CN103081710A - 烤烟半膜覆盖栽培方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种烤烟半膜覆盖栽培方法,该方法是在地垄的顶部覆盖地膜,然后在地垄的肩部地膜边缘开种植孔进行烟苗栽培。本发明的优点是:(1)烤烟实施一垄双行,实现了宽窄行移栽,利于烤烟后期田间通风透光,提高烟叶品质。(2)烤烟中后期生长过程中,根系处于膜内和膜外两个部位,综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点,利于烤烟正常生长。(3)地膜边缘与底肥相连,烟株根系与地膜、底肥靠近而接触,有利于降雨顺膜流入根系周围,溶解了肥料,滋润了烟株根系,提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。(4)因地膜边缘与烟株茎基部相邻,站在垄上揭膜,保证地膜的完整性,提高了地膜回收效率,有效降低“白色污染”。
Description
技术领域
本发明涉及烤烟大田半膜覆盖栽培方法,属于作物覆盖栽培技术领域。
背景技术
垄作是作物栽培中一种较为普遍的方式,在烤烟生产中广泛使用。它对增加土层厚度,保墒防旱,通风防病,增加土体表面积,扩大受光面,提高地温,进而促进作物根系发育有积极作用。
在我国贵州高原烟区,土层和耕层薄,土壤肥力低,保肥保水能力差。虽然全省年均降雨量在1000mm以上,理论上完全能够满足烤烟生产的需要,但是受季节性干旱、降雨分布不均匀,过度降雨地表径流损失等影响,在烤烟移栽时常常受干旱影响推迟移栽时间;烤烟旺长期常出现旱灾和涝灾,成熟期又受伏旱胁迫,限制了本区烤烟产量稳定与烟叶质量提升。
该区受高原气候的影响,烤烟生长季节气温较低,地膜使用极为普遍,导致“白色污染”日趋严重。同时现有地膜种植的常规模式为全膜覆盖,作物栽种在地膜全覆盖区域,为达到较好的保温效果,作物的根系均被包覆在地膜下方。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种优化烤烟生长环境,方便地膜回收,减少“白色污染”的烤烟半膜覆盖栽培方法,可以克服现有技术的不足。
本发明的技术方案:烤烟半膜覆盖栽培方法是在地垄的顶部覆盖地膜,然后在地垄上地膜边沿的内侧或外侧开种植孔进行烟苗栽培。
所述的种植孔为井窖式移栽孔。
地膜的宽度90-100cm,厚度0.008cm。
在地垄上地膜的边沿处开设施肥沟,在施肥沟内施底肥,后在其施肥沟上盖土压紧地膜边沿。
在烤烟采收结束后,揭开地膜,进行回收。
施肥沟的宽度为15-20cm、深度为15-20cm。
种植孔位于地垄上地膜边沿的内侧或外侧,种植孔的孔口直径8cm,种植孔孔口圆心到膜边沿的距离为5cm。
垄底宽度为210cm,土烟垄高20±3cm,田烟垄高25±3cm。
与现有技术比较,本发明将地膜覆盖于地垄的顶部,烟苗移栽于地垄上地膜边沿的内侧或外侧,这样本发明的优点是:(1)烤烟实施一垄双行,实现了宽窄行移栽,利于烤烟后期田间通风透光,提高烟叶品质,同时有利于农事操作。(2)烤烟中后期生长过程中,根系处于膜内和膜外两个部位,综合了干旱地膜保湿、雨涝排水的特点,利于烤烟正常生长。(3)地膜边缘与底肥相连,烟株根系与地膜、底肥靠近而接触,有利于降雨顺膜流入根系周围,溶解了肥料,滋润了烟株根系,提高了肥料利用率、促进了根系发育与烤烟生长。(4)因地膜边沿与烟株茎基部相邻,且地膜较厚,站在垄上揭膜,保证地膜的完整性,提高了地膜回收效率,有效降低“白色污染”。(5)半膜覆盖减少了地膜用量,减少种植投入。(6)打破了现有地膜种植的惯有思维。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明的另一种结构示意图。
具体实施方式
实施例1:如图1所示,本发明的具体实施步骤为
(1)选地:选择土层深度在30cm以上,地势平缓的烟地;
(2)整地:起垄前深耕,耕层深度在15cm以上,耕毕后耙均,清除烟地杂物;
(3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄,土烟垄高(C)20±3cm,田烟垄高(C)25±3cm,垄面略呈弧形,保证不集雨;
(4)施基肥:在地垄1的肩部,距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2,按常规烤烟条施底肥用量;
(5) 覆膜:用宽度100cm,厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置,膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上,在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧;
(6) 栽烟:在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4,井窖式移栽孔4的孔口直径8cm,按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗,株距按常规烤烟生产执行;
(7)揭膜:在烤烟采收结束时,揭开地膜3,保持地膜完整性,便于回收再利用;
(8) 其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。
实施例2:如图2所示,本发明的具体实施步骤为
(1) 选地:选择土层深度在30cm以上,地势平缓的烟地;
(2) 整地:起垄前深耕,耕层深度在15cm以上,耕毕后耙均,清除烟地杂物;
(3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄,土烟垄高(C)20±3cm,田烟垄高(C)25±3cm,垄面略呈弧形,保证不集雨;
