，所述高压桥式驱动器电路包含高压端及低压端供连接高位侧开关在所述高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在所述低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制所述高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制所述低位侧开关，所述高压偏移检测电路包括：
高压元件，具有输入端、输出端及控制端，所述输入端接收一个与所述浮接节点的电压相关的第一电压，所述输出端有第二电压，所述控制端接收第三电压以使所述高压元件维持在关闭状态，所述输入端及输出端之间有寄生电容使得所述第二电压随所述第一电压变化；以及
零电压切换产生器，连接所述高压元件的输出端，当所述高位侧开关打开或所述低位侧开关关闭时检测所述第二电压，并根据所述第二电压及一与所述低压驱动器的电源电压有关的临界值触发零电压切换信号；
其中，所述高压元件的输入端连接所述浮接节点、所述高位侧电源或其上电压与所述浮接节点的电压相关的端点。
2.如权利要求1所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括比较器连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以触发所述零电压切换信号。
3.如权利要求1所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括：
比较器，连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以产生比较信号；以及
逻辑电路，连接所述比较器，根据所述比较信号以及所述第一控制信号或第二控制信号决定所述零电压切换信号。
4.如权利要求1所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路还包括可程序化负载元件连接所述高压元件的输出端。
5.如权利要求4所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述可程序化负载元件包括：
电流源，连接所述高压元件的输出端；以及
开关，与所述电流源并联。
6.如权利要求1所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路还包括偏压电路连接所述高压元件的输出端，提供偏压给所述高压元件的输出端。
7.如权利要求6所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电压源以决定所述偏压。
8.如权利要求6所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电阻分压所述低压驱动器的电源电压以决定所述偏压。
9.一种高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路用以检测高压桥式驱动器电路的浮接节点的电压，所述高压桥式驱动器电路包含高压端及低压端供连接高位侧开关在所述高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在所述低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制所述高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制所述低位侧开关，所述高压偏移检测电路包括：
电容，具有第一端及第二端，所述第一端接收一个与所述浮接节点的电压相关的第一电压，所述第二端有第二电压；以及
零电压切换产生器，连接所述电容的第二端，当所述高位侧开关打开或所述低位侧开关关闭时检测所述第二电压，并根据所述第二电压及一与所述低压驱动器的电源电压有关的临界值触发零电压切换信号；
其中，所述电容的第一端连接所述浮接节点、所述高位侧电源或其上电压与所述浮接节点的电压相关的端点。
10.如权利要求9所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括比较器连接所述电容的第二端，比较所述第二电压与所述临界值以触发所述零电压切换信号。
11.如权利要求9所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括：
比较器，连接所述电容的第二端，比较所述第二电压与所述临界值以产生比较信号；以及
逻辑电路，连接所述比较器，根据所述比较信号以及所述第一控制信号或第二控制信号决定所述零电压切换信号。
12.如权利要求9所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路更包括可程序化负载元件连接所述电容的第二端。
13.如权利要求12所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述可程序化负载元件包括：
电流源，连接所述电容的第二端；以及
开关，与所述电流源并联。
14.如权利要求9所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路还包括偏压电路连接所述电容的第二端，提供偏压给所述电容的第二端。
15.如权利要求14所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电压源以决定所述偏压。
16.如权利要求14所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电阻分压所述低压驱动器的电源电压以决定所述偏压。
17.一种高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路用以检测高压桥式驱动器电路的浮接节点的电压，所述高压桥式驱动器电路包含高压端及低压端供连接高位侧开关在所述高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在所述低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制所述高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制所述低位侧开关，所述高压偏移检测电路包括：
高压元件，具有输入端、输出端及控制端，所述输入端接收一个与所述浮接节点的电压相关的第一电压，所述输出端有第二电压，所述控制端接收第三电压以使所述高压元件维持在打开状态；以及
零电压切换产生器，连接所述高压元件的输出端，当所述高位侧开关打开或所述低位侧开关关闭时检测所述第二电压，并根据所述第二电压及一与所述低压驱动器的电源电压有关的临界值触发零电压切换信号；
其中，所述高压元件的输入端连接所述浮接节点、所述高位侧电源或其上电压与所述浮接节点的电压相关的端点。
18.如权利要求17所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括比较器连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以触发所述零电压切换信号。
19.如权利要求17所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括：
比较器，连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以产生比较信号；以及
逻辑电路，连接所述比较器，根据所述比较信号以及所述第一控制信号或第二控制信号决定所述零电压切换信号。
20.如权利要求17所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路还包括可程序化负载元件连接所述高压元件的输出端。
21.如权利要求20所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述可程序化负载元件包括：
电流源，连接所述高压元件的输出端；以及
开关，与所述电流源并联。
22.如权利要求17所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路还包括偏压电路连接所述高压元件的输出端，提供偏压给所述高压元件的输出端。
23.如权利要求22所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电压源以决定所述偏压。
24.如权利要求22所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电阻分压所述低压驱动器的电源电压以决定所述偏压。
25.一种高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路用以检测高压桥式驱动器电路的浮接节点的电压，所述高压桥式驱动器电路包含高压端及低压端供连接高位侧开关在所述高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在所述低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制所述高位侧开关，以及低压驱动器提供第二控制信号控制所述低位侧开关，所述高压偏移检测电路包括：
高压元件，具有输入端、输出端及控制端，所述输入端接收一个与所述浮接节点的电压相关的第一电压，所述输出端有第二电压，所述输入端及输出端之间有寄生电容；
零电压切换产生器，连接所述高压元件的输出端，当所述高位侧开关打开或所述低位侧开关关闭时检测所述第二电压，并根据所述第二电压及一与所述低压驱动器的电源电压有关的临界值触发零电压切换信号；以及
控制器，连接所述高压元件的控制端，当所述零电压切换产生器检测所述第二电压时，提供第三控制信号以选择性关闭所述高压元件；
其中，所述高压元件的输入端连接所述浮接节点、所述高位侧电源或其上电压与所述浮接节点的电压相关的端点。
26.如权利要求25所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括比较器连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以触发所述零电压切换信号。
27.如权利要求25所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括：
比较器，连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以产生比较信号；以及
逻辑电路，连接所述比较器，根据所述比较信号以及所述第一控制信号或第二控制信号决定所述零电压切换信号。
28.如权利要求25所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路更包括可程序化负载元件连接所述高压元件的输出端。
29.如权利要求28所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述可程序化负载元件包括：
电流源，连接所述高压元件的输出端；以及
开关，与所述电流源并联。
30.如权利要求25所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路更包括偏压电路连接所述高压元件的输出端，提供偏压给所述高压元件的输出端。
31.如权利要求30所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电压源以决定所述偏压。
32.如权利要求30所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电阻分压所述低压驱动器的电源电压以决定所述偏压。
33.一种高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路用以检测高压桥式驱动器电路的浮接节点的电压，所述高压桥式驱动器电路包含高压端及低压端供连接高位侧开关在所述高压端及浮接节点之间，以及低位侧开关在所述低压端及浮接节点之间，靴带电容连接在高位侧电源及浮接节点之间，高压驱动器提供第一控制信号控制所述高位侧开关，低压驱动器提供第二控制信号控制所述低位侧开关，以及位准平移电路平移低压逻辑信号的位准以产生所述第一控制信号，所述高压偏移检测电路包括：
高压元件，具有输入端、输出端及控制端，所述输入端接收一个与所述浮接节点的电压相关的第一电压，所述输出端有第二电压，所述输入端及输出端之间有寄生电容；以及
零电压切换产生器，连接所述高压元件的输出端，当所述高位侧开关打开或所述低位侧开关关闭时检测所述第二电压，并根据所述第二电压及一与所述低压驱动器的电源电压有关的临界值触发零电压切换信号；
其中，所述高压元件的输入端及控制端连接所述位准平移电路。
34.如权利要求33所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述高压元件的输入端连接所述位准平移电路的输入晶体管的输出端。
35.如权利要求33所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述高压元件的控制端连接所述位准平移电路的输入晶体管的控制端。
36.如权利要求33所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括比较器连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以触发所述零电压切换信号。
37.如权利要求45所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述零电压切换产生器包括：
比较器，连接所述高压元件的输出端，比较所述第二电压与所述临界值以产生比较信号；以及
逻辑电路，连接所述比较器，根据所述比较信号以及所述第一控制信号或第二控制信号决定所述零电压切换信号。
38.如权利要求33所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路还包括可程序化负载元件连接所述高压元件的输出端。
39.如权利要求38所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述可程序化负载元件包括：
电流源，连接所述高压元件的输出端；以及
开关，与所述电流源并联。
40.如权利要求33所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述的高压偏移检测电路还包括偏压电路连接所述高压元件的输出端，提供偏压给所述高压元件的输出端。
41.如权利要求40所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电压源以决定所述偏压。
42.如权利要求40所述的高压偏移检测电路，其特征在于，所述偏压电路包括多个串联的电阻分压所述低压驱动器的电源电压以决定所述偏压。
CN201110355205.8A 2011-10-31 2011-11-10 高压偏移检测电路 Active CN103091534B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100139645A TWI467920B (zh) 2011-10-31 2011-10-31 高壓偏移偵測電路
TW100139645 2011-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103091534A CN103091534A (zh) 2013-05-08
CN103091534B true CN103091534B (zh) 2015-02-11