(4)施基肥:在地垄1的肩部,距地垄中心线50cm处开深15-20cm施肥沟2,按常规烤烟条施底肥用量;
(5)覆膜:用宽度100cm,厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置,膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上,在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧;
(6)栽烟:在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4,井窖式移栽孔4的孔口直径8cm,按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗,株距按常规烤烟生产执行;
(7) 揭膜:在烤烟采收结束时,揭开地膜3,保持地膜完整性,便于回收再利用;
(8) 其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。
实施例3:如图2所示,本发明的具体实施步骤为
(1)选地:选择土层深度在30cm以上,地势平缓的烟地;
(2)整地:起垄前深耕,耕层深度在15cm以上,耕毕后耙均,清除烟地杂物;
(3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄,土烟垄高(C)20±3cm,田烟垄高(C)25±3cm,垄面略呈弧形,保证不集雨;
(4)施基肥:在地垄1的肩部,距地垄中心线45cm处开深15-20cm施肥沟2,按常规烤烟条施底肥用量;
(5)覆膜:用宽度90cm,厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置,膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上,在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧;
(6)栽烟:在距离垄中心线45cm的地垄上打井窖式移栽孔4,井窖式移栽孔4的孔口直径8cm,按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗,株距按常规烤烟生产执行;
(7)揭膜:在烤烟采收结束时,揭开地膜3,保持地膜完整性,便于来年再用;
(8) 其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。
实施例4:如图2所示,本发明的具体实施步骤为
(1)选地:选择土层深度在30cm以上,地势平缓的烟地;
(2)整地:起垄前深耕,耕层深度在15cm以上,耕毕后耙均,清除烟地杂物;
(3)起垄:按垄底(A)210cm开厢起梯形宽垄,土烟垄高(C)20±3cm,田烟垄高(C)25±3cm,垄面略呈弧形,保证不集雨;
(4)施基肥:在地垄1的肩部,距地垄中心线45cm处开深15-20cm施肥沟2,按常规烤烟条施底肥用量;
(5)覆膜:用宽度90cm,厚度0.008cm的地膜3覆盖于垄面中心位置,膜边沿落入条施基肥的施肥沟2上,在施肥沟2上覆土且将地膜3的边沿盖实压紧;
(6)栽烟:在距离垄中心线50cm的地垄上打井窖式移栽孔4,井窖式移栽孔4的孔口直径8cm,按发明专利名称为“烤烟地膜井窖式小苗移栽方法”专利申请号 201110203197.5”栽植烟苗,株距按常规烤烟生产执行;
(7)揭膜:在烤烟采收结束时,揭开地膜3,保持地膜完整性,便于来年再用;
(8)其它:其它管理按常规烤烟种植方式管理。
Claims (9)
1.一种烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:该方法是在地垄的顶部覆盖地膜,然后在地垄上地膜两边沿的内侧或外侧开种植孔进行烟苗栽培。
2.根据权利要求1所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:所述的种植孔为井窖式移栽孔。
3.根据权利要求1所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:地膜的宽度90-100cm,厚度0.008cm。
4.根据权利要求1、2或3所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:在地垄上地膜的两边沿处开设施肥沟,在施肥沟内施底肥,后在其施肥沟上盖土压紧地膜边沿。
5.根据权利要求4所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:在烤烟采收结束后,揭开地膜,进行回收。
6.根据权利要求4所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:施肥沟的宽度为15-20cm、深度为15-20cm。
7.根据权利要求4所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:种植孔位于地垄上地膜边沿的内侧或外侧。
8.根据权利要求7所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:种植孔的孔口直径8cm,种植孔孔口圆心到膜边沿的距离为5cm。
9.根据权利要求4所述的烤烟半膜覆盖栽培方法,其特征在于:垄底宽度为210cm,土烟垄高20±3cm,田烟垄高25±3cm。
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