Family

ID=48171766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110355205.8A Active CN103091534B (zh) 2011-10-31 2011-11-10 高压偏移检测电路

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8723560B2 (zh)
CN (1) CN103091534B (zh)
TW (1) TWI467920B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2978345B1 (fr) 2011-07-25 2013-08-30 Charam Khosrovaninejad Dispositif chirurgical d'ancrage controle dans l'intestin.
US9667243B2 (en) * 2015-09-11 2017-05-30 Infineon Technologies Austria Ag High speed tracking current sense system
FR3072557B1 (fr) 2017-10-19 2019-11-08 Safeheal Dispositif chirurgical complexe pour la realisation et protection d'une anastomose.
TWI715328B (zh) 2019-12-04 2021-01-01 宏碁股份有限公司 升壓轉換器
US11056590B1 (en) 2020-02-04 2021-07-06 Semiconductor Components Industries, Llc Sensing device for high voltage applications
TWI706616B (zh) * 2020-02-12 2020-10-01 新唐科技股份有限公司 電源突波偵測電路
CN113346771B (zh) * 2020-02-18 2023-07-21 宏碁股份有限公司 升压转换器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3771056A (en) * 1971-07-30 1973-11-06 Tektronix Inc Display baseline stabilization circuit
JPH11250699A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd 不揮発性半導体メモリおよびその高電圧回路
CN101706551A (zh) * 2009-10-30 2010-05-12 西安电子科技大学 预报集成电路负偏压不稳定性失效的测试电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6737842B2 (en) * 2002-10-11 2004-05-18 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Method and circuits for reducing dead time and reverse recovery loss in buck regulators
US7049767B2 (en) * 2003-03-24 2006-05-23 International Rectifier Corporation High voltage offset detection circuit and method
DE10345732A1 (de) * 2003-10-01 2005-04-21 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Schaltungsanordnung zur Offsetkorrektur einer Messbrücke
US7436160B2 (en) * 2004-02-19 2008-10-14 International Rectifier Corporation Half bridge adaptive dead time circuit and method
KR101197512B1 (ko) * 2005-12-02 2012-11-09 페어차일드코리아반도체 주식회사 안정기 집적회로
US8143749B2 (en) * 2008-11-06 2012-03-27 Qualcomm Incorporated Dual current switch detection circuit with selective activation
KR101478352B1 (ko) * 2008-11-28 2015-01-06 페어차일드코리아반도체 주식회사 비정상 스위칭 감시 장치 및 감시 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3771056A (en) * 1971-07-30 1973-11-06 Tektronix Inc Display baseline stabilization circuit
JPH11250699A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Asahi Kasei Micro Syst Co Ltd 不揮発性半導体メモリおよびその高電圧回路
CN101706551A (zh) * 2009-10-30 2010-05-12 西安电子科技大学 预报集成电路负偏压不稳定性失效的测试电路

Also Published As

Publication number Publication date
TW201318345A (zh) 2013-05-01
US20130106466A1 (en) 2013-05-02
CN103091534A (zh) 2013-05-08
TWI467920B (zh) 2015-01-01
US8791725B2 (en) 2014-07-29
US8723560B2 (en) 2014-05-13
US20140118029A1 (en) 2014-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103091534B (zh) 高压偏移检测电路
CN101401307B (zh) 驱动器电路和使用该驱动器电路的半导体装置
US7688052B2 (en) Charge pump circuit and method therefor
KR101556395B1 (ko) 컨버터 및 그 구동 방법
US20120133420A1 (en) System and Method for Bootstrapping a Switch Driver
CN110165872B (zh) 一种开关控制电路及其控制方法
CN104218803A (zh) 一种自举电压充电电路和电压转换电路
JP2009131062A (ja) 降圧型スイッチングレギュレータ
KR102351154B1 (ko) Pwm 벅 컨버터
CN104467373A (zh) Led驱动电路及其开关电源控制器
CN106602879A (zh) 具有半桥节点的dc‑dc转换器、用于其的控制器以及控制其的方法
US6972973B2 (en) Voltage booster having noise reducing structure
CN101252350B (zh) 三角波生成电路
CN105357814A (zh) 一种用于led恒流驱动电路的峰值电流检测电路及方法
CN103391022B (zh) 压电电路、用于压电电路的压电驱动电路及压电驱动方法
TW201312909A (zh) 停滯時間之控制方法以及具有自調停滯時間之控制器
JP2011067038A (ja) チャージポンプ
KR20050005774A (ko) 구동 회로 및 구동 방법
CN216672983U (zh) 电路及电子设备
KR20190108785A (ko) 전원 변환기, 스위칭 소자 구동 장치 및 부하 구동 장치
WO2021057450A1 (zh) 开关变换器及其低压启动电路
CN104935198A (zh) 谐振转换器
CN112311227B (zh) 开关电源及其振铃消除电路和振铃消除方法
WO2017117367A1 (en) Methods and apparatus for resonant energy minimization in power converters
US20200099295A1 (en) Switching converter with a self-operated negative boost switch

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